JPS60200287A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

Info

Publication number
JPS60200287A
JPS60200287A JP59055273A JP5527384A JPS60200287A JP S60200287 A JPS60200287 A JP S60200287A JP 59055273 A JP59055273 A JP 59055273A JP 5527384 A JP5527384 A JP 5527384A JP S60200287 A JPS60200287 A JP S60200287A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
bit
bits
word
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59055273A
Other languages
English (en)
Inventor
光男 斎藤
健 相川
秋夫 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59055273A priority Critical patent/JPS60200287A/ja
Priority to US06/714,396 priority patent/US4660181A/en
Priority to EP85103360A priority patent/EP0156316B1/en
Priority to DE8585103360T priority patent/DE3587329D1/de
Publication of JPS60200287A publication Critical patent/JPS60200287A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/04—Addressing variable-length words or parts of words
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Digital Computer Display Output (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は画像ディスプレイ装置等に使用される記憶装置
に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
画像ディスプレイには様々な図形1文学部が表示される
が、これらの図形1文字を構成するドツトデータをメモ
リからアクセス(書き込み・読み出し)する場合1図形
の種類により1度にアクセスすべきドツト数は異なるも
のである。例えば文字1画像イメージ尋を表示する際に
は、1文字あるいは画像イメージを構成する全てのドツ
トを1度にアクセスしたいが%直線1円等の幾何学図形
を表示する際冨=はこれらの直線1円が除々に描かれる
様に1ドツトずつアクセスした方が人間の観察者には分
り易い。ところが、従来の記憶装置C:おいては、1つ
のアドレスに対応して複数ビットから成る1ワードを同
時fニアクセス出来るものはあったが、そのアクセス可
能なビット数(ビット幅)は固定されていた。そのため
この固定されたビット幅より狭い幅でアクセスするため
には、一旦lワード内の全ビットを読み出して必要々ビ
ット幅の部分のみ書き換えて、それ以外の部分は元のま
まにしておき、再び書きもどす必要があった。
つまりこの方法では書き換えの際の手屓が面倒な上に処
理C:時間がかかるという欠点があった。一方、1ビツ
トずつアクセスする様にメモリを構成することも出来る
が、この場合には複数ビットを同時にアクセスしたい際
I:も、1ビツト毎しかアクセス出来ないので時間がか
かるという欠点があった。これらの欠点を取り除くもの
として特開昭57−179982 号公報が知られCい
る。これは1ワードをnビットずつ分割して1ワード中
の全ビットあるいは一部分ビットを各々書き換え可能な
メモリ装置で、その構成図を第1図(a) (b)に示
す。第1図(a)において11は書き込み、読み出しの
単位がnビット(n= 1 、2 、3.・) (7)
記憶回路、12ハNビツト(N=/xn 、 l=2.
3.4・・)のデータ入力端子、13は12より入力さ
れたNビットデータからnビットを選択するデータ選択
回路、14は書き込み指示信号とNビット全てを書き換
えるのかNビット中のどのnビットを書き換えるのかを
指示する制御信号の入力端子、15は11のアドレス情
報の入力端子、16は14より入力される制御46号(
:基いて7種類のデータ選択信号を13へ出力すると共
に11へ書き込み指示信号と1種類の内部アドレス(ワ
ード中のnビット分のアドレス)を1回出力する内部ア
ドレス発生回路、17は出力端子である。記憶回路11
では第1図(b) t:示すように、アドレスiの1ワ
ードNビツトはnビット毎C二分割され、アドレ、;<
t+o 、t−z 、 i+(t−1)の7個のアドレ
スに記憶されている。先ずアドレスi (1) 1ワー
ドNビツトを全て書き換える場合は。
内部アドレス発生回路16は入力端子14の制御(&号
5二基き、1種類の内部アドレスとl種類のデータ選択
信号を順次対応して11と]3へ出力するとともに書き
込み指示信号を1回記憶回路11へ出力する事C:より
記憶回路11中のアドレス量のNビットが全て書き換わ
るものである。しかし、Nビット全て書き換えたい際に
もnビットずつ順次書き換えるので時間がかかり非効率
的である。次にアドレス1の1ワードNビツト中のnビ
