JPS59227488A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS59227488A JPS59227488A JP58101689A JP10168983A JPS59227488A JP S59227488 A JPS59227488 A JP S59227488A JP 58101689 A JP58101689 A JP 58101689A JP 10168983 A JP10168983 A JP 10168983A JP S59227488 A JPS59227488 A JP S59227488A
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光等のエネルギー線を照射することに
よって、記録層のエネルギー線照射部が溶融等により変
形または除去されることによって生じる反射率もしくは
透過率の変化を利用して光学的に情報の記録、再生を行
うのに適した記録媒体に関するものである。
よって、記録層のエネルギー線照射部が溶融等により変
形または除去されることによって生じる反射率もしくは
透過率の変化を利用して光学的に情報の記録、再生を行
うのに適した記録媒体に関するものである。
光ディスク等の光記録媒体に要求される性質としては、
記録光源に用いるレーザの波長領域での記録感度が高い
こと、再生信号のＳＮ比が高いこと、記録密度が高いこ
と、保存安定性にすぐれていること、及び毒性が低いこ
とが挙げられる。
記録光源に用いるレーザの波長領域での記録感度が高い
こと、再生信号のＳＮ比が高いこと、記録密度が高いこ
と、保存安定性にすぐれていること、及び毒性が低いこ
とが挙げられる。
レーザ光照射部の温度」二昇により記録層が融解し、ピ
ントを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体に於て
、記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収率が
高いこと、融点、比熱および熱伝導率が低いことが必要
で、また記録層の厚さは薄いことが望ましい。再生信号
のＳＮ比を高くするためには、ビットの形状、大きさが
揃っどいて、ピント周辺に乱れが無いこと、及び再生に
反射光を使用する場合には、記録部と未記録部との反射
率の差が大きいこと、また記録密度を高くするためには
、熱伝導率が低いことが要求される。また保存安定性に
すぐれた記録媒体を得るためには、記録層の酸化安定性
及び耐湿性が高いことが要求される。
ントを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体に於て
、記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収率が
高いこと、融点、比熱および熱伝導率が低いことが必要
で、また記録層の厚さは薄いことが望ましい。再生信号
のＳＮ比を高くするためには、ビットの形状、大きさが
揃っどいて、ピント周辺に乱れが無いこと、及び再生に
反射光を使用する場合には、記録部と未記録部との反射
率の差が大きいこと、また記録密度を高くするためには
、熱伝導率が低いことが要求される。また保存安定性に
すぐれた記録媒体を得るためには、記録層の酸化安定性
及び耐湿性が高いことが要求される。
レーザ用記録媒体として現在量もすぐれているとされて
いるのは、ガラスまたはプラスチック基板上に記録層と
してテルルまたはテルル−砒素合金等のテルル合金薄膜
を形成したものである。テルル及びテルル合金薄膜は、
可視−近赤外の波長領域で光の吸収率が高く、低熱伝導
率、低融点であるため記録感度が高く、またビットの形
状、大きさも揃い易く、且つ可視−近赤外の波長領域で
適当な反射率を有しているため、反射光によってＳＮ比
の高い再生信号が得られるなど、ヒートモード型レーザ
記録媒体に適した性質を持っている。しかしテルル薄膜
及びオルルー砒素合金ＷＩＪＩｌｉ２には、酸化安定性
が低いこと及び毒性が高い等の欠点がある。酸化安定性
の改良にはテルルまたはテルル−砒素合金にセレンを添
加したり、テルル低酸化物を用いる等の方法が試みられ
ているが、現在まで充分なものは得られておらず、また
毒性に関しては効果的な対策は見出されていない。
いるのは、ガラスまたはプラスチック基板上に記録層と
してテルルまたはテルル−砒素合金等のテルル合金薄膜
を形成したものである。テルル及びテルル合金薄膜は、
可視−近赤外の波長領域で光の吸収率が高く、低熱伝導
率、低融点であるため記録感度が高く、またビットの形
状、大きさも揃い易く、且つ可視−近赤外の波長領域で
適当な反射率を有しているため、反射光によってＳＮ比
の高い再生信号が得られるなど、ヒートモード型レーザ
記録媒体に適した性質を持っている。しかしテルル薄膜
及びオルルー砒素合金ＷＩＪＩｌｉ２には、酸化安定性
が低いこと及び毒性が高い等の欠点がある。酸化安定性
の改良にはテルルまたはテルル−砒素合金にセレンを添
加したり、テルル低酸化物を用いる等の方法が試みられ
ているが、現在まで充分なものは得られておらず、また
毒性に関しては効果的な対策は見出されていない。
毒性の点では、テルル系記録媒体に比較して有利なもの
に、ガラスまたはプラスチック基板上、もしくは該基板
上に設けたアルミニウム等の反射層の上に色素または色
素をポリマーに分散した層を形成した記録媒体がある。
に、ガラスまたはプラスチック基板上、もしくは該基板
上に設けたアルミニウム等の反射層の上に色素または色
素をポリマーに分散した層を形成した記録媒体がある。
しかし、一般に色素の吸収波長は、赤色光より短波長側
にあり、今後記録用光源の主流となると予想されている
半導体レーザの発振波長域である７ ５０ ｎｍ〜８５
０ ｎｍの領域で大きな吸収を示す安定な色素が得られ
ないため、半導体レーザを記録用光源とする色素系記録
媒体で実用的なものは得られていない。
にあり、今後記録用光源の主流となると予想されている
半導体レーザの発振波長域である７ ５０ ｎｍ〜８５
０ ｎｍの領域で大きな吸収を示す安定な色素が得られ
ないため、半導体レーザを記録用光源とする色素系記録
媒体で実用的なものは得られていない。
本発明者等は、毒性が低く、酸化安定性及び耐水性にす
ぐれた光記録媒体の完成を目的として鋭意研究を進めた
結果、基板上にコーティングされたポリメチルメタクリ
レート等の有機高分子量物層に紫外線等のエネルギー線
を照射し、この紫外線照射面上に、金属もしくは半導体
の微粒子が金属酸化物薄膜中に分散した複合層からなる
記録層、または金属もしくは半導体の薄膜と金属酸化物
の薄膜が交互に積層された記録層を形成することによっ
て高感度でＳＮ比が極めて高く、且つ安定でしかも毒性
の低い光記録媒体が得られることを見出し、本発明に到
達した。
ぐれた光記録媒体の完成を目的として鋭意研究を進めた
結果、基板上にコーティングされたポリメチルメタクリ
レート等の有機高分子量物層に紫外線等のエネルギー線
を照射し、この紫外線照射面上に、金属もしくは半導体
の微粒子が金属酸化物薄膜中に分散した複合層からなる
記録層、または金属もしくは半導体の薄膜と金属酸化物
の薄膜が交互に積層された記録層を形成することによっ
て高感度でＳＮ比が極めて高く、且つ安定でしかも毒性
の低い光記録媒体が得られることを見出し、本発明に到
達した。
本発明の要旨とするところは、エネルギー線が照射され
た有機高分子量物層のエネルギー綿照射面上に金属もし
くは半導体と金Ｎ酸化物からなる記録層が設けられてい
ることを特徴とする光記録媒体の機構と構成にある。
た有機高分子量物層のエネルギー綿照射面上に金属もし
くは半導体と金Ｎ酸化物からなる記録層が設けられてい
ることを特徴とする光記録媒体の機構と構成にある。
第１図に、本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す。
