JPS5932154A - はんだバンプの形成方法 - Google Patents
はんだバンプの形成方法Info
- Publication number
- JPS5932154A JPS5932154A JP57142933A JP14293382A JPS5932154A JP S5932154 A JPS5932154 A JP S5932154A JP 57142933 A JP57142933 A JP 57142933A JP 14293382 A JP14293382 A JP 14293382A JP S5932154 A JPS5932154 A JP S5932154A
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- JP
- Japan
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- solder
- forming
- bump
- plating
- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｔ、ｊフェースタ゛ウンボンデイ／グなどに使用
されるＶ」−んだバンフセｊ半導体４Ｎ ｔｄｔ、 ｏ
Ｉ、ｔんだバング形成力法に関する范のである。
されるＶ」−んだバンフセｊ半導体４Ｎ ｔｄｔ、 ｏ
Ｉ、ｔんだバング形成力法に関する范のである。
従来より、めっきＫよるはんだバンズの形成におい１れ
ｊ、％金バンプと異なり、ＩｒＪんだが棹々の薬品に侵
さｈる＋ｌｒ ｇを有する点から、金バンプの形成方法
のように、パリや皮膜、導電欽属１Ｍ形成後ネ、極以外
の部分にめつきレジス１４−形ｆｉ！ｉ ｌ〜、Ｖ〕つ
きにて１・、Ｊんだバング形成後、レジスト除去、溝車
金属Ｏｒ、パリや皮膜ヲエッチング除去する方法（第１
図参１１ｊ（）はパリや皮１摸エツチングの際、エツチ
ング液に、Ｆ：りはんだが作され、パンツ形成が出来な
いとい゛）問題が力）つ７ζ。このため、めっきン（−
よるはんだパンツ形ＩＡ：において６・よ、鉛が酷など
の薬品に比仲的強く、エツチング液にも侵されにくい点
ケ利用して、スズめっき、鉛めっきという二層めっきを
行なって、パリや皮膜除去後、熱により二層全合金化す
る方法などが行なわれていたが、こｈらは工程が長くな
る、複雑になるなとの神々の欠点があり、差た二種類の
めつき液、約つき設備が必要になるなど、費用のかさむ
欠点もめった。
ｊ、％金バンプと異なり、ＩｒＪんだが棹々の薬品に侵
さｈる＋ｌｒ ｇを有する点から、金バンプの形成方法
のように、パリや皮膜、導電欽属１Ｍ形成後ネ、極以外
の部分にめつきレジス１４−形ｆｉ！ｉ ｌ〜、Ｖ〕つ
きにて１・、Ｊんだバング形成後、レジスト除去、溝車
金属Ｏｒ、パリや皮膜ヲエッチング除去する方法（第１
図参１１ｊ（）はパリや皮１摸エツチングの際、エツチ
ング液に、Ｆ：りはんだが作され、パンツ形成が出来な
いとい゛）問題が力）つ７ζ。このため、めっきン（−
よるはんだパンツ形ＩＡ：において６・よ、鉛が酷など
の薬品に比仲的強く、エツチング液にも侵されにくい点
ケ利用して、スズめっき、鉛めっきという二層めっきを
行なって、パリや皮膜除去後、熱により二層全合金化す
る方法などが行なわれていたが、こｈらは工程が長くな
る、複雑になるなとの神々の欠点があり、差た二種類の
めつき液、約つき設備が必要になるなど、費用のかさむ
欠点もめった。
本発明は上記の工うな欠点を除去し、工程が簡単でかつ
一種のめつき液、めっき設備を使用するはんだバンプの
形成方法を提供することを目的とする。
一種のめつき液、めっき設備を使用するはんだバンプの
形成方法を提供することを目的とする。
本発明のｔ時機とするｎ「は、ｖ」、んだバンプ形成後
には、除去が困φ１ｆ７Ｉパリや皮ｑｇｉバンプ形成前
に電極状に形成し、パンツ形成全行なう点にある。
には、除去が困φ１ｆ７Ｉパリや皮ｑｇｉバンプ形成前
に電極状に形成し、パンツ形成全行なう点にある。
以−ト、実施例シ（より本訴、明を詳細に説明する１゜
第２邸１（１）に示す工うに、半導体装置電極相Ｓの断
面は゛アルミ屯イ献とアルミ市柄・外には配線床Ｒム嗅
が形成さノ土ている。これに？−バリや皮ＩＩ＠を電極
状に形清１゛る。（第２図（２））この方法としては、
蒸着。
第２邸１（１）に示す工うに、半導体装置電極相Ｓの断
面は゛アルミ屯イ献とアルミ市柄・外には配線床Ｒム嗅
が形成さノ土ている。これに？−バリや皮ＩＩ＠を電極
状に形清１゛る。（第２図（２））この方法としては、
蒸着。
スパツクなどに、しり全面（化バリーや皮嘆形成後、フ
ォトエッヂングｌム（ｐｉ−より′市（セ状パターン全
形成する方法、Ｗｆ極部は外にレジスト形成１、た荏、
パリや皮ｊｌ／Ｊ ｆ、全面に形成し、リフトＡ］によ
り゛ｇ１．極状パターン全形成−する方法、メタルマス
クＡ ＞ｔＪ Ｋ 、ｊ：す、Ｔｉ［ケ状パターンを形
チする方法ｌとが使用される。
ォトエッヂングｌム（ｐｉ−より′市（セ状パターン全
形成する方法、Ｗｆ極部は外にレジスト形成１、た荏、
パリや皮ｊｌ／Ｊ ｆ、全面に形成し、リフトＡ］によ
り゛ｇ１．極状パターン全形成−する方法、メタルマス
クＡ ＞ｔＪ Ｋ 、ｊ：す、Ｔｉ［ケ状パターンを形
チする方法ｌとが使用される。
パリや皮膜相Ｊミとしてｖ、ｔ、クロＡ 、ニクロム。