ットだけを書き換える場合には、14の制御信号に基金
内部アドレス発生回路16は、1H類のデータ選択信号
とアドレス1中の特定の内部アドレスを順次対応して1
回発生し、13と11へ出力するとともに書き込み指示
信号を1回11へ出力、する。この場合C二は、記憶回
路11のアドレス量中の特定のnビットーニデータ選択
回路13より出力されたnビット分のデータが1回書き
込まれて最後I:書き込まれた1回目のnビット分デー
タが記憶されるので非常に効率が悪−6又、この引例で
はアドレス情報の他に、内部アドレス信号、データ選択
信号、書き込み指示信号を入力しなければならず、これ
らを同期する制御も複雑であった゛。
〔発明の目的〕
本発明の目的は1ワード中の所鼠のビットのアクセスを
高速に行なう事が可能となる記憶装置な提供することC
二ある。
〔発明の概要〕
本発明はアドレスを指定することによりワード単位C:
アクセス可能なメモリと、ワード内のアクセスすべきビ
ット数を指示するビット数指示信号線と、このメモリ内
のワードを指定するアドレスをワード内のアクセスすべ
きビット数に応じて選択的(二前記メモリへ出力する選
択手段と、この選択手段に入力される前記アドレスの一
部分により前記ワード内のアクセスすべきビットに指示
信号を出力する指示手段とを備え、ワード内の全てのビ
ットをアクセスする場合は前記選択手段は前記アドレス
を全て出力し、ワード内の一部のビットのみアクセスす
る場合は前記選択手段は前記アドレスの一部分を出力し
前記指示手段は前記・選択手段から出力されなかった前
記アドレスの他の部分な入力するものである。
〔発明の効果゛〕
本発明によれば、記憶装置においてデータをアクセスす
る際に、1ワード中の所望のビットが一度にアクセス出
来るので、処理時間が短縮化され。
効率が向上する。
〔発明の実施例〕
以下1本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第2図は本発明の一実施例の構成図であり、これらはデ
ィスプレイC二接続された画像発生装置に内蔵される。
この第2図C:おいて、21はディスプレイに表示する
ためのドツトデータを収容するメモリであり、これは連
続する16個のドツトを1ワードとして同時に書き込み
及び読み出し可能であるとともに1ワードを構成する任
意の1ビツト(lドツトデータに対応)単位での書き込
みが可能である。
本実施例ではメモリ2】は4にワード×16ビツトで構
成される。nは図示しないCPUより送られた16ビツ
)(Ao−’ts)のアドレスをアクセスすべきビット
数(ビット幅)に従って選択的に切換出力するマルチプ
レクサである。このマルチプレクサ4はアクセスすべき
ビット幅が16ビツト(ワード単位)の場合は4〜A1
1までを、又、1ビツトの場合はへ〜へ、をメモリ21
へ出力する。すなわち。
16ビツト幅アクセスの場合はCPUより^〜へ、をつ
かってワードアドレスが、また1ビツト幅アクセスの場
合は^〜^、をっかってワードアドレスがそれぞれ送ら
れてくる。また1ビツトの場合l:おいては、下位のア
ドレスへ〜^はへ〜’11 で指定されたワードアドレ
ス中のアクセスすべきビット位置の選択に利用される。
羽はデコーダであり。
1ビツト幅のアクセスの場合lニマルチプレクサ匹から
アドレス九〜^を入力し、このアドレス内容により、A
4〜A1.で指定された16個のビット(1ワード)の
中でアクセスすべき1個のビットを指定するための書込
制御信号を出力する。24はレジスタであり、16ビツ
ト幅のアクセスの場合に必要とする書込制御信号を得る
ために用いられる。6は入出力回路であり、几/W信号
線四の指示Cより、データバスを通して送られたデータ
をメモリ21へ送り、又はメモリη内のデータを読み出
すものである。書き込み指示信号が与えられた際に。
16ビツト幅の場合は16ビツト分の全データをその菫
まメモリ2】のビット(Do〜D8.)へ送り、1ビツ
ト幅の場合は、データバスより送られた同一の16ビツ
ト分データを、メモリ21の全ビット(Do〜Dss)
へ送る。怒は後述するビット幅指示信号線、27はイン
バータである。
第3図はメモリ21の内部構成図であり、小メモリ#0
〜#15より構成され、この各々ロニライトエネーブル
信号線wgo〜wi15.データ線Do−D+d)”接
続されている。この各小メモリは4に分のアドレスの付
された4に個のビットから構成され同一アドレスが供給
される。すなわち、各ワードの各ビットは夫々独立な小
メモリ1;収容されている。
次に本実施例の動作をデータの書き込みI:ついて述べ
る。図示しないCPUよりアドレス九〜へ。
が送られたものとする。先ずビット幅指示信号線26C
;より16ビツト幅を指示する信号(これを信号“1″
とする)が図示しないCPUより入力されると、マルチ
プレクサnはアドレス〜〜”11 のみをメモリ2】へ
出力する。(尚、アドレスA□〜A1゜は用いられない
。このアドレス搗〜へ1 によりメモリ2]内の該当ワ
ードが選ばれる。ビット幅指示信号線がへ入力された信
号“1′はレジスタ囚へ送られる。レジスタ囚は信号“
1”を入力するとメモリ21内の小メモリ#0〜#15
に各々接続されているライトエネーブル信号線の全てを
ONにする。データバスC二は図示しないCPUより1
6ビツト分のデータが送られ、入出力回路3へ与えられ
る。この入出力回路5はR/W信号IIにより書き込み
指示信号を入力することにより、データバスより受け取
った16ビツト分のデータをメモリ2】の16ビツト(
DQ、D15)へ入れる。この16ビツト(へ〜へ、)
のデータ信号は小メモリ#0〜#15へ送られるが、こ
れらの小メモリには各々ライトエネーブル信号が入力さ
れている丸めデータが書き込まれる。
次に図示しないCPUよりビット幅指示信号線脚を通し
