JPS592386A - 圧電性薄膜用の電極形成方法 - Google Patents
圧電性薄膜用の電極形成方法Info
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- JPS592386A JPS592386A JP57112370A JP11237082A JPS592386A JP S592386 A JPS592386 A JP S592386A JP 57112370 A JP57112370 A JP 57112370A JP 11237082 A JP11237082 A JP 11237082A JP S592386 A JPS592386 A JP S592386A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の分針〉
この発明はＰＺＴ系やＰＬＺＴ系の圧電性薄膜用として
使用される電極の形成方法に関するものである。
使用される電極の形成方法に関するものである。
〈従来技術とその問題点〉
従来、圧電性薄膜であるＰＺＴやＰＬＺＴなどは電気的
特性を測定するために、白金板上に形成されていた。ま
た、モノリシック素子に応用する目的をもって、白金基
板上に形成された溶融石英などの表面に基板加熱の状態
でスパッタリングすることによって形成された、いわゆ
る高温スパッタード白金基板上に形成されていた。
特性を測定するために、白金板上に形成されていた。ま
た、モノリシック素子に応用する目的をもって、白金基
板上に形成された溶融石英などの表面に基板加熱の状態
でスパッタリングすることによって形成された、いわゆ
る高温スパッタード白金基板上に形成されていた。
しかしながら、前者はモノリシック素子への応用性に乏
しく、また後者は、白金基板の剥離が生じやす＜、ＰＥ
Ｔ系圧電圧電性薄膜密着性にも欠けるという問題があっ
た。
しく、また後者は、白金基板の剥離が生じやす＜、ＰＥ
Ｔ系圧電圧電性薄膜密着性にも欠けるという問題があっ
た。
〈発明の目的〉
この発明は、従来の方法による欠点を改着して、モノリ
シック素子への応用範囲が拡大され、しかも、基板およ
び圧電性薄膜に対する密着性が良好になるような圧電性
薄膜用の電極を形成させる方法全提案することを目的と
している。
シック素子への応用範囲が拡大され、しかも、基板およ
び圧電性薄膜に対する密着性が良好になるような圧電性
薄膜用の電極を形成させる方法全提案することを目的と
している。
〈発明の構成と効果〉
この発明は、半導体基板上に形成された絶縁性薄膜の表
面に下地としての金属薄膜を形成し、この金属薄機の表
面に白金膜を形成した後、この白金膜の表面が、見かけ
上−白濁する程度の温度で熱処理する点に要旨を有する
ものである。
面に下地としての金属薄膜を形成し、この金属薄機の表
面に白金膜を形成した後、この白金膜の表面が、見かけ
上−白濁する程度の温度で熱処理する点に要旨を有する
ものである。
この発明の好適な実施例においては、絶縁性薄膜として
二酸化シリコン（Ｓ１０□）あるいは溶融石英、下地と
しての金属薄膜としてチタン（Ｔ１）あるいはクロム（
ｏｒ）がそれぞれ選ばれ、圧電性薄膜と１７でＰＺＴ系
圧電圧電性薄膜るチタン酸鉛（ｐｂＴｔｏ、）からなる
薄膜が選ばれ、しかも、金属薄膜や白金膜が蒸着法ある
いはスパッタリング法などの薄膜化技術によって形成さ
れる。
二酸化シリコン（Ｓ１０□）あるいは溶融石英、下地と
しての金属薄膜としてチタン（Ｔ１）あるいはクロム（
ｏｒ）がそれぞれ選ばれ、圧電性薄膜と１７でＰＺＴ系
圧電圧電性薄膜るチタン酸鉛（ｐｂＴｔｏ、）からなる
薄膜が選ばれ、しかも、金属薄膜や白金膜が蒸着法ある
いはスパッタリング法などの薄膜化技術によって形成さ
れる。
一般に、スパッタリング法や蒸着法などの薄膜化技術に
よる密着性の良否については、スパッタリング法による
ものが蒸着法によるものに比べて密着性が良く、また、
絶縁膜上に直接白金膜をスパッタリング法によって形成
したものは、低温スパッタリングによる場合は勿論、高
温スハｙり’Ｊングによる場合でも剥離を生じやすい。
よる密着性の良否については、スパッタリング法による
ものが蒸着法によるものに比べて密着性が良く、また、
絶縁膜上に直接白金膜をスパッタリング法によって形成
したものは、低温スパッタリングによる場合は勿論、高
温スハｙり’Ｊングによる場合でも剥離を生じやすい。
この点に関し、この発明では、下地として絶縁性薄膜上
に形成されたチタン薄膜の上に白金膜が形成されるので
−チタン薄膜と白金膜、およびチタン薄膜と絶縁性薄膜
との各蜜漬状態が良好となり、結局、白金膜と絶縁性Ａ
！膜とが高い密着性全維持する。
に形成されたチタン薄膜の上に白金膜が形成されるので
−チタン薄膜と白金膜、およびチタン薄膜と絶縁性薄膜
との各蜜漬状態が良好となり、結局、白金膜と絶縁性Ａ
！膜とが高い密着性全維持する。
また、白金膜の形成後は、これを、白金膜の表面が、見
かけ上、白濁する程度の温度で熱処理するので、白金膜
の結晶粒成長に伴なうその表面の凹凸によって、圧電性
薄膜に対する密着性も向丘する。加えて、白金膜のスパ
ッタリング時に基板湿度を上昇させる必要がなくなるの
で、短時間に多量のスパッタリングを行なうことができ
、化ｍ性の向上につながる。さらに、白金膜は、下地と
しての金属薄膜を介して絶縁性薄膜上に形成されるので
、モノリシック素子への応用範囲が拡大される。
かけ上、白濁する程度の温度で熱処理するので、白金膜
の結晶粒成長に伴なうその表面の凹凸によって、圧電性
薄膜に対する密着性も向丘する。加えて、白金膜のスパ
