JPS5932201A - マイクロ波ダミ−ロ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の対象 本発明は、マイクロ′６！ｉ、？ｉｔにおける集積化技
術に係り、特に尚出力用マイクロ波乗回路（以Ｉ・、１
’ｖｌｌｃと陥暦［：する）において］冒、熱伝２Ｉｔ
生γ性を・イ）し、もって小形、１冑Ｊ１呂幀化に好適
なマイク【コ彼タミーロードに関する。

（２）公知技術 ＯＬ来、ストリップ線路などで＋１９１戎σれたＮ＋　
Ｊ、　Ｃにおいて、組成を吸収するために設ける夕ｉ　
−１：１−ドとしては、第１図、第２図に不すよつな構
成となっていた。

図において、１はアルミナ基板、２はストリップ線路、
３は抵抗体、４はボンティングパソド、５は金リボンで
ある。

上記構成において、ストリップ線路を仏前してきたマイ
クロ波は、抵抗体で損失となり熱に変る。

第１図は、抵抗体の後をアースに落した場合であシ、一
般に抵抗体の抵抗値は、ス）　ＩＪソノ線路の特性イン
ピーダンスと同しにしてこの部分からの電波の反射を無
くしている。

第２図は、抵抗体の部分をテーバとし、マイクロ波を徐
々に１吸収し、亀阪の反射奮無くしている。

上記の従来構成は、いずれも抵抗体の部分をアルミナ基
板」二に設けている。Ｍｌｃに用いる誘電体基板は、マ
イクロ波に対する損失を少なくするため一般には、アル
ミナ、石英、テフロンカラスなどである。これ−らの基
板は、いずれも熱に対して不良勇１体であり、このため
、マイクロ波が抵抗体で熱に変った場片の温度上昇が大
きくなり、これをさりるために抵抗体の面積を大きくす
る必要が生ずる。

以上説明したごとく庇米楕Ｊ戊では、尚出力のマイクロ
波回路において、寸法も大きくなり、また熱的な信頼性
にもとぼしいという欠点があった。

（３）発明の目的 不発明の目的は、マイクロ波を吸収する抵抗体の温度上
昇を少なくシ、もって高出刃のマイクロ波回路において
、小形かつ高信頼性を有するマイクロ波ダミーロードを
提供することにある。

（４）発明の詳細な説明 上記目的を達成するために、不発明では、抵抗体を、屯
気絶線性を翁すると同時に筒熱伝導性を有するシリコン
カーバイト（以下ＳＩＣと略記する。）基板上に形成し
、　ＳＩＣ基板をＭＩＣの一端に接続する構造とするこ
とにより、抵抗体からの放熱を艮＜シ、もってダミーロ
ードの小形。

高信頼化を唱った。

（５）発明の実施例とその効果 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。

第３図は不発明を適用した一実施例である。同図におい
て、１はアルミナ基板であり、その上にストリング線路
２が形成されている。↓１（抗体：′３は、ＳＩＣ基板
８の上に形成され、その両端にホンディングバンド４．
６が設けられている。ホンディングパッド４とストリッ
プ線路２とは金リボン５によって接続されている。この
場合、ホンティングバンドの長さは、使用するマイクロ
波の成長に対して出来るたけ小さくするのが良い。ポン
ディングパッド６は、金リボン７によりアース導体９に
接続されでいる。

上記構成において、ストリップ＃路２を伝道してきたマ
イクロ波は、抵抗体によυ熱に変シ、この熱は　Ｓ　ｉ
　Ｃ基板を介してアースｍ体９に逃がす。ＳｉＣ基板の
熱伝導率は２．７Ｗ／ｃｍ・Ｋで、アルミニュームと同
等以上であり、一般の誘電体基板、たとえば、アルミナ
基板などに比軟して一桁以上良い。このため、抵抗体で
の？Ａｉ　Ｉ＆上昇は極めて少なくなる。

