JPS5930161B2 - カチオン化デキストラン誘導体、その製法ならびに利用 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば、毛髪もしくは皮膚化粧料基材に配合
して優れた改善諸効果を達成できる従来文献未記載のカ
チオン化デキストラン誘導体、その製法ならびに利用に
関し、とくに、配合する基材への制約が少なく、拡大さ
れた利用適性を示し、且つ毛髪もしくは皮膚との親和性
、形成される被膜の柔軟性、保湿性、使用時の感触など
の点で、優れた改善諸効果の達成を可能とするカチオン
化デキストラン誘導体、その製法ならびに利用に関する
。

従来、カチオン変性多糖類を配合した毛髪もしくは皮膚
化粧料について、いくつかの提案が行われてきた。

例えば、第４級窒素含有セルロースエステル（特公昭４
５−２０３１８号）を用いた毛髪用ジャンプ一（特開昭
５０−１８６４１号）、プルランアミノアルキルエーテ
ルを含有する毛髪用ジャンプ一（特開昭５４−１１１０
８号）、第４級窒素化合物もしくは第３級アミンが付加
したヒドロキシエチルセルロースもしくは殿粉を用いた
毛髪用ジャンプ一（特開昭５４−１２９１３５号）、ポ
リペプチドと第４級窒素含有セルロースエステルを用い
た毛髪用ジャンプ一、へアリンス、ヘアトリートメント
等（特開昭５４−１３８１３３号）陰イオン界面活性剤
および／または両性界面活性剤と第４級窒素置換セルロ
ースエーテル誘導体及び含水アルコールを必須成分とす
るヘアコンデイシヨナ一（特開昭５４−１５７８４１号
）、第４級窒素含有基で置換したアミロースもしくはア
ミロペクチンを用いた毛髪用ジャンプ一、ヘアリンス及
びクレンジングクリーム（特開昭５５３６４１２号）、
第４級窒素含有基で置換したカチオン化ヒドロキシアル
キル殿粉を用いたジャンプ一 ヘアリンス、クレンジン
グクリーム、中性クリーム（特開昭５５−４５６０２号
）等の毛髪もし一くは皮膚化粧料が提案されている。

そして、これら提案で利用する第４級窒素含有カチオン
化多糖類は、一般に、界面活性剤と複合塩類を形成し、
これが例えば毛髪表面に吸着され保護被膜を形成して、
毛髪に対する保護作用を呈するといわれている。しかし
ながら、上記例示の如き従来提案における第４級窒素含
有カチオン化多糖類は、水及びアルコールなどに対する
溶解性が不充分で、配合する基材への制約が大きく、そ
の使用範囲及び使用条件が限られており、利用適性に多
くの制約をうける難点がある。

更に、カチオン化による凝集効果、帯電防止効果及びア
ニオン界面活性剤や両性界面活性剤などとの複合塩形成
能も比較的低く、従つて、毛髪などへの吸着性も不満足
であり、さらに、使用後の毛髪の滑かさなど使用感触の
点でも満足し得ない難点があつた。本発明者等は、上述
の如き不利益乃至難点を克服し得るカチオン化多糖類を
開発すべく研究を進めてきた。

その結果、従来文献記載のカチオン化多糖類に利用され
たセルロースはβ−１・４′一結合のグルカンであり、
アミロースはα−１・４′一結合のグルカンであり、ア
ミロペクチンやプルランはα１・４′一結合を主たる構
造として若干のα−１・６′一結合の枝分れを含むグル
カンであるのに対して、α−１・６′−結合構造のグル
カンであるデキストランに第４級窒素含有基を導入した
下記式（１）但し式中、Ｒは水素原子及び下記式（２）
で表わされる第４級窒素含有基よりなる群からえらばれ
た基であり、且つＲの少なくとも１ケは上記式（２）で
表わされる第４級窒素含有基であり、ここで、Ｒｌ．Ｒ
２及びＲ３は、夫々、低級アルキル基を示し、ｎは１〜
８０００の正数を示す、で表わされるカチオン化デキス
トラン誘導体及びその塩類が容易に製造可能であること
、更に、この従来文献未記載の式（１）カチオン化デキ
ストラン誘導体及びその塩類がユニークな特性とくに、
水に溶解し易く、また、極限粘度や第４級窒素含有基の
置換率を適当に選ぶことによりアルコールなどの溶媒に
も溶解し易い性質、更に、凝集効果、帯電防止効果など
にも優れ、その上、従来提案のカチオン変性多糖類に比
して、アニオン界面活性剤及び両性界面活性剤とずつと
広範な濃度領域で複合塩を形成できる性質、等のユニー
クな特性を示すことを発見した。

