JPH0443435B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0443435B2 JPH0443435B2 JP11237082A JP11237082A JPH0443435B2 JP H0443435 B2 JPH0443435 B2 JP H0443435B2 JP 11237082 A JP11237082 A JP 11237082A JP 11237082 A JP11237082 A JP 11237082A JP H0443435 B2 JPH0443435 B2 JP H0443435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- platinum
- electrode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜発明の分野＞
この発明はPZT系やPLZT系の圧電性薄膜用と
しての使用される電極の形成方法に関するもので
ある。
しての使用される電極の形成方法に関するもので
ある。
＜従来技術とその問題点＞
従来、圧電性薄膜であるPZTやPLZTなどは電
気的特性を測定するために、白金板上に形成され
ていた。また、モノリシツク素子に応用する目的
をもつて、溶融石英などの表面に基板加熱の状態
でスパツタリングすることによつて形成された、
いわゆる高温スパツタード白金基板上に形成され
ていた。
気的特性を測定するために、白金板上に形成され
ていた。また、モノリシツク素子に応用する目的
をもつて、溶融石英などの表面に基板加熱の状態
でスパツタリングすることによつて形成された、
いわゆる高温スパツタード白金基板上に形成され
ていた。
しかしながら、前者はモノリシツク素子への応
用性に乏しく、また後者は、白金基板の剥離が生
じやすく、PZT系圧電性薄膜との密着性にも欠
けるという問題があつた。
用性に乏しく、また後者は、白金基板の剥離が生
じやすく、PZT系圧電性薄膜との密着性にも欠
けるという問題があつた。
＜発明の目的＞
この発明は、従来の方法による欠点を改善し
て、モノリシツク素子への応用範囲が拡大され、
しかも、基板および圧電性薄膜に対する密着性が
良好になるような圧電性薄膜用の電極を形成させ
る方法を提案することを目的としている。
て、モノリシツク素子への応用範囲が拡大され、
しかも、基板および圧電性薄膜に対する密着性が
良好になるような圧電性薄膜用の電極を形成させ
る方法を提案することを目的としている。
＜発明の構成と効果＞
この発明は、半導体基板上に形成された絶縁性
薄膜の表面に下地としての金属薄膜を形成し、こ
の金属薄膜の表面に白金膜を形成した後、この白
金膜の表面が、結晶粒成長によつて凹凸状となる
温度で熱処理し、さらに、上記白金膜の上に圧電
性薄膜を被着する点に要旨を有するものである。
薄膜の表面に下地としての金属薄膜を形成し、こ
の金属薄膜の表面に白金膜を形成した後、この白
金膜の表面が、結晶粒成長によつて凹凸状となる
温度で熱処理し、さらに、上記白金膜の上に圧電
性薄膜を被着する点に要旨を有するものである。
一般に、スパツタリング法や蒸着法などの薄膜
化技術による密着法の良否については、スパツタ
リング法によるのが蒸着法によるものに比べて密
着性が良く、また、絶縁膜上に直接白金膜をスパ
ツタリング法によつて形成したものは、低温スパ
ツタリングによる場合は勿論、高温スパツタリン
グによる場合でも剥離を生じやすい。この点に関
し、この発明では、下地として絶縁性薄膜上に形
成されたチタン薄膜の上に白金膜が形成されるの
で、チタン薄膜と白金膜、およびチタン薄膜と絶
縁性薄膜との各密着状態が良好となり、結局、白
金膜と絶縁性薄膜とが高い密着性を維持する。ま
た、白金膜の形成後は、これを白金膜の表面が、
見かけ上、白濁する程度の温度で熱処理するの
で、白金膜の結晶粒成長に伴なうその表面の凹凸
によつて、圧電性薄膜に対する密着性も向上す
る。加えて、白金膜のスパツタリング時に基板温
度を上昇させる必要がなくなるので、短時間に多
量のスパツタリングを行なうことができ、生産性
の向上につながる。さらに、白金膜は、下地とし
ての金属薄膜を介して絶縁性薄膜上に形成される
ので、。モノリシツク素子への応用範囲が拡大さ
れる。
化技術による密着法の良否については、スパツタ
リング法によるのが蒸着法によるものに比べて密
着性が良く、また、絶縁膜上に直接白金膜をスパ
ツタリング法によつて形成したものは、低温スパ
ツタリングによる場合は勿論、高温スパツタリン
グによる場合でも剥離を生じやすい。この点に関
し、この発明では、下地として絶縁性薄膜上に形
成されたチタン薄膜の上に白金膜が形成されるの
で、チタン薄膜と白金膜、およびチタン薄膜と絶
縁性薄膜との各密着状態が良好となり、結局、白
金膜と絶縁性薄膜とが高い密着性を維持する。ま
た、白金膜の形成後は、これを白金膜の表面が、
見かけ上、白濁する程度の温度で熱処理するの
で、白金膜の結晶粒成長に伴なうその表面の凹凸
によつて、圧電性薄膜に対する密着性も向上す
る。加えて、白金膜のスパツタリング時に基板温
度を上昇させる必要がなくなるので、短時間に多
量のスパツタリングを行なうことができ、生産性
の向上につながる。さらに、白金膜は、下地とし
ての金属薄膜を介して絶縁性薄膜上に形成される
ので、。モノリシツク素子への応用範囲が拡大さ
れる。
＜実施例の説明＞
この発明の好適な実施例においては、絶縁性薄
膜として二酸化シリコン（SiO2）、下地としての
金属薄膜としてチタン（Ti）あるいはクロム
（Cr）がそれぞれ選ばれ、圧電性薄膜としてPZT
系圧電性薄膜であるチタン酸鉛（PbTiO3）から
なる薄膜が選ばれ、しかも金属薄膜や白金膜が蒸
着法あるいはスパツタリング法などの薄膜化技術
