JPS5927402A - Ｐｌｚｔ基板の製造方法 - Google Patents
Ｐｌｚｔ基板の製造方法Info
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- JPS5927402A JPS5927402A JP57135684A JP13568482A JPS5927402A JP S5927402 A JPS5927402 A JP S5927402A JP 57135684 A JP57135684 A JP 57135684A JP 13568482 A JP13568482 A JP 13568482A JP S5927402 A JPS5927402 A JP S5927402A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ランタンチタン酸ジルコン酸鉛（ｐＬｚＴ）
基板の製造方法に関するものである。更に詳しくは、本
発明は、基板材料として用いられるＰＬＺＴの粉末を、
金属アルコキシドから調整するＰＬＺＴ基板の製造方法
に関するものである。
基板の製造方法に関するものである。更に詳しくは、本
発明は、基板材料として用いられるＰＬＺＴの粉末を、
金属アルコキシドから調整するＰＬＺＴ基板の製造方法
に関するものである。
本発明の目的は、成型性が良く、組成が均一でかつ透明
度の良好なＰＬＺＴ基板が製造できる製造方法を提供し
ようとすゐものである。
度の良好なＰＬＺＴ基板が製造できる製造方法を提供し
ようとすゐものである。
本発明に係る製造方法は、Ｚｒ （ＯＲ）４と、Ｔｉ
（ＯＲ）４と、Ｐｂ （ＯＲ） と、Ｌａ （ＯＲ）
ａとを化学量論比に混合し、その溶液に水を加えて加水
分解を行い、析出物を乾燥し、これを８００°Ｃ〜９０
０°Ｃで仮焼後、所定量のｐｂｏを混入して成型処理す
ることを物量としている。
（ＯＲ）４と、Ｐｂ （ＯＲ） と、Ｌａ （ＯＲ）
ａとを化学量論比に混合し、その溶液に水を加えて加水
分解を行い、析出物を乾燥し、これを８００°Ｃ〜９０
０°Ｃで仮焼後、所定量のｐｂｏを混入して成型処理す
ることを物量としている。
以下、本発明の製造方法の一例について、第１図のフロ
ーチャートを参照しながら説明する。
ーチャートを参照しながら説明する。
はじめに、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ） 、
鉛（ｐｂ）、およびランタン（Ｌａ）の各々のインプロ
ポキシドのベンゼン溶液Ｚｒ （ＯＲ） Ｔｉ （Ｏ
Ｒ）、、 Ｐｂ （ＯＲ）２ｔｔ Ｌａ （ＯＲ）ａを用意し、これらを化学ｉ論比または
Ｐｂ（ＯＲ）２を少し過剰に混合する。次にこの混合溶
液に蒸留水を加え、攪拌しながら加水分解によって得ら
れた沈殿物をｐ過、洗浄後、自然乾燥し、ＰＬＺＴの超
微粉末を得る。こねまでの工程は、特願昭５５−１５６
８４１号のものと同様である。続いて、このＰＬＺＴ超
微粉末を、８００°Ｃ−９００°Ｃで約１時間仮焼する
。このような仮焼工程によって、ＰＬＺＴの粒径を大き
くする。次に、固相または液相のｐｂｏを所定ｉ′（例
えば７工程度）加え、混合する。ここで加えるｐｂｏは
、ＰＬＺＴ微粉末の表面に付着し、焼結工程において各
ＰＬＺＴ微粉末が互いに滑って緻密化する役目をなす。
鉛（ｐｂ）、およびランタン（Ｌａ）の各々のインプロ
ポキシドのベンゼン溶液Ｚｒ （ＯＲ） Ｔｉ （Ｏ
Ｒ）、、 Ｐｂ （ＯＲ）２ｔｔ Ｌａ （ＯＲ）ａを用意し、これらを化学ｉ論比または
Ｐｂ（ＯＲ）２を少し過剰に混合する。次にこの混合溶
液に蒸留水を加え、攪拌しながら加水分解によって得ら
れた沈殿物をｐ過、洗浄後、自然乾燥し、ＰＬＺＴの超
微粉末を得る。こねまでの工程は、特願昭５５−１５６
８４１号のものと同様である。続いて、このＰＬＺＴ超
微粉末を、８００°Ｃ−９００°Ｃで約１時間仮焼する
。このような仮焼工程によって、ＰＬＺＴの粒径を大き
くする。次に、固相または液相のｐｂｏを所定ｉ′（例
えば７工程度）加え、混合する。ここで加えるｐｂｏは
、ＰＬＺＴ微粉末の表面に付着し、焼結工程において各
ＰＬＺＴ微粉末が互いに滑って緻密化する役目をなす。
このような工程を経て得られたｒ’ＬＺＴ微粉末を、例
えばホットプレスを用いて成型処理し、ＰＬＺＴ基板を
製造する。
えばホットプレスを用いて成型処理し、ＰＬＺＴ基板を
製造する。
なお、上記の製造工程において、第１図の破線に示すよ
うに、ＰｂＯ添加し、これを混合した後に、例えば８０
０°Ｃ〜９００°Ｃで再び仮焼し、こわを例えばボール
ミルによって粉砕する工程を追加し、成型処理するよう
にしてもよい。
うに、ＰｂＯ添加し、これを混合した後に、例えば８０
０°Ｃ〜９００°Ｃで再び仮焼し、こわを例えばボール
ミルによって粉砕する工程を追加し、成型処理するよう
にしてもよい。
第２図は、第１図において、■の仮焼工程における仮焼
温度を種々変えて、それらによって得られた微粉末を成
型した場合（ここでは成型圧１５００ｋｇ／ｃｍ２）の
、成型密度を示したものである。これらの実験結果から
、仮焼温度を高くすれば、するほど、成型密度が大きく
なり、成型性が良好になることが認めらねた。
温度を種々変えて、それらによって得られた微粉末を成
型した場合（ここでは成型圧１５００ｋｇ／ｃｍ２）の
、成型密度を示したものである。これらの実験結果から
、仮焼温度を高くすれば、するほど、成型密度が大きく
なり、成型性が良好になることが認めらねた。
第３図は、同じように■の仮焼工程における仮焼温度を
種々変えて、それらによって得られる微粉末の粒径な示
したものである。この実験結果から、粒径は多少バラツ
キはあるものの、仮焼温度を高くすると、大きくなるこ
とが認められた。
種々変えて、それらによって得られる微粉末の粒径な示
したものである。この実験結果から、粒径は多少バラツ
キはあるものの、仮焼温度を高くすると、大きくなるこ
とが認められた。
ここで、微粉末の粒径が余り大きくなると、成型処理し
て得られるＰＬＺＴ基板の透明度が低下して好ましくな
い。
て得られるＰＬＺＴ基板の透明度が低下して好ましくな
い。
これらの実験結果から１．■の仮焼工程における仮焼温
度を、８００°Ｃ〜９００°Ｃにすることとした。
度を、８００°Ｃ〜９００°Ｃにすることとした。
