JPS5921051A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路装置にかかり、特に低インダ
クタンスリードフレームｋＪ４ＣＴるガラス封止形半・
節体集積回路装置に関するものである。

近年、半導体集積回路ｔｉｉ１＋作速度の同速度が目覚
ま］７〈これに伴って内部パルス波形のスイッチング時
間は、より小さくなって来ている。この事け１ 単位時間当りのｌｉｔ流変比変化率の増加ｒ意味１．。

半導体集積回路に流入する。或いは流出する電流自身の
変化率も増加傾向’ｔｒｙド【−８これ迄ぞの効果を無
視されていた半４（４−ペレット外のリードフレーム以
降の配線自己インダクタンスしによる逆起電力ｖ−−Ｌ
肘の発生がＪ：９顕著となって来ている。特に、このパ
ルス状の電位変動がＯＮ　１）ラインに重畳すると、Ｇ
ＮＤレベルｒノイズ的に浮かせて、入力に重圧帰還ｒ起
【７１電気的特性に不具合を生じさせている。

本発明は、この自己インダクタンスに工９発生する逆起
電力の主要因の一つであるリードフレーム材質又は構造
ｒ改善することにより、上記欠点ｖＷ４消し、高速度集
積回路の電気的特性の向上ｒ可能とするリードフレーム
忙有するガラス封止形半導体集積回−線、置ｔ、提供す
るものである。。、、、：、、。

本第１の発明の要旨は、透磁率μが１０’より冥　■、
　　、・ 小さい金−材料ＶＣより構成されたリードフレーム′　
　□で有することに特徴と丁やガラス封止形の半等体集
積回路装置におる。

また本第２の発明、の要ｉ、透：磁率μが１０４　　　
′より小さい金−材料にエフ少なくともリードフレーム
のステッチ都よりタイバ一部分までが被覆されているこ
とγ特徴とするガラス封止形の半４体寒積ｌ路龍にある
。、　　　　′ 以下これらにつき１す、に説、明する。１．。

今、簡手比の為に幣１図に示す様な半径ａの円形断面！
し、、、ｉ分、に長い直線状導体を流れる電ｉＩが断面
内で均’Ｑ、、Ｖｃｉ布してい、るり、−Ｆクレー　。

ムて考え、さらに外部インダクタンスの効果はないと仮
定すると平径γ点の磁界の・強さ１１は、γ内のここで
、リードフレーム材の透６Ｈ率’ｆ　／ｊ　Ｈとすると
、半径γ、〜ｒ＋ｄｒ部分の単位長当りの田気：、エネ
ルギーｄＷは、Ｂ忙磁束密度とすると。

よりリード７レニム、内に蓄積されるエネをギーは単位
長当り リードフレームの単位長当りの内■１インダクタン′″
′”′９ユＩ’、ｉ１２．　　　・。

となる。自Ｉ己インダ（−ン六は内部、インダイタンス
と外部インダクタンスの和で現ねされるが、ＧＮＤリー
ドフレームに対する他のリードフレーム　　　　　　：
間の外部インダクタンスは、自１已インダクタンスの効
果に比較して小さいので、これτ無視すると自己インダ
クタンスＬ−Ｌｉ　−−・・・・・・−（４）８π で現わされ、リードフレームの自己インダクタンスはフ
レーム材の透磁率で支配される事が解る。

このＬとμの比例関係は０円形断面以外の通常の　　　
　　１□ リードツー−人形状にぢしても基本的に変らりい事ハイ
う迄もない。、即ち自生イイイ：クタン、スＬｖ呼劣ス
ル腎は、μの少′２４．諭値、匍有木る。材竺アリ、−
ドフレ一台を形盛１些ば良い。　　　、。

現在カラス封、止形半導＋集休回、眸装置にｍ’４．さ
れるＩＪ　ニドフＹ−ム材は鉄：ニッケを系含金（Ｆ’
ｔ＋’え−４５，ａ、ｌ　Ｉｇｙ）−子自己１イイダク
、り、ン、さ党効釆ｒ坏楊されｙ主と１−て甲いら！ｌ
′Ｌ″Ｆ、来声窄これらの含金は２強磁性体なのでμ瀘
木今＜、自己インダクタンスに関１〜ては、−１般咳大
きぐ、１な、る。、第２図にＮＩ含有率と甲呻率Ω関係
匍示”ｆ’７．この図から。

