JPS5938929A - 金属薄膜型磁気記録媒体の製法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体の製法Info
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- JPS5938929A JPS5938929A JP14836982A JP14836982A JPS5938929A JP S5938929 A JPS5938929 A JP S5938929A JP 14836982 A JP14836982 A JP 14836982A JP 14836982 A JP14836982 A JP 14836982A JP S5938929 A JPS5938929 A JP S5938929A
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- Japan
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- magnetic
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- nonmagnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は金属薄膜型磁気記録媒体の製法に係る、背景技
術とその問題点 金属薄膜型磁気記録媒体におけるその金属薄膜磁性層は
、これにバインダーが混入されていないことから充填密
度の向上を図ることができ、高密度記録に好適で脚光を
浴びるに至っている。この神金属薄膜磁性層としてコ／
？ ）レトＣＯ１或いはコノくルトＣｏ−ニッケルＮｉ
等の磁性金属を斜め蒸着して形成するとき、これに高い
抗磁力が得ら′ｉ′しることが知られている。しかしな
がらこの場合、蒸着方向を被蒸着面に対する垂線に対し
て４０°〜８００に傾ける必要があることから蒸着効率
が低く生産性に問題がある。
術とその問題点 金属薄膜型磁気記録媒体におけるその金属薄膜磁性層は
、これにバインダーが混入されていないことから充填密
度の向上を図ることができ、高密度記録に好適で脚光を
浴びるに至っている。この神金属薄膜磁性層としてコ／
？ ）レトＣＯ１或いはコノくルトＣｏ−ニッケルＮｉ
等の磁性金属を斜め蒸着して形成するとき、これに高い
抗磁力が得ら′ｉ′しることが知られている。しかしな
がらこの場合、蒸着方向を被蒸着面に対する垂線に対し
て４０°〜８００に傾ける必要があることから蒸着効率
が低く生産性に問題がある。
しかしながら、このような斜め蒸着によらずに高い抗磁
力を有する磁性層を形成することは容易でなく、例えば
結晶磁気異方性が大きく高抗磁力が得られると期待され
るＣｏ或いはＣｏ−Ｎｉを単に蒸着してもその抗磁力は
１０００６（エルステッド）以下であシ、磁気記録媒体
としては不適当である。
力を有する磁性層を形成することは容易でなく、例えば
結晶磁気異方性が大きく高抗磁力が得られると期待され
るＣｏ或いはＣｏ−Ｎｉを単に蒸着してもその抗磁力は
１０００６（エルステッド）以下であシ、磁気記録媒体
としては不適当である。
これに対して本出願人は、先に非磁性支持体上にビスマ
スＢｉのような低融点金属を蒸着することによってこれ
による不連続な非磁性金属層を形成し、これの上に金属
磁性層、例えばＣｏを蒸着することによって、この下地
層の非磁性金属層の影響を受けて微細粒子構造の磁性金
属層を形成して高抗磁力の磁性層を得ることができるよ
うにした磁気記録媒体を提案した。
