JPS5928341A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5928341A JPS5928341A JP57138039A JP13803982A JPS5928341A JP S5928341 A JPS5928341 A JP S5928341A JP 57138039 A JP57138039 A JP 57138039A JP 13803982 A JP13803982 A JP 13803982A JP S5928341 A JPS5928341 A JP S5928341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- etched
- chamber
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、反応性イメンエソヂング方法（・ζ関する。
〔従来技術とその問題点〕
近年、半導体集積回路の高密度化、高性能化が進むにつ
れて微細加工を高い精度で行うことが強く要望されてい
る。而して、微卸１加工の基本技術でを）るエツチング
処理に従来ウェットエツチングが採用され−Ｃいるが、
ウェットエツチングにより被エツチング休′にエツチン
グ処理を施すと、所謂アンダーカットが発生し易いだめ
、形状精度の高イハターンを形成できない問題がある。 このため、力１０ニ鞘度が優れ、月つ下地材料との選択
性を有した反応性イメンエングーング（ｒＬ Ｉ Ｅ
）が、エツチング処理技術の主流を占めつつある。との
反応性イメンエッチングでＰＯ６ｙ −Ｓｉをエツチン
グする際、ＣＦ、１．３ｒ 、 ＣＦ、 、 ＣＣ（１
４等のハロゲン化炭素ガスを使用する。 第１図に示す様なＰｏｇｙ −Ｓ ｉ ３をｌｌＩＦ５
する場合ンよ１’、 ｆｉｌｉ ’・１１グン化炭素や
（°ら等の単体ハロゲンガスを適当に絹合せることで、
アンダーカットが餌〔いＩｔ・方性エツチングが達成で
きＣいる。ここで１は酸化膜７２は半梼、体基板、４Ｖ
」、レジストである。 然しなから、水子の高密度化に伴い段差が急峻となシ且
つ３次元的な多層構造となυ、側壁段差部ＯＪ Ｐ＋）
６−８＋ ３ ＋ ３１ ＋ ３２除法（第２図）や二
層構造り七ル部を加工（第３図）する場合オーバエツチ
ングが必要とされる。 メーバエッチング時に加工精度が強く要求されることか
ら、当然アンダーカットが無いことが必須である。 アンダーカットの発生を抑市するためイオン性の反応を
強くすると、下地相別とのエツチング速度の選択比が低
下してしまう欠点がある。 °アンダーカットが無く、且つ他の被エツチング材料と
の高いエツチング選択比を得られるＩｔ、［７，技術は
り一５在のところ充分に満足されていない。 〔発明の目的〕 本発明は、上ｉ’ＩＣ欠点を解決した反応性イメンエ即
ち、Ｐａ（Ｊｙ−８＋を几ＩＥでエツチングする１鳥１
メーバエツチングしても、アンダーカットが１ｒ１ｃい
、）１７％方性エツチング方法を提供することを目的と
する。 〔発明の概要〕 被エツチ・フグ４Ｊ別を設置したエツチング装置内にハ
ロゲンガスとメゾンとからなる混合ガスを供給し、前記
反応性ガスによって形成された雰囲気中にプラズマを発
生させ、該プラズマ中で前記被エツチング材料をエツチ
ングすることを特徴とする。 アンダーカットを無くすためにイオン性を強くすれはメ
ーバエッチングしてもアンダーカットは軽１λにされる
が、反対にアンダーカットの原因となる活性ラジカルが
多数存在するイオン性の弱い領域においても、エツチン
グガスを適当に選定することでアンダーカットが少い場
合がある。 とれは第４図に示す様にエツチング中、エツチング生成
物や、エツチングカスがポリマー化してエツチング側壁
に伺着し、その旬着物がアンダーカットを１Ｍ、ｌ止し
て、異方性エツチング中ングしていると推定される。 本発明者らは十８１シ事実を踏まえ、エツチング中にｎ
ｍした側壁部の被エツチング利料を上記した再付着物で
被覆すると同時に積極的に０８（オゾン）を導入して酸
化反応を進行させ、活性ラジカルによる側壁部のエツチ
ング反応を阻止することを見い出した。 〔発明の効果〕 ０、（オゾン）をハロゲン系ガスに添加することで２０
０％以上オーバエツチングしてもアンダーカットの無い
異方性エツチングが容易に達成可能であることが明らか