によつて形成される。
膜として二酸化シリコン（SiO2）、下地としての
金属薄膜としてチタン（Ti）あるいはクロム
（Cr）がそれぞれ選ばれ、圧電性薄膜としてPZT
系圧電性薄膜であるチタン酸鉛（PbTiO3）から
なる薄膜が選ばれ、しかも金属薄膜や白金膜が蒸
着法あるいはスパツタリング法などの薄膜化技術
によつて形成される。
図面は、この発明によつて形成された電極を模
式的に示したものでり、１はシリコンなどからな
る半導体基板、２は二酸化シリコンなどからなる
絶縁性薄膜、３はチタンなどからなる下地として
の金属薄膜、４は白金膜であつて、その表面４ａ
は、熱処理による結晶粒成長によつて凹凸状とな
つている。
式的に示したものでり、１はシリコンなどからな
る半導体基板、２は二酸化シリコンなどからなる
絶縁性薄膜、３はチタンなどからなる下地として
の金属薄膜、４は白金膜であつて、その表面４ａ
は、熱処理による結晶粒成長によつて凹凸状とな
つている。
このような電極を形成するにあたり、まず、シ
リコンなどの半導体基板１の表面に、二酸化シリ
コンなどの絶縁性薄膜２を形成し、つぎに、この
絶縁性薄膜２の表面に、蒸着法によつてチタンな
どの金属薄膜３を下地として100〜200Å程度の厚
さで形成する。この後、電極としての白金膜４
を、基板温度を上げずに、スパツタリング法によ
つて形成し、つづいて、熱処理を施して、白金膜
４の表面を見かけ上白濁させる。この場合の熱処
理温度は白金膜４の膜厚によつても異なるが、膜
厚が800〜1000Åのときには、700〜800℃で一時
間程度行なえば良い。
リコンなどの半導体基板１の表面に、二酸化シリ
コンなどの絶縁性薄膜２を形成し、つぎに、この
絶縁性薄膜２の表面に、蒸着法によつてチタンな
どの金属薄膜３を下地として100〜200Å程度の厚
さで形成する。この後、電極としての白金膜４
を、基板温度を上げずに、スパツタリング法によ
つて形成し、つづいて、熱処理を施して、白金膜
４の表面を見かけ上白濁させる。この場合の熱処
理温度は白金膜４の膜厚によつても異なるが、膜
厚が800〜1000Åのときには、700〜800℃で一時
間程度行なえば良い。
ここで、熱処理前における白金膜４の表面は鏡
面であるが、熱処理後においては、図示されるよ
うに表面に凹凸を生じる。したがつて、この白金
膜の上に圧電性薄膜を被着すると、白金膜と圧電
性薄膜との密着性が向上する。
面であるが、熱処理後においては、図示されるよ
うに表面に凹凸を生じる。したがつて、この白金
膜の上に圧電性薄膜を被着すると、白金膜と圧電
性薄膜との密着性が向上する。
なお、上記実施例において、金属薄膜としてク
ロムなどを使用することも可能である。
ロムなどを使用することも可能である。
図面はこの発明によつて形成された電極に構造
を示す模式的な斜視図である。 １……半導体基板、２……絶縁性薄膜、３……
金属薄膜、４……白金膜、４ａ……白金膜表面。
を示す模式的な斜視図である。 １……半導体基板、２……絶縁性薄膜、３……
金属薄膜、４……白金膜、４ａ……白金膜表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 白金膜の上に圧電性薄膜を被着する圧電性薄
膜用の電極形成方法において、半導体基板上に形
成された絶縁性薄膜の表面に下地としての金属薄
膜を形成し、この金属薄膜の表面に白金膜を形成
した後、この白金膜の表面が、結晶粒成長によつ
て凹凸状となる温度で熱処理する圧電性薄膜用の
電極形成方法。 ２ 半導体基板がシリコンであり、絶縁性薄膜が
二酸化シリコンであり、下地としての金属薄膜が
チタンあるいはクロムである特許請求の範囲第１
項記載の圧電性薄膜用の電極形成方法。 ３ 金属薄膜および白金膜を蒸着法あるいはスパ
ツタリング法などの薄膜化技術によつて形成する
特許請求の範囲第１項または第２項記載の圧電性
薄膜用の電極形成方法。 ４ 圧電性薄膜がチタン酸鉛からなる薄膜である
特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
の圧電性薄膜用の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112370A JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112370A JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592386A JPS592386A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0443435B2 true JPH0443435B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=14584985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57112370A Granted JPS592386A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 圧電性薄膜用の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592386A (ja) |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57112370A patent/JPS592386A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS592386A (ja) | 1984-01-07 |
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