第１図に於ては、基板３上に形成された有機高分子量物
層２の紫外線等のエネルギー線照射面４」二に金属もし
くは半導体と金属酸化物からなる記録層１が設けられて
も）る。この光記録媒体に於ては、基板側もしくは基板
と反対側から入射したレーザ光等のエネルギー線は記録
層に吸収され、発生した熱により記録層が融解もしくは
流動化し、ビットを形成することによって生じる媒体の
エネルギー線が照射された記録層部分とエネルギー線が
照射されない記録層部分の光の反射率、透過率等の光学
的性質の変化を利用して記録再生が行われる。
層２の紫外線等のエネルギー線照射面４」二に金属もし
くは半導体と金属酸化物からなる記録層１が設けられて
も）る。この光記録媒体に於ては、基板側もしくは基板
と反対側から入射したレーザ光等のエネルギー線は記録
層に吸収され、発生した熱により記録層が融解もしくは
流動化し、ビットを形成することによって生じる媒体の
エネルギー線が照射された記録層部分とエネルギー線が
照射されない記録層部分の光の反射率、透過率等の光学
的性質の変化を利用して記録再生が行われる。
本発明の光記録媒体に用いられる有機高分子量物は、紫
外線等のエネルギー線の照射により容易に主鎖の一部が
切断され、平均分子量が低下する性質を有するもので、
具体例としてはポリメチルメタクリレート、メチルメタ
クリレート及びこれと共重合可能なビニル単量体との共
重合物、ポリスチレン、スチレン及びこれと共重合可能
なビニル単量体との共重合物、ポリアクリロニトリル、
アクリロニトリル及びこれと共重合可能なビニル単量体
との共重合物が挙げられる。特に、メチルメタクリレー
ト系重合体またはスチレン系重合体を用いた場合に、高
感度でＳＮ比の高い光記録媒体が得られる。ここでメチ
ルメタクリレートに共重合可能なビニル単量体の例とし
ては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート等のアクリル酸アルキルエステル類、エ
チルメタクリレート、プロピルメタクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート等の
メタクリル酸アルキルエステル類、スチレン、α−メチ
ルスチレン、ｐ−クロルスチレン等の芳香族ビニル系単
量体、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等の不
飽和ニトリル系単量体、フマール酸ジメチル、フマール
酸ジブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル
等の不飽和ジカルボン酸のジアルキルエステル類、酢酸
ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル類、ビ
ニルエチルエーテル、ビニルエチルエーテル等のビニル
エーテル類、塩化ビニル、塩化ビニリデン等の含塩素ビ
ニル単量体等が挙げられる。またスチレン等と共重合可
能なビニル単量体の例としては、メチルメタクリレート
、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート
、メチルアクリレート、エチルアクリレート等のメタク
リル酸またはアクリル酸のアルキルエステル類、アクリ
ロニトリル、メタアクリロニトリル等の不飽和ニトリル
系単量体、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、
ｐ−メチルスチレン、０−クロルスチレン、ｍ−クロル
スチレン、ｐ−クロルスチレン等の芳香族ビニル単量体
、無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸等が挙げられる
。
外線等のエネルギー線の照射により容易に主鎖の一部が
切断され、平均分子量が低下する性質を有するもので、
具体例としてはポリメチルメタクリレート、メチルメタ
クリレート及びこれと共重合可能なビニル単量体との共
重合物、ポリスチレン、スチレン及びこれと共重合可能
なビニル単量体との共重合物、ポリアクリロニトリル、
アクリロニトリル及びこれと共重合可能なビニル単量体
との共重合物が挙げられる。特に、メチルメタクリレー
ト系重合体またはスチレン系重合体を用いた場合に、高
感度でＳＮ比の高い光記録媒体が得られる。ここでメチ
ルメタクリレートに共重合可能なビニル単量体の例とし
ては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート等のアクリル酸アルキルエステル類、エ
チルメタクリレート、プロピルメタクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート等の
メタクリル酸アルキルエステル類、スチレン、α−メチ
ルスチレン、ｐ−クロルスチレン等の芳香族ビニル系単
量体、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等の不
飽和ニトリル系単量体、フマール酸ジメチル、フマール
酸ジブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル
等の不飽和ジカルボン酸のジアルキルエステル類、酢酸
ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル類、ビ
ニルエチルエーテル、ビニルエチルエーテル等のビニル
エーテル類、塩化ビニル、塩化ビニリデン等の含塩素ビ
ニル単量体等が挙げられる。またスチレン等と共重合可
能なビニル単量体の例としては、メチルメタクリレート
、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート
、メチルアクリレート、エチルアクリレート等のメタク
リル酸またはアクリル酸のアルキルエステル類、アクリ
ロニトリル、メタアクリロニトリル等の不飽和ニトリル
系単量体、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、
ｐ−メチルスチレン、０−クロルスチレン、ｍ−クロル
スチレン、ｐ−クロルスチレン等の芳香族ビニル単量体
、無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸等が挙げられる
。
有機高分子量物層の厚さは５００人以−にであることが
必要である。有１８！高分子量物層の厚さが５００Å以
下であると、感度及びＳＮ比の高い光記録媒体が得られ
なし）。本発明の光記録媒体の有機高分子量物に照射す
るエネルギー線の例としては、紫外線、電子線、Ｘ線等
が挙げられるが、特に波長１９０〜４２０ ｎｍの紫外
線を１０ｍＪ／ｃｍ以上照射した場合に感度、ＳＮ比の
すぐれた光記録媒体が得られる。
必要である。有１８！高分子量物層の厚さが５００Å以
下であると、感度及びＳＮ比の高い光記録媒体が得られ
なし）。本発明の光記録媒体の有機高分子量物に照射す
るエネルギー線の例としては、紫外線、電子線、Ｘ線等
が挙げられるが、特に波長１９０〜４２０ ｎｍの紫外
線を１０ｍＪ／ｃｍ以上照射した場合に感度、ＳＮ比の
すぐれた光記録媒体が得られる。
本発明の光記録媒体に於ける記録層に用いられる金属も
しくは半導体の例としては、Ｓｎ、、Ｉｎ、、Ｇｅ１Ｓ
ｂ、、Ｐｂ、八１．．Ｚｎ。
しくは半導体の例としては、Ｓｎ、、Ｉｎ、、Ｇｅ１Ｓ
ｂ、、Ｐｂ、八１．．Ｚｎ。
Ｃｕ、 Ａｇ、八１１ＳＢｉ、 Ｓｅｓ Ｔｅ及びこれ
らを主成分とする合金が挙げられるが、低毒性の観点か
ら好ましい金属もしくは半導体の例としては、Ｓｎ、、
Ｉｎ、ＧＣｓ ｓｂ、 ｐｂ、＾１．．Ｚｎ、 Ｃｕ、
Ａｇ。
らを主成分とする合金が挙げられるが、低毒性の観点か
ら好ましい金属もしくは半導体の例としては、Ｓｎ、、
Ｉｎ、ＧＣｓ ｓｂ、 ｐｂ、＾１．．Ｚｎ、 Ｃｕ、
