JPS59220932A - 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 - Google Patents
半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置Info
- Publication number
- JPS59220932A JPS59220932A JP58096026A JP9602683A JPS59220932A JP S59220932 A JPS59220932 A JP S59220932A JP 58096026 A JP58096026 A JP 58096026A JP 9602683 A JP9602683 A JP 9602683A JP S59220932 A JPS59220932 A JP S59220932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- resin
- tablet
- preheating
- molding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/462—Injection of preformed charges of material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＣＰＵ、マイクロプロセッサ等の半導体装置の
製造に用いられる樹脂封止装置におけるモールド樹脂の
予熱装置に関する。
製造に用いられる樹脂封止装置におけるモールド樹脂の
予熱装置に関する。
半導体樹脂封止装置は、第１図に示すように、リードフ
レーム／上にマウントされた半導体ベレット（図示せず
）を保護するために樹脂コにょシ封止する装置であり、
一般には複数個の素子を同時に樹脂封止をするようにな
っている。
レーム／上にマウントされた半導体ベレット（図示せず
）を保護するために樹脂コにょシ封止する装置であり、
一般には複数個の素子を同時に樹脂封止をするようにな
っている。
半導体樹脂封止装置は、第２図に示すように、基本的に
は上型（金型）３およびこれと対をなす下型（金型）４
４と、その上型３と下型≠の間に出入りしてリードフレ
ームを搬入、搬出するリードフレームローダｊと、同じ
く下型≠に設けられたポットｔ（第３．゛図参照）内に
タブレット（封止樹脂を円柱状等に成形したもの）を挿
入するタブレットローダ７とよシ成る。
は上型（金型）３およびこれと対をなす下型（金型）４
４と、その上型３と下型≠の間に出入りしてリードフレ
ームを搬入、搬出するリードフレームローダｊと、同じ
く下型≠に設けられたポットｔ（第３．゛図参照）内に
タブレット（封止樹脂を円柱状等に成形したもの）を挿
入するタブレットローダ７とよシ成る。
第３図は下型弘の平面図であり、上型３との対ＭＮＣ複
ｉのキャビティｔと隣接するキャビティざの相互間に樹
脂注入用のボッ）Ａが設けられている。図示しないが上
型３にも下型≠のキャビティｔに対応して同機なキャビ
ティが設けられている。なお、りはポットｔからキャビ
ティｔに流動状態にある樹脂を導ムするためのゲートで
ある。
ｉのキャビティｔと隣接するキャビティざの相互間に樹
脂注入用のボッ）Ａが設けられている。図示しないが上
型３にも下型≠のキャビティｔに対応して同機なキャビ
ティが設けられている。なお、りはポットｔからキャビ
ティｔに流動状態にある樹脂を導ムするためのゲートで
ある。
次に動作を説明する。まず、上型３が上昇し、上型３と
下型≠の間にリードフレームローダ！が入り込み、リー
ドフレームｌを下型≠に搬入する。
下型≠の間にリードフレームローダ！が入り込み、リー
ドフレームｌを下型≠に搬入する。
次すで、リードフレームローダ！が引込んだのちタブレ
ットローダ７がタブレットを搬入してポットを内に落し
込む。こ−のとき、下型ｌはタブレットを溶かして流動
状態にしうる温度（ｌＩＯ”ｃ ）に加熱されて−る。
ットローダ７がタブレットを搬入してポットを内に落し
込む。こ−のとき、下型ｌはタブレットを溶かして流動
状態にしうる温度（ｌＩＯ”ｃ ）に加熱されて−る。
次いで、タブレット日−ダ７″が引込んだのち上型３が
下降して下型≠と合わされる。これにより、上型３と下
型グの合せ面には相互のキャピテイ６によシ、第１図の
樹脂部λに対応する形状のキャビティが形成される。次
いで、ボッ）７内に設けられたプランジャーが上昇して
流動樹脂を押上げ、ゲートタを介して流動樹脂をキャビ
ティ内に注入する。注入が完了すると、樹脂は熱硬化性
なので短時間で硬化する。次いで、上型３を上昇させ、
樹脂封止された半導体装置が第１図に示す態様で取出さ
れて封止工程を終了する。なお、その後の工程で各キャ
ビティに分離されるが、本発明とは関係ないので説明は
省略する。
下降して下型≠と合わされる。これにより、上型３と下