となった。 〔発明の実施例〕 波エツチング拐としては第１図のエツチング形状物、明
図によるようにシリコン基板２を熱酸化し７’？−ｆＩ
ｆＡ （ｓｉｏ、 ） １ 、にに ＣＶ １）
（Ｃｈｅｍｉｃａ６ Ｖａｐｏｒｄｅ凹５ｉｔｉｏ
ｎ ）法によυ堆積したリンＣＰ）をドープしたポリシ
リコン３を用い、マスク材としての、レジスト４を用い
た。 次に、本発明者らが使用した装置を第４図に示す。チー
）ｒンパー：３１内には相対向する平行平板電４執３２
、３３が股りられでいる。上部？ａ、（執３２は接Ｊ
ｌｌｘされ、下部′ｎｖ極３３には整台器３４を介して
１３、５６ Ｍ Ｉｌｚの高周波電源３５が接続されて
いＺ）っまた下部電極３３には冷却水Ｗが流される。下
部電極上には［極月３６と、その上に被エツチング材３
７が載置されている。反応性ガスである）・ロゲンガス
（Ｘ、）は図示していない流量調整器により所定の流用
に調節されガス導入Ｄ ３８ａからチャンバー３１内に
導入される。又添加ガスであるオゾン（Ｏｓ ）ｌｒ、
ｊオゾナイザ−４０によシ発生させハロゲンガス同様流
通ｆｉｌ＋Ｊ節（図示していない）されガス導入口３８
ｂからチャンバー３１内に導入される。 チャンバー３１内の余剰カスと反応生成物は排気孔３９
を通じて、図示していない排気系により排気される。、
仁の反応性イオンエツチング装置に高周波電力を印加し
てチャンバー内に生起させたグロー放電中で、前記被エ
ツチング材３７はエツチングされる。 さ−ＣＩ”＋ｆｌ ｒｉｉ：しだ様に９Ｆ ７図に示す
段差部構ｊ１°ｆをイ１したポリシリコンをエツチング
残る場合（第２図；Ｉ）、ｌ／シスト４］・のポリシリ
コン３のエツチングを完了しＣも、段差部のポリシリコ
ン３１社残っている。このエツチング残りＩＩ： ′＋
ｌｊ、気的に７ヨートし除去ｒる必要があるととｔ」、
いう才でもない。 従″）で段差部の高さに相当するポリシリコン膜；３１
を工ツＪ°ングするまでオーバエツチングする必要があ
り、卯、２図Ｃに見られる様に、オーバエツチング／グ
すると、ポリシリコン：３２に°ノ゛ンダ〜カッ１が生
じるととがある。同様に第３図に示すように二層構造の
セル部のポリシリコン：１をエソグーングする場合、二
層目のポリシリコン：３３が実質的（（オーバエツチン
グされることになり、アンダーカットを生じることがる
る。 さ−Ｃ１反応性ガスと［２てＣｅ、単体を用い、オシ゛
ン（０１１）を添加した場合のエツチング７Ｆ：ｒ性に
ついて以下に述べる。 第５図はＣｄ、を４０ｃｃ／＋ｎｉｎを導入し、電極単
位面Ｉｎ当りの高周波電力’ｔ ０．２８ Ｗ／Ｃｒｎ
２印力貼 ガス圧を０．１１．’ｏ ｒ ＋にし、オゾ
ン（ｏ、 ） Ｉｎに対すリンドープポリシリコン（第
５図ａ）及びｓｌｏ、（第５図１））のエツチング速度
の変化を示
れて微細加工を高い精度で行うことが強く要望されてい
る。而して、微卸１加工の基本技術でを）るエツチング
処理に従来ウェットエツチングが採用され−Ｃいるが、
ウェットエツチングにより被エツチング休′にエツチン
グ処理を施すと、所謂アンダーカットが発生し易いだめ
、形状精度の高イハターンを形成できない問題がある。 このため、力１０ニ鞘度が優れ、月つ下地材料との選択
性を有した反応性イメンエングーング（ｒＬ Ｉ Ｅ
）が、エツチング処理技術の主流を占めつつある。との
反応性イメンエッチングでＰＯ６ｙ −Ｓｉをエツチン
グする際、ＣＦ、１．３ｒ 、 ＣＦ、 、 ＣＣ（１
４等のハロゲン化炭素ガスを使用する。 第１図に示す様なＰｏｇｙ −Ｓ ｉ ３をｌｌＩＦ５
する場合ンよ１’、 ｆｉｌｉ ’・１１グン化炭素や
（°ら等の単体ハロゲンガスを適当に絹合せることで、
アンダーカットが餌〔いＩｔ・方性エツチングが達成で
きＣいる。ここで１は酸化膜７２は半梼、体基板、４Ｖ
」、レジストである。 然しなから、水子の高密度化に伴い段差が急峻となシ且
つ３次元的な多層構造となυ、側壁段差部ＯＪ Ｐ＋）
６−８＋ ３ ＋ ３１ ＋ ３２除法（第２図）や二
層構造り七ル部を加工（第３図）する場合オーバエツチ
ングが必要とされる。 メーバエッチング時に加工精度が強く要求されることか
ら、当然アンダーカットが無いことが必須である。 アンダーカットの発生を抑市するためイオン性の反応を
強くすると、下地相別とのエツチング速度の選択比が低
下してしまう欠点がある。 °アンダーカットが無く、且つ他の被エツチング材料と
