JPS5933840A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS5933840A JPS5933840A JP57144489A JP14448982A JPS5933840A JP S5933840 A JPS5933840 A JP S5933840A JP 57144489 A JP57144489 A JP 57144489A JP 14448982 A JP14448982 A JP 14448982A JP S5933840 A JPS5933840 A JP S5933840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealing
- metal fine
- fine wires
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子を絶縁基板上に搭載し、金属細線
で配線した後、前記半導体素子および金属細線を樹脂で
封止する方法に関するものである。
で配線した後、前記半導体素子および金属細線を樹脂で
封止する方法に関するものである。
従来、上述の樹脂封止をするには、エポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂等の液状樹脂を注射器を用いて適量だけ半導
体素子(ペレット)および配線用金属細線上に滴下し、
ペレット及び金属細線を被覆しているが、この方法はつ
ぎの(1)から(4)に示す様に、 (1)注射器で樹脂を滴下する際、ニードルの先端で半
導体ペレットや金属細線を傷付は易い。
コーン樹脂等の液状樹脂を注射器を用いて適量だけ半導
体素子(ペレット)および配線用金属細線上に滴下し、
ペレット及び金属細線を被覆しているが、この方法はつ
ぎの(1)から(4)に示す様に、 (1)注射器で樹脂を滴下する際、ニードルの先端で半
導体ペレットや金属細線を傷付は易い。
(2)又樹脂の滴下範囲が必ずしも円形でなく、ペレッ
トの形状、集積度によって種々な形状が要求される為、
自動化が難しい。従って、最終的には手動で行なう為、
作業工数が増大する。
トの形状、集積度によって種々な形状が要求される為、
自動化が難しい。従って、最終的には手動で行なう為、
作業工数が増大する。
(3)上記(2)の作業中、ニードルを動かして所望の
塗布範囲を塗布する際、樹脂中に気泡をふくみ易い。
塗布範囲を塗布する際、樹脂中に気泡をふくみ易い。
(4)液性樹脂を使用している為調合、脱泡等の作業が
必要である。従って、樹脂の取り扱い時の安全衛生上の
問題が残る。
必要である。従って、樹脂の取り扱い時の安全衛生上の
問題が残る。
等の生産上、原価上および安全衛生上に多大な支障をき
たしていた。
たしていた。
本発明の目的は、これらの欠点をと如除いた半導体装置
の樹脂封止方法を提供することである。
の樹脂封止方法を提供することである。
本発明の方法は、半導体ペレットと金属細線が蝦計で被
覆される形状に成型された固型状の樹脂を金属細線上に
配置し、しかる後、固形状の樹脂を加熱して溶融硬化さ
せることによって樹脂封止する構成を有する。
覆される形状に成型された固型状の樹脂を金属細線上に
配置し、しかる後、固形状の樹脂を加熱して溶融硬化さ
せることによって樹脂封止する構成を有する。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図(a) l (b)は本発明の一実施例を説明す
るだめの工程順の断面図である。
るだめの工程順の断面図である。
まず、第1図(a)に示すようにセラミックなどの絶縁
基板1上に真空蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法
などによって導電体層2,3や抵抗体層4等のパターン
を被着形成し、その後、半導体素子5を導電体層3の上
に接合する。半導体素子5の接合後公知の方法で金属細
線6を用いて半導体素子5と導電体層2との間を接続す
る。次に、半導体素子5及び金属細線6が完全に被覆す
る形状にホットメルト型エポキシ樹脂をタブレット7に
成型し、そのタブレット7を、第1図(b)に示すよう
に、金属細線6の上に配置する。次にホットプレート又
は恒温槽に入れ、150°020H加熱することによシ
タブレット7を溶融させ、更に硬化させて樹脂層7′に
よシ封止する。
基板1上に真空蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法
などによって導電体層2,3や抵抗体層4等のパターン
を被着形成し、その後、半導体素子5を導電体層3の上
に接合する。半導体素子5の接合後公知の方法で金属細
線6を用いて半導体素子5と導電体層2との間を接続す
る。次に、半導体素子5及び金属細線6が完全に被覆す
る形状にホットメルト型エポキシ樹脂をタブレット7に
成型し、そのタブレット7を、第1図(b)に示すよう
に、金属細線6の上に配置する。次にホットプレート又
は恒温槽に入れ、150°020H加熱することによシ
タブレット7を溶融させ、更に硬化させて樹脂層7′に
よシ封止する。
以上の様に本発明では、予め一定量、一定寸法の固形状
樹脂を用いるので、■作業性がよく、従来の液状の樹脂
に比べ作業時間が半減できる。■被覆形状が一様な製品
ができる。■気泡が発生しにくい。■固型な為排気が不
要で衛生的である。
樹脂を用いるので、■作業性がよく、従来の液状の樹脂
に比べ作業時間が半減できる。■被覆形状が一様な製品
ができる。■気泡が発生しにくい。■固型な為排気が不
要で衛生的である。
等の多大な効果が得られる。更に従来方法では樹脂の流
れ具合を制御するために樹脂の塗布量と粘度値とを厳し
く管理する必要があったが、本発明の方法によれば、そ
れがなくなり、無人化が可能となシ、工業上極めて効果
大である。
れ具合を制御するために樹脂の塗布量と粘度値とを厳し
く管理する必要があったが、本発明の方法によれば、そ
れがなくなり、無人化が可能となシ、工業上極めて効果
大である。
なお、上側では、タブレット7の加熱溶融は常圧の下で
行っているが、他の例として、第1図に示す状態の構成
体を真空乾燥器に入れ、器内の雰囲気を500〜10T
orrにセットした後、150’C。
行っているが、他の例として、第1図に示す状態の構成
体を真空乾燥器に入れ、器内の雰囲気を500〜10T
orrにセットした後、150’C。
20I(加熱することによシ、タブレット7を溶融させ
、さらに硬化させて封止樹脂層7′として封止する。本
例は、常圧に比べて、封止樹脂層の1密性が増大し信頼
性がより高くなる効果がある。
、さらに硬化させて封止樹脂層7′として封止する。本
例は、常圧に比べて、封止樹脂層の1密性が増大し信頼
性がより高くなる効果がある。
第1図(a) 、 (b)は本発明方法の工程順の断面
図である。 1・・・・・絶縁基板、2,3・・・・・・導電体層、
4・・・・・・抵抗、訃・・・・半導体素子、6・・・
・・・接続細線、7・・・・・成形タブレット、7′・
・・・・・封止樹脂層。 5− 丹 7 辺(11) ’:;A70(b)
図である。 1・・・・・絶縁基板、2,3・・・・・・導電体層、
4・・・・・・抵抗、訃・・・・半導体素子、6・・・
・・・接続細線、7・・・・・成形タブレット、7′・
・・・・・封止樹脂層。 5− 丹 7 辺(11) ’:;A70(b)
Claims (2)
- (1)絶縁基板上の所定の導電体層上に接合された半導
体素子とその接続線とを樹脂で封止する方法において、
前記半導体素子と前記接続線が被覆される形状に成型さ
れた固形状の樹脂を前記接続線上に配置し、しかる後前
記固形状の樹脂を加熱して溶融硬化させることによって
樹脂封止することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方
法。 - (2)上記固形状の樹脂の加熱は低圧雰囲気中で実施す
ることによって前記樹脂を溶融硬化させることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の半導体装置の樹脂封
止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144489A JPS5933840A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144489A JPS5933840A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933840A true JPS5933840A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15363514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144489A Pending JPS5933840A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933840A (ja) |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP57144489A patent/JPS5933840A/ja active Pending
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