Ａｇ。
静及びこれらを主成分とする合金が挙げられる。上記金
属もしくは半導体の特徴は、半導体レーザの発振波長域
での反射率が高い、融点が低い、毒性が低い、及び空気
中での安定性が高い等であるので、これら金属もしくは
半導体を主成分とする合金を用いる場合は、上記特徴が
失われないように注意する必要がある。
属もしくは半導体の特徴は、半導体レーザの発振波長域
での反射率が高い、融点が低い、毒性が低い、及び空気
中での安定性が高い等であるので、これら金属もしくは
半導体を主成分とする合金を用いる場合は、上記特徴が
失われないように注意する必要がある。
本発明の光記録媒体に於ける記録層に用いられる金属酸
化物は、化学的安定性にすぐれ、熱伝導率の低いもので
あることが必要で、好ましい例としては、Ｓｎ、 Ｉｎ
、 ＡＩ、Ｚｒ及びＺｎの酸化物が挙げられるが特にＳ
ｎまたはＩｎの酸化物を用いると空気中での安定性がす
ぐれ、高感度且つ再生信号のＳＮ比が高い記録媒体が得
られる。ＳｎまたはＩｎの酸化物の例としては化学式で
ＳｎＯ２、ＩｎＪｊ及び５ｎＯｚ−ｘ、Ｉｎｘ０３−ｘ
等の低酸化物や、Ｓｎｌ−Ｓｎ１−ｙ、Ｉｎａ−ｚＮｚ
０３等の５ｎＯｘ、■ｎスＯＪに異種金属がドーピング
されたものが挙げられる。ここでＸ％ Ｚは０．５以下
、ｙは０．２５以下の正の数、ＭはＳｂ、、Ｉｎ。
化物は、化学的安定性にすぐれ、熱伝導率の低いもので
あることが必要で、好ましい例としては、Ｓｎ、 Ｉｎ
、 ＡＩ、Ｚｒ及びＺｎの酸化物が挙げられるが特にＳ
ｎまたはＩｎの酸化物を用いると空気中での安定性がす
ぐれ、高感度且つ再生信号のＳＮ比が高い記録媒体が得
られる。ＳｎまたはＩｎの酸化物の例としては化学式で
ＳｎＯ２、ＩｎＪｊ及び５ｎＯｚ−ｘ、Ｉｎｘ０３−ｘ
等の低酸化物や、Ｓｎｌ−Ｓｎ１−ｙ、Ｉｎａ−ｚＮｚ
０３等の５ｎＯｘ、■ｎスＯＪに異種金属がドーピング
されたものが挙げられる。ここでＸ％ Ｚは０．５以下
、ｙは０．２５以下の正の数、ＭはＳｂ、、Ｉｎ。
ＮはＳｎ、 Ｇｅ、、Ｐｂ、 Ｚｎ等の金属を示す。
本発明の光記録媒体に於ける記録層は、上記金属もしく
は半導体の微粒子が上記金属酸化物薄膜中に分散した複
合層または、上記金属もしくは半導体のＳ膜と上記金属
酸化物薄膜との積層膜から構成されるが、特に記録層に
上記金属もしくは半導体の微粒子が上記金属酸化物薄膜
中に分散した複合層を用いた場合、高感度でＳＮ比の高
い光記録媒体が得られる。該複合層に於ける金属もしく
は半導体微粒子の充填率は０．３以上、０．９５以下で
あることが望ましい。
は半導体の微粒子が上記金属酸化物薄膜中に分散した複
合層または、上記金属もしくは半導体のＳ膜と上記金属
酸化物薄膜との積層膜から構成されるが、特に記録層に
上記金属もしくは半導体の微粒子が上記金属酸化物薄膜
中に分散した複合層を用いた場合、高感度でＳＮ比の高
い光記録媒体が得られる。該複合層に於ける金属もしく
は半導体微粒子の充填率は０．３以上、０．９５以下で
あることが望ましい。
充填率が０．３以下であると、複合層のレーザ光等のエ
ネルギー線の吸収係数が低下し、且つ複合層が溶融流動
化する温度も高くなり、得られる光記録媒体の記録感度
が低下する傾向が見られる。充Ｍｔ率が０，９５以上と
なるき、複合層中に分散している金属もしくは半導体粒
子間の接触が始まり、金属もしくは半導体の粒子径が大
きくなり、そのため記録ビットの大きさ、形状が不揃い
になり、ＳＮ比が低下する傾向が見られ、また複合層の
熱伝導率も大きくなるため、記録感度が低下する傾向が
ある。本発明の光記録媒体に於て、記録層に上記の金属
もしくは半導体の微粒子が金属酸化物中に分散した複合
層を用いる場合は、感度及び記録部と未記録部のコント
ラストを高くする目的で金属、半導体及び酸化物の種類
が異なる複合層同士や、上記複合層と前記金属もしくは
半導体の薄膜を積層して記録層を形成させることもでき
る。
ネルギー線の吸収係数が低下し、且つ複合層が溶融流動
化する温度も高くなり、得られる光記録媒体の記録感度
が低下する傾向が見られる。充Ｍｔ率が０，９５以上と
なるき、複合層中に分散している金属もしくは半導体粒
子間の接触が始まり、金属もしくは半導体の粒子径が大
きくなり、そのため記録ビットの大きさ、形状が不揃い
になり、ＳＮ比が低下する傾向が見られ、また複合層の
熱伝導率も大きくなるため、記録感度が低下する傾向が
ある。本発明の光記録媒体に於て、記録層に上記の金属
もしくは半導体の微粒子が金属酸化物中に分散した複合
層を用いる場合は、感度及び記録部と未記録部のコント
ラストを高くする目的で金属、半導体及び酸化物の種類
が異なる複合層同士や、上記複合層と前記金属もしくは
半導体の薄膜を積層して記録層を形成させることもでき
る。
本発明の光記録媒体に於ては、記録層の厚さが５０Å以
上、２０００Å以下であることが望ましい。記録層の厚
さが２０００Å以上になると記録層のエネルギー綿照射
部の体積が大きくなるため、エネルギー線を照射した場
合に吸収されるエネルギーの密度が低下するため、記録
媒体の記録感度が低下し、さらに形成されるビット周辺
の形状が乱れ易くなり、ＳＮ比を高くすることが難しい
。記？？層の厚さが５０Å以下であると記録媒体の記録
部と未ｆｆａ録部の反射率または透過率の差が小さくな
り、コントラストが低くなるため、ＳＮ比を高くするこ
とが離しい。本発明の光記録媒体を反射型光ディスクに
使用する場合、記録層のより好ましい厚さの範囲は１０
０人以１二、１０００Å以下である。
上、２０００Å以下であることが望ましい。記録層の厚
さが２０００Å以上になると記録層のエネルギー綿照射
部の体積が大きくなるため、エネルギー線を照射した場
合に吸収されるエネルギーの密度が低下するため、記録
媒体の記録感度が低下し、さらに形成されるビット周辺
の形状が乱れ易くなり、ＳＮ比を高くすることが難しい
。記？？層の厚さが５０Å以下であると記録媒体の記録
部と未ｆｆａ録部の反射率または透過率の差が小さくな
り、コントラストが低くなるため、ＳＮ比を高くするこ
とが離しい。本発明の光記録媒体を反射型光ディスクに
使用する場合、記録層のより好ましい厚さの範囲は１０
０人以１二、１０００Å以下である。
本発明の光記録媒体の一つの実施態様は、基板上に有機
高分子量物層を設け、この有機高分子量物層に紫外線等
のエネルギー線を照射した後、この有機高分子量物層の
エネルギー線照射側表面に記録層を形成したものである
。基板としてはアルミニウム等の金属板、ガラス板、あ
るいはメチルメタクリレート系重合体、スチレン系重合
体、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリブヂレンテレフタレー！・、ポリ
アミド及びエポキシ樹脂、ジアリルフタレート重合体、
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート重合体、
ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリイミド等の熱可塑性、又は熱硬化性樹脂のシー
ト又はフィルムが用いられる。特に基板にポリメチルメ
タクリレート、メチルメタクリレート及びこれと共重合
可能なビニル単量体との共重合物、ポリスチレン、また
はスチレン及びこれと共重合可能なビニル単量体との共
重合物等の有機高分子量物を用いた場合は、この基板の
表面に紫外線等のエネルギー線を照射した後、基板のエ
ネルギー線を照射した面上に記録層を形成させることに
より、他に有機高分子量物層を用いることな（、第２図
に示ず構造の木発Ｉ！１１の光記録媒体が得られる。
高分子量物層を設け、この有機高分子量物層に紫外線等
のエネルギー線を照射した後、この有機高分子量物層の
エネルギー線照射側表面に記録層を形成したものである
。基板としてはアルミニウム等の金属板、ガラス板、あ
るいはメチルメタクリレート系重合体、スチレン系重合