又、従来提案のカチオン変性多糖類は、その溶解能から
アニオン界面活性剤及び両性界面活性剤との複合塩の形
で利用されるため、これら界面活性剤を配合した毛髪も
しくは皮膚化粧料基材への配合利用に制約されていたの
に対して、上記式（１）のカチオン化デキストラン誘導
体及びその塩類は、それ自身で水、アルコール類などに
対して良好な溶解能を示すため、このような界面活性剤
を配合しない用途もしくは配合しないことが望まれる用
途、たとえば、ヘアーコンデイシヨナ一、皮膚化粧料な
どを含む広い分野に利用でき、更に、毛髪や皮膚に対す
る親和性、形成被膜の柔軟性、保湿性などにも優れ、広
い適用分野において優れた利用適性を示すことを見出し
た。

従つて、本発明の前記式（１）で表わされるカチオン化
デキストラン誘導体及びその塩類を提供するにある。

本発明の他の目的は、該式（１）カチオン化デキストラ
ン誘導体及びその塩類の製法を提供するにある。

本発明の更に他の目的は、該式（１）カチオン化デキス
トラン誘導体及びその塩類の少なくとも一種を有効成分
として有する毛髪もしくは皮膚化粧料を提供するにある
。

本発明は上記諸目的及び更に多くの他の目的ならびに利
点は以下の記載から一層明らかとなるであろう。

本発明の前記式（１）カチオン化デキストラン誘導体は
、例えば、デキストランすなわち但し式中、Ｒ１、Ｒ２
及びＲ３は、夫々、低級アルキル基を示し、ＡはＣＨ２
−ＣＨ−もしくは＼ １Ｘ−ＣＨ２−ＣＨ−（
ここで、Ｘはハロゲン原子を示す）を示す、で表わされ
る化合物もしくはその塩とを反応させることにより製造
することができる。

上記式（３）化合物の代表例としては、グリシジルトリ
アルキルアンモニウム及び３−ハロ一２−ヒドロキシプ
ロピルトリアルキルアンモニウムが挙げられる。

上記式（３）化合物の式中、低級アルキル基の例として
はＣ１〜Ｃ４のアルキル基を好ましく例示できる。

又、ハロゲンの例としては、クロル、ブロムを好ましく
例示できる。このような式（３）化合物もしくはその塩
の例としては、下記の如き化合物を例示することができ
る。

グリシジルトリメチルアンモニウム、グリシジルトリエ
チルアンモニウム、グリシジルトリプロピルアンモニウ
ム、グリシジルエチルジメチルアンモニウム、グリシジ
ルジエチルメチルアンモニウム、グリシジルトリｎ−ブ
チルアンモニウム、グリシジルトリＩｓＯ−ブチルアン
モニウム、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメ
チル，アンモニウム、３−クロロ−２−ヒドロキシプロ
ピルトリエチルアンモニウム、３−クロロ−２−ヒドロ
キシプロピルトリｎ−ブチルアンモニウム、３クロロ−
２−ヒドロキシプロピルトリＩｓＯ−ブチルアンモニウ
ム、３−ブロモ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルア
ンモニウム、３−ブロモ−２−ヒドロキシプロピルトリ
エチルアンモニウム、３−ブロモ−２−ヒドロキシオキ
シプロピルトリｎ−ブチルアンモニウム、３−ブロモ−
２−ヒドロキシプロピルトリＩｓＯ−ブチルアンモニウ
ム及びこれらの鉱酸塩、有機酸塩を例示することができ
る。上記鉱酸塩及び有機酸塩を形成する酸の例としては
、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸、酢酸、臭素酸などを例示
することができる。

デキストランと前記式（３）化合物との反応は、たとえ
ば、水性媒体中でデキストランと式（３）化合物とを接
触させることにより行うことができる。

反応は、例えば、アルカリ触媒の存在下にデキストラン
を、たとえば水もしくは水−アルコール混合媒体の如き
水性媒体に溶解もしくは懸濁し、式（３）化合物を添加
して行うことができる。反応に利用するアルカリ触媒の
例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウムなどのアルカリ金属類の水酸化物、炭酸塩類
または水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の水酸
化物などを例示することができる。また、反応温度は、
例えば、約０℃から約１００℃程度で行うことができる
が、室温から約７０℃ぐらいの間がより好適である。

