JPS5934462Y2 - ミシンの作動機構制御装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は例えばミシンの布押え及び返し縫い機構を電磁
石で動かせる様にしたミシンに於いてその電磁石に加え
る電圧を高圧から低圧へ切換える為の制御手段を改良し
たミシンの作動機構制御装置に関するもので、装置の無
接点化を図り、信頼性を高めることを目的とするもので
ある。

以下本考案の一実施例を説明する。

即ち、第１図に於いて図面の説明を行うと、１は交流電
源２． ３． ４． ５は全波整流装置を構成する整流
素子、６は双方向性サイリスタからなる制御極付半導体
素子（以下トライアックと称す）７はトライアック６の
ゲート抵抗、８はダイオード、９はパルストランスで、
１次コイル９１と２次コイル９２とを有している。

１０は平滑用コンデンサ、１１は電磁石作動用の押しボ
タンスイッチ、１２はサージ吸収用ダイオード、１３は
布押え上げ用或いは返し縫い用の電磁石、１４は逆流防
止用ダイオード、１５は制限抵抗で抵抗値の小さい物で
ある。

１６は平滑用コンデンサ、１７は定電圧電源を作る為の
ツェナダイオード、１８は抵抗、１９はコンデンサで、
抵抗１８とで時定数回路を構成する。

２０はツェナダイオード、２２はトランジスタ、２１は
抵抗、２３はコンデンサ、２４はＵＪＴ、２５は抵抗で
ある。

なお上記パルストランス９と、抵抗２１．２５と、コン
デンサ２３と、ＵＪＴ２４とで周知の発振回路を構成し
ている。

以下上記第１図に従って動作の説明を行う。

例えば今、トライアック６が不導通状態であるとする。

この状態において、返し縫い時に又は布押え上げ時に押
しボタンスイッチ１１を閉じると交流電源１と整流素子
２，５による電圧がダイオード１４、抵抗１５を介して
ツェナーダイオード１７のアノードに加えられる。

すると、ツェナダイオードの性質により、そのアノード
電圧は、一定電圧で安定する。

さらに、この電圧はコンデンサ１６により平滑される、
今、抵抗１５の値は小さいので、この平滑動作はすぐ行
われこの電圧は以下のゲート信号発生回路Ａに供給され
る。

さて、今、上記スイッチ１１を閉じた瞬間を考えると、
コンデンサ１９は充電開始されたばかりなのでその電位
はほぼ零でありその為ツェナダイオード２０は不導通状
態である。

従ってトランジスタ２２０ベース電位も零でありトラン
ジスタも不導通状態である。

その為に抵抗２１を介してコンデンサ２３は充電される
。

以下周知の発振回路により発振する。

すなわち、このコンデンサ２３の充電々位が上昇すると
ＵＪＴ２４のＥ−Ｂ２間電位も上昇し、その直がある値
以上になると、ＵＪＴの性質によりＵＪＴ２４のＥ−Ｂ
２間は導通状態となり、コンデンサ２３の電荷はＵＪＴ
２４を介してさらにパルストランス９の１次コイル９１
を介して放電する、放電が終了して上記コンデンサ２３
の電位がほぼ零まで低下するとＵＪＴ２４のＥ−Ｂ２間
の電位も低下しＵＪＴの性質によりＥ−Ｂ２間は不導通
となる。

従って抵抗２１を流れる電流は再びコンデンサ２３を充
電し始める、以上の動作をくり返し発振する事によりパ
ルストランス９０２次コイル９２にパルス電圧が誘起さ
れる。

この発振電圧はダイオード８、抵抗７を介してトライア
ック６のゲートに電流を供給しトライアック６を導通さ
せる。

上記発振電圧の周波数は電源周波数よりも十分高くなる
様に抵抗２１とコンデンサ２３の値を設定しである。

従ってこの発振電圧を使用してトライアック６をトリガ
すれば、電源電圧がどの様な電圧（サイクル）でもトラ
イアック６をトリガ出来る。

発振電圧波形を第２図に示す。さてトライアック６が導
通状態になると整流素子２．３． ４゜５、コンデンサ
１０．トライアック６により構成される全波整流平滑回
路により電磁石１３へは第３図イに示すような全波整流
平滑電圧（高電圧）が印加される。