体、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリブヂレンテレフタレー！・、ポリ
アミド及びエポキシ樹脂、ジアリルフタレート重合体、
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート重合体、
ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリイミド等の熱可塑性、又は熱硬化性樹脂のシー
ト又はフィルムが用いられる。特に基板にポリメチルメ
タクリレート、メチルメタクリレート及びこれと共重合
可能なビニル単量体との共重合物、ポリスチレン、また
はスチレン及びこれと共重合可能なビニル単量体との共
重合物等の有機高分子量物を用いた場合は、この基板の
表面に紫外線等のエネルギー線を照射した後、基板のエ
ネルギー線を照射した面上に記録層を形成させることに
より、他に有機高分子量物層を用いることな（、第２図
に示ず構造の木発Ｉ！１１の光記録媒体が得られる。
さらに基板に上記の如く有機高分子量物を用いる場合は
、鋳型またはスタンパを用いてキャスト重合、圧縮成形
または射出成形を行うことにより、表面にプリグループ
を有する基板を製作し、ついで基板のこのプリグループ
が形成されている面上に紫外線等のエネルギー線を照射
後、この照射面上に記録層を形成させることにより、本
発明の光記録媒体が得られる。
、鋳型またはスタンパを用いてキャスト重合、圧縮成形
または射出成形を行うことにより、表面にプリグループ
を有する基板を製作し、ついで基板のこのプリグループ
が形成されている面上に紫外線等のエネルギー線を照射
後、この照射面上に記録層を形成させることにより、本
発明の光記録媒体が得られる。
本発明の光記録媒体を記録光、再生光が基板を通して入
射する形式の光ディスクとして使用リーる場合に於゛Ｃ
は、基板にはガラス板、又はメチルメククリレ−１・系
重合体、スｙ−レン系重合体、ポリ塩化ビニル、ジェヂ
レングリコールビスアリルカーボネート重合体、エポキ
シ樹Ｉ＋）？等の透明プラスチックのシートを用いる必
要がある。
射する形式の光ディスクとして使用リーる場合に於゛Ｃ
は、基板にはガラス板、又はメチルメククリレ−１・系
重合体、スｙ−レン系重合体、ポリ塩化ビニル、ジェヂ
レングリコールビスアリルカーボネート重合体、エポキ
シ樹Ｉ＋）？等の透明プラスチックのシートを用いる必
要がある。
以下に本発明の記録媒体の製造方法を層構成の別図を用
いて説明する。
いて説明する。
第１図の構成の記録媒体は基板３の上に有機高分子量物
Ｉ−２をコートした後、図の上方から紫外線等のエネル
ギー線を照射し、このエネルギー線を照射した面４上に
記録層１を形成させることによって得られる。基板３に
有機高分子量物層２をコートするためには、有機高分子
量物を溶剤に溶解するか、エマルジョン化したものをス
ピンコード、ロールコートまたは浸漬塗布等の方法を用
いるか、物理蒸着、プラズマ重合等の方法を用いる。ｔ
ｆ機高分子量物層２をコーティングした後、この層にエ
ネルギー線を照射する。
Ｉ−２をコートした後、図の上方から紫外線等のエネル
ギー線を照射し、このエネルギー線を照射した面４上に
記録層１を形成させることによって得られる。基板３に
有機高分子量物層２をコートするためには、有機高分子
量物を溶剤に溶解するか、エマルジョン化したものをス
ピンコード、ロールコートまたは浸漬塗布等の方法を用
いるか、物理蒸着、プラズマ重合等の方法を用いる。ｔ
ｆ機高分子量物層２をコーティングした後、この層にエ
ネルギー線を照射する。
具体的な例としては、エネルギー線源にクセノン−水銀
灯、クセノン灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯等を用い、
波長１９０〜４２０ ｎｍの紫外線を］ ＯｍＪ／ ｃ
ａ以上照射する。紫外線強度は有機高分子量物層表面で
１０ ｍｌｌ／ ｃ＋４以」二であることが望ましい。
灯、クセノン灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯等を用い、
波長１９０〜４２０ ｎｍの紫外線を］ ＯｍＪ／ ｃ
ａ以上照射する。紫外線強度は有機高分子量物層表面で
１０ ｍｌｌ／ ｃ＋４以」二であることが望ましい。
上記の如くエネルギー線として紫外線を使用する場合は
、特に線源に３００ ｎｍ以下の波長で分光出力の大き
いクセノン−水銀灯、高圧水銀灯等を用いると記録感度
、ＳＮ比のすぐれた光記録媒体が得られる。また−・般
に光重合開始剤及び感光剤と呼ばれている物質を有機高
分子量物層に添加すると、３００ ｎｍ以下の波長で分
光出力の小さい線源を使用した場合でも記録感度、ＳＮ
比のすぐれた光記録媒体を得ることができる。ヒ記光重
舎開始剤及び感光剤の例としては、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベン
ゾインアルキルエーテルＵ１１．２．２−ジメトキシ−
２、フヱニルアセトフェノン等のペンジルケタール類、
ジェトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体、
ベンゾフェノン、ベンジル、メチル−〇−ベンゾインベ
ンゾエート等のケトン類等が挙げられる。
、特に線源に３００ ｎｍ以下の波長で分光出力の大き
いクセノン−水銀灯、高圧水銀灯等を用いると記録感度
、ＳＮ比のすぐれた光記録媒体が得られる。また−・般
に光重合開始剤及び感光剤と呼ばれている物質を有機高
分子量物層に添加すると、３００ ｎｍ以下の波長で分
光出力の小さい線源を使用した場合でも記録感度、ＳＮ
比のすぐれた光記録媒体を得ることができる。ヒ記光重
舎開始剤及び感光剤の例としては、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベン
ゾインアルキルエーテルＵ１１．２．２−ジメトキシ−
２、フヱニルアセトフェノン等のペンジルケタール類、
ジェトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体、
ベンゾフェノン、ベンジル、メチル−〇−ベンゾインベ
ンゾエート等のケトン類等が挙げられる。
紫外線の照射量は１０ ｍＪ／ ｃＪ以上であれば良く
、特に上限はないが、基板にポリメチルメタクリレート
等の有機高分子量物を用いて第２図に示す構造の光記録
媒体を製造する場合は、紫外線の照射によって基板の機
械的強度の低下や熱による変形が生じないように注息す
る必要がある。この場合、特に線源にクセノン−水銀灯
、高圧水銀行を用いて、照射量を適切に選択することに
より、基板・の機械的強度の低下や変形を併うことなく
、高感度でＳＮ比の高い記録媒体が得られる。
、特に上限はないが、基板にポリメチルメタクリレート
等の有機高分子量物を用いて第２図に示す構造の光記録
媒体を製造する場合は、紫外線の照射によって基板の機
械的強度の低下や熱による変形が生じないように注息す
る必要がある。この場合、特に線源にクセノン−水銀灯
、高圧水銀行を用いて、照射量を適切に選択することに
より、基板・の機械的強度の低下や変形を併うことなく
、高感度でＳＮ比の高い記録媒体が得られる。
本発明の元肥を矛媒体は上記の如く基板上に設けた有機
高分子量物層にエネルギー線を照射後、このエネルギー
線照射面上に記録層を形成させることによって得られる
。記録層を形成させるためには真空蒸着法、イオン化蒸
着法、イオンブレーティング法、クラスターイオンビー
ム蒸着法、スパッタ法等を利用する。記録層として、金
属もしくは半導体の微粒子が金属酸化物中に分散した複
合層を用いる場合は、金属もしくは半導体と金属酸化物
とを別々のルツボに入れ、Ｉ Ｘ １０” 龍１１ｇ以
下の真空度に於て同時に蒸発させ蒸着を行う。またイオ
ン化と同時に基板側に直流電圧を印加してイオン化粒子