モリブデンなどを使用する。
次に、クエ・・全面にめっき性の良い導電金属１換を形
成し、さらにめっきレジストとしてフォトレジストによ
り電極部以外をコートする。（第２図（３）） ここで、嗜、′屯幣属１関としては、めつき１生が良く
かつ導ｎｙ金域膜除去の際、そのエツチング液がはんた
を侵しＬ （い、−・ｌ、ニッケル、＠なとをイ史用す
る。またフォトレジストとしては、レジスト除去の際、
レジストはぐり沿がはんだ金侵し７にくい・１ミジ系レ
ジストを使用′４ることが好オしい。
成し、さらにめっきレジストとしてフォトレジストによ
り電極部以外をコートする。（第２図（３）） ここで、嗜、′屯幣属１関としては、めつき１生が良く
かつ導ｎｙ金域膜除去の際、そのエツチング液がはんた
を侵しＬ （い、−・ｌ、ニッケル、＠なとをイ史用す
る。またフォトレジストとしては、レジスト除去の際、
レジストはぐり沿がはんだ金侵し７にくい・１ミジ系レ
ジストを使用′４ることが好オしい。
次に、Ｉｒ１．んだめつき液を使ＩＴコシて車砿部には
んだパンツ勿形成する。（％２図（４））コｒ５しｒｌ
ｌ）合に工って１ｌ−１、ｄんだめつき前に銅、ニッケ
ル々どの尚融点スクーヘバンフを形成した陵、はんたバ
ング゛が形成符ｉする。
んだパンツ勿形成する。（％２図（４））コｒ５しｒｌ
ｌ）合に工って１ｌ−１、ｄんだめつき前に銅、ニッケ
ル々どの尚融点スクーヘバンフを形成した陵、はんたバ
ング゛が形成符ｉする。
１け伝り（、レジスト除去全イボない、４奄釜慎＋Ｓ金
エツチングしＣ＆まんだバングオ先成させる。（泥２図
（５）） 以上のよう・配して形成されたはんだバングは、バング
形状、強度も問題なく、捷た載（んだが侵されて、バン
グ形成が出来なＩ／−１などの不良もみらＩｔず１品質
上溝足なものであった。
エツチングしＣ＆まんだバングオ先成させる。（泥２図
（５）） 以上のよう・配して形成されたはんだバングは、バング
形状、強度も問題なく、捷た載（んだが侵されて、バン
グ形成が出来なＩ／−１などの不良もみらＩｔず１品質
上溝足なものであった。
また、このはんだバングは、ボンティング性、ボンデ４
フフ強ｎ〔などの実装上の品′べにａ’＞Ｈし）ても１
．４足すべきものであった。
フフ強ｎ〔などの実装上の品′べにａ’＞Ｈし）ても１
．４足すべきものであった。
以上述べＣきた上うに・ト・尾明に上れは、工程が１７
ｉ’ｉ単でめっき液、めっき設備も一種類で可能なはん
だバング形成が可能になるものである。。
ｉ’ｉ単でめっき液、めっき設備も一種類で可能なはん
だバング形成が可能になるものである。。
４、１４１面の簡、Ｍ４な説明
第１図は−バンフーの形成方法、第２図は本発明のはん
たバンプ形成方法の′＊施例を示す工程１打ｒ面図であ
る。
たバンプ形成方法の′＊施例を示す工程１打ｒ面図であ
る。
１・・・・・・アルミ１６．１繭 ２・・・・・・
院内保護膜３・・・・・・パリや皮膜 ４・・・・
・・４戦＠唄嗅５・・・・・レジスト ６・・・
・・・ノくンフ以 上 出願人 を末代会社 絹二精工舎 代理人 弁理士 最上 務
院内保護膜３・・・・・・パリや皮膜 ４・・・・
・・４戦＠唄嗅５・・・・・レジスト ６・・・
・・・ノくンフ以 上 出願人 を末代会社 絹二精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置のアル＜ｍ４徹土へのはんだバンプの形成方
法において、アルミ１ｉ４、極上にクロム、ニクロム、
モリブテンなとのバリヤ皮膜電極を形成する工程、−）
： Ｈ＋、”ｔｌｌ、榛紮含む半導体クエハ全面に銅、
ニンケル、金ろどのめっき性の良い７ｂ亀金蛎暎を形成
し、電極以外の部分にめっきレジストを形成−ｊ” ル
工程、−１： ｍｅ １（１： 、ｊｉｊｉ （ｆ３
Ｋ メツきＫ Ｘｆ）Ｉｒ；Ｉ ＡＪｅ バンプを形成
する工程、上記の処理を行なったワエハをレジスト除去
後、エツチングに、【り上記導電雀閥膜を除去する１柏
：よりなるｉｔんだパンツの形成ｌｊ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142933A JPS5932154A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | はんだバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142933A JPS5932154A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | はんだバンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932154A true JPS5932154A (ja) | 1984-02-21 |
| JPH0226780B2 JPH0226780B2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=15327015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142933A Granted JPS5932154A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | はんだバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932154A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226544U (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-18 | ||