型グの合せ面には相互のキャピテイ６によシ、第１図の
樹脂部λに対応する形状のキャビティが形成される。次
いで、ボッ）７内に設けられたプランジャーが上昇して
流動樹脂を押上げ、ゲートタを介して流動樹脂をキャビ
ティ内に注入する。注入が完了すると、樹脂は熱硬化性
なので短時間で硬化する。次いで、上型３を上昇させ、
樹脂封止された半導体装置が第１図に示す態様で取出さ
れて封止工程を終了する。なお、その後の工程で各キャ
ビティに分離されるが、本発明とは関係ないので説明は
省略する。
上述の半導体樹脂封止装置において、ポット６内にタブ
レットを投入した後タブレットが常温から溶融成形温度
（１７０−／り０℃）に達するまでにハ数秒〜士数秒か
かる。この時間はタブレットの大きさによって異なる。
レットを投入した後タブレットが常温から溶融成形温度
（１７０−／り０℃）に達するまでにハ数秒〜士数秒か
かる。この時間はタブレットの大きさによって異なる。
生産性向上の見地から成形サイクル時間を短縮するため
には樹脂が熱硬化するまでに要する時間を短くする必要
がある。そのために一般には樹脂内の硬化促進剤を増量
して硬化速度を上げる方法を採ってｂる。しかし、この
硬化促進剤の増量は製品の耐湿性を低下させるので好ま
しくない。
には樹脂が熱硬化するまでに要する時間を短くする必要
がある。そのために一般には樹脂内の硬化促進剤を増量
して硬化速度を上げる方法を採ってｂる。しかし、この
硬化促進剤の増量は製品の耐湿性を低下させるので好ま
しくない。
一方、金型内で樹脂タブレットを予熱する場合にどうし
てもある一定の時間が必要となる。もし予熱が不充分な
場合には成形時間が長くなったシ、ワイヤー流れが起こ
る。このことは、マイクロプロセッサ等の大型素子をモ
ールドする場合には特に問題となる。また、加熱温度を
高くすると加熱時間の短縮が可能となるものの、成形条
件の不安定化を招き、未充填が起こる。
てもある一定の時間が必要となる。もし予熱が不充分な
場合には成形時間が長くなったシ、ワイヤー流れが起こ
る。このことは、マイクロプロセッサ等の大型素子をモ
ールドする場合には特に問題となる。また、加熱温度を
高くすると加熱時間の短縮が可能となるものの、成形条
件の不安定化を招き、未充填が起こる。
このように、金型のポットを内に予熱なしのタブレット
を投入し予熱を行うことは、成形時間、製品の品質に与
える影響が大きく種々の問題が生じることとなる。
を投入し予熱を行うことは、成形時間、製品の品質に与
える影響が大きく種々の問題が生じることとなる。
そこで、ボッ）Ｊ内にタブレットを投入する前にタブレ
ットを予熱して半溶融状態にしておくことにより成形サ
イクル時間を短縮化する等の方法によシ上述の問題を解
決することが考えられる。
ットを予熱して半溶融状態にしておくことにより成形サ
イクル時間を短縮化する等の方法によシ上述の問題を解
決することが考えられる。
予熱装置として、例えば高周波（ｊ７０ ＭＨｚ ）に
よる加熱（ＩＡわゆる高周波加熱）を用込ることが考え
られるが、特にマルチポット式金屋に用いる小タブレッ
トに適用する場合に、タブレットの大きさに合せて加熱
電極を小さくシ、かつ接近させなければ均一な予熱がで
きないという問題がある。
よる加熱（ＩＡわゆる高周波加熱）を用込ることが考え
られるが、特にマルチポット式金屋に用いる小タブレッ
トに適用する場合に、タブレットの大きさに合せて加熱
電極を小さくシ、かつ接近させなければ均一な予熱がで
きないという問題がある。
このようなことから、本発明はモールド樹脂の形態（す
なわち、タブレットか粉末か）にかかわらず、また、タ
ブレットの大小にかかわらず容易かつ均一に予熱するこ
とができ、さらに、モールド装置への組み込みが容易で
、半導体素子の成形時間の短縮化を可能とする自動化に
適した予熱装置を提供することを目的とする。
なわち、タブレットか粉末か）にかかわらず、また、タ
ブレットの大小にかかわらず容易かつ均一に予熱するこ
とができ、さらに、モールド装置への組み込みが容易で
、半導体素子の成形時間の短縮化を可能とする自動化に
適した予熱装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による予熱装置は、
半導体素子の樹脂封止装置にお込て、モールド用金型に
モールド樹脂を充填する前に当該モールド樹脂を予熱す
る装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源に接続され
る導波管および導波管回路を有し、この導波管中のマイ
クロ波による電界中心ｉに合わせて前記モールド樹脂を
位置させる手段とを備えたことを特徴とするものである
。
モールド樹脂を充填する前に当該モールド樹脂を予熱す
る装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源に接続され
る導波管および導波管回路を有し、この導波管中のマイ