スＢｉのような低融点金属を蒸着することによってこれ
による不連続な非磁性金属層を形成し、これの上に金属
磁性層、例えばＣｏを蒸着することによって、この下地
層の非磁性金属層の影響を受けて微細粒子構造の磁性金
属層を形成して高抗磁力の磁性層を得ることができるよ
うにした磁気記録媒体を提案した。
更に、本出願人は非磁性支持体の構成材料に依存するこ
となく、高抗磁力の金属磁性層を形成することができる
ものとして、非磁性支持体上にシリコンｓｔ′！！たけ
Ｓｌの化合物の非晶質連続膜を形成しこれの上に低融点
の非晶質金属の例えばＢｉを不連続の島状の層表して蒸
着し、これの上に例えばＣｏの蒸着膜による金ＰＡ磁性
層を形成するようにした磁気記録媒体を提案した。
となく、高抗磁力の金属磁性層を形成することができる
ものとして、非磁性支持体上にシリコンｓｔ′！！たけ
Ｓｌの化合物の非晶質連続膜を形成しこれの上に低融点
の非晶質金属の例えばＢｉを不連続の島状の層表して蒸
着し、これの上に例えばＣｏの蒸着膜による金ＰＡ磁性
層を形成するようにした磁気記録媒体を提案した。
このように表面にＳｌが被着さｉｔだ或いはＳｉが被着
されない非磁性支持体上に不連続々島状の非磁性金属層
を形成し、これの上に磁性金属層が積層されてなる金属
薄膜型磁気記録媒体を得る方法としては、非磁性支持体
として長尺物を用意し、これを真空熱Ｎ層内でその供給
ロール側から巻取りロール側へと巻取りつつ移行させ、
この移行状態で島状に不連続にＢｉを蒸着１．て不連后
１；な非磁性金属層を形成してこれを一旦＠堆りロール
に巻取り、その後、例えば巻取９０−ル側を供給ロール
側と１〜て他方のロールへと移行させてＢｉの不連続な
非磁性金属層上にＣｏ 、或いはＣｏ−Ｎ１を連続磁性
金属層として蒸沼形成する方法が考えられる◇しかしな
がら、このようにＢｉを一旦蒸着させ、これを巻取る場
合、非磁性支持体が高温加熱状態にあり、低融点のＢｉ
がまだ溶融状態でその巻取が行われるためにこれが非磁
性支持体上の他方の面に転写されるなどして、その後こ
れの上に形成したＣｏ或いはＣｏ−Ｎ１の蒸着層が均一
に表面性のよい層として形成されない。また、他の方法
としては真空蒸着槽内にＳ１層が表面に形成された、或
いは形成されていない非磁性体を固定配置し、これに上
述した低融点非磁性金属のＢｉを不連続の島状の層とし
て蒸着し、そ−の後、これの上にＣｏ若しくはＣｏ−Ｎ
１の金属磁性層を蒸着することが考えられる。
されない非磁性支持体上に不連続々島状の非磁性金属層
を形成し、これの上に磁性金属層が積層されてなる金属
薄膜型磁気記録媒体を得る方法としては、非磁性支持体
として長尺物を用意し、これを真空熱Ｎ層内でその供給
ロール側から巻取りロール側へと巻取りつつ移行させ、
この移行状態で島状に不連続にＢｉを蒸着１．て不連后
１；な非磁性金属層を形成してこれを一旦＠堆りロール
に巻取り、その後、例えば巻取９０−ル側を供給ロール
側と１〜て他方のロールへと移行させてＢｉの不連続な
非磁性金属層上にＣｏ 、或いはＣｏ−Ｎ１を連続磁性
金属層として蒸沼形成する方法が考えられる◇しかしな
がら、このようにＢｉを一旦蒸着させ、これを巻取る場
合、非磁性支持体が高温加熱状態にあり、低融点のＢｉ
がまだ溶融状態でその巻取が行われるためにこれが非磁
性支持体上の他方の面に転写されるなどして、その後こ
れの上に形成したＣｏ或いはＣｏ−Ｎ１の蒸着層が均一
に表面性のよい層として形成されない。また、他の方法
としては真空蒸着槽内にＳ１層が表面に形成された、或
いは形成されていない非磁性体を固定配置し、これに上