回路上叩題となる逆起電力を生ずるＮｉ含：有基は４０
％以上であり、３６％以下になると叩ニｄｉ／ｄｔ　　
でμが１／３　昼下に仝る！、、か、ら増起電内もｌ／
３以下になることが判る。、従２て３６％以下♀Ｎ１の
鉄・ニー／ダル合金を便えばよ、い、。、或いはμ〈１
０４の希件を満足、す、！池の合金ｔリードフレ下ム材
として用いて、も良−９午はいう塔もな１０　１　　　
　　　　１　　□　□１１　　　　　　１１、：第３図
は本第２．の発明の原理説明用の…筒帰陣−５＝ ォ３＠。ア、、、、カー、２ヶ□、ｂ＊：ｓ”？？ｇ　
　　■の説明図である。

１図に示された素む被１夏したと仮足するｄこの　　　
　　□と となジ、ワ、−ドフレーム材に他金属で被、覆すると’
Ｈし友金属の透磁率で自己インダクタンスは決定される
様になり、この値ｒリードフレーム材のそれよ・す、小
さい値、即ち前記条件μく１０４の条件　　　　　：酢
で満す金属を用いる事でリードフレームの自己インダク
タンス忙減じる事が可能とな：る。、・　。

この時、リードフレーム′ｒ：被覆する領域として６一 は、リ　−ドフし・−ム全面が自己インダクタンズ、領
最小と４−るｑ〕は明らかである。又、ａ常１す・用状
態にｂ竹（はメ１バー１＝ｌ（−Ｃプリント板にハンダ
等によって接続−す−る事からスケ・ソチ都エジメイバ
一部迄の徂滅′ｃＯ扱覆（７ても効果ど（７°Ｃは変ら
ない。第・１図０４第２の発明の一実施例ＶＣＪ：る牛
す季１・１【集積回路ｉ４Ｒのリー　トル−　人に）装
邸拡火図であり、まｒ−４５図は第４図のＸ−Ｘ’　　
一点鎖線都の断面図である４、Ｉ＋’ｃ−Ｎｉ糸金合金
４例えは４５　ａｌｌｏｙ）ｒル−ｌ−杓と（２で用い
ている。この素Ｋ１１Ａｉ＋’ＡＦｉ条件ｒ満−す゛金
槻５（ｆ（ｉｌｌえばＡｇ）によってスデッチ都３よリ
タイバー■ｉ１迄が被覆され１いる。

なお２はアイランドである。

金し４γノシ・−ムに被覆する手段は、メッキ。蒸有ぞ
の１（ｈどの様な方法でも良く又、ハ側のみのメッキで
も効果がある。

以上説明（７たとお９本発明によれば低インダクタンス
のリードフｌ／−ムｒ有する半導体集積回路＆９１ｔが
得られ、その結沫半導体ペレット外のＩＪ　−、−ドフ
レーム以降の配線自己インダクタンスによる逆起ｆｉｔ
力の発生が１−＜なくてり、高速集積回路挟置の１狂気
的特性の向上ｖ　ｆｉｒ　０１：と［また。

【図面の簡単な説明】

第１図は本ｉ’ｆｌ！　１の発明の原理説明用の円筒１
．Ｉ！体説明図、第２図Ｃ」状・ニッケル合金におしＪ
ｚ）透磁率μとニッケル含１４′率の関係図、第：う図
は本絹２ｑ）発明Ｖ）原理Ｍｉ？、明１ｔ、Ｉの円筒導
体に）説明図、第４図及び第５図は本絹２ｔｚ）発明ｆ
／）−’太施列による半導体乗積１）コ１路ｑ）リ−）
’フレームＶ）装部拡大図ト・よび第４図のＸ−Ｘ’−
点鎖線１ｒｌｌの断面図４゛ノ１＜１′。 ａ・・・・・・情４体ｑ）半径、γ・・・・・・厚１本
内ｔＺ）ｆｌ’Ｈ；飯Ｖ）半径。 ■・・・・・・′市ゲし、μｌ　・・・・・・リー　ト
ル−　ム拐Ｑ）透磁率。 γ１　・・・・・・導体素材、μ２・・・・・・破覆昏
捧の透１ｉｆｉ率。 １・・・・・・メイバー邸、２・・・・・・アイランド
部、３・・・・・・スデッチ邸、４・・・・・・・浮体
索＠、５・・・・・・導体被覆ｉ都。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透磁率μが１０４　より小さい金属材料により構
   成されたリードフレームを有することτ特徴とするガラ
   ス封止形の半導体集積回路挟置。
2. （２）透磁率μが１０４　より小さい金属材料がニッケ
   ル含有率が３６％以下である鉄・二、ソグル合金である
   ことｔ特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導
   体集積回路挟置。
3. （３）透磁率μが１０４　より小さい金属材料により少
   なくともリードフレームのステッチ部エジメイバ一部分
   までが被覆されていることｔ特徴とするガラス封止形の
   半導体集積回路挟置。