JPS5922326A - 電子線露光装置 - Google Patents

電子線露光装置

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JPS5922326A
JPS5922326A JP57131476A JP13147682A JPS5922326A JP S5922326 A JPS5922326 A JP S5922326A JP 57131476 A JP57131476 A JP 57131476A JP 13147682 A JP13147682 A JP 13147682A JP S5922326 A JPS5922326 A JP S5922326A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の対倉 本発明は集積回路の製造等に使用される成形電子ビーム
を用いる市、千線窮光装置に関する。
従来技術 近年、集積ば路のパターンを高速、高精度に描画するた
めに、可変成形電子線露光装Ｗ（以下、単に「Ｎ光装置
」という。）が使用されるようになった。第１図は、こ
の露光装置の′原理を説明する図である。図において、
１は電子線源であり、２．３は矩形状孔を有するマスク
、４．．５は成形レンズである。また、７は偏向器、９
は対物レンズ、そして１０はウェハ等の試料面である。
前記２つの成形レンズ４，６により、マスク２上の矩形
がマスク３上に結像され、これとマスクδ上の矩形状孔
との共通部分として、露光用矩形ビーム６を形成する。
この矩形ビーム６の大きさは、前記成形レンズ４，５の
間に設けられた偏向器７により調節することができる。
前記矩形ビーム６は縮小レンズ８．対物レンズ９により
、試料面ｌＯ上に縮小結像される。この縮小矩形ビーム
は、対物レンズ９内の偏向器１１により試料面１０上で
位置を移動させ、任意の図形を描くことができる。
第２図は、図形描画の様子を示す図であり、第２図（５
）は前記霧光装置が理想的に動作した場合を示すもので
ある。念ｌは偏向器１１による偏向範囲、２２は偏向方
向、２３は描画図形、２４は矩形ビームである。このよ
うに矩形ビーム２４の方向と、偏向方向２２とが合致し
ていると、図の如　。
く矩形ビームを順次接続して所望の図形を正確に描画す
ることができる。
しかしながら、矩形ビーム２４の辺の方向と偏向方向（
走査方向）２２とを合致させることは、一般に容易では
ない。これらの方向が合致していない場合、描画される
図形は第２図（Ｉ３）に示すようになる。図から明らか
な如く、前記２つの方向が一致しない場合、描画図形２
５け矩形間の接続不整が生じ、図形の寸法精度が低下し
たり境界がなめらかでなくなったりする。
従来、上記矩形ビームの方向を偏向方向と一致させるに
は、前記矩形マスク２，３を機械的に回転させていた。
しかしながら、この方法では、回転軸の中心をビームの
光学軸の中心や矩形孔に一致させることはできないため
、試料面ｌｏ上に達するビームが、途中にあるビーム軸
決定アパーチャで切６れ、矩形ビームの電流密度が不均
一になるという欠点があった。また、この方法は、非常
な熟練者が長時間をかけなければ達成できないという重
大な欠点があった。
発明の目的 本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、従来の臓光装置における一ＩＴ、述の
如き欠点を除去し、成形ビームの電流密度の均一性を損
うことなく、成形ビームの方向を容易に調整可能とした
露光装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、電子線発生手段からの電子線照射
を受ける多角形状孔を有するマスクおよび該マスクの多
角形状孔を縮小結像する電子レンズ系を有する露光装置
において、前記マスクと最終段の電子レンズとの間に成
形ビーム回転調整用ソレノイドコイルを配置したことを
特徴とする露光装置によって達成される。
以下、本発明の原理を簡単に説明した後に、実施例を詳
細に説明する。
一般に、電子ビームは磁場中を通過するとき回転作用を
受ける。この場合の回転角θは次の式で表わされる。
ここで、６　＋　ｍｏ　　はそれぞれ電子の電荷と質量
、■は加速電圧、またＢ　（ｚ）は電子の進行方向の硬
場強度である。
磁場がソレノイドコイル（以下「ソレノイドレンズ」と
いう。）によるものの場合、前記回転角θと表わされる
。
ここで、■はソレノイドを流れる電流、Ｎ（まコイル巻
線数、またＥは電子のエネルギーでｅＶ単位である。
本発明は上記回転作用を利用して、成形ビームを宵、磁
的に回転させるものである。
発明の実施例 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
第３図は本発明の一実施例を示すものである。
本装置は、第１図に示した装置の第２の成形アノクーチ
ャ（以下、単に「アパーチャ」という。）３と縮小レン
ズ８との間の空間に、ソレノイドレンズ１２を設けたも
のである。他の符号１〜１１は第１図に示したと同じ構
成要素を示している。
なお、上記第２の成形アパーチャ３と縮小レンズ８との
間の空間は、アパーチャを縮小するためにかなり距離を
置ぐのが一般的であり、前記ソレノイドレンズ１２を配
することは容易である。
第６図に示す如くソレノイドレンズ１２を配して、該ソ
レノイドレンズ１２の励磁を増加させると矩形ビームの
回転角を増加させることができるし、励磁方向を逆転す
ることにより短形ビームの同断方向を逆転させることも
可能である。
前記ソレノイドレンズ１２の励磁の制御を他のレンズ制
御と同じコントローラから行えるようにしておけば、オ