の高いエツチング選択比を得られるＩｔ、［７，技術は
り一５在のところ充分に満足されていない。 〔発明の目的〕 本発明は、上ｉ’ＩＣ欠点を解決した反応性イメンエ即
ち、Ｐａ（Ｊｙ−８＋を几ＩＥでエツチングする１鳥１
メーバエツチングしても、アンダーカットが１ｒ１ｃい
、）１７％方性エツチング方法を提供することを目的と
する。 〔発明の概要〕 被エツチ・フグ４Ｊ別を設置したエツチング装置内にハ
ロゲンガスとメゾンとからなる混合ガスを供給し、前記
反応性ガスによって形成された雰囲気中にプラズマを発
生させ、該プラズマ中で前記被エツチング材料をエツチ
ングすることを特徴とする。 アンダーカットを無くすためにイオン性を強くすれはメ
ーバエッチングしてもアンダーカットは軽１λにされる
が、反対にアンダーカットの原因となる活性ラジカルが
多数存在するイオン性の弱い領域においても、エツチン
グガスを適当に選定することでアンダーカットが少い場
合がある。 とれは第４図に示す様にエツチング中、エツチング生成
物や、エツチングカスがポリマー化してエツチング側壁
に伺着し、その旬着物がアンダーカットを１Ｍ、ｌ止し
て、異方性エツチング中ングしていると推定される。 本発明者らは十８１シ事実を踏まえ、エツチング中にｎ
ｍした側壁部の被エツチング利料を上記した再付着物で
被覆すると同時に積極的に０８（オゾン）を導入して酸
化反応を進行させ、活性ラジカルによる側壁部のエツチ
ング反応を阻止することを見い出した。 〔発明の効果〕 ０、（オゾン）をハロゲン系ガスに添加することで２０
０％以上オーバエツチングしてもアンダーカットの無い
異方性エツチングが容易に達成可能であることが明らか
となった。 〔発明の実施例〕 波エツチング拐としては第１図のエツチング形状物、明
図によるようにシリコン基板２を熱酸化し７’？−ｆＩ
ｆＡ （ｓｉｏ、 ） １ 、にに ＣＶ １）
（Ｃｈｅｍｉｃａ６ Ｖａｐｏｒｄｅ凹５ｉｔｉｏ
ｎ ）法によυ堆積したリンＣＰ）をドープしたポリシ
リコン３を用い、マスク材としての、レジスト４を用い
た。 次に、本発明者らが使用した装置を第４図に示す。チー
）ｒンパー：３１内には相対向する平行平板電４執３２
、３３が股りられでいる。上部？ａ、（執３２は接Ｊ
ｌｌｘされ、下部′ｎｖ極３３には整台器３４を介して
１３、５６ Ｍ Ｉｌｚの高周波電源３５が接続されて
いＺ）っまた下部電極３３には冷却水Ｗが流される。下
部電極上には［極月３６と、その上に被エツチング材３
７が載置されている。反応性ガスである）・ロゲンガス
（Ｘ、）は図示していない流量調整器により所定の流用
に調節されガス導入Ｄ ３８ａからチャンバー３１内に
導入される。又添加ガスであるオゾン（Ｏｓ ）ｌｒ、
ｊオゾナイザ−４０によシ発生させハロゲンガス同様流
通ｆｉｌ＋Ｊ節（図示していない）されガス導入口３８
ｂからチャンバー３１内に導入される。 チャンバー３１内の余剰カスと反応生成物は排気孔３９
を通じて、図示していない排気系により排気される。、
仁の反応性イオンエツチング装置に高周波電力を印加し
てチャンバー内に生起させたグロー放電中で、前記被エ
ツチング材３７はエツチングされる。 さ−ＣＩ”＋ｆｌ ｒｉｉ：しだ様に９Ｆ ７図に示す
段差部構ｊ１°ｆをイ１したポリシリコンをエツチング
残る場合（第２図；Ｉ）、ｌ／シスト４］・のポリシリ
コン３のエツチングを完了しＣも、段差部のポリシリコ
ン３１社残っている。このエツチング残りＩＩ： ′＋
ｌｊ、気的に７ヨートし除去ｒる必要があるととｔ」、
いう才でもない。 従″）で段差部の高さに相当するポリシリコン膜；３１
を工ツＪ°ングするまでオーバエツチングする必要があ
り、卯、２図Ｃに見られる様に、オーバエツチング／グ
すると、ポリシリコン：３２に°ノ゛ンダ〜カッ１が生
じるととがある。同様に第３図に示すように二層構造の
セル部のポリシリコン：１をエソグーングする場合、二
層目のポリシリコン：３３が実質的（（オーバエツチン
グされることになり、アンダーカットを生じることがる
る。 さ−Ｃ１反応性ガスと［２てＣｅ、単体を用い、オシ゛
ン（０１１）を添加した場合のエツチング７Ｆ：ｒ性に
ついて以下に述べる。 第５図はＣｄ、を４０ｃｃ／＋ｎｉｎを導入し、電極単
位面Ｉｎ当りの高周波電力’ｔ ０．２８ Ｗ／Ｃｒｎ
２印力貼 ガス圧を０．１１．’ｏ ｒ ＋にし、オゾ
ン（ｏ、 ） Ｉｎに対すリンドープポリシリコン（第