て1ビツト幅を指示する信号(これを1H号“0″とす
る。)が入力された場合f;ついて述べる。この場合マ
ルチプレクサnはワードアドレス^〜A1m のみをメ
モリ21へ出力し、又、アドレスの下位部分であるビッ
トアドレスへ〜A、はデコーダ羽へ送られる。ビット幅
指示信号線局より入力された信号“O”はインバータ7
で反転されて信号“1′となりデコーダるへ送られる。
したがって、デコーダるは、入力したアドレス視〜^を
解読し対応するライ1ト工ネーブル信号(WHO−WE
 15の内の1つ)をONにする。一方。
該当する1ビツトを二書込むべきデータはデータバスを
通して同一データが16ビツト分同時番−送られる。入
出力回路δはR/W信号線四より書き込み指示信号に従
って16ビツト分の同一データをメモリ2】の16ビツ
ト(Do〜Dsi )へ入れる。
小メモリ#0〜#15には、各々同一データがD0〜D
lll より入力されるが、ライトエネーブル信号が供
給されているのは小メモリ#0〜#15の内の1つだけ
である。その1つの小メモリc:おいて。
ワードアドレス入〜AI6 の該当ビットlニデータが
書き込才れる。
第4図は本実施例で用いられるアドレスの一例を示す図
である。第4図(a)は1ビツト幅アクセスの場合に用
いられるアドレスデータの構成図である。上位部分^〜
A4 の内容はメモリ21のワードアドレスであるが、
この例ではアドレス13のワードがアクセスすべきもの
であることを示している。
下位部分電〜A3の内容はワード内のアクセスすべき1
ビツトを指示する。具体的には小メモリの内で、どの1
つの小メモリを選ぶかを示す(ライトエネーブル信号W
EO〜WE15の内で、どの1つをONするかを示す)
もので図示の場合#4の小メモリへ接続されたWE4が
ONされる。これをワードとビット漫の位置に置き換え
ると4番目のビットCニデータが書き込談れる。
本実施例C:おいては、アクセスすべきビット幅を16
ビツトと1ビツトのみとしたが、勿論これのみに限られ
るわけではなく、2ビツト幅、4ビット幅等色々と適用
出来る。第4図(b)はワード内の2ビツト幅アクセス
を行った場合に利用するアドレスの一構成例を表す図で
ある。この場合、アドレス^〜AI4 の内容によりワ
ードアドレスカ示すれ、AO−Atによりビットアドレ
スすなわち0N−iべき2本のライトエネーブル信号線
が示される。
(尚へ、は不要となる。)この例では小メモリ中のアド
レス13のビットを示しており、九〜4の内容はWE7
とWE&のライトエネーブル信号線をONすることを示
している。これをワードとビットとの位置で置き換ると
、アドレス13の左端から4番目の2ビツト分(正確に
は7番目と8番目のビット)を示すものである。この2
ビツト幅分のアクセスの場合には、データバスに2ビツ
ト分データが送られるが、(この場合、同一の2ビツト
分データが8ffi送られてもよいし1組でもよい。)
第2図の入出力回路5はメモリ21の(Do Dt) 
l(DtDs)〜(Dt4 DlB )に各々この2ビ
ツト分データを入れる。
第5図は2ビツト幅と1ビツト幅のアクセスの場合に切
換えて使用可能なデコーダるの内部構成図である。信号
線間より入力される信号が“l′の場合は2ビット@’
、”o”の場合1−L ]ビット幅を指定するものであ
る。グジウンドされたセレクタ31に信号“0”が゛入
力されるとデコーダには信号″0′、が送られる。セレ
クタ31に信号“l”が入力されるとデコーダ&=はア
ドレス九が送られる。
例えばアドレスへ氏九として“Ooo“が人力されると
デコーダからはWHOのみONされるが、ゲートにより
メモリへはWEO,WEIの2本がONされる。所望の
複数ビット幅にアクセスする場合も同様に構成すること
ができる。
本発明は上記実施例に限られるものではなく、メモリ内
に記憶されたデータを読み出す場合にも適用出来る。こ
の場合の動作は、第2図において几/W信号線四が読み
出し指示信号な入出力回路5へ与える。この入出力回路
5へはデコーダ羽へ出力されているアドレス人、〜Aa
も与えられる(lビット幅の場合λ書き込みの際と同様
にアドレス出力線28C;より小メモリ#0〜#15の
該当アドレスビットが選ばれるが、入出力回路部はアド
レス^〜^で示される1ビツトデータのみをD0〜DI
ll線の1つを通じて読み出しデータバスへ送る。アド
レス^〜もが入出力回路6へ出力される様子は第2図に
は示されていないが、単にアドレス出力線邦によって選
ばれた小メモリ#0〜#15の16ビツト分データを稀
〜D111 を通じて出力するだけでもよい。
尚0本実施例では書き込みの際にデコーダによりライト
エネーブル信号を制御しているが、チップセレクト信号
を制御するものでもよい。
以上要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の回路構成図、第2図は本発明の一実施
例の構成図、第3図は本発明におけるメモリの内部構成
図、第4図は本発明においてアドレスとビット及びワー
ドとの位置関係を示す図。 第5図は2ビット幅アクセスの場合のデコーダの内部構
成図である。 21・・・メモIJ 22・・・マルチプレクサ3・・
・デコーダ 囚・・・レジスタ 5・・・入出力回路 局・・・ビット幅指示信号線が・
・・インバータ 28・・・アドレス出力線器・・・R
,/W信号線 代理人弁理士 則近憲佑(ほか1名) 第1図 ・・・ jl ?トレス13 ・ t’s> J ” ?トしスー/3[D ・1・ 1 1 1 1第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アクセスすべきワードを指定するためのアドレスが共通
    C:供給されるとともf工夫々独立なデータ入出力信号