クロ波による電界中心ｉに合わせて前記モールド樹脂を
位置させる手段とを備えたことを特徴とするものである
。
以下、本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
第１の例
第ｆ図に本発明による予熱装置の基本的な構成を示す。
この予熱装置はマイクロ波（例えば、２４’ｊＯＭＨｚ
）を発生するマイクロ波発生装置ｉｏと、このマイクロ
波発生装置１０に接続された導波管／／Ａ、／／Ｂと、
導波管／／Ｂ中にタブレットを搬入するための位置決め
装置／Ｊとから構成される。
）を発生するマイクロ波発生装置ｉｏと、このマイクロ
波発生装置１０に接続された導波管／／Ａ、／／Ｂと、
導波管／／Ｂ中にタブレットを搬入するための位置決め
装置／Ｊとから構成される。
マイクロ波発生装置ｉｏとしてはマグネト日ンを用いて
いる。導波管／／に、／／Ｂは例えば方形導波管を用い
ることができ、具体的な内寸法例を第！図に示しておく
。第３図（ａ）（ｂ）はタブレットの大きさに合わせて
用意した例を示している。導波管／／Ａ、／／Ｂの伝送
路中には反射波による発振波への影響を阻止して損失を
防ぐためにサーキ＝レータ１３が介在されている。この
サーキュレータ１３は３開口接合形であシ、入力開口が
マイクロ波発生装置１０に入力側導波管／／Ａを介して
接続され、出力開口の１つが方向性結合器／４ｔを介し
てタブレットが搬入される出力側導波管／／ Ｂ Ｋ接
続されて込る。
いる。導波管／／に、／／Ｂは例えば方形導波管を用い
ることができ、具体的な内寸法例を第！図に示しておく
。第３図（ａ）（ｂ）はタブレットの大きさに合わせて
用意した例を示している。導波管／／Ａ、／／Ｂの伝送
路中には反射波による発振波への影響を阻止して損失を
防ぐためにサーキ＝レータ１３が介在されている。この
サーキュレータ１３は３開口接合形であシ、入力開口が
マイクロ波発生装置１０に入力側導波管／／Ａを介して
接続され、出力開口の１つが方向性結合器／４ｔを介し
てタブレットが搬入される出力側導波管／／ Ｂ Ｋ接
続されて込る。
また、他の出力開口は反射波を吸収するための導波管／
／Ｃに接続されてｉる。この導波管／／Ｃの先端には無
反射終端器／Ｓが設けられている。Ｊは放熱フィンであ
る。方向性結合器／グには人力電力検出器／Ａおよび反
射電力検出器／７が設けられ、タブレットに対する放射
電力の調整のために供せられるようになっている。
／Ｃに接続されてｉる。この導波管／／Ｃの先端には無
反射終端器／Ｓが設けられている。Ｊは放熱フィンであ
る。方向性結合器／グには人力電力検出器／Ａおよび反
射電力検出器／７が設けられ、タブレットに対する放射
電力の調整のために供せられるようになっている。
出力側導波管ｌｌＢには、第２図に示すように、タブレ
ット２／を導波管路内に搬入し、所定の位置に位置決め
するための導入孔ｉｓ’を含む位置決め手段２Ｊが設け
られている。導入孔／ｇの位置は導波管／／Ｂの内部に
形成される電界分布Ｅの中心とタブレット２１の中心が
合うよりに設定する。すなわち、電界Ｅの中心とタブレ
ット２／の中心を合わせることによシ、タブレットユｌ
の中心部の加熱温度と外周部との加熱温度との間に温度
差が生じ、その結果、従来問題とされていた内部温度上
昇の遅れを解消でき、また外周部は半固形状態を保持す
ることができるために変形がなく、金型のポット内に搬
入する場合の取扱−が容易となる。
ット２／を導波管路内に搬入し、所定の位置に位置決め
するための導入孔ｉｓ’を含む位置決め手段２Ｊが設け
られている。導入孔／ｇの位置は導波管／／Ｂの内部に
形成される電界分布Ｅの中心とタブレット２１の中心が
合うよりに設定する。すなわち、電界Ｅの中心とタブレ
ット２／の中心を合わせることによシ、タブレットユｌ
の中心部の加熱温度と外周部との加熱温度との間に温度
差が生じ、その結果、従来問題とされていた内部温度上
昇の遅れを解消でき、また外周部は半固形状態を保持す
ることができるために変形がなく、金型のポット内に搬
入する場合の取扱−が容易となる。
導入孔ｌｓ内にタブレットコ／を搬入するために１導入
孔／ｌの開口部にはマイクロ波の外部へのもれを防止す
るとともにタブレット２／をガイドするチ四−りｌりが
突設されている。そして、この導入孔ｌｌ内には、例え
ばテフロン（商品名）等の耐熱性非金属物質からなる筒
状の保持具コ０が設けられている。そしてこの保持具、
２０の下端開口部にシャブタ３等の開閉装置を設けてお
くことによシ、保持具Ｊの上端開口からタブレット２ノ
を投入し、予熱後シャブタを開くことによシ予熱された
タブレットコｌを金型ｌのポプトｌ内に自動投入するよ
うＫすることができ、タブレット２ノの供給と予熱の工
程を自動化することができる。）Ｉｔはプランジャを示
している。
孔／ｌの開口部にはマイクロ波の外部へのもれを防止す
るとともにタブレット２／をガイドするチ四−りｌりが