５図ａ）及びｓｌｏ、（第５図１））のエツチング速度
の変化を示
【７たものである。
メゾンを添加すると、４ ｃｃ／ｌｌｌＩｎ ｉ度′ま
ではポリシリコンのエツチング速度は変化が無いが、そ
の後オゾンＭの増加に伴い低下していく。 一方ｓｉｏ、のエツチング速度は極めてわずかでるるが
、オゾン用に対し減少していく。 メゾン世の増加に伴うポリシリコンエッグ゛ング速度の
低下は、ポリシリコンの酸化反応が次第に支配的となる
と思われる。 第６図はリンドーグポリシリコンの膜厚がｌ／Ａｍの被
エツチング材料のレジスト下の片側のアンダーカット鼠
をメーバエッチング、引の変化に対し７て図示しだもの
である。エツチング条件は第５図に示したものと同様で
ある。 第６図ａはＣｅｔ単体の場合で、オーパエッグーととも
にアンダーカントが生じ、１００％オーバエッチでは５
０００Ｘのアンダーカットが生じ第２図Ｃ１第３図に示
した形状を呈し、実用上使用不可となる。それに対し、
０、を２ ｃｃ／ｍｉｎ添加すると第６図すに】」ｔす
様に１００％オーバエッチしてもアンダーカットが生じ
ない。しかし、更にｄ−バエッグーングするとアンダー
カットが生じ２００％オーバエツチングすると、７００
０人のアンダーカットが発生する。第２図３．第３図に
示す形状をエツチングするには満足しているが、三層構
造では２（）０％以上のオーバエツチングが必要とされ
るため、未だ不充分である。しかし、０．を４ ｃｃ／
１ｎｉｎ導入するど第６図Ｃに示す様に２５（）チメー
パエッチングしてもアンダーカットは観察されない。 以上、０．を導入することでアンダーカットを阻止する
ことを明らかにした。世し、過剰にＯ８を導入すると、
５ｉｎｔ上にポリシリコンの残渣が生じやすくなり好ま
しくない。 〔発明の他の実施例〕 上記実施例はポリシリコンを例にとったがＭ。。 Ｗ等の高融点金属及びそれらのシリザイド化合物でも全
く同柳な効果が認められた。
ではポリシリコンのエツチング速度は変化が無いが、そ
の後オゾンＭの増加に伴い低下していく。 一方ｓｉｏ、のエツチング速度は極めてわずかでるるが
、オゾン用に対し減少していく。 メゾン世の増加に伴うポリシリコンエッグ゛ング速度の
低下は、ポリシリコンの酸化反応が次第に支配的となる
と思われる。 第６図はリンドーグポリシリコンの膜厚がｌ／Ａｍの被
エツチング材料のレジスト下の片側のアンダーカット鼠
をメーバエッチング、引の変化に対し７て図示しだもの
である。エツチング条件は第５図に示したものと同様で
ある。 第６図ａはＣｅｔ単体の場合で、オーパエッグーととも
にアンダーカントが生じ、１００％オーバエッチでは５
０００Ｘのアンダーカットが生じ第２図Ｃ１第３図に示
した形状を呈し、実用上使用不可となる。それに対し、
０、を２ ｃｃ／ｍｉｎ添加すると第６図すに】」ｔす
様に１００％オーバエッチしてもアンダーカットが生じ
ない。しかし、更にｄ−バエッグーングするとアンダー
カットが生じ２００％オーバエツチングすると、７００
０人のアンダーカットが発生する。第２図３．第３図に
示す形状をエツチングするには満足しているが、三層構
造では２（）０％以上のオーバエツチングが必要とされ
るため、未だ不充分である。しかし、０．を４ ｃｃ／
１ｎｉｎ導入するど第６図Ｃに示す様に２５（）チメー
パエッチングしてもアンダーカットは観察されない。 以上、０．を導入することでアンダーカットを阻止する
ことを明らかにした。世し、過剰にＯ８を導入すると、
５ｉｎｔ上にポリシリコンの残渣が生じやすくなり好ま
しくない。 〔発明の他の実施例〕 上記実施例はポリシリコンを例にとったがＭ。。 Ｗ等の高融点金属及びそれらのシリザイド化合物でも全
く同柳な効果が認められた。
第１図はレジストをマスクにして、ポリシリコンｆジャ
ストコーツチングし、アンダーカッＩ−の無い、場合の
形状を示す断面図、第２図は段差部］が迎を有１．た場
合のポリシリコンエツヂングの従来形状を示す断面図、
第３図は二層セル構造の従来のポリシリコン形状を示す
断面図、第４図は本発明の実施例に使用した装置の断面
図、第５図は本発明の＜：（１，−１−０３混合ガスに
よる０３並びにエツチング速度の関係を示す特性図、第
６図は本発明の０．添加によるアンダーカッｔ［Ｉとオ
ーバエツチングの関係を示す特性図である。 １・・・酸化物 ３・・・ポリシリコン３２
．３３・・平行平板ｆｉｌ ：４５・・・高周波