ペレータが容易に操作することができる。
なお、ソレノイドレンズ１２は、電子ビームに対して回
転作用のみならず焦点作用をも有するので、ソレノイド
レンズ１２の焦点距離に以下の如き制限条件が存在する
。第１の条件は、ソレノイドレンズを励磁して矩形ビー
ムを回転させた場合に、焦点の位置が大きくずれるＣい
こと、また、第２の祭件はソレノイドレンズを働かせる
ことにより生ずるビームの軸ずれが許容誤差内であるこ
とである。
以下、これらの条件について定陽的に検討する。
第４図にソレノイドレンズ部前後の電子軌道の詳細を示
した。
まず、第１の条件について考える。前記アパーチャで成
形された矩形ビーム６は、縮小レンズ８により点３１に
縮小結像される。このときの縮小率を１７Ｍとする。ソ
レノイドレンズを動作させると結像点が△２だりずれる
。
この△２は次のように衷わされる。
ここで、ｌよけアパーチャからソレノイドレンズ中心ま
での距離、Ｆはソレノイドレンズの焦点距離である。
式（３）Ｉノ）ら明らかな如く、△２を／Ｊ−さく１−
るため番こけ、ｌ　は小さいこと、Ｆ、ＭＬま犬きしＡ
こと力（必要である。実際問題として、ソレノイドレン
ズ番はアパーチャと縮小レンズの略中間番こ置方）れる
のでｌｌキーーー ここで、Ｌはアパーチャと縮小レンズとのｙ＋ｉ　ｘａ
となり、また、ＦとＬの間には １”　　１−　１　　　　　　　　　　、、、　（４）
■、　４Ｍ２△２ なる関係がある。Ｌ、Ｍ、△ｚＬこ現実的なイ直を代入
すると（Ｌ”　１０〜２　Ｑｃｍ、〜１＝１０〜２０．
△ｚ＝１０〜２０μｍ）・ 一＝５〜５０　　　　　　　　・・・（５）となる。
次に、第２の条件について考える。ソレノイドレンズを
働かせることにより生ずるビームの東１１ずれは、ソレ
ノイドレンズの中心がアバーチャト縮小レンズとを結ぶ
軸と一致していないことがら生するものである。このず
れ量をｂとする。Ｍ、千線源のクロスオーバの像は、縮
小レンズ８の前炸点の近傍３２に結像され、その大きさ
番」クロスオーバ径と同程度である。ソレノイドレンズ
を動作させることにより生ずる、前記クロスオーバ像の
軸に垂ｉ１方向の偏位△ｒは次式で表わされる。
式（６）から明らかな如く、△ｒを小さくするにｌＪｌ
。
が小さいこと　（これは、△２を小さくするのと逆方向
である。）、ｈが小さいこと、■パは大きいことが必要
である。実際問題として、 ノ、キ］「 と考えると、 　　　ｈ １−１　２　、ｂｒ　　　　　　　　　　””　”と４
「る。ここで、ｂは製作上・の誤差がらＱ、ｌ　ｔｎｍ
以下にすることは困畔であり、△ｒとしてはクロスオー
バ径１０μｍ稈度しか許容できない。従って１・゛ 一一≧　５　　　　　　　　　　　・・・（８）となる
。式（５）と（８）からソレノイドレンズのべｔ〜点距
離Ｆは、前記アパーチャと縮小レンズとの間の距Ｆａ　
Ｌの５倍以上が必要であることがわかる。しは涌′常２
　Ｑ　ｃｍ程度であるのでＦは］、ｍ以上となる。
回転調整のため、θが５　程度必要とすると、励磁４−
Ｊ 程度で十分で、このとき焦点距離を１ｍ以上とすること
はソレノイドレンズを用いることで容易に達成可能であ
る。なお、上記実施例に示したソレノイドレンズは、回
転レンズ、ソレノイドコイル。
回転コイル等とも呼ばれることがある。
上記実施例においては、縮小レンズが１段の場合ケ例に
挙げたが、縮小率を大きくする必要がある場合等、複数
個の縮小レンズを用いることがある。このような場合、
前記ソレノイドレンズを置く位置としては、任意の縮小
レンズ間であっても良い。すなわち、前記アパーチャと
最終段の縮小レンズとの間に置くことが可能である。
また、上記実施例では矩形成形ビーム露光装置を例に挙
げたが、成形ビームの形状は矩形に限られるものでない
ことは言うまでもない。
発明の効果 以上述べた如く、本発明によれば、電子線発生手段から
の電子線照射を受ける多角形状孔を有するマスクおよび
該マスクの多角形状孔を縮小結像する電子レンズ系を有
する露光装置において、前記マスクと最終段の電子レン
ズとの間に電子線ビーム回転調整用ソレノイドコイルを
配置したので、成形ビームの笥１流密度の均一性を損う
ことなく、成形ビームの方向を容易に調整可能な露光装
置を実現できるという顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は露光装置の原理を示す図、第２図（３）。 （［３）は矩形ビームと描画図形の関連を示す図、第３
図は本発明の一実施例である露光装置を示す図、第４図
はソレノイドレンズを動作させたときの電子軌道を示す
図である。 １：電子線源、２，３＝マスク、４，５：成形レンズ、
６：成形ビーム、７：偏向器、８：縮小レンズ、９：対
物レンズ、１０：試料面、１１：偏向器、１２：ソレノ
イドレンズ。 特許出廟人　株式会社　日立製作所２．（−厘Ｉ 代　理　人　弁理士　磯　村　雅　俊コ、ｌ第　　１　
　図 第　　　　２　　　　図 第　　３　　図 第　　　４　　　図 ＝１０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子線発生手段からの電子線照射を受ける多角形献花を
    有するマスクおよび該マスクの多角・胛状孔を縮小結像
    する電子レンズ系を有する電子線露光装置において、前
    記マスクと最終段の雷、子レンズとの間に電子線ビーム
    回転調整用ソレノイドコイルを配置したことを特徴とす
    る電子線露光装置。
JP57131476A 1982-07-28 1982-07-28 電子線露光装置 Expired - Lifetime JPH0732108B2 (ja)