反応時間は適宜に選択でき、たとえば、約２０分〜約２
４時間の如き反応時間を例示できる。反応終了後、所望
により沢過、透析、再沈殿などの手段により分離精製し
てカチオン化デキストランを得ることができる。上述の
ようにして製造できる本発明の式（１）カチオン化デキ
ストラン誘導体は、前記式（１）中で、Ｒで示される水
素原子及び第４級窒素含有基の合計に基いて、第４級窒
素含有基の比率を置換率として表わした場合、該置換率
０〜１００％のものが得られるが、本発明の化粧料に用
いるカチオン化デキストラン誘導体としては、置換率約
３〜約７０％のものが好ましく、更には約３〜４０％程
度のものが一層好ましく、前記式（３）化合物の量を適
宜加減することにより、任意の所望の置換率のものを得
ることができる。

この置換率は、カチオン化デキストラン誘導体の窒素含
有率Ｎ％を、たとえば、ケールダール法により測定し、
次式から計算により求めることができる。ただし、Ｑは
次式によつて求められた値である。

また、カチオン化デキストラン誘導体は高分子電解質で
、その重合度は多分散であることから、前記式（１）中
、ｎは平均重合度を表わす。そして、前記式（１）中、
ｎで示されるカチオン化デキストラン誘導体の平均重合
度を示すパラメーターは極限粘度〔η〕であり、従つて
、原料デキストランの平均分子量とカチオン化デキスト
ランの極限粘度との関係から該カチオン化デキストラン
誘導体の平均重合度を知ることができる。原料テキスト
ランの平均分子量は、その極限粘度を以下のようにして
測定し、その値から後記の佐藤の式「高分子化学、第１
３巻、第１４号、５２６頁」により求めることができる
。

すなわち、デキストランを水に溶かし、試料溶液とする
。

この試料溶液および水につき、ウベローデ型粘度計を用
い、２５よ±０．０２℃で流下時間を測定し、つぎの式
によつて極限粘度〔η〕を計算する。上記極限粘度の値
から、下記佐藤の式により、原料デキストランの平均分
子量Ｍを求める。

〔η〕−９．００×１０−４Ｍ０゜５０本発明において
、式（１）カチオン化デキストラン誘導体の極限粘度は
、試料を１モルの塩化ナトリウム液に溶解し、この試料
液および１モル塩化ナトリウム液につき、前記と同様に
して測定することができる。

本発明の式（１）カチオン化デキストラン誘導体の式中
ｎの値は、簡便には、上記極限粘度〔η〕で代換して表
わすことができる。

例えば、第４級窒素含有基の置換率が約３〜約７０％で
、ｎが約３〜約５５００程度の式（１）カチオン化デキ
ストラン誘導体の〔η〕は約０．０４〜約１．９程度で
あり、式（１）に記載されたｎ−１〜８０００は、〔η
〕で示すと約０．０２〜約２．２の極限粘度に相当する
。又、このようなカチオン化デキストラン誘導体は平均
分子量約６４０から約２５０万程度のデキストランを適
宜選択することにより製造できる。従つて、前記式（１
）におけるｎ−１〜８０００の代りに、ｎは式（１）カ
チオン化デキストラン誘導体の〔η〕が約０．０４〜約
１．７を示すようになる正数と表わすこともできる。本
発明の式（１）カチオン化デキストラン誘導体はその塩
類の形であることができ、とくに毛髪もしくは皮膚化粧
料の用途には、毛髪もしくは皮膚化粧料として許容し得
る塩類の形で利用される。