を加速させるイオンブレーティング法を用いることもで
きる。また金属もしくは半導体のターゲットと金属酸化
物のターゲットを用いて同時スパッタを行うことによっ
て複合層を形成させることもできる。
高分子量物層にエネルギー線を照射後、このエネルギー
線照射面上に記録層を形成させることによって得られる
。記録層を形成させるためには真空蒸着法、イオン化蒸
着法、イオンブレーティング法、クラスターイオンビー
ム蒸着法、スパッタ法等を利用する。記録層として、金
属もしくは半導体の微粒子が金属酸化物中に分散した複
合層を用いる場合は、金属もしくは半導体と金属酸化物
とを別々のルツボに入れ、Ｉ Ｘ １０” 龍１１ｇ以
下の真空度に於て同時に蒸発させ蒸着を行う。またイオ
ン化と同時に基板側に直流電圧を印加してイオン化粒子
を加速させるイオンブレーティング法を用いることもで
きる。また金属もしくは半導体のターゲットと金属酸化
物のターゲットを用いて同時スパッタを行うことによっ
て複合層を形成させることもできる。
いずれの場合も複合層の形成時には、金属もしくは半導
体及び金属酸化物の蒸着速度、スパッタリング速度を別
々に制御することにより、所定の金属もしくは半導体の
充填率及び厚さの複合層が得られる。金属もしくは半導
体の薄膜と金属酸化物の薄膜が交互に債層された記録層
を用いる場合は、複合層を形成させる場合と同様の手段
を用い、金属もしくは半導体と金属酸化物を交互に蒸着
もしくはスパッタすることにより記録層を形成さ一ロる
。
体及び金属酸化物の蒸着速度、スパッタリング速度を別
々に制御することにより、所定の金属もしくは半導体の
充填率及び厚さの複合層が得られる。金属もしくは半導
体の薄膜と金属酸化物の薄膜が交互に債層された記録層
を用いる場合は、複合層を形成させる場合と同様の手段
を用い、金属もしくは半導体と金属酸化物を交互に蒸着
もしくはスパッタすることにより記録層を形成さ一ロる
。
本発明の光記録媒体に於ける記録層は、通常の環境下で
は極めて安定であり、特に保護層を設ける必要はないが
、機械的衝撃等に対する保護や、塵埃等の付着により記
録再生に支障が生じるのを防ぐことを目的として保護層
を記録層の上に設けることが可能である。保護層として
は、５ｉ０２、八１λＯｓ 、Ｔｏｏｌ等の無機材料及
び有機高分子材料が用いられる。
は極めて安定であり、特に保護層を設ける必要はないが
、機械的衝撃等に対する保護や、塵埃等の付着により記
録再生に支障が生じるのを防ぐことを目的として保護層
を記録層の上に設けることが可能である。保護層として
は、５ｉ０２、八１λＯｓ 、Ｔｏｏｌ等の無機材料及
び有機高分子材料が用いられる。
第１図及び第２図に示す本発明の光記録媒体に於ては、
有機高分子量物層２及び基板３を透明なものとした場合
は、記録光及び再生光を図の上方から入射さ（ても下方
がら入射させても良い。
有機高分子量物層２及び基板３を透明なものとした場合
は、記録光及び再生光を図の上方から入射さ（ても下方
がら入射させても良い。
本発明の光記録媒体は低毒性で高感度であり、空気中で
の安定性がすぐれているのと同時にＳＮ比が極めて高い
点に特徴がある。本発明の光記録媒体が上記の如くすぐ
れた特徴を示す理由は現時点では必ずしも明確でないが
、以下の様に推定することができる。
の安定性がすぐれているのと同時にＳＮ比が極めて高い
点に特徴がある。本発明の光記録媒体が上記の如くすぐ
れた特徴を示す理由は現時点では必ずしも明確でないが
、以下の様に推定することができる。
本発明の光記録媒体に於けるイＩ機高分子量物層は、紫
り［線等のエネルギー線の照射を受けることにより、特
にエネルギー線の照射を受けた面近傍に於ては主鎖が切
断され、分子量が低下するため表面エネルギーが低くな
る。一方記録ピットの形成は、レーザ光等のエネルギー
線の照射により融解もしくは流動化した記録層の移動に
よって行われるが、本発明の光記録媒体に於ては、」二
記の如く記録層に接触する有機高分子量物層の表面エネ
ルギーが低いため、これと融解もしくは流動化した記ｍ
Ｗとの表面エネルギーの差が大きくなり、融解もしくは
流動化した記録層の移動がスムーズに起るものと考えら
れる。
り［線等のエネルギー線の照射を受けることにより、特
にエネルギー線の照射を受けた面近傍に於ては主鎖が切
断され、分子量が低下するため表面エネルギーが低くな
る。一方記録ピットの形成は、レーザ光等のエネルギー
線の照射により融解もしくは流動化した記録層の移動に
よって行われるが、本発明の光記録媒体に於ては、」二
記の如く記録層に接触する有機高分子量物層の表面エネ
ルギーが低いため、これと融解もしくは流動化した記ｍ
Ｗとの表面エネルギーの差が大きくなり、融解もしくは
流動化した記録層の移動がスムーズに起るものと考えら
れる。
或いは、レーザ光により記録層を照射したとき、レーザ
光のエネルギーが有機高分子量物層のエネルギー線照射
により低分子量化された部分を融解する場合には、レー
ザ光照射によって融解もしくは流動化した記ｔｉ層とと
もに移動し、ビットを形成しやすい状態になることも考
えられる。
光のエネルギーが有機高分子量物層のエネルギー線照射
により低分子量化された部分を融解する場合には、レー
ザ光照射によって融解もしくは流動化した記ｔｉ層とと
もに移動し、ビットを形成しやすい状態になることも考
えられる。
この結果、低い照射エネルギーで形状、大きさの揃った
ピットが形成されるため、高感度てＳＮ比の高い光記録
媒体が得られる。また本発明の光記録媒体の記録層に使
用される金属もしくは半導体及び金属酸化物等は、いず
れも空気中及び水中で安定で且つ毒性も低いため本発明
の光記録媒体は、記録再生用光ディスクとして画像ファ
イル、文書ファイル、データファイル及びコンピュータ
の外部メモリとして用いられるばかりでなく、レーザ光
で直接記録再生が可能なテープ、カード、マイクロフィ
ッシュ等として用いることができる。
ピットが形成されるため、高感度てＳＮ比の高い光記録
媒体が得られる。また本発明の光記録媒体の記録層に使
用される金属もしくは半導体及び金属酸化物等は、いず
れも空気中及び水中で安定で且つ毒性も低いため本発明
の光記録媒体は、記録再生用光ディスクとして画像ファ
イル、文書ファイル、データファイル及びコンピュータ
の外部メモリとして用いられるばかりでなく、レーザ光
で直接記録再生が可能なテープ、カード、マイクロフィ
ッシュ等として用いることができる。
以下本発明のＲ’ｆ’ ８４１１を実施例を用いて示す
が、本発明はこれ等の例に限定されるものではない。
が、本発明はこれ等の例に限定されるものではない。
実施例１
厚さ１．２ ｉ＋ｍ 、外径３００ｍｍ、内径３５龍の
ガラスのディスク状の基板上にスピンナーを用いてポリ
メチルメタクリレ−１・ （三菱レイヨン製アクリコン
）のメヂルエチルケトン溶液を塗布し、乾燥を行い厚さ
３μｍのポリメチルメタクリレート層を形成した。得ら
れたポリメチルメタクリレート層を有する基板をランプ
出力８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を有する集光型照射装置
で４５０ ｎｍ以下の波長の光強度３０ ｍｌｌ／ ｃ
ｎ！の領域をベルトコンベアを用いて通過させることに
より、ポリメチルメタクリレ−１・層に１２０ ｍＪ／
ｃｎ＋のエネルギーの紫外線を照射した。
ガラスのディスク状の基板上にスピンナーを用いてポリ
メチルメタクリレ−１・ （三菱レイヨン製アクリコン
）のメヂルエチルケトン溶液を塗布し、乾燥を行い厚さ
３μｍのポリメチルメタクリレート層を形成した。得ら
れたポリメチルメタクリレート層を有する基板をランプ
出力８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を有する集光型照射装置
で４５０ ｎｍ以下の波長の光強度３０ ｍｌｌ／ ｃ
ｎ！の領域をベルトコンベアを用いて通過させることに