電源３７・・・被エツチング材料 ４０・・・メゾナイザー （７３１７）代狸人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）第１図 第２図 Ｌ ｃＬ＞ Ｌム〕第２
図 （Ｃ） 第８図 第４図 第５図 ρ ／ Ｚ ′３＜２ ５．＜ ７ 、Ｐ
９ １１ｒオゾン１（００７分）
ストコーツチングし、アンダーカッＩ−の無い、場合の
形状を示す断面図、第２図は段差部］が迎を有１．た場
合のポリシリコンエツヂングの従来形状を示す断面図、
第３図は二層セル構造の従来のポリシリコン形状を示す
断面図、第４図は本発明の実施例に使用した装置の断面
図、第５図は本発明の＜：（１，−１−０３混合ガスに
よる０３並びにエツチング速度の関係を示す特性図、第
６図は本発明の０．添加によるアンダーカッｔ［Ｉとオ
ーバエツチングの関係を示す特性図である。 １・・・酸化物 ３・・・ポリシリコン３２
．３３・・平行平板ｆｉｌ ：４５・・・高周波
電源３７・・・被エツチング材料 ４０・・・メゾナイザー （７３１７）代狸人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）第１図 第２図 Ｌ ｃＬ＞ Ｌム〕第２
図 （Ｃ） 第８図 第４図 第５図 ρ ／ Ｚ ′３＜２ ５．＜ ７ 、Ｐ
９ １１ｒオゾン１（００７分）
Claims (3)
- （１）少くともハロゲンガスとオゾンガスとからなる混
合ガスを用い、ハロゲンと反応する被エツチング月利を
、他の材料に対して選択的且つアンダーカットの無いエ
ツチングをすることを特徴とするドライエツチング方法
。 - （２）高周波電力を印加しうる相対向する電極を有Ｉ７
、高周波電力の印加によりグロー放電を生起し、上記’
ｒｒｔ極上に載置せる被エツチング拐をエツチングする
反応性イオンエツチング装商に、混合ガスを導入してエ
ツチングすることを特徴とする特許ＲＩＩ求の範囲第１
、＜ｒｔ記１１ｉ１．のドライエツチング方法。 - （３） 被エツチング材第１がポリシリコン、高融点
金！６及びこれらシリーリ°イド化合物であることを特
徴とする特Ｍ’ｌ’ Ｎ青求の範囲第１項記載のドライ
エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138039A JPS5928341A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138039A JPS5928341A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928341A true JPS5928341A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15212593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57138039A Pending JPS5928341A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303085A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH01200630A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH0294520A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
-
1982
- 1982-08-10 JP JP57138039A patent/JPS5928341A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303085A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH01200630A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH0294520A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
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