JPS59213083A - メモリ書込方法 - Google Patents

メモリ書込方法

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Publication number
JPS59213083A
JPS59213083A JP8705583A JP8705583A JPS59213083A JP S59213083 A JPS59213083 A JP S59213083A JP 8705583 A JP8705583 A JP 8705583A JP 8705583 A JP8705583 A JP 8705583A JP S59213083 A JPS59213083 A JP S59213083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
input
memory
write enable
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8705583A
Other languages
English (en)
Inventor
Natsuki Mori
夏樹 森
Tsutomu Arakawa
勉 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP8705583A priority Critical patent/JPS59213083A/ja
Publication of JPS59213083A publication Critical patent/JPS59213083A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明はメモリ書込方法に関する。
C口)従来技術 現在、メモリ内において重ね書きを行なう際には斯るメ
モリ内のビットデータ全バイトもしくはワード単位で読
み出し、斯るビットデータと重ね書きすべき、入力デー
タとを論理和演算し、その後斯る演算結果を上記メモリ
内の所定位置に書き込んでいる。
然る[斯る方法では、読出し、論理和演算、書込みとい
う6つの処理が必要となり処理速度が低下すると共に回
路が複雑となる。
ei  発明の目的 本発明は上記の諸点に鑑みてなさnたもので、重ね書き
に適したメモリ書込方法を提供せんとするものである。
に)発明の構成 本発明の特徴は誉込ま几るべきデータtビット単位で入
力するデータ人力重子、各ビットに対応して斯るビット
毎への上記データ入力端子からの入力データの書込み音
制御する入力信号が入力さルるライトイネーブル端子?
備え几メモリへの書込み方法であって、上記データ入力
端子には全て論理111を入力すると共に、上記ライト
イネーブル端子には入力さ几るべきデータ全入力するこ
とにある。
(ホ)実施例 M1図は本発明の実施例を示し、11)は例えばダイナ
ミックRAM(う゛ンダムアクセスメモリ)からなるメ
モリであり、該メモリは例えばバイト(8ビツト構成)
単位で番地付さ几ている。また断るメモリにはアドレス
端子A D、データ入カ端子dO〜d7.ライトイネー
ブル唱子WEo〜WK7の各端子が設けら几ている。
上記アドレス端子ACICは上記番地?指定するアドレ
ス48号Airが入力さ几る1、17ζ進常上記入力端
子do−47には上記信号に6rKより指定さln7を
領域に書込まルるべきデータが入力さ几、ライトイネ−
フル端子WIG〜WE7には上ml(g号Adrにより
指定さ九る領域の各ビットに対して斯るビットへの書込
みを許可するが否がン制御する制御1g号Wが入力さ几
る。つまり、第2図に示す如くメモリは)内の上記一単
位の各ビットvbO〜b7で表わ丁とすると、上記デー
タ入力端子dO〜d7から入力さnる各信号は上記b 
o 、1)7の各ビットに入力さ九るものとなり、ま友
ライトイネーブル端子WEo〜WFi7から人力さ几る
制御信号Wの各々は上記bO〜b7の各ビットに対応し
て祈る各ビットの書込み?制■する。尚上記制卸信号W
が論理′″1′であるとき書込みは許可さル、論理sO
“のとき書込みは禁止さ几る。
例見ば第3図Aに示すy口<データ入力端子d7〜dO
より01101010’がデータとして入力さ几、27
為2このとき第6図BVc示す如くライトイネーブルJ
子WM7〜UKOに’111 D。
011#という割肌f5号Wが入力音さ′i’している
ものど1−るとアドレス信号A(lrにより18足さf
L7c各ピッ)b7〜bOには第6図CVc示了叩く、
1011※※※10“がセットさnる。尚亀※−マーク
に上記セット0りにJil[るビットVこセントさルて
い7こ値を示す、つまり、ライトイふ一プル端子WE2
〜WE4に人力さ几た制御111倍号Wは論理蟻01と
なっているため、データ入力端子d2〜d4から入力さ
nるデータ’010’はメモ1ハl)内にセットされな
い。
(2)ハアドレス指定部であり、該指足部ではメモIJ
III内の番地を指定するアドレス(i@Adrt’メ
モ1月1)のアドレス端子ADに出力する。
(3)はパターン変更部であり、該変更部では外部より
入力さi’LJtコードaa’ft上記メモリIl+に
格納可能なデータに変換し、斯るデータン出力端子CO
〜C7より上記メモ1月1)のライトイネーブル端子W
KO〜WE7に出力する。
また上記メモリ11)のデータ入力端子dO〜d7には
、常に外部より論理蟻11が夫々入力さ几る。
本実施例装置において、アドレス信号Ac1rにより指
定さ几る領域VC第4図Aに示す如く#1101011
0’というデータが格納さルているものとし、またパタ
ーン変換部(3)の出力端子07〜COよりメモ1月1
)のライトイネーブル端子WE7端子dO〜d71Cは
執111.11111’が常に入力さルるため、上記ア
ドレス信号Adrで指定さ几る領域内のデータは第4図
Cに示す如く一11110111’となる。
ここに上記第4図Cに示したデータは実質的にライトイ
ネーブル端子WF!7〜WEOから入力さf′Lだデー
タと貼るデータが入力さnる@に既にメモリ(1)内に
格納さnていたデータとの論卯和結果となっている。
尚、本実施例装置においてデータ入力端子dO〜d76
c論理%09な入力することにより、アドレス信号Ai
rにより指定される領域のデータYビット単位で消去で
きる。つまり、例えば上記領域に’11011011’
というデータが格納さ扛ているとき、ライトイネーブル
端子WE7〜W\ EOより’11011000”というデータが入力さn
7r−とすると斯るライトイネーブル端子のりち論理s
1yが入力さnた端子に対応する、上記領域内の各ビッ
トの値は論理tOrとなる。従って、上記データ入力後
のアドレス信号Adrで指定さ几る領域のデータは’0
0000011’となる。
(へ)発明の効果 本発明の方法によ几ば、単にデータ入力端子に論理11
”を入力すると共にライトイネーブル端子より重ね書き
すべきデータを入力するだけでメモリ内において重ね書
きができるので、その処理速度は速く、かつ回路も簡単
にできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例?示す回路図、第2図は第1図
回路中のメモリの構成を示す模式図、第6図に乃至Cは
第1図回路中のメモリの一般的な動作を説明するための
模式図、第4図は第1図回路の動作乞示す模式図である
。 dO〜d5・・・データ入力端子、Wl!!0〜WE7
・・・ライトイネーブル端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 11)書込ま几るべきデータをビット単位で入力するデ
    ータ入力端子、各ビットに対応して斯るビット毎への上
    記データ入力端子からの入力データの書込み乞制到Tる
    入力信号が入へされるライトイネーブル端子を備えたメ
    モリへの書込み方法であって、上記データ入力端子Ku
    全て論理11#を入力すると共に、上記ライトイネーブ
    ル端子には入力さnるべきデータ全入力すること?特徴
    とするメモリ書込方法。
JP8705583A 1983-05-18 1983-05-18 メモリ書込方法 Pending JPS59213083A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8705583A JPS59213083A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 メモリ書込方法

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JP8705583A JPS59213083A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 メモリ書込方法

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Publication Number Publication Date
JPS59213083A true JPS59213083A (ja) 1984-12-01

Family

ID=13904252

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8705583A Pending JPS59213083A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 メモリ書込方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343246U (ja) * 1986-09-02 1988-03-23

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5631154A (en) * 1979-08-23 1981-03-28 Victor Co Of Japan Ltd Memory device

Patent Citations (1)

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Cited By (1)

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