より、ポリメチルメタクリレ−１・層に１２０ ｍＪ／
ｃｎ＋のエネルギーの紫外線を照射した。
」二記の如（して得られた紫り１線照射を受けたポリメ
チルメタクリレーＩ・層を有するガラス箔板を真空蒸着
装置のチャンバーに取りイ１け、基若装置の二つのルツ
ボにそれぞれＳｎ（フルウチ化学製、２０φＸ １０
ｍａ ｔ 、純度９９． ！ｌ ９％）及び５ｎＯｘ
（フルウチ化学製、１８φｘ５ｍ＋＋ｔ、ｔ４度９９．
９９％〉を入れ、基板を２０ ｒｐｍの速度で回転さ・
υながら、ｒ【突崩２ Ｘ １０１ｗｍ ｌ１ｇに於て
、Ｓｎ及びＳｎＯスにそれぞれ別の電子銃より電子線を
照射し、Ｓｎ及びＳｎＯ２の蒸発速度をａ節しながら蒸
着を行い、ポリメチルメタクリレ−１・層の紫外線照射
面上に厚さ２７０人でＳｎの充填率が０．８のＳｎ微粒
子が５ｎＯｚに分散した複合層からなる記録層を有する
第１図に示す構成の光記録媒体を製作した。
チルメタクリレーＩ・層を有するガラス箔板を真空蒸着
装置のチャンバーに取りイ１け、基若装置の二つのルツ
ボにそれぞれＳｎ（フルウチ化学製、２０φＸ １０
ｍａ ｔ 、純度９９． ！ｌ ９％）及び５ｎＯｘ
（フルウチ化学製、１８φｘ５ｍ＋＋ｔ、ｔ４度９９．
９９％〉を入れ、基板を２０ ｒｐｍの速度で回転さ・
υながら、ｒ【突崩２ Ｘ １０１ｗｍ ｌ１ｇに於て
、Ｓｎ及びＳｎＯスにそれぞれ別の電子銃より電子線を
照射し、Ｓｎ及びＳｎＯ２の蒸発速度をａ節しながら蒸
着を行い、ポリメチルメタクリレ−１・層の紫外線照射
面上に厚さ２７０人でＳｎの充填率が０．８のＳｎ微粒
子が５ｎＯｚに分散した複合層からなる記録層を有する
第１図に示す構成の光記録媒体を製作した。
得られたディスク状光記録媒体を毎分１８００回転速度
で回転させながら、くりかえし周波数５ Ｍｌｌｚで１
００ｎｓｅｃのパルス中に変調した半導体レーザ（日立
製作所製＋１ＬＰ−１６００、発振波長８３０ ｎｍ）
の発振光をコリメーターレンズ、集光レンズ及び基板を
通して記録層にビーム径１μｍまで集光して照射するこ
とにより記録を行ったところ、短径がほぼ１μｍのピン
トを形成させるのに必要なディスクの記録面」二に於け
るレーザ光強度は６畦であった。また記録された信号を
記録に用いたのと同様の半導体レーザを用いレーザ光強
度１ｍＷで再生を行い、基準信号Ｌ） Ｍｌｌｚ 、バ
ンドＴ’ｌｌ ３０ Ｋ１１ｚの条件でスペクトラムア
ナライザで測定したＣＮ比は５２ｄＢであった。
で回転させながら、くりかえし周波数５ Ｍｌｌｚで１
００ｎｓｅｃのパルス中に変調した半導体レーザ（日立
製作所製＋１ＬＰ−１６００、発振波長８３０ ｎｍ）
の発振光をコリメーターレンズ、集光レンズ及び基板を
通して記録層にビーム径１μｍまで集光して照射するこ
とにより記録を行ったところ、短径がほぼ１μｍのピン
トを形成させるのに必要なディスクの記録面」二に於け
るレーザ光強度は６畦であった。また記録された信号を
記録に用いたのと同様の半導体レーザを用いレーザ光強
度１ｍＷで再生を行い、基準信号Ｌ） Ｍｌｌｚ 、バ
ンドＴ’ｌｌ ３０ Ｋ１１ｚの条件でスペクトラムア
ナライザで測定したＣＮ比は５２ｄＢであった。
比較例１
実施例１に用いたのと同様のガラスのディスク状括板を
真空蒸着装置のチャンバーに取り付け、基板回転速度２
０ｒｐｍ 、真空度２ Ｘ １０” ｍｍ ｔｌｇに於
て電子ビーム蒸着法を用い、実施例１と同様にＳｎ及び
ＳｎＯ２を各々蒸着速度を調節しながらガラス基板の表
面」二に共蒸着を行い、厚さ２６０人でＳｎの充ｆＩ￥
ｔＺａが０．８のＳｎがＳｎＯλ中に分散した複合層を
ガラス基板上に形成させた試料を製作した。
真空蒸着装置のチャンバーに取り付け、基板回転速度２
０ｒｐｍ 、真空度２ Ｘ １０” ｍｍ ｔｌｇに於
て電子ビーム蒸着法を用い、実施例１と同様にＳｎ及び
ＳｎＯ２を各々蒸着速度を調節しながらガラス基板の表
面」二に共蒸着を行い、厚さ２６０人でＳｎの充ｆＩ￥
ｔＺａが０．８のＳｎがＳｎＯλ中に分散した複合層を
ガラス基板上に形成させた試料を製作した。
得られたディスク状試料について、実施例１と同様の方
法で、くりかえし周波数５ＭＩＩｚで１．００ｎｓｅｃ
のパルス中に変調した半導体レーザ光で記録することを
試みたがディスクの記録面上でのレーザ光強度１２ｍＷ
でもピッｉ・を形成さモることができなかった。
法で、くりかえし周波数５ＭＩＩｚで１．００ｎｓｅｃ
のパルス中に変調した半導体レーザ光で記録することを
試みたがディスクの記録面上でのレーザ光強度１２ｍＷ
でもピッｉ・を形成さモることができなかった。
以上に示す如く、ガラス基板上に５ｎｌｋ粒子が５ｎＯ
ｚ中に分散した複合層を直接形成させた試料は本発明の
光記録媒体に比較すると感度が著しく低いことが明らか
である。
ｚ中に分散した複合層を直接形成させた試料は本発明の
光記録媒体に比較すると感度が著しく低いことが明らか
である。
比較例２
実施例１に用いたのと同様のガラスのディスク状ノ、Ｉ
−板」二に、実施例１と同様の方法で厚さ３μｍのポリ
メチルメタクリレート層を設け、得られたポリメチルメ
タクリレ−１・層を有する基板を真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例１と同様の条件でＳｎとＳｎＯ
２を共蒸着し、ポリメチルメタクリレート層上に厚さ２
７０人で、Ｓｎの充填率が０．８のＳｎの微粒子が５ｎ
（１２中に分散した複合層が形成された試料を製作した
。
−板」二に、実施例１と同様の方法で厚さ３μｍのポリ
メチルメタクリレート層を設け、得られたポリメチルメ
タクリレ−１・層を有する基板を真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例１と同様の条件でＳｎとＳｎＯ
２を共蒸着し、ポリメチルメタクリレート層上に厚さ２
７０人で、Ｓｎの充填率が０．８のＳｎの微粒子が５ｎ
（１２中に分散した複合層が形成された試料を製作した
。
得られたディスク状の試料について実施例１と同様の方
法で、くりかえし周波数５ Ｍｌｌｚで１００ｎｓｅｃ
のパルスｌ＋に変調した半導体レーザ光で記録を行った
ところ、短径がほぼ１μｍのビットを形成させるのに必
要なディスクの記録面」二に於けるレーザ光強度は１２
ｍ１ｌ、また実施例１と同様に基準信号５ Ｍｌｌｚ
、バンドＴｌｌ ３０ Ｋ１１ｚの条件でスペクトラム
アナライザで測定したＣＮ比は４１ｄＢであった。
法で、くりかえし周波数５ Ｍｌｌｚで１００ｎｓｅｃ
のパルスｌ＋に変調した半導体レーザ光で記録を行った
ところ、短径がほぼ１μｍのビットを形成させるのに必
要なディスクの記録面」二に於けるレーザ光強度は１２
ｍ１ｌ、また実施例１と同様に基準信号５ Ｍｌｌｚ
、バンドＴｌｌ ３０ Ｋ１１ｚの条件でスペクトラム
アナライザで測定したＣＮ比は４１ｄＢであった。
以上に示す如く、ガラ基板上に設けられたポリメチルメ
タクリレート層上に紫外線等のエネルギー線を照射する
ことなく、直接記録層を形成することにより得られた試
料は、本発明の光記録媒体に比較して記録感度が低（、
またＣＮ比も低くなる。
タクリレート層上に紫外線等のエネルギー線を照射する
ことなく、直接記録層を形成することにより得られた試
料は、本発明の光記録媒体に比較して記録感度が低（、
またＣＮ比も低くなる。
実施例２
実施例１で用いたのと同様のディスク状ガラス皓板に、
実施例１と同様の方法を用いて、表１に示すｊワさ３μ
ｍの有ｔｌ１Ｍ分子量物層を形成させ、次いでこの有ｔ
ｉＭ高分子量物層に実施例１と同様の方法を用いて、１
２０ ｍＪ／ ｃｎｌのエネルギーの紫外線を照射した
。
実施例１と同様の方法を用いて、表１に示すｊワさ３μ
ｍの有ｔｌ１Ｍ分子量物層を形成させ、次いでこの有ｔ
ｉＭ高分子量物層に実施例１と同様の方法を用いて、１
２０ ｍＪ／ ｃｎｌのエネルギーの紫外線を照射した
。
上記の如くして得られた紫外線■１射を受けた有機高分