抵抗体の抵抗１Ｈ１４は、ストリップ線路の特性インピ
ータンスと＋＝Ｊじにして、この部分がらの電波の反射
を無くするようにすることは言９１でもない。

また抵抗体としては、一般にＮｉＣｒやカーボンなどマ
イクロ波に対して損失の大きなものであれば艮＜、荷に
限定されるものではない。

＄４図は、本発明を適用した他の実施例であり、抵抗体
の部分をテーパとし、マイクロ波を徐々に吸収し、′電
波の反射を無くすようにした場合のものである。

第５図は、不発明を適用した他の実施例］であり、（ａ
）は正面図を、（１））はＡ−Ａ’断Ｅ川用を示す。

本実Ｎｉ例は、ストリング線路２とホンデ・１ングバソ
ド４とを接続するのに金リボンを１史わず、１１接熱Ｉ
Ｊ：、着やハンダ付けを行うのに適した。ｆｔ造である
。図において、抵抗体３が設けられているＳＩＣ基板８
ｉｄ、アルミナ基板の上にホンティングバンド４とスト
リップ線路２とが重なるように取り（＝１けられ、他端
は蒸着又は塗布によシ形成された周囲導体１０によｐア
ース導体９に熱圧着または）・ンタ゛付けされる。抵抗
体の下面は、アース導体が接触しないように取シ除かれ
ている。

上記構成において、抵抗体で発生した熱は、ＳＩＣ基板
葡介してアース導体９に逃される。

第６図は、本弁明を適用した他の実施例であり、（ａ）
は正面図を（ｂ）はＡ−Ａ’断面図をボす。

本実施例は、前記第５図２はぼ同じ構造であシ、抵抗体
をテーパ状とした場合である。

第７図は、本発明を通用した他の実施例であり、（ａｌ
は正面図を（ｂｌはＡ−Ａ’断面図を示す。

本実施例は、ＭＩＣを構成しているアルミナ基板１に孔
を囲け、その孔内にＳＩＣ基板８を落とし込み、アルミ
ナ基板上のストリップ線路２と、８１Ｃ基板上の低抗体
３を金リボン７で接続したものである。第７図は、抵抗
体がテーパ状の％甘をボすが、同様な構造で第３図に不
すよりな低抗体の形状でも良い。

上記の実施例では、ＮｌＩｃ用窮亀体基板としてアルミ
ナ基板を用いたが、誘電体基（反としては、石英、ナフ
ァイヤ、テフロンガラス基板などマイクロ波に対して損
失の少ないものであれば良く、特に限定されるものでは
ない。

（６）　　発明の詳細 な説明したごとく、本発明によれは、ＭＩＣ特に高出力
用ＭＩＣにおいて、マイクロ波を吸収する抵抗体を、従
来のアルミナ基板に比較して１桁以上熱電導率の良いＳ
　ｉ　Ｃ基板上に設けるため、抵抗体のｍｌ＆上昇が極
めて少なくでき、もって小形かつ商信頼性を有するマイ
クロ波ダミーロードを実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、従来の構造を示す図、第３図〜第７
図は、いずれも本発明の実施例を示し、第３図、第４図
は、ストリップ線路と抵抗体を金リボンで接続した場合
の構造を示し、第５図、８８６図は、ス）　ＩＪツブ線
路と抵抗体を１１接、熱圧着やハンダ付けを行う場合の
構造を示し１第７図は）ＭＩＣを構成しているアルミナ
基板１に孔を曲り、その孔内にＳＩＣ基板を落とし込む
構造を７ｉ＝す。 １・・・アルミナ基板、２・・・ストリング線路、３・
・・抵抗体、４・・・ホンディングパッド、５・・・金
リボン、６・・・ポンディングパッド、７・・・金すホ
ン、８・・・′￥Ｊ　１　口 第　２　ロ ＹＩ　３　区 ノ 第　４　図 ■ ｚ　　　　　５ Ｙ　５　囚 （久） （ト） 閉　７　口 （リ　　　　　　　　　　　　　〈ｂ）４−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １６　　誘？ｌｆ、体および磁性体のいずれかよりなる
   誘電体性基板上に形成されたマイクロ波集積回路におい
   て、該マイクロ波集積回路の一端に７リコンカーバイト
   基板を接続し、該シリコンカーバイト基板」二にマイク
   ロ波に対して損失の大きな物体を形成することを特徴と
   するマイクロ波ダミーロード。 ２、　　！ｒ４ｆ許粕求範囲第１項記載のマイクロ波タ
   ゛ミー１ｊ−ドにおいて、上記シリコンカーバイト基板
   上に形成された導体の一端が上記誘電体等基板上に形成
   された導体と直接接続するよう構成し、前記シリコンカ
   ーバイト基板の他端を接地金属にｉｆｆ　ｌ￥接続する
   ことを特徴とするマイクロ波ダミー【」−ド。 ３　特許請求範囲第１項記載のマイクロ波ダミー【１−
   ドにおいて、上記誘電体等基板の一部に孔をあけ、該孔
   中に上記シリコンカーバイト基板を形成したことを特徴
   とするマイクロ波タミー〇−ド。