述した低融点非磁性金属のＢｉを不連続の島状の層とし
て蒸着し、そ−の後、これの上にＣｏ若しくはＣｏ−Ｎ
１の金属磁性層を蒸着することが考えられる。
しかしながら、これらいずれの方法による場合において
も充分高い抗磁力が得られず、上述した金属薄膜型磁気
記録媒体を得る場合、その製造手順が大きな影響を及ぼ
すことを見出した。
も充分高い抗磁力が得られず、上述した金属薄膜型磁気
記録媒体を得る場合、その製造手順が大きな影響を及ぼ
すことを見出した。
発明の概要
本発明においては、非磁性支持体上にこの非磁性支持体
を移動させながら不連続な島状の非磁性金属層とこれの
上に磁性金属１−とを形成する〇実施例 本発明において、例えば第１図に示すように真空蒸着＃
（１）内に、例えば長尺物として用意された１非磁性支
持体（２）をその供給ロール（３）側から巻取りロール
（４）側へと矢印ａに示す方向に一方向に移行させる。
を移動させながら不連続な島状の非磁性金属層とこれの
上に磁性金属１−とを形成する〇実施例 本発明において、例えば第１図に示すように真空蒸着＃
（１）内に、例えば長尺物として用意された１非磁性支
持体（２）をその供給ロール（３）側から巻取りロール
（４）側へと矢印ａに示す方向に一方向に移行させる。
この非磁性支持体（１）は、例えばポリエステル、ポリ
イミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィル
ムを使用し得る。この支持体（２）はその表面に冒頭に
述べたような３ｉ非晶質層が予め被着されるか或いは被
着されないものが使用される。
イミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィル
ムを使用し得る。この支持体（２）はその表面に冒頭に
述べたような３ｉ非晶質層が予め被着されるか或いは被
着されないものが使用される。
そしてこの非磁性支持体（２）の供給ロール（３）側か
ら巻取りロール（４）側への移行途上において、その一
方の面に対向して図においては下方に不連続な島状の非
磁性金属層を形成し得る低融点金属材料の例えばＢｌの
蒸着源（５）を配置すると共に、この非磁性支持体（２
）の移行方向に関する流れ１の後方、すなわち後段側に
金属薄膜磁性層を形成するだめの強磁性金属例えばＣｏ
或いはＣｏ−Ｎｉ等の磁性金属蒸着源（６）を配置する
。図において（７）は加熱用ラングを示す。また蒸着源
（５）及び（６）と非蒸着体としての非磁性支持体（２
）との間には遮蔽板（８）が配置される。
ら巻取りロール（４）側への移行途上において、その一
方の面に対向して図においては下方に不連続な島状の非
磁性金属層を形成し得る低融点金属材料の例えばＢｌの
蒸着源（５）を配置すると共に、この非磁性支持体（２
）の移行方向に関する流れ１の後方、すなわち後段側に
金属薄膜磁性層を形成するだめの強磁性金属例えばＣｏ
或いはＣｏ−Ｎｉ等の磁性金属蒸着源（６）を配置する
。図において（７）は加熱用ラングを示す。また蒸着源
（５）及び（６）と非蒸着体としての非磁性支持体（２
）との間には遮蔽板（８）が配置される。
このような装置によって非磁性支持体（２）を移行させ
ながら例えばＢｉの蒸着を行って、第２図に示−すよう
に非磁性支持体（りの一方の面にこのＢｉよりなる島状
の不連続な非磁性金属層（９）を形成し、続いてこれの
上にＣｏ或いはＣｏ−Ｎｉ等の連続磁性金１ｆｆｉ １
４ （１１１を形成して巻取りロール（４）へと巻取ら
れるようになされる。
ながら例えばＢｉの蒸着を行って、第２図に示−すよう
に非磁性支持体（りの一方の面にこのＢｉよりなる島状