突設されている。そして、この導入孔ｌｌ内には、例え
ばテフロン（商品名）等の耐熱性非金属物質からなる筒
状の保持具コ０が設けられている。そしてこの保持具、
２０の下端開口部にシャブタ３等の開閉装置を設けてお
くことによシ、保持具Ｊの上端開口からタブレット２ノ
を投入し、予熱後シャブタを開くことによシ予熱された
タブレットコｌを金型ｌのポプトｌ内に自動投入するよ
うＫすることができ、タブレット２ノの供給と予熱の工
程を自動化することができる。）Ｉｔはプランジャを示
している。
第７図は予熱装置の放射電力をパラメータとして予熱時
間（５ｅｃ）とタブレットの中心温度（”Ｃ）の関係を
示したものである。なお、マイクロ波０周波数は２４’
ｊ ＯＭＨｚ ％タブレットの大きさは直径ｌ仏間、
重さ３．ｌ＃のものである。この第７図かられかること
は、極めて短時間でかっ省電力で加熱することができ、
したがって成形サイクル時間の短縮化が可能である点、
さらに供給電力を適宜選択することによシ、予熱時間の
調整にょシ所望の温度上昇特性を得ることができるとい
うことである０ 第２の例 以上の第１の例では、導波管／／Ｂの先端を反射終端と
したが、終端での反射は導波管／／Ｂの内部電界と反射
電波とが相互に干渉して電界分布の乱れが生じるおそれ
があるため、無反射終端とすることが好ましｂｏその場
合の例を第を図に示す。
間（５ｅｃ）とタブレットの中心温度（”Ｃ）の関係を
示したものである。なお、マイクロ波０周波数は２４’
ｊ ＯＭＨｚ ％タブレットの大きさは直径ｌ仏間、
重さ３．ｌ＃のものである。この第７図かられかること
は、極めて短時間でかっ省電力で加熱することができ、
したがって成形サイクル時間の短縮化が可能である点、
さらに供給電力を適宜選択することによシ、予熱時間の
調整にょシ所望の温度上昇特性を得ることができるとい
うことである０ 第２の例 以上の第１の例では、導波管／／Ｂの先端を反射終端と
したが、終端での反射は導波管／／Ｂの内部電界と反射
電波とが相互に干渉して電界分布の乱れが生じるおそれ
があるため、無反射終端とすることが好ましｂｏその場
合の例を第を図に示す。
第を図の例では導波管／／Ｂの先端部に無反射終端器ｎ
が設けられて込る。無反射終端器ａユとしては、ポリア
イアンやフェライト等の一般に知られているものでより
０このように、することによって、均一な予熱が可能と
なる。
が設けられて込る。無反射終端器ａユとしては、ポリア
イアンやフェライト等の一般に知られているものでより
０このように、することによって、均一な予熱が可能と
なる。
第３の例
以上の第１．第２の例では、タフ ｖ ＝ ） ２／を
１個予熱する場合について説明したが、生産性の点を考
えれば複数のタブレット２１を同時に予熱することが望
ましい。その場合の一例を第り図に示す０第り図は無反
射終端の例を示し、複数の位置決め手段２Ｊが設けられ
ている。
１個予熱する場合について説明したが、生産性の点を考
えれば複数のタブレット２１を同時に予熱することが望
ましい。その場合の一例を第り図に示す０第り図は無反
射終端の例を示し、複数の位置決め手段２Ｊが設けられ
ている。
次に他の例を第ｉｏ図（ａ）（ｂ）に示、ブー。第１０
図（ａ）（ｂ）は長の点が各電界分布の最大点とするよ
５に位置合せし、その点に第１の例（第μ図）の場合と
同様に導入孔／ｇ、 ！Ｊプｉｑ、保持具２．０からな
る位置決め手段を設けることにより複数個のタブレット
を同時に予熱することができる。第７図（ｂ）は同様の
目的で直絆状のテーパ面によシ先細り状とした例を示し
ている。
図（ａ）（ｂ）は長の点が各電界分布の最大点とするよ
５に位置合せし、その点に第１の例（第μ図）の場合と
同様に導入孔／ｇ、 ！Ｊプｉｑ、保持具２．０からな
る位置決め手段を設けることにより複数個のタブレット
を同時に予熱することができる。第７図（ｂ）は同様の
目的で直絆状のテーパ面によシ先細り状とした例を示し
ている。
変形例
各導波管／／Ａ、／／Ｃをフレキシブル導波管とするこ
とによシ、導入孔ｉｔを任意の金型のポットにまで容易
に移動することができ、設計上の自由度を確保すること
ができる。また、以上の例ではモールド樹脂としてタブ
レットを用すたが、導波管／／Ｂの導入孔ｉｔ内に保持
具のを挿入しておくことにより、粉末状のモールド樹脂
を用いることもできる。
とによシ、導入孔ｉｔを任意の金型のポットにまで容易
に移動することができ、設計上の自由度を確保すること
ができる。また、以上の例ではモールド樹脂としてタブ
レットを用すたが、導波管／／Ｂの導入孔ｉｔ内に保持
具のを挿入しておくことにより、粉末状のモールド樹脂
を用いることもできる。
以上の通り本発明によれば、導波管路中にモールド樹脂
を搬入し、マイクロ波による誘電加熱を行うため、モー
ルド樹脂の形態ならびに大小にかかわらず、均一に予熱
することができる。！ｉた、モールド樹脂な導波管路内
の電界中心に合わせてモールド樹脂を位置させることに