| JPH0290622A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Seiko Instr Inc | 金バンプの形成方法 |
| US5175609A (en) * | 1991-04-10 | 1992-12-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for corrosion and stress-resistant interconnecting metallurgy |
| US5266522A (en) * | 1991-04-10 | 1993-11-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for corrosion and stress-resistant interconnecting metallurgy |
| JPH07201871A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-08-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 金属コンタクト形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224466A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor electrode formation method |
| JPS52102670A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of extruding electrode in semiconductor device |
| JPS5469382A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57142933A patent/JPS5932154A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224466A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor electrode formation method |
| JPS52102670A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of extruding electrode in semiconductor device |
| JPS5469382A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226544U (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-18 | ||
| JPH0290622A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Seiko Instr Inc | 金バンプの形成方法 |
| US5175609A (en) * | 1991-04-10 | 1992-12-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for corrosion and stress-resistant interconnecting metallurgy |
| US5266522A (en) * | 1991-04-10 | 1993-11-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for corrosion and stress-resistant interconnecting metallurgy |
| US5442239A (en) * | 1991-04-10 | 1995-08-15 | International Business Machines Corporation | Structure and method for corrosion and stress-resistant interconnecting metallurgy |
| JPH07201871A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-08-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 金属コンタクト形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226780B2 (ja) | 1990-06-12 |
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