このような塩類の例及び製法を以下に例示しよう。すな
わち、前記式（３）化合物として、前記に例示した塩類
を用いた場合には、゛それと同一の塩を得ることができ
るし、また、生成物をイオン交換することによつて任意
所望の塩とすることもできる。例えば、前記式（３）化
合物として、グリシジルメチルアンモニウムクロライド
を使用した場合には、生成するカチオン化デキストラン
誘導体は塩酸塩であるが、たとえば、その生成物の溶液
を慣用の陰イオン交換樹脂と処理したのち、所望の陰イ
オン、たとえばリン酸、硫酸、硝酸、酢酸、クエン酸、
シユウ酸、マロン酸などの陰イオンの多量を添加したの
ち透析、再沈殿などの手段により、分離精製して、所望
の塩として得ることができる。本発明の式（１）カチオ
ン化デキストラン誘導体及びその塩類は、従米、利用・
提案されたカチオン化セルローズ、カチオン化デンプン
などに比べ、水、アルコール類に溶け易くジャンプ一、
リンス、ヘアートリートメントなどに使用できるほか、
従来のカチオン化多糖類が配合し難い、たとえば、ヘア
コンデイシヨナ一、ヘアトニツク、クレンジングクリー
ム、中性クリームなどの毛髪もしくは皮膚化粧料に配合
するのにも好適である。また、添付図面第１図に示すよ
うに、他のカチオン化多糖類に比べ、界面活性剤の広範
な濃度範囲でこれと安定した複合塩を形成することがで
きる。また従来カチオン化多糖類の、界面活性剤との複
合塩が固型状であるのに対し、本発明のカチオン化デキ
ストラン誘導体の複合塩は粘稠なシロツプ状を呈し、均
一で、薄く、柔軟性の高い被膜を形成することができる
。斯くして、本発明によれば、前記式（１）で表わされ
るカチオン化デキストラン誘導体、好ましくは、第４級
窒素置換率が約３〜約４０％でｎが４〜６０００〔η〕
で云うと〔η〕約０．０４〜約２．０の該カチオン化デ
キストラン誘導体及び毛髪もしくは皮膚化粧料として許
容し得るその塩類の少なくとも一種を有効成分として含
有することを特徴とする毛髪もしくは皮膚化粧料を提供
することができる。

該式（１）カチオン化デキストラン誘導体のこれら化粧
料基材への配合量は適宜に選択できるが、例えば、約０
．１〜約５重量％の如き配合量を例示することができる
。本発明のカチオン化デキストランは、水、アルコール
類に対する溶解性、凝集性、帯電防止効果に優れ、また
陰イオン界面活性剤、両性界面活性剤との複合塩形成能
にも優れ、保護コロイド性、被膜形成性にも優れるので
、上記化粧料に好適に用いられるほか、洗浄剤などのト
イレタリ一用剤、医薬品用基剤、凝集剤、増粘剤、製紙
用助剤、塗料添加剤などの用途にも、その有効成分とし
て有用である。

以下実施例により、本発明をさらに説明する。

実施例 １攪拌機とコンデンサーを備えた１１の反応槽
に平均分子量約１８１０のデキストラン８１ｆ７と水１
００ｍ２とを仕込んだ。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１１０ｍ′を
加え１０分間攪拌した後、１８８ｆの３−クロロ−２−
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
を含有する水溶液２５０ｍｔを加え、これを５０℃に加
熱し、３時間反応した後、塩酸を加え中和した。

次に反応混合物を水、メタノールからエーテルで３回沈
殿精製させ、５０℃の真空中で乾燥し、第４級窒素置換
率１９．０％、〔η〕０．０５、比旋光度〔α〕智＋１
１４．、式（１）中ｎ＝４．５の精製された水及びエタ
ノール可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉
末５８Ｖを得た。

実施例 ２ 平均分子量約１０４５０のデキストラン８１７を使用し
た以外は実施例１と同様にして、第４級窒素置換率１７
．１％、〔η〕０．１１、比旋光度〔α〕賃＋１２０ム
、式（１）中ｎ−３１．２の精製された水及びエタノー
ル可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末８
４ｙを得た。

実施例 ３ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１７と水１５
０ｍ１を使用した以外は実施例１と同様にし気第４級窒
素置換率１６．０％、〔η〕０．３４、比旋光度〔α〕
賀＋１２６．、式（１）中ｎ−１８１の精製された水及
びエタノール可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の
白色粉末１００７を得た。

実施例 ４平均分子量約６６４０００のデキストラン８
１７と水３００ｍ１を使用した以外は実施例１と同様に
して、第４級窒素置換率１４．０％、〔η〕０．４５、
比旋光度〔α〕青＋１２２、、式（１）中Ｎ２Ｏ４８の
精製されたカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１
０２Ｖを得た。

実施例 ５ 平均分子量約１６６万のデキストラン８１７と水５００
ｍ１を使用した以外は実施例１と同様にして、第４級窒
素置換率１１．５％、〔η〕１．５１、比旋光度〔α〕
賃＋１３６．、式（１）中Ｎ５ｌ２２の精製されたカチ
オン化デキストラン塩酸塩の白色粉末９６ｒを得た。