よシ、モールド樹脂の内部の温度上昇の遅れを解消でき
、またモールド樹脂の内部温度が高く、外部温度を多少
低くすることができるのでモールド樹脂の変形を防止で
きるのでモールド樹脂の搬送が容易となシ、結果として
モールド作業の自動化が可能となる。
を搬入し、マイクロ波による誘電加熱を行うため、モー
ルド樹脂の形態ならびに大小にかかわらず、均一に予熱
することができる。！ｉた、モールド樹脂な導波管路内
の電界中心に合わせてモールド樹脂を位置させることに
よシ、モールド樹脂の内部の温度上昇の遅れを解消でき
、またモールド樹脂の内部温度が高く、外部温度を多少
低くすることができるのでモールド樹脂の変形を防止で
きるのでモールド樹脂の搬送が容易となシ、結果として
モールド作業の自動化が可能となる。
さらに、マイクロ波によシ予熱が可能となることによシ
、成形時間の短縮を図ることができ、また、樹脂の成形
不良等の発生を防止できる。
、成形時間の短縮を図ることができ、また、樹脂の成形
不良等の発生を防止できる。
第１図はリードフレーム上の半導体ベレットを樹脂封止
した例を示す平面図、 第２図は従来の半導体樹脂封止装置の基本的構成を示す
立面図、 第３図は下金型の例を示す平面図、 第グ図は本発明による予熱装置の構成を示す概要図、 第５図（ａ）（ｂ）は導波管の開口形状寸法例を示す説
明図、 第２図は位置決め手段の構成例を示す断面図、第７図は
本発明による予熱装置における予熱時間とタブレット中
心温度の関係を示す説明図、第１図は本発明の他の実施
例を示す概要図、第２図は複数のタブレットを同時に予
熱する場合の位置決め手段の構成を示す断面図、第１θ
図（ａ）はステップ状導波管、（ｂ）はテーパ状導波管
の例を示す説明図である。 ｌ・・・リートフレーム コ・・・固化したモールド樹脂 ３・・・上型 ≠・・・下型 ６・・・ポット １０・・・マイクロ波発生装置 ／／Ａ、／／Ｂ、ｌ／Ｃ・・・導波管 Ｉｇ・・・導入孔 ２０・・・保持具 ２／・・・タブレット ｎ・・・無反射終端器 Ｊ・・・位置決め手段 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３図 第４図 一ザ 「− （ａ） （ｂ）
した例を示す平面図、 第２図は従来の半導体樹脂封止装置の基本的構成を示す
立面図、 第３図は下金型の例を示す平面図、 第グ図は本発明による予熱装置の構成を示す概要図、 第５図（ａ）（ｂ）は導波管の開口形状寸法例を示す説
明図、 第２図は位置決め手段の構成例を示す断面図、第７図は
本発明による予熱装置における予熱時間とタブレット中
心温度の関係を示す説明図、第１図は本発明の他の実施
例を示す概要図、第２図は複数のタブレットを同時に予
熱する場合の位置決め手段の構成を示す断面図、第１θ
図（ａ）はステップ状導波管、（ｂ）はテーパ状導波管
の例を示す説明図である。 ｌ・・・リートフレーム コ・・・固化したモールド樹脂 ３・・・上型 ≠・・・下型 ６・・・ポット １０・・・マイクロ波発生装置 ／／Ａ、／／Ｂ、ｌ／Ｃ・・・導波管 Ｉｇ・・・導入孔 ２０・・・保持具 ２／・・・タブレット ｎ・・・無反射終端器 Ｊ・・・位置決め手段 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３図 第４図 一ザ 「− （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 半導体素子の樹脂封止装置において、モールド用金
型にモールド樹脂を充填する前に当該モールド樹脂を予
熱する装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源に接続され
る導波管と、この導波管中のマイクロ波による電界中心
部に合わせて前記モールド樹脂を位置させる手段とを備
えたことを特徴とする半導体素子用モールド装置の予熱
装置〇λ特許請求の範囲第１項記載の装置において、導
波管の先端は伝播するマイクロ波が反射しないように無
反射終端に形成されていることを特徴とする半導体素子
用モールド装置の予熱装も３、特許請求の範囲第２項記
載の装置において、導波管は相対向する一対の管壁の一
方または両方が先端に向かって傾斜するテーパ面とされ
て先細シ状に形成されていることを特徴とする半導体素
子用モールド樹脂の予熱装置。 弘特許請求の範囲第２項記載の装置において、導波管は
相対向する一対の管壁の一方または両方がステップ状に
順次傾斜する面とされて先細り状に形成されていること
を特徴とする半導体素子用モールド樹脂の予熱装置。 よ特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第≠項
記載の装置において、モールド樹脂はタブレット状に形
成されていることを特徴とする半導体素子用モールド樹
脂の予熱装置。 ６、特許請求の範囲第５項記載の装置におりで、タブレ
ットは小タブレットであることを特徴とする半導体素子
