JPS5925271A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5925271A JPS5925271A JP57135340A JP13534082A JPS5925271A JP S5925271 A JPS5925271 A JP S5925271A JP 57135340 A JP57135340 A JP 57135340A JP 13534082 A JP13534082 A JP 13534082A JP S5925271 A JPS5925271 A JP S5925271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- regions
- base
- emitter
- transistor
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- Granted
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１イ） 発明の技南分野
本発明はトランジスタ％特にメツシュエミッタ構造を有
するトランジスタの改良に関する。
するトランジスタの改良に関する。
同 従来技ト１：ｒ
トランジスタの７８流容隈の増大を図る構造としてメッ
ンユエミヅタ摺造が考えられた。メツシュエミッタ構造
とは第１図に示すＶＩＪ＜ 、 Ｎ型の半導体裁板より
成るコレクタ領域ｉｌｌ、Ｐｌｙのベース領域（２ｊ、
メツシュ状のエミッタ領域（３）があり、エミッタ領域
（３）内には丸形のベースコンタクト頭ＪＪＪ、＋４１
が多数点在し′Ｃいる。ｒ−ミッタ電極はメツシュ状の
エミッタ領域（３）にオーミック接触し、ベース電極は
各ベースコンタモｌ城（４）にオーミック接触している
。
ンユエミヅタ摺造が考えられた。メツシュエミッタ構造
とは第１図に示すＶＩＪ＜ 、 Ｎ型の半導体裁板より
成るコレクタ領域ｉｌｌ、Ｐｌｙのベース領域（２ｊ、
メツシュ状のエミッタ領域（３）があり、エミッタ領域
（３）内には丸形のベースコンタクト頭ＪＪＪ、＋４１
が多数点在し′Ｃいる。ｒ−ミッタ電極はメツシュ状の
エミッタ領域（３）にオーミック接触し、ベース電極は
各ベースコンタモｌ城（４）にオーミック接触している
。
斯上の補遺ではメツシュ状ｃミッタ領域１３）によりエ
ミッタ面積の増大のみを図ることができるので、同一エ
ミッタ面積を得るチップ面積の縮小に役立・り。
ミッタ面積の増大のみを図ることができるので、同一エ
ミッタ面積を得るチップ面積の縮小に役立・り。
しかしながら斯るエミッタメツシュ構造のトランジスタ
ではベース電極の接触しているベースコンタクト領域（
４１を活性なエミッタ領域１３）で囲んでいるので、表
面で二次降伏する欠点があった。
ではベース電極の接触しているベースコンタクト領域（
４１を活性なエミッタ領域１３）で囲んでいるので、表
面で二次降伏する欠点があった。
し１ 発明の開示
本発明は斯上した欠点に鑑み−Ｃなされ、緋′１状重流
咀止領繊（５）をベースコンタクト領我（４）に設ける
ことにより、二次降伏両歌の大きいエミッタメツシュ構
造のトランジスタを実現することを目的とする。
咀止領繊（５）をベースコンタクト領我（４）に設ける
ことにより、二次降伏両歌の大きいエミッタメツシュ構
造のトランジスタを実現することを目的とする。
に）） 発明の実施例
本発明に依るトランジスタは第２１図（二示す如くＮ型
の半導体基板より成るコレクタｆｉｒ＝ＩＪｄｔ［Ｉ、
Ｐ型のベース領域［２１，Ｎ型の少ツンユ状のエミッ
タ領域（３１で４１′ｆｔ成され、エミッタ領域（３１
内には丸形のベースコンタクト領域（４）が多数点在さ
れ、更に本発明の特１徴とするトＪ型の環状電流１！Ｊ
ｌ ｔｌｚ領域（５）を各ベースコンタクト領域（４）
内に形成する。
の半導体基板より成るコレクタｆｉｒ＝ＩＪｄｔ［Ｉ、
Ｐ型のベース領域［２１，Ｎ型の少ツンユ状のエミッ
タ領域（３１で４１′ｆｔ成され、エミッタ領域（３１
内には丸形のベースコンタクト領域（４）が多数点在さ
れ、更に本発明の特１徴とするトＪ型の環状電流１！Ｊ
ｌ ｔｌｚ領域（５）を各ベースコンタクト領域（４）
内に形成する。
環状゛電流阻止領域（５）は例えば直径２００．４’の
ベースコンタク） ５６ Ｗ １４１内に３０．＃はど
離間させて２０．１１１１］に形成する。この結果環状
電流阻止領域（５）内には直径１［１（Ｊ、＃Ｉのベー
スコンタクトｉ域（４）が確保できる。な′お環状電流
■正領域（５）はエミッタ領域（３）と同時（二拡散形
成すれば良い。
ベースコンタク） ５６ Ｗ １４１内に３０．＃はど
離間させて２０．１１１１］に形成する。この結果環状
電流阻止領域（５）内には直径１［１（Ｊ、＃Ｉのベー
スコンタクトｉ域（４）が確保できる。な′お環状電流
■正領域（５）はエミッタ領域（３）と同時（二拡散形
成すれば良い。
ベース電極（６１は第３図に示す如く、環状電流阻者に
オーミック接触させる。
オーミック接触させる。
斯上した本発明のメツシュエミッタ構造のトランジスタ
ｌ−依しば、ベース′覗極（６）からのベース電流は環
状電流阻止領域（５）により規１制されて盲二ミッタ領
Ｊｆｆｌ１３１の表面部分には流れず、エミッダ色゛１
城（３）底面に流れる。この結果ｃミッタ働域に３１の
側面は不活性となり、二次降伏両爪を人［１］に向１：
、できる。
ｌ−依しば、ベース′覗極（６）からのベース電流は環
状電流阻止領域（５）により規１制されて盲二ミッタ領
Ｊｆｆｌ１３１の表面部分には流れず、エミッダ色゛１
城（３）底面に流れる。この結果ｃミッタ働域に３１の
側面は不活性となり、二次降伏両爪を人［１］に向１：