実施例 ６ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１ｙと水３０
０ｍ１を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム溶液５ｍ１を加え１
０分間攪拌した後、７６％のグリシジルトリメチルアン
モニウムクロライドを含有する水溶液１８０ｍ１を加え
、これを６０℃に加熱し、５時間反応した後、酢酸を加
え中和した。

次に反応混合液を２４時間流水透析した後、凍結乾燥し
、第４級窒素置換率６．９％、〔η〕０．１８、比旋光
度〔α〕賃＋１６３、、式（１）中Ｎｌ８ｌの精製され
たカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末９２７を得
た。

実施例 ７ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１７と水２０
０ｍ′を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液２５ｍ１を加
え１０分間攪拌した後、３７９７のグリシジルトリメリ
ルアンモニウムクロライドを含有する水溶液９００Ｗ１
ｅを加え、以後実施例６と同様にして、第４級窒素置換
率２８．３％、〔η〕０．５１、比旋光度〔α〕２δ＋
９５８、式（１沖ｎ−１８１の精製された水及びエタノ
ール可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末
１３８７を得た。

実施例 ８平均分子量約６６４０００のデキストラン８
１ｙと水１０００ｍ１を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｅを加
え１０分間攪拌した後４５５７のグリシジルトリメチル
アンモニウムクロライドを含有する水溶液１０８０ｍ１
を加え、以後実施例６と同様にして、第４級窒素置換率
２４．２％、〔η〕０．６９比旋光度〔α〕青＋９３２
、式（１沖ｎ＝２０４８の精製された水及びエタノール
可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１３
０７を得た。

実施例 ９平均分子量約１６６万のデキストラン８１７
と水１０００ｍ１を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液３３０ｍｅを
加え１０分間攪拌した後、５６４７の３−クロロ−２−
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
を含有する水溶液７５０ｍ１を加え、以後実施例１と同
様にして、第４級窒素置換率２２．９％、〔η〕１．８
８、比旋光度〔α〕賃＋９５９、式（１）中ｎ−５１２
２の精製されたカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉
末１１３７を得た。

実施例 １０ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１７と水１０
０ｍ１を仕込み。

次に５０重量％の水酸化ナトリウム水溶液３５０ｍ１を
加え１０分間攪拌した後、７５２ｙの３−クロロ−２−
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
を含有する水溶液１０００ｍ１を加え、これを５０℃に
加熱し、８時間反応し、以後、実施例６と同様にして、
第４級窒素置換率３９．２％、〔η〕０．８８、比旋光
度〔α〕智＋７７．、式（１）中ｎ−１８１の精製され
た水及びエタノール可溶性のカチオン化デキストラン塩
酸塩の白色粉末１５９ｙを得た。

実施例 １１ 平均分子量約１０４５０のデキストラン８１７と水１０
０ｍ１を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１１０ｍ１を
加え、１０分間攪拌した後、２３０ｙの３−クロロ−２
−ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムクロライ
ドを含有する水溶液２５０ＷＩ１を加え、以後、実施例
６と同様にして、第４級窒素置換率１４．９％、〔η〕
０．１４、比旋光度〔α〕賃＋１０５．、式（１）中ｎ
＝３１．２の精製された水及びエタノール可溶性のカチ
オン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１１０ｆを得た。

実施例 １２平均分子量約５９０００のデキストラン８
１７と水１００ｍ２を仕込み。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液２０ｍ′を加
え、１０分間攪拌した後、３８７ｆ７のグリシジルトリ
エチルアンモニウムクロライドを含有する水溶液７００
ｍ１を加え、これを６０℃に加熱し、４時間反応した。

以後実施例６と同様にして、第４級窒素置換率２２．０
％、〔η〕０．４３、比旋光度〔α〕智＋８４２、式（
１）中ｎ−１８１．の精製された水及びエタノール可溶
性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１３５ｒ
を得た。実施例 １３実施例２で得たカチオン化デキス
トラン塩酸塩を水に溶かし、カチオン交換樹脂塔（アン
バーライト８ＩＲ−１２０Ｂ：東京有機化学工業製）を
通した後、クエン酸で中和し、凍結乾燥することにより
、第４級窒素置換率１７．１％、〔η〕０．１２、比旋
光度〔α〕賃＋１１８１、式（１）中ｎ＝３１．２の水
及びエタノール可溶性のカチオン化デキストランクエン
酸塩白色粉末８５７を得た。