用モールド樹脂の予熱装置。 ２特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第１項
記載の装置において、モールド樹脂は粉末状に形成され
て込ることを特徴とする半導体素子モールド樹脂の予熱
装置。 と特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第参項、第
５項、第を項または第７項記載の装置において、前記モ
ールド樹脂の位置決め手段は、導波管内に形成される複
数の電界中心のそれぞれに対応して位置させるようにし
たことを特徴とする半導体素子用モールド樹脂の予熱装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096026A JPS59220932A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
| GB08413715A GB2141909B (en) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Apparatus for preheating mold resin for a semiconductor device |
| US06/615,463 US4577078A (en) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Apparatus for preheating mold resin for a semiconductor device |
| DE19843420280 DE3420280A1 (de) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Vorrichtung zum vorwaermen von pressharz fuer eine halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096026A JPS59220932A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220932A true JPS59220932A (ja) | 1984-12-12 |
| JPS6355861B2 JPS6355861B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14153841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096026A Granted JPS59220932A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220932A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991008883A1 (fr) * | 1989-12-12 | 1991-06-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Procede de moulage d'un materiau composite renforce par des fibres et corps premoule a base d'un tel materiau |
| JP2009538760A (ja) * | 2006-05-31 | 2009-11-12 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 熱可塑性ポリマー系を選択的に加熱するためのマイクロ波エネルギーの使用 |
| JP2019202533A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | マイクロ波化学株式会社 | 成形装置、金型および成形品製造方法 |
| JP2020192817A (ja) * | 2018-05-21 | 2020-12-03 | マイクロ波化学株式会社 | 成形装置、金型および成形品製造方法 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096026A patent/JPS59220932A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991008883A1 (fr) * | 1989-12-12 | 1991-06-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Procede de moulage d'un materiau composite renforce par des fibres et corps premoule a base d'un tel materiau |