以上の一連の動作はスイッチ１１を閉じた瞬間に行なわ
れるものであるから電磁石１３へはスイッチを閉じた瞬
間から、全波整流平滑電圧が供給される。

さてスイッチ１１を閉じてから時間が経過するとコンデ
ンサ１９は充電され続け、コンデンサ１９の電位はある
時間にはツェナーダイオード２０のツェナ電圧以上に上
昇するするとツェナダイオード２０の性質によりツェナ
ダイオード２０は導通状態となり抵抗１８を流れる電流
は、トランジスタ２２のベースに流れる様になり、トラ
ンジスタ２２を導通させる。

するとコンデンサ２３の電荷はトランジスタ２２により
放電され、コンデンサ２３の電位は零になる。

この為ＵＪＴ２４のＥ−Ｂ２間の電位も零となり、ＵＪ
Ｔ２４は発振を停止する。

従ってパルストランス９の誘起電圧も無くなり、トライ
アック６へのゲート電流は流れなくなりトライアック６
は、不導通状態になる（ターンオノする）。

トライアック６が不導通になると、整流素子４と３には
電流が流れなくなり、コンデンサ１０の電荷も電磁石１
３へは流れ得ない。

そして残りの整流素子２，５による半波整流回路が構成
され電磁石１３への供給電圧は半波整流電圧（平滑なし
）の電圧（低電圧）となり、第３図口に示すようになる
。

つまりスイッチ１１を閉じて電磁石１３を作動させこの
電磁石１３の吸引が行われるに十分な時間Ｔ１だげトラ
イアック６を導通させて全波整流平滑電圧（高電圧）を
電磁石１３に加え、電磁石１３の吸引をす早（行わせて
、その後、トライアック６を不導通にして電磁石の吸引
を保持するに足りる（低電圧）を電磁石に印加する様に
なっている。

又、トライアック６は、サイリスタと違って双方向性で
あるため、トライアックのＴ２よりＴ１の電位が高い半
サイクル間も、又Ｔ１よりＴ２の電位が高い半サイクル
間の両方ともコンデンサ１０への充放電をなし得るので
トライアック導通時には整流素子２． ３． ４． ５
とトライアック６、コンデンサ１０による完全な全波整
流平滑電圧（第３図イ）を電磁石１３へ供給出来る。

以上述べたごとく本考案によれば主要部分を無接点化し
て制御しているので従来のマイクロスイッチによる全波
→半波切換に比べて安全かつ確実に高電圧から低電圧へ
の切換えを成し得ると共に、従来のマイクロスイッチ方
式の様に取り付は位置に苦労する事は皆無である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す接続図、第２図はゲー
ト信号発生装置の出力の波形を示す図、第３図は電磁石
に供給される電圧の波形を示す図である。 図において、２． ３． ４． ５及び６は全波整流装
置を構成する整流素子及び制御極付半導体素子、１１は
スイッチ、１３は電磁石、９． １８． １９゜２０．
２１，２２，２３．２４及び２５はゲート信号発生装置
を構成するパルストランス、抵抗、コンデンサ、ツェナ
ーダイオード、抵抗、トランジスタ、コンデンサ、ＵＪ
Ｔ、及び抵抗である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. □シンの作動機構を制御する電磁石、これらの各電磁石
   と夫々直列に接続され上記電磁石の動作を制御するスイ
   ッチ、−枝路に制御極付半導体素子を有し、上記電磁石
   の直流電源となる全波整流装置、及び抵抗、コンデンサ
   、ツェナダイオードからなる限時回路と、この限時回路
   に接続した発振回路とからなり、上記スイッチ閉成後盾
   定時間だけ上記制御極付半導体素子を導通させるゲート
   信号発生装置を備えた□シンの作動機構制御装置。