実施例 １４ 平均分子量約３４０００のデキストラン１０５ｒを１２
５ｍ１の水に溶かした。

次に４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液４０ｍ１
と１１０？の３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリ
メチルアンモニウムクロライドを含有する水溶液１９０
ｍ１を加え、これを６０℃に加熱し、３時間反応した後
塩酸塩を加えて中和した。

次に反応混合物を水からアセトンで４回沈殿精製させ、
噴霧乾燥し、第４級窒素置換率１４．０％、〔η〕０．
１８０、比旋光度〔α〕＋１５００式（１）中のｎが１
０３の精製された水及びエタノール町溶性のカチオン化
デキストラン塩酸塩の白色粉末１４０７を得た。実施例
１５ 平均分子量約６６４０００のデキストラン２００ｆを２
４０ｆの３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメチ
ルアンモニウムクロライドを含有する水溶液６６０ｍ１
に溶かした。

次に４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液６５ｍｊ
を加え、これを６０℃に加熱し、５時間反応した後塩酸
塩を加えて中和した。

以後実施例１４と同様にして、第４級窒素置換率１５．
５％、〔η〕０．７９、比旋光度〔α〕賃＋１４１５、
式（１）中のｎが２０４８の精製されたカチオン化デキ
ストラン塩酸塩の白色粉末２８０ｙを得た。

実施例 １６ 平均分子量約６４０のデキストラン８１ｒと水８０ｍ２
を使用した以外は実施例１と同様にして、第４級窒素置
換率２１．７％、〔η〕０．０２、比旋光度〔α〕賃＋
１０５．、式（１）中のｎが１の精製された水及びエタ
ノール可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉
末４３Ｖを得た。

配合例 １ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第１表に示した組成（Ａ）〜（Ｇ）のジャンプ一を調
製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないジャンプ一を調製し、使用時の滑らかさ、すすぎ
時の髪のきしみ、仕上時の髪の柔らかさ、つや等の性能
を比較した。この第１表よりカチオン化デキストランを
配｛したジャンプ一はカチオン化デキストランを配・丁
しないものに比べて使用時及び、すすぎ時、仕時の風合
いが優れていた。

配合例 ２ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第２表に示した組成（４）〜（Ｆ）のヘアーリンスを
調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないヘアーリンスを調製し、仕上り時の髪の柔らかさ
、つや等の性能を比較した。この第２表よりカチオン化
デキストランを配合したヘアーリンスはカチオン化デキ
ストランを配合しないものに比べて仕上時の風合いが優
れていた。

配合例 ３ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第３表に示した組成（自）〜（Ｄのへアート９ リー
トメントを調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないヘアートリートメントを調製し、使用後の髪の柔
らかさ、まとまり易さ、つや、櫛の通り易さを比較した
。この第３表よりカチオン化デキストランを配合したヘ
アートリートメントはカチオン化デキストランを配合し
ないものに比べて使用後の髪の風合いが優れていた。配
合例 ４ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導ぶ？体を
用いて第４表に示した組成（Ａ）（Ｂ）のヘアートニツ
クを調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないヘアートニツクを調整し、使用後の髪のまとまり
易さ、つや、櫛の通り易さを比較した。配合例 ５ 実施例１２で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て下記に示した組成のエアゾールラツカ一を調製した。

本溶液２５７にトリクロルモノフルオルメタン４７ｙと
ジクロルジフルオルメタン２８７とを加えてエアロゾル
ボンベとした。

これを毛髪に噴霧したところ櫛の通りがよくつやのある
柔かな感触が得られた。

配合例 ６ 実施例８で得たカチオン化デキストラン誘導体を用いて
下記に示した組成の整髪用ローシヨンを調製した。

この整髪用ローシヨンを常法によつて毛髪に塗付したと
ころくし通りが良くつやのある性能が得られた。

又、この性能が永持ちした。配合例 ７ 実施例３で得たカチオン化デキストラン誘導体を用いて
下記に示す配合組成に基づいてカチオン化デキストラン
とイミダゾリン型両性界面活性剤の複合塩を形成し、そ
れをエタノール／水の混合溶媒に均一に溶解させ、デイ
スペンサ一型ヘアコンデイシヨナ一を調製し、その性能
を比較した。