    線及び書き込み制御信号線を備えた複数の小メモリで構
    成されlワードを構成する複数のビットのデータな各小
    メモリに分散して記憶するメモリと、このメモリに対し
    ワード単位の書き込みを指示するだめの第1の指示信号
    又は各ワードを構成する少なくとも1ビツトを単位とす
    る書き込みを指示するための第2の指示信号を供給する
    ためのビット幅指示手段と、前記メモリの書き込みすべ
    きワードを指定するためのアドレス、このアドレスで指
    定されたワード内の書き込みすべきビットを指定するた
    めのビットアドレス及び書き込みデータを供給する手段
    と、前記ビット幅指示手段により供給された第1の指示
    信号C二応答して前記小メモリの書き込み制御信号線の
    全てに書き込み制御信号を出力し第2の指示信号に応答
    して前記ビットアドレス1:対応する書き込み制御信号
    線のみに書き込み制御信号を出力するための書き込み制
    御手段とを備えたことを特徴とする記憶装置。
JP59055273A 1984-03-24 1984-03-24 記憶装置 Pending JPS60200287A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055273A JPS60200287A (ja) 1984-03-24 1984-03-24 記憶装置
US06/714,396 US4660181A (en) 1984-03-24 1985-03-21 Memory system
EP85103360A EP0156316B1 (en) 1984-03-24 1985-03-22 Memory device with data access control
DE8585103360T DE3587329D1 (de) 1984-03-24 1985-03-22 Speicheranordnung mit datenzugriffsteuerung.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055273A JPS60200287A (ja) 1984-03-24 1984-03-24 記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60200287A true JPS60200287A (ja) 1985-10-09

Family

ID=12993988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59055273A Pending JPS60200287A (ja) 1984-03-24 1984-03-24 記憶装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4660181A (ja)
EP (1) EP0156316B1 (ja)
JP (1) JPS60200287A (ja)
DE (1) DE3587329D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01116590A (ja) * 1987-10-30 1989-05-09 Hitachi Ltd 表示用メモリ制御装置
JPH01130188A (ja) * 1987-11-16 1989-05-23 Yokogawa Electric Corp 波形表示装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5450342A (en) * 1984-10-05 1995-09-12 Hitachi, Ltd. Memory device
KR910000365B1 (ko) * 1984-10-05 1991-01-24 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 기억회로
US5923591A (en) * 1985-09-24 1999-07-13 Hitachi, Ltd. Memory circuit
US6028795A (en) 1985-09-24 2000-02-22 Hitachi, Ltd. One chip semiconductor integrated circuit device having two modes of data write operation and bits setting operation
US5448519A (en) * 1984-10-05 1995-09-05 Hitachi, Ltd. Memory device
US5265234A (en) * 1985-05-20 1993-11-23 Hitachi, Ltd. Integrated memory circuit and function unit with selective storage of logic functions
JPS61294562A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPS62169205A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd プログラマブルコントロ−ラ
JPS62194561A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5165039A (en) * 1986-03-28 1992-11-17 Texas Instruments Incorporated Register file for bit slice processor with simultaneous accessing of plural memory array cells
