JPS592086B2 - ジキヘツド - Google Patents

ジキヘツド

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Publication number
JPS592086B2
JPS592086B2 JP5484975A JP5484975A JPS592086B2 JP S592086 B2 JPS592086 B2 JP S592086B2 JP 5484975 A JP5484975 A JP 5484975A JP 5484975 A JP5484975 A JP 5484975A JP S592086 B2 JPS592086 B2 JP S592086B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin plate
magnetic
ferromagnetic thin
current
magnetic field
Prior art date
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Expired
Application number
JP5484975A
Other languages
English (en)
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JPS51131308A (en
Inventor
謙二 金井
伸征 紙中
深 小林
紀台 能知
登 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5484975A priority Critical patent/JPS592086B2/ja
Publication of JPS51131308A publication Critical patent/JPS51131308A/ja
Publication of JPS592086B2 publication Critical patent/JPS592086B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録体から記録情報を磁歪として抽出し、
それによつて強誘電体を、駆動して電気信号を得る磁気
ヘッドの改良に関する。
強磁性体に磁界を印加したとき電気的抵抗値が変化する
磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドの原理的構成として
は第1図に示されるような構成のものが考えられていた
第1図では記録媒体1と垂直なy方向に強磁性薄板より
なる磁気抵抗効果素子2を当接または近接させ、磁気抵
抗効果素子2の長手方向すなわちz方向の両端に電極3
、4を配置し、素子に電流iを流し、電極3、4間の電
圧変化より検出する方式が考えられている。さらに磁気
抵抗効果の比抵抗変化Δρは強磁性薄板の磁化方向と電
流方向とのなす角度をθ、a、bを定数とするとΔρ二
a + b−cos2θという関係が成立つている。印
加磁界Hと抵抗変化率Δρ/Δ maxとの関係は第2
図に示すような特性となり、信号磁界と抵抗変化率は著
しく非直線な特性あり、この非直線性とダイナミックレ
ンチを可及的に広くするためにバイアス磁界Hbを加え
て動作点を第2図のp点に設定する必要がある。このよ
うな構成においてはバイアス磁界を設定するために永久
磁石となる硬磁性材からの漏れ磁界を調整する方法、電
流による磁界を用い電流性を変化させて調整する方法が
ある。なお第2図の縦軸は強磁性薄板の磁歪効果に関係
する機械的寸法変形率(Δl/Δlmax)と表示する
こともできる。
上記従来の出力電圧取出し方法においては、磁気抵抗効
果素子に検出電流iを流すことにより出力電圧eは素子
の長さをe、断面積をSとするとe=Δρ・e−i/S
で与えられるが、出力電圧を大きくするためにはlを可
及的に大きくする必要があるが、素子の熱的制限より限
度があり、特に素子の断面積の大きい場合には素子の許
容電流密度をJとするとJ−l/Sは小さくなり、出力
電圧eが小さくなるため、素子断面積は極端に小さくな
り、素子の断線、化学的変質による劣化等が問題になつ
た。
また検出電流を流す必要があるため、消費電力が問題と
なる。特に多チヤンネル構成のときは重要な課題となる
。また定電流で動作させる必要があるため検出電流に脈
流が充分少ないことが要求されるため電流源が高価なも
のとなる欠点があつた。本発明は磁歪の大きい磁気抵抗
効果素子を用いて上記欠点を解消するものである。
以下本発明の一実施例を図面とともに述べる。第3図イ
は斜視図、口はイの断面を少し変形した図である。軟磁
性材料よりなる強磁性材基板5または非磁性基板上に強
磁性薄板を被着したものの上に導電性非磁性薄板6を記
録媒体1の幅方向を長手方向とし、記録媒体1と垂直に
配し、絶縁層7を介し強磁性薄板8を配し、導電性非磁
性薄板6の厚さ及び絶縁層7の厚さの和を空隙幅とする
閉磁路を形成し、強磁性薄板8の表面に絶縁層9を介し