| US5283026A (en) * | 1989-12-12 | 1994-02-01 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Method for molding fiber-reinforced composite material |
| JP2009538760A (ja) * | 2006-05-31 | 2009-11-12 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 熱可塑性ポリマー系を選択的に加熱するためのマイクロ波エネルギーの使用 |
| JP2019202533A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | マイクロ波化学株式会社 | 成形装置、金型および成形品製造方法 |
| JP2020192817A (ja) * | 2018-05-21 | 2020-12-03 | マイクロ波化学株式会社 | 成形装置、金型および成形品製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355861B2 (ja) | 1988-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3477051A (en) | Die casting of core windings | |
| US4554126A (en) | Method for encapsulating semiconductor devices | |
| JP2778608B2 (ja) | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 | |
| JPS59220932A (ja) | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 | |
| US4577078A (en) | Apparatus for preheating mold resin for a semiconductor device | |
| US5175007A (en) | Mold assembly with separate encapsulating cavities | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JP3383701B2 (ja) | 樹脂封入成形用金型 | |
| JPS59172241A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
| JPS59220933A (ja) | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 | |
| JPH0427698B2 (ja) | ||
| EP1259981B1 (en) | Device and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier | |
| JPH0745765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 | |
| JP4055988B2 (ja) | チップインダクタの製造方法及び装置 | |
| JPS6154636A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| US5529474A (en) | System for preheating a molding compound | |
| JPS63132437A (ja) | 半導体封止装置 | |
| CN216818282U (zh) | 一种半导体封装设备 | |
| JP2000235988A (ja) | 金型及びその金型によって封止された半導体装置 | |
| JPS60138949A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| CN120322139A (zh) | 压电变压器新型封装工艺及其器件、应用方法 | |
| JPH09181105A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPS59189636A (ja) | トランスフアモ−ルド半導体部品製造方法およびその装置 | |
| JPS57181129A (en) | Forming device molding package of semiconductors | |
| JPH04326530A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置 |