子禁物層上に実施例１と同様の方法を用いて、表１に示
す金属の微粒子が同じく表１に示す金Ｒ酸化物中に分散
し、金属充填率０．’８５、厚さ２８０人の複合層であ
る記録層が形成された光記録媒体を製作した。
子禁物層上に実施例１と同様の方法を用いて、表１に示
す金属の微粒子が同じく表１に示す金Ｒ酸化物中に分散
し、金属充填率０．’８５、厚さ２８０人の複合層であ
る記録層が形成された光記録媒体を製作した。
得られたディスク状光記録媒体について実施例１と同様
の条件で記録再生を行った場合、短径がほぼ１μｍのビ
ットを形成させるのに必要なディスクの記録面上に於け
るレーザ光強度、ＣＮ比を表１に示す。
の条件で記録再生を行った場合、短径がほぼ１μｍのビ
ットを形成させるのに必要なディスクの記録面上に於け
るレーザ光強度、ＣＮ比を表１に示す。
実施例３
厚さ１．２酊、外径３００關、内径３５顛のキャスト法
で製作したポリメチルメタクリレートからなるディスク
状のシートを５枚用意し、このうち４枚についてランプ
出力８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を有する竿先型照射装置
で４５０ ｎｍ以下の波長の光強度３０ｍＷ／ｃｔＡの
領域をベルトコンベアを用いて、速度を変えて通過させ
ることにより、ポリメチルメタクリレートシーＩ・に表
２に示すエネルギーの紫外線を照射した。
で製作したポリメチルメタクリレートからなるディスク
状のシートを５枚用意し、このうち４枚についてランプ
出力８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を有する竿先型照射装置
で４５０ ｎｍ以下の波長の光強度３０ｍＷ／ｃｔＡの
領域をベルトコンベアを用いて、速度を変えて通過させ
ることにより、ポリメチルメタクリレートシーＩ・に表
２に示すエネルギーの紫外線を照射した。
上記の如くして得られた、紫外線照射を受けた４枚のポ
リメチルメタクリレートシートを真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例１と同様の方法を用いて、上記
ポリメチルメタクリレートシートの紫外線照射面上に厚
さ３００人で、Ｓｎの充填率が０．８５のＳｎ微粒子が
ＳｎＯλ中に分散した複合層からなる記録層を有する第
２図に示す構成の光記録媒体を製作した。
リメチルメタクリレートシートを真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例１と同様の方法を用いて、上記
ポリメチルメタクリレートシートの紫外線照射面上に厚
さ３００人で、Ｓｎの充填率が０．８５のＳｎ微粒子が
ＳｎＯλ中に分散した複合層からなる記録層を有する第
２図に示す構成の光記録媒体を製作した。
得られたディスク状光記録媒体について、実施例１と同
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のビットを形成させるのに必要なディスクの記録面上に
於けるレーザ光強度、ＣＮ比を表２に示す。
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のビットを形成させるのに必要なディスクの記録面上に
於けるレーザ光強度、ＣＮ比を表２に示す。
尚比較のため、上記ポリメチルメタクリレートシートの
残りの１枚の表面上に、紫外線照射することなく、直接
」ニ記記録層を形成させた試料の記録再生特性を試料番
号３−５として表２に同時に示す。
残りの１枚の表面上に、紫外線照射することなく、直接
」ニ記記録層を形成させた試料の記録再生特性を試料番
号３−５として表２に同時に示す。
表 ２
実施例４
実施例３で用いたのと同様のポリメチルメタクリレート
シート９枚を用意し、これ等シートに実施例３に於ける
のと同様の紫外線照射装置を用いて９０ ｍＪ／ ｃｌ
のエネルギーの紫外線を照射した。
シート９枚を用意し、これ等シートに実施例３に於ける
のと同様の紫外線照射装置を用いて９０ ｍＪ／ ｃｌ
のエネルギーの紫外線を照射した。
上記の如（して得られた紫外線照射を受けたポリメチル
メタクリレートシートの紫外線照射面上に実施例１と同
様の方法を用いて表３に示す金属もしくは半導体の微粒
子が表３に示す金属酸化物中に分散し、金属もしくは半
導体の充填率および膜厚が同じく表３に示す値の複合層
からなる記録層を有する光記録媒体を製作した。
メタクリレートシートの紫外線照射面上に実施例１と同
様の方法を用いて表３に示す金属もしくは半導体の微粒
子が表３に示す金属酸化物中に分散し、金属もしくは半
導体の充填率および膜厚が同じく表３に示す値の複合層
からなる記録層を有する光記録媒体を製作した。
得られたディスク状光記録媒体について実施例１と同様
の条件で記録再生を行った場合、短径がほぼ１μｍのビ
ン！・を形成させるのに必要なディスクの記録面上に於
けるレーザ光強度、ＣＮ比を表３に示す。
の条件で記録再生を行った場合、短径がほぼ１μｍのビ
ン！・を形成させるのに必要なディスクの記録面上に於
けるレーザ光強度、ＣＮ比を表３に示す。
実施例５
実施例３で用いたのと同様のポリメチルメタクリレート
のシートに、実施例３に於けるのと同様の紫外線照射装
置を用いて９０ｍＪ／ｃｎのエネルギーの紫外線を照射
した。
のシートに、実施例３に於けるのと同様の紫外線照射装
置を用いて９０ｍＪ／ｃｎのエネルギーの紫外線を照射
した。
上記の如くして得られた紫外線照射を受けたポリメグ・
ルメタクリレートシートを直径２００鮪のＳｎＯ工およ
びｓｂのターゲット（いずれもフルウチ化学製、純度９
９．９％）を装備したスパッタ装置のチャンバーに取り
付け、上記ポリメチルメタクリレートのシートを回転さ
せながら、このシートの紫外線照射面上にまず３０人の
厚さのＳｂＭを形成させ、ついでこのＳｂＭ上に２０人
の厚さのＳｎＯλを形成させる。この操作を５回くりか
えし、最後に３０人の厚さのＳｂＭを形成させることに
より、３０人の厚さの５ｂＦｌ ６ Ｊｍと、ｓｂｍに
はさまれた２０人の厚さの５層の５ｎ０２層よりなる積
Ｍ厚さ２８０人の記録層を有する光記録媒体を製作した
。
ルメタクリレートシートを直径２００鮪のＳｎＯ工およ
びｓｂのターゲット（いずれもフルウチ化学製、純度９
９．９％）を装備したスパッタ装置のチャンバーに取り
付け、上記ポリメチルメタクリレートのシートを回転さ
せながら、このシートの紫外線照射面上にまず３０人の
厚さのＳｂＭを形成させ、ついでこのＳｂＭ上に２０人
の厚さのＳｎＯλを形成させる。この操作を５回くりか
えし、最後に３０人の厚さのＳｂＭを形成させることに
より、３０人の厚さの５ｂＦｌ ６ Ｊｍと、ｓｂｍに
はさまれた２０人の厚さの５層の５ｎ０２層よりなる積
Ｍ厚さ２８０人の記録層を有する光記録媒体を製作した
。
得られたディスク状光記録媒体について、実施例１と同
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のピットを形成させるのに必要なディスクの記録面」二
に於けるレーザ光強度１０ｍＬＣＮ比４８ｄＢであった
。
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のピットを形成させるのに必要なディスクの記録面」二
に於けるレーザ光強度１０ｍＬＣＮ比４８ｄＢであった
。
実施例６
実施例３で用いたのと同様のポリメチルメタクリレート
のシートに実施例３に於けるのと同様の紫外線照射装置
を用いて、９ （ｌ ｍＪ／ ｃｒＡのエネルギーの紫
外線を照射した。
のシートに実施例３に於けるのと同様の紫外線照射装置
を用いて、９ （ｌ ｍＪ／ ｃｒＡのエネルギーの紫
外線を照射した。
に記の如くして得られた紫外＃ｆＡ Ｆ、ｆｌ射装置を
受けたポリメチルメタクリレートシートを真空前着装置
のチャンツマ−に取り付け、＜、１装置の三つのルツボ