ッタリング時に基板湿度を上昇させる必要がなくなるの
で、短時間に多量のスパッタリングを行なうことができ
、化ｍ性の向上につながる。さらに、白金膜は、下地と
しての金属薄膜を介して絶縁性薄膜上に形成されるので
、モノリシック素子への応用範囲が拡大される。
〈￥癒例の説明〉
図面は、この発明によって形成された電極を模式的に示
したものであり、１はシリコンなどからなる半導体基板
、２は二酸化シリコンなどからなる絶縁性薄膜、６はチ
タンなどからなる下地としての金属薄膜−４は白金膜で
あって、その表面４ａは、熱処理による結晶粒成長によ
って凹凸状となっている。
したものであり、１はシリコンなどからなる半導体基板
、２は二酸化シリコンなどからなる絶縁性薄膜、６はチ
タンなどからなる下地としての金属薄膜−４は白金膜で
あって、その表面４ａは、熱処理による結晶粒成長によ
って凹凸状となっている。
このような電極を形成するＧこあたり、まず、シリコン
などの半導体基板１０表面に、二酸化シリコンなどの絶
縁性薄膜２を形成し、つぎに、この絶縁性薄膜２０表面
に、蒸着法によってチタンなどの金属薄膜６倉下地とし
て１００〜２００ Ａ程度の厚さで形成する。この後、
電極としての白金膜４を、基板温度を上げずに、スパッ
タリング法によって形成し、つづいて、熱処理を施して
、白金膜４の表面を見かけ上白濁させる。この場合の熱
処珈渦度は白金膜４の膜厚によっても異なるが、膜厚が
８００〜１０００人のときをこけ、７００〜８００℃で
一時間程度行なえば良い。
などの半導体基板１０表面に、二酸化シリコンなどの絶
縁性薄膜２を形成し、つぎに、この絶縁性薄膜２０表面
に、蒸着法によってチタンなどの金属薄膜６倉下地とし
て１００〜２００ Ａ程度の厚さで形成する。この後、
電極としての白金膜４を、基板温度を上げずに、スパッ
タリング法によって形成し、つづいて、熱処理を施して
、白金膜４の表面を見かけ上白濁させる。この場合の熱
処珈渦度は白金膜４の膜厚によっても異なるが、膜厚が
８００〜１０００人のときをこけ、７００〜８００℃で
一時間程度行なえば良い。
ここで、熱処理前における白金膜４０表面は鏡面である
が、熱処理後においては、図示されるように表面に凹凸
を生じる。したがって、圧゛照性薄膜との密着性が向上
する。
が、熱処理後においては、図示されるように表面に凹凸
を生じる。したがって、圧゛照性薄膜との密着性が向上
する。
なお、上６実施例において、絶縁性薄膜として溶融石英
、金属薄機としてクロムなどを使用することも可能であ
る。
、金属薄機としてクロムなどを使用することも可能であ
る。
図面はこの発明によって形成された電極の構造を示す模
式的な斜視図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁性薄膜、６・・・金
属薄膜、４・・・白金膜、４ａ・・・白金膜表面。
式的な斜視図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁性薄膜、６・・・金
属薄膜、４・・・白金膜、４ａ・・・白金膜表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板上に形成された絶縁性薄膜の表面に下
地としての金ｍ＊膜を形成し、この金属薄膜の表面に白
金膜を形成した後、この白金膜の表面が、見かけ上、白
濁する程度の湿度で熱処理する圧電性薄膜用の電極形成
方法。 （２）半導体基板がシリコンであり、絶縁性薄膜が二酸
化シリコンあるいは溶融石英であり、下地としての金属
薄膜がチタンあるいはクロムである特許請求の範囲第１
項記載の圧電性薄膜用の電極形成方法。 （８）金属＃膜および白金膜を蒸着法あるいはスパッタ
リング法などの薄膜化技術によって形成する特許請求の
範囲第１項または第２項記載の圧゛磁性薄膜用の電極形
成方法。 （４）圧電性薄膜がチタン酸鉛からなる薄膜である特許
請求の範囲第１項、第２項または第６項記載の圧電性薄
膜用の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112370A JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112370A JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592386A true JPS592386A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0443435B2 JPH0443435B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=14584985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57112370A Granted JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592386A (ja) |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57112370A patent/JPS592386A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443435B2 (ja) | 1992-07-16 |
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