て強誘電体薄板10を被着し、その両端に出力電圧取出
用の電極11,12を配した構成とする。記録媒体1か
らの信号磁束は空隙部で検出し、強磁性薄板8に磁束が
流れ、磁歪効果により強磁性薄板はΔe/eの長さ変動
を生じ、その長さ変動が隣接する強誘電体薄板10の圧
電効果により記録媒体1からの信号磁束に応じた出力電
圧を得るものである。第2図に示すようなバイアス磁界
を印加するために空隙材である導電性非磁性薄板6に電
流1Bを流すことにより強磁性薄板8にバイアス磁界を
附勢する。このような動作を効率よく行なわしめるため
に強磁性薄板8としては高透磁率であることが望ましい
が同時に磁歪定数の大きなものが望ましい。例えばFe
−Ni合金であるパーマロイ、Nl−CO合金、Ni等
の強磁性材料が適している。また強誘電材料としてはC
6S,BaTiO3,Pb(Zrx−Til−x)03
,PCM等の圧電効果の大きい材料が適している。上記
実施例においては強誘電体材10の圧電効果として縦効
果を利用した例を示しているため、出力電圧取出電極1
1,12は圧電効果素子の長手方向面に配されているた
め絶縁層9を配しているが、圧電効果の効果を用いれば
必ずしも絶縁層9は必要でない。
また、この図面では非磁性空隙材の一方の面のみに強磁
性薄板を配しているが両面に配することは可能である。
さらに圧電効果素子からの出力電圧取出電極はこの具体
例にとどまらず種々の構成のものが考えられる。以上の
ような構成にすることにより磁気抵抗効果素子または磁
歪素子となる強磁性薄板8の動作点として、小振幅入力
に対しては印加磁界Hと素子の機械的変形率(Δe/Δ
ErI]AX)との直線性が改善される。
従来の磁気抵抗効果素子のように電圧検出用の電流が不
要となるため磁気ヘツド消費電力がなくなる。この単位
磁気ヘツドを多数ならべる場合のマルチヘツド構成では
特に有利な条件となる。電流が不要のため電源電流の脈
流の影響がない等のすぐれた特徴を有し、脈流に起因す
る雑音混入、信号対雑音比の低下の問題が解決される。
また従来は磁気抵抗効果素子に流す電流のため素子を加
熱し、化学的、物理的劣下の原因となつていたが、この
点も解決される。さらに、本発明の磁気ヘツドでは空隙
部で記録媒体1からの信号磁束を検出するため、従来問
題となつていた媒体に対して垂直に配された磁気抵抗効
果素子の巾損失を避けることができる。等の効果を有す
る。さらに、本発明においては強磁性薄板で磁気閉回路
を構成して強磁性薄板の側面に強誘電体を取りつけてい
るので強誘電体の各部に印加される磁界は、その時々に
おいて一様であり、忠実な電気信号の再生が可能になる
。そして、バイアス電流通過導体層が磁気ギヤツプを構
成しているので、構造が単純化されるだけでなく、より
一層の薄膜化が可能になる。そしC、この導体層に流す
バイアス電流を調整することによつて、最適バイアス点
を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁気抵抗効果型ヘツドの従来例を示す図、第2
図は強磁性薄板の抵抗変化率あるいは機械的形状変化率
の関係図、第3図は本発明の一実施例の磁気ヘツドの構
成図である。 5・・・・・・軟磁性強磁性薄板、6・・・・・・導電
性非磁性薄板、7,9・・・・・・絶縁層、8・・・・
・・強磁性薄板、10・・・・・・強誘電体薄板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 バイアス電流通過用導体の周囲に、少なくとも強磁
    性薄板を含む磁性体が配置され、前記バイアス電流通過
    用導体が磁気ギャップとなつて磁気記録体側に露出し、
    前記強磁性薄板の側面に強誘電体を密着させ、前記強磁
    性薄板の磁歪を前記強誘電体に与え、前記強誘電体から
    電気信号を取り出すことを特徴とする磁気ヘッド。
JP5484975A 1975-05-09 1975-05-09 ジキヘツド Expired JPS592086B2 (ja)

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JP5484975A JPS592086B2 (ja) 1975-05-09 1975-05-09 ジキヘツド

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JP5484975A JPS592086B2 (ja) 1975-05-09 1975-05-09 ジキヘツド

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Publication Number Publication Date
JPS51131308A JPS51131308A (en) 1976-11-15
JPS592086B2 true JPS592086B2 (ja) 1984-01-17

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