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JP57131476A JPH0732108B2 (ja) 1982-07-28 1982-07-28 電子線露光装置
US06/516,091 US4577111A (en) 1982-07-28 1983-07-22 Apparatus for electron beam lithography
GB08319949A GB2125614B (en) 1982-07-28 1983-07-25 Apparatus for electron beam lithography

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JP57131476A JPH0732108B2 (ja) 1982-07-28 1982-07-28 電子線露光装置

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GB (1) GB2125614B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246316A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置及びその露光方法
JP2009512973A (ja) * 2005-10-20 2009-03-26 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子システム

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8415623D0 (en) * 1984-06-19 1984-07-25 Nixon W C Charged particle sources
EP0287630A4 (en) * 1986-10-08 1989-07-25 Varian Associates METHOD AND DEVICE FOR SCANING WITH A CONSTANT INCLINATION ANGLE IN ION RAY SYSTEMS.
GB2197751A (en) * 1986-11-24 1988-05-25 Philips Electronic Associated Variable shaped spot electron beam pattern generator
DE69032280T2 (de) * 1989-12-04 1998-08-20 Fujitsu Ltd Verfahren zur Wahrnehmung und Justierung der Belichtungsbedingungen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgern und ein solches System
US5466904A (en) * 1993-12-23 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electron beam lithography system
US5674413A (en) * 1993-12-23 1997-10-07 International Business Machines Corporation Scattering reticle for electron beam systems
US5523580A (en) * 1993-12-23 1996-06-04 International Business Machines Corporation Reticle having a number of subfields
US5635719A (en) * 1996-07-23 1997-06-03 International Business Machines Corporation Variable curvilinear axis deflection means for particle optical lenses
US5757010A (en) * 1996-12-18 1998-05-26 International Business Machines Corporation Curvilinear variable axis lens correction with centered dipoles
DE19911372A1 (de) * 1999-03-15 2000-09-28 Pms Gmbh Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen
JP4843425B2 (ja) * 2006-09-06 2011-12-21 エルピーダメモリ株式会社 可変成形型電子ビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5741815A (en) * 1980-08-26 1982-03-09 Nippon Kokan Kk <Nkk> Controlling method for sheet shape in tandem rolling mill
JPS5773938A (en) * 1980-10-28 1982-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Correcting apparatus for electron beam rotation on electro optical mirror

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4182958A (en) * 1977-05-31 1980-01-08 Rikagaku Kenkyusho Method and apparatus for projecting a beam of electrically charged particles
JPS5445025A (en) * 1977-09-13 1979-04-10 Kyokuto Kaihatsu Kogyo Co Ltd Buffer device in packing case lifting mechanism of damp car
JPS5456041A (en) * 1977-10-01 1979-05-04 Otsuka Chem Co Ltd Metal corrosion preventing composition
DD134582A1 (de) * 1978-01-19 1979-03-07 Eberhard Hahn Verfahren und einrichtung zur justierung einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage
JPS551186A (en) * 1979-04-23 1980-01-07 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus
GB2055243B (en) * 1979-08-01 1983-07-06 Zeiss Jena Veb Carl Method and device for tilting planar beam probes
JPS6014463B2 (ja) * 1980-04-26 1985-04-13 日本電子株式会社 電子顕微鏡

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5741815A (en) * 1980-08-26 1982-03-09 Nippon Kokan Kk <Nkk> Controlling method for sheet shape in tandem rolling mill
JPS5773938A (en) * 1980-10-28 1982-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Correcting apparatus for electron beam rotation on electro optical mirror

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246316A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置及びその露光方法
JP2009512973A (ja) * 2005-10-20 2009-03-26 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子システム

Also Published As

Publication number Publication date
GB2125614B (en) 1986-02-05
US4577111A (en) 1986-03-18
GB2125614A (en) 1984-03-07
GB8319949D0 (en) 1983-08-24
JPH0732108B2 (ja) 1995-04-10

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