JPS6356732A (ja) * 1986-08-27 1988-03-11 Nec Corp マイクロコンピユ−タシステム
EP0262413B1 (en) * 1986-09-04 1992-07-22 Fujitsu Limited Memory device employing address multiplexing
GB8631027D0 (en) * 1986-12-30 1987-02-04 Questech Ltd Recording editing & moving television pictures
US5528551A (en) * 1987-05-21 1996-06-18 Texas Instruments Inc Read/write memory with plural memory cell write capability at a selected row address
EP0299697B1 (en) * 1987-07-15 1993-09-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US5257234A (en) * 1987-07-15 1993-10-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JPH02168496A (ja) * 1988-09-14 1990-06-28 Kawasaki Steel Corp 半導体メモリ回路
US5341488A (en) * 1990-04-11 1994-08-23 Nec Electronics, Inc. N-word read/write access achieving double bandwidth without increasing the width of external data I/O bus
US5652723A (en) * 1991-04-18 1997-07-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5262991A (en) * 1991-11-22 1993-11-16 Zilog, Inc. Device with multiplexed and non-multiplexed address and data I/O capability
JPH06111010A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Ricoh Co Ltd Dram及びコントローラ
USRE38651E1 (en) * 1994-05-18 2004-11-09 Altera Corporation Variable depth and width memory device
US5689195A (en) * 1995-05-17 1997-11-18 Altera Corporation Programmable logic array integrated circuit devices
GB2300952B (en) * 1995-05-17 1999-09-29 Altera Corp Variable depth and width memory device
US5537353A (en) * 1995-08-31 1996-07-16 Cirrus Logic, Inc. Low pin count-wide memory devices and systems and methods using the same
US5818789A (en) * 1995-10-10 1998-10-06 Holtek Microelectronics, Inc. Device and method for memory access
US5715197A (en) 1996-07-29 1998-02-03 Xilinx, Inc. Multiport RAM with programmable data port configuration
FR2761802B1 (fr) * 1997-04-08 1999-06-18 Sgs Thomson Microelectronics Ensemble de deux memoires sur un meme circuit integre monolithique
US6052327A (en) 1997-10-14 2000-04-18 Altera Corporation Dual-port programmable logic device variable depth and width memory array
US6288970B1 (en) 1997-10-16 2001-09-11 Altera Corporation Programmable logic device memory array circuit having combinable single-port memory arrays
US6191998B1 (en) 1997-10-16 2001-02-20 Altera Corporation Programmable logic device memory array circuit having combinable single-port memory arrays
JPH11184834A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sanyo Electric Co Ltd マイクロコンピュータ