本発明に係る製造方法によれば、成壓性が良く、組成が
均一で、かつ透明度の良好なＰＬＺＴ基板が実現できる
。
均一で、かつ透明度の良好なＰＬＺＴ基板が実現できる
。
第１図は本発明に係る製造方法の一例を示すフローチャ
ート、第２図は仮焼温度と成型密度との関係を示す線図
、第５図は仮焼温度と粒径との関係を示す線図である。
ート、第２図は仮焼温度と成型密度との関係を示す線図
、第５図は仮焼温度と粒径との関係を示す線図である。
Claims (1)
- （１） Ｚｒ（ＯＲ） と、’Ｉ’ｉ （ＯＲ，）
と、 Ｐｂ （ＯＲ）２と４ Ｌａ （ＯＲ）ａ とを作字量論比に混合し、その溶液
に水を加えて加水分解し、析出物を乾燥し、これを８０
０°Ｃ〜９００°Ｃで仮焼後、所定量のｐｂｏを混入し
て成型処理することを特徴とするＰＬＺＴ基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135684A JPS5927402A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | Ｐｌｚｔ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135684A JPS5927402A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | Ｐｌｚｔ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927402A true JPS5927402A (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=15157496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135684A Pending JPS5927402A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | Ｐｌｚｔ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927402A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162670A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | 住友金属鉱山株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛焼結体の製法 |
| US4789653A (en) * | 1986-03-18 | 1988-12-06 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Method for production of ceramic composition |
| US5064684A (en) * | 1989-08-02 | 1991-11-12 | Eastman Kodak Company | Waveguides, interferometers, and methods of their formation |
| JPH0498119U (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107912A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-24 | Mitsubishi Metal Corp | Production of transparent ceramics |
| JPS5782120A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-22 | Yoshiharu Ozaki | Preparation of lead lanthanum titanate zirconate (plzt) |
-
1982
- 1982-08-05 JP JP57135684A patent/JPS5927402A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107912A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-24 | Mitsubishi Metal Corp | Production of transparent ceramics |
| JPS5782120A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-22 | Yoshiharu Ozaki | Preparation of lead lanthanum titanate zirconate (plzt) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162670A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | 住友金属鉱山株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛焼結体の製法 |
| US4789653A (en) * | 1986-03-18 | 1988-12-06 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Method for production of ceramic composition |
| US5064684A (en) * | 1989-08-02 | 1991-11-12 | Eastman Kodak Company | Waveguides, interferometers, and methods of their formation |
| JPH0498119U (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 |
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