にそれぞれＳｎ（フルウチ化学製、２０φＸＩＱｉｍｔ
、純度９９．９９％） 、５ｎＯｘ（フルウチ化学製、
１８φＸ ５ ｍ＊ ｔ ％純度９９．９９％）、Ｇｅ
（フルウチ化学製、３０φＸ１０ｖ＋ｔ、純度９９．９
９９％）を入れ、このシートを３ Ｑ ｒｐｍの速度で
回転させながら、真空度２ Ｘ １０６ｍｍ１１ｇの条
件に於て電子ビーム蒸着法を用い、ポリメチルメタクリ
レートシートの紫外線照射面上に、まずＧｅを４０人の
厚さに蒸着し、次いでＳｎ及びＳｎＯ２にそれぞれ別の
電子銃より電子線を照射し、Ｓｎ及びＳｎＯユのａ全速
度を調節しながら共蒸着を行うことにより、Ｓｎの充填
亭０．８で膜厚１８０人のＳｎ微粒子が５ｎＯｚ中に分
１１セシた複合層をＧｅ層上に形成し、最後にこの複合
層上に再び厚さ４０人のＧｅ層を形成することにより、
厚さ２６０人の記録層を有するディスク状の光記録媒体
を製作した。
受けたポリメチルメタクリレートシートを真空前着装置
のチャンツマ−に取り付け、＜、１装置の三つのルツボ
にそれぞれＳｎ（フルウチ化学製、２０φＸＩＱｉｍｔ
、純度９９．９９％） 、５ｎＯｘ（フルウチ化学製、
１８φＸ ５ ｍ＊ ｔ ％純度９９．９９％）、Ｇｅ
（フルウチ化学製、３０φＸ１０ｖ＋ｔ、純度９９．９
９９％）を入れ、このシートを３ Ｑ ｒｐｍの速度で
回転させながら、真空度２ Ｘ １０６ｍｍ１１ｇの条
件に於て電子ビーム蒸着法を用い、ポリメチルメタクリ
レートシートの紫外線照射面上に、まずＧｅを４０人の
厚さに蒸着し、次いでＳｎ及びＳｎＯ２にそれぞれ別の
電子銃より電子線を照射し、Ｓｎ及びＳｎＯユのａ全速
度を調節しながら共蒸着を行うことにより、Ｓｎの充填
亭０．８で膜厚１８０人のＳｎ微粒子が５ｎＯｚ中に分
１１セシた複合層をＧｅ層上に形成し、最後にこの複合
層上に再び厚さ４０人のＧｅ層を形成することにより、
厚さ２６０人の記録層を有するディスク状の光記録媒体
を製作した。
得られたディスク状の光記録媒体について実施例１と同
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のピントを形成さゼるのに必要なディスクの記録面上に
於けるレーザ光強度は６ｍＩＱ、ＣＮ比５７ｄＢの値が
得られた。
様の条件で記録再生を行ったところ、短径がほぼ１μｍ
のピントを形成さゼるのに必要なディスクの記録面上に
於けるレーザ光強度は６ｍＩＱ、ＣＮ比５７ｄＢの値が
得られた。
また、上記実施例１乃至実施例６において記録済のディ
スク状光記録媒体を６０℃、９５％Ｒ１１の恒温恒湿層
内に入れ、１２０口間の耐湿熱性試験を行ったところ、
ＣＮ Ｊ、ｌ：に変化は認められなかった。
スク状光記録媒体を６０℃、９５％Ｒ１１の恒温恒湿層
内に入れ、１２０口間の耐湿熱性試験を行ったところ、
ＣＮ Ｊ、ｌ：に変化は認められなかった。
第１図及び第２図は本発明の元肥ｔｉ媒体の断面図であ
る。 各図に於て、１は記録層、２は有機高分子量物層、３は
基板、４は２のエネルギー線照射面を示す。
る。 各図に於て、１は記録層、２は有機高分子量物層、３は
基板、４は２のエネルギー線照射面を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エネルギー線が照射された有ｔｉｌｉ５分子量物層
と、該有機高分子量物層のエネルギー綿照射面上ＧこＨ
ｌすられた金属もしくは半導体と金属酸化物からなる記
録層と力）ら成る光記録媒体。 ２、有機高分子量物がポリメチルメタクリレート、メチ
ルメタクリレートを主成分とする共重合物或ム）ｌよボ
１ノスグレンまたはスチレンを主成分とする共重合物よ
りｉ巽Ｌｆれた少なくとも一種である特許請求の範囲第
１項Ｇこ君己載のうし記録媒体。 ３、金属または半導体が、Ｓｎ、、ＩｎＸＳｂ、、Ｐｂ
、八１、Ｚｎ、、ＣｕｌＡｇ、 Ａｕ、Ｇｅより選ばれ
た少なくとも一種である特ｉ’ｒ ａＮ求の範囲第１項
に記載の光記録媒体。 ４、金属酸化物がＳｎ、 Ｉｎｓ八１へＺｒ及びＺｎの
酸化物より３５１＋ぼれた少なくとも一種である特許請
求の範囲第１項番こ出己載の光記録媒体。 ５、記録層が金属酸化物の薄膜中に金属もしく【よ半導
イ本の微粒子が分散した複合層である特許請求の範囲第
１項番こ記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101689A JPS59227488A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101689A JPS59227488A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227488A true JPS59227488A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0376239B2 JPH0376239B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=14307302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101689A Granted JPS59227488A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6241089A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-23 | Nec Corp | 光記録材料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535623A (en) * | 1976-07-03 | 1978-01-19 | Gakken Co Ltd | Light source |
| JPS5318551A (en) * | 1976-08-02 | 1978-02-20 | Kao Corp | 4-homoprotoadamantane and its preparation |
| JPS5690439A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | Material for reproducing optical signal records |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP58101689A patent/JPS59227488A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535623A (en) * | 1976-07-03 | 1978-01-19 | Gakken Co Ltd | Light source |
| JPS5318551A (en) * | 1976-08-02 | 1978-02-20 | Kao Corp | 4-homoprotoadamantane and its preparation |
| JPS5690439A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | Material for reproducing optical signal records |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6241089A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-23 | Nec Corp | 光記録材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376239B2 (ja) | 1991-12-04 |
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