JP3663043B2 (ja) * 1997-12-25 2005-06-22 三洋電機株式会社 マイクロコンピュータの書き込み終了の判別方法
US7111110B1 (en) 2002-12-10 2006-09-19 Altera Corporation Versatile RAM for programmable logic device
KR100532471B1 (ko) * 2003-09-26 2005-12-01 삼성전자주식회사 입출력 데이터 위스 조절이 가능한 메모리 장치 및 그위스 조절 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5329033A (en) * 1976-08-31 1978-03-17 Victor Co Of Japan Ltd Display unit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55150179A (en) * 1979-05-04 1980-11-21 Fujitsu Ltd Semiconductor memory unit
DE2948159C2 (de) * 1979-11-29 1983-10-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierter Speicherbaustein mit wählbaren Betriebsfunktionen
DE3009872C2 (de) * 1980-03-14 1984-05-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Regenerieren von in einem dynamischen MOS-Speicher gespeicherten Daten unter Berücksichtigung von Schreib- und Lesezyklen und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
JPS57179982A (en) * 1981-04-27 1982-11-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Memory device
JPS57186289A (en) * 1981-05-13 1982-11-16 Hitachi Ltd Semiconductor memory
CA1183275A (en) * 1981-10-02 1985-02-26 Martin J. Schwartz Byte addressable memory for variable length instructions and data

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5329033A (en) * 1976-08-31 1978-03-17 Victor Co Of Japan Ltd Display unit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01116590A (ja) * 1987-10-30 1989-05-09 Hitachi Ltd 表示用メモリ制御装置
JPH01130188A (ja) * 1987-11-16 1989-05-23 Yokogawa Electric Corp 波形表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0156316B1 (en) 1993-05-12
DE3587329T2 (ja) 1993-06-17
US4660181A (en) 1987-04-21
DE3587329D1 (de) 1993-06-17
EP0156316A3 (en) 1989-06-28
EP0156316A2 (en) 1985-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4660181A (en) Memory system
US4394753A (en) Integrated memory module having selectable operating functions
JPH0887876A (ja) Nand形フラッシュメモリicカード
JPH077260B2 (ja) 画像データ回転処理装置及びその方法
JPS63163937A (ja) メモリ制御装置
JPH0313796Y2 (ja)
EP0057096A2 (en) Information processing unit
JP2605656B2 (ja) 1チップメモリデバイス
JPH08129376A (ja) 1チップメモリデバイス
JPS63308783A (ja) 記憶装置
JPS6152762A (ja) バスコントロ−ル・ゲ−トアレイ
JPS607676A (ja) メモリ書込み回路
KR900002496Y1 (ko) 메모리 영역 확장 회로
JPS607678A (ja) メモリ構成方式
JPS6232818B2 (ja)
JPS62146480A (ja) 半導体記憶装置
JPS59219780A (ja) グラフイツクメモリ・アクセス回路
JPS63231548A (ja) デ−タの書き込み方式
JPS61157955A (ja) タグ制御方式
JPS61296438A (ja) デ−タパリテイ記憶方式
JPH04328384A (ja) メモリカード
JPH0877070A (ja) キャッシュメモリ
JPH0232434A (ja) メモリアクセス装置
JPS60189043A (ja) プロセツサ
JPS6175388A (ja) 表示処理装置