、できる。
第４図は二次降伏耐１１を示す特性図であり、Ｘ軸にＣ
Ｂ間逆バイアス嘔位（ＶＯＢ）、Ｙ軸にＰＮ接合の温度
（−よる立ち」二かり電圧の変ｆｌｌＩ（△ＶＢＦ）を
採っている。、第４図に於いて実線で示す本発明の特性
は点線で示″！Ｉ−従来のものに比較しＣ約２倍にその
二次ＦＦ伏耐獣を拡大している、田り 産業上の利用可
能性 Ａ・発明に依ればｃｉブタメツシュ４１′６造のトラン
ジスタに於いてメツシュ１ニミツタの働きにより人この
結果人゛覗流で高耐圧のパワートランジスタを実現でき
る。
Ｂ間逆バイアス嘔位（ＶＯＢ）、Ｙ軸にＰＮ接合の温度
（−よる立ち」二かり電圧の変ｆｌｌＩ（△ＶＢＦ）を
採っている。、第４図に於いて実線で示す本発明の特性
は点線で示″！Ｉ−従来のものに比較しＣ約２倍にその
二次ＦＦ伏耐獣を拡大している、田り 産業上の利用可
能性 Ａ・発明に依ればｃｉブタメツシュ４１′６造のトラン
ジスタに於いてメツシュ１ニミツタの働きにより人この
結果人゛覗流で高耐圧のパワートランジスタを実現でき
る。
第１図は従来例を説明する断面斜視図、第２図は本発明
を説明すて）断面斜視図、第３図は電極を１１９成した
本発明のトランジスタを説明する断面図第４図は従来お
よびＡ）発明の二次降伏両級を説明する特性図である。 ｔｌｌｌｊコ” り９ ｆｉ自Ｊ１．！ｌ＋ 、 ＋２
１＆；ｔ ヘ−フイ】ｎ城、＋：１１ ＆−！ 、ｒ−
ミツタロ自」論ｖ、（４）はベースコンタクトｆ伯鯵、
ｔ５１ｃオ環状改流１１１１止６自懺、 （ｆｉｌはベ
ース電極である。 ５ｆ 第３図 を 第４図 ｃＢ
を説明すて）断面斜視図、第３図は電極を１１９成した
本発明のトランジスタを説明する断面図第４図は従来お
よびＡ）発明の二次降伏両級を説明する特性図である。 ｔｌｌｌｊコ” り９ ｆｉ自Ｊ１．！ｌ＋ 、 ＋２
１＆；ｔ ヘ−フイ】ｎ城、＋：１１ ＆−！ 、ｒ−
ミツタロ自」論ｖ、（４）はベースコンタクトｆ伯鯵、
ｔ５１ｃオ環状改流１１１１止６自懺、 （ｆｉｌはベ
ース電極である。 ５ｆ 第３図 を 第４図 ｃＢ
Claims (1)
- １、 コレクタ領域、ベース領域および、エミッタ領域
を備え、υ＋、ｃミッタ領域を２ｉＪ記ベース領域のほ
ぼ全面に設け、ｎ１Ｊｉ！１２ベース仔ｊ域のコンタク
ト領域を１））ｊ記Ｌミッタ領域内に多数島状に配置し
たトランジスタ（二於い゛Ｃ１前記ベース領域のコンタ
クト領域にｉ’ｊｉＪ紀Ｃミッタ領域と同桿￥ｊｉ型の
環４大電流β目止領域を設け、該環状電流阻止領域にυ
口まれだｎ１ｊ記コンタクト領域にベース電極をオーミ
ックコンタクトすることを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135340A JPS5925271A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135340A JPS5925271A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925271A true JPS5925271A (ja) | 1984-02-09 |
| JPH0247855B2 JPH0247855B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=15149478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135340A Granted JPS5925271A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168661U (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4835774A (ja) * | 1971-08-30 | 1973-05-26 | ||
| JPS5691468A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Nec Corp | Semiconductor |
| JPS577158A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5712765U (ja) * | 1980-06-24 | 1982-01-22 |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP57135340A patent/JPS5925271A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4835774A (ja) * | 1971-08-30 | 1973-05-26 | ||
| JPS5691468A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Nec Corp | Semiconductor |
| JPS577158A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5712765U (ja) * | 1980-06-24 | 1982-01-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168661U (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247855B2 (ja) | 1990-10-23 |
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