このヘアコンデイシヨナ一を常法によつて髪に使用した
ところ、くし通りが良く、つやがあり、しつとり感の良
い性能が得られた。配合例 ８ 実施例１１で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て下記に示した組成のクレンジングクリームを調製した
。

このクリームはカチオン化デキストランを配合しないも
のに比べて、伸び、油性感が優れていた。

配合例 ９実施例１で得たカチオン化デキストラン誘導
体を用いて下記に示した組成の中性クリームを調製した
。

このクリームはカチオン化デキストランを配合しないも
のに比べて、滑らかさ、しつとり感が優れていた。

【図面の簡単な説明】

第１図はイミダゾリン型両性界面活性剤（ソフタゾリン
ＣＬ：川研フアインケミカル製）との相互作用を示す。 測定条件、０．１％濃度のカチオン化多糖溶液に５％濃
度のソフタゾリンＣＬ溶液を加え析出する複合塩量を求
めた。第２図は、実施例９で使用した原料デキストラン
の赤外吸収スベクトル図であり、３８００〜３２００ｃ
ＴｒＬ−１０Ｈ１１２００〜１０５０ｃＴ１１−１−Ｃ
Ｏｌ９ｌＯｌ８４Ｏｌ７７ＯｃＴｎ−１α−１・６詰合
を示す。第３図は、実施例９で得たカチオン化デキスト
ラン塩酸塩の赤外吸収スペクトル図であり、３０５０、
２１５０？−１−Ｎ＋（、１４８０ＣＴｒＬ−１−ＣＨ
３、９１０、８４０、７７０ＣＴｒＬ−１α−１・６′
−結合を示す。第４図は、実施例３で得たカチオン化テ
キストラン塩酸塩の核磁気共鳴スペクトル図であスリン
グを示す。第５図は、実施例１２で得たカチオン化デキ
ストラン塩酸塩の核磁気共鳴スペクトル図であり、δ１
．１〜１．５ ／ Ｎ−Ｃ ＼ ＣＨ３ δ３．３〜３．６ ／ Ｎ−ＣＨ２ ＼ δ３．３〜５．２ グル コースリング、 を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼式（１）但し式中、
   Ｒは水素原子及び下記式（２）▲数式、化学式、表等が
   あります▼式（２）で表わされる第４級窒素含有基より
   なる群からえらばれた基であり、且つＲの少なくとも１
   ケは上記式（２）で表わされる第４級窒素含有基であり
   、ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々低級アル
   キル基を示し、ｎは１〜８０００の正数を示し、そして
   該第４級窒素含有基による置換率が約３〜約７０％であ
   る、で表わされるカチオン化デキストラン誘導体及びそ
   の塩類。 ２ デキストランと下記式（３） ▲数式、化学式、表等があります▼式（３）但し式中、
   Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々、低級アルキル基を
   示し、Ａは▲数式、化学式、表等があります▼もしくは
   ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、Ｘはハロ
   ゲン原子を示す）を示す、 で表わされる化合物もしくはその塩とを反応させること
   を特徴とする下記式（１）▲数式、化学式、表等があり
   ます▼式（１）但し式中、Ｒは水素原子及び下記式（２
   ）▲数式、化学式、表等があります▼式（２）で表わさ
   れる第４級窒素含有基よりなる群からえらばれた基であ
   り、且つＲの少なくとも１ケは上記式（２）で表わされ
   る第４級窒素含有基であり、ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿２及
   びＲ＿３は、夫々、低級アルキル基を示し、ｎは１〜８
   ０００の正数を示し、そして該第４級窒素含有基による
   置換率が約３〜約７０％である、で表わされるカチオン
   化デキストラン誘導体及びその塩類の製法。 ３ 下記式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼式（１）但し式中、
   Ｒは水素原子及び下記式（２）▲数式、化学式、表等が
   あります▼式（２）で表わされる第４級窒素含有基より
   なる群からえらばれた基であり、且つＲの少なくとも１
   ケは上記式（２）で表わされる第４級窒素含有基であり
   、ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々、低級ア
   ルキル基を示し、ｎは１〜８０００の正数を示し、そし
   て該第４級窒素含有基による置換率が約３〜約７０％で
   ある、で表わされるカチオン化デキストラン誘導体及び
   毛髪もしくは皮膚化粧料として許容し得るその塩類の少
   なくとも一種を有効成分として含有することを特徴とす
   る毛髪もしくは皮膚化粧料。