の不連続な非磁性金属層（９）を形成し、続いてこれの
上にＣｏ或いはＣｏ−Ｎｉ等の連続磁性金１ｆｆｉ １
４ （１１１を形成して巻取りロール（４）へと巻取ら
れるようになされる。
ここに不連続の島状の非磁性金属層（９）の構成材料と
しては、すなわち蒸着源（５）としては上述したＢｌに
限らず、その他Ｓｂ ＋ Ｔｔ ＋ Ｓｅ ＋ Ｃｄ
＋ Ｉｎ ＋Ｓｎ ＋ Ｔｅ ＋ Ｐｂ ＋ Ｐｏまた
はそれらの合金を用い得る。これらの材料は蒸着条件を
選定することによシ非磁性支持体（２）上に不連続な島
状の層として形成することができるが、これらの金属元
素中でも特にＢｉを用いた場合は、これの上に磁性金属
層ｑＱを蒸着したときにその磁性金属蒸着層の抗磁力Ｈ
ｅが顕著に大きくなることができることが確められた。
しては、すなわち蒸着源（５）としては上述したＢｌに
限らず、その他Ｓｂ ＋ Ｔｔ ＋ Ｓｅ ＋ Ｃｄ
＋ Ｉｎ ＋Ｓｎ ＋ Ｔｅ ＋ Ｐｂ ＋ Ｐｏまた
はそれらの合金を用い得る。これらの材料は蒸着条件を
選定することによシ非磁性支持体（２）上に不連続な島
状の層として形成することができるが、これらの金属元
素中でも特にＢｉを用いた場合は、これの上に磁性金属
層ｑＱを蒸着したときにその磁性金属蒸着層の抗磁力Ｈ
ｅが顕著に大きくなることができることが確められた。
従ってこのような不連続島状の非磁性金Ｈ４層（９）と
してはＢｌを用いることが望ましい。また、この非磁性
金属Ａｌ（９）の厚さは、その平均膜厚が１０〜１００
０１ （１ｔｉｇ／ｃｍ２〜１００ ｔｔｇ／ｃｍ”
）好ましくは１００〜１０００ Ｘに選ばれる。
してはＢｌを用いることが望ましい。また、この非磁性
金属Ａｌ（９）の厚さは、その平均膜厚が１０〜１００
０１ （１ｔｉｇ／ｃｍ２〜１００ ｔｔｇ／ｃｍ”
）好ましくは１００〜１０００ Ｘに選ばれる。
また磁性層０１け、ｃｏ単体或いはＣｏ合金の例えばＮ
ｌを４（Ｌｆｔｉ１以下含有しだＣｏ−Ｎｉ合金の蒸着
膜によって形成することが好ましい。そしてとの膜厚ハ
１００〜１０００ Ｘ、好寸シ＜は２５０〜５００ Ｘ
Ｋ 選ばれる。すなわちこれはこの磁性層（１０の厚
さがあまシ薄いと充分な磁束密度が得られなくなり、ま
た厚すぎると抗磁力Ｈｃ、更に角型比Ｒｓが充分に得ら
れなくなることを認めたことになる。
ｌを４（Ｌｆｔｉ１以下含有しだＣｏ−Ｎｉ合金の蒸着
膜によって形成することが好ましい。そしてとの膜厚ハ
１００〜１０００ Ｘ、好寸シ＜は２５０〜５００ Ｘ
Ｋ 選ばれる。すなわちこれはこの磁性層（１０の厚
さがあまシ薄いと充分な磁束密度が得られなくなり、ま
た厚すぎると抗磁力Ｈｃ、更に角型比Ｒｓが充分に得ら
れなくなることを認めたことになる。
尚、上述した例では長尺物の非磁性支持体（２）を一方
向に移動させながら不連続な島状の非磁性金属層（９）
とこれの上に磁性金属層ａ１とを蒸着形成するようにし
た場合であるが、ある嚇合は蒸着源に対してシート状な
いしはディスク状の非磁性支持体（２）を相対的に回転
させながら同様の不連続な島状の非磁性金Ｍ１１と磁性
金属層との蒸着形成を行うようにすることもできる。
向に移動させながら不連続な島状の非磁性金属層（９）
とこれの上に磁性金属層ａ１とを蒸着形成するようにし
た場合であるが、ある嚇合は蒸着源に対してシート状な
いしはディスク状の非磁性支持体（２）を相対的に回転
させながら同様の不連続な島状の非磁性金Ｍ１１と磁性
金属層との蒸着形成を行うようにすることもできる。
しかしながら、いずれの場合においても非磁性支持体（
２）に対する各非磁性金Ｍ ＃ （９）及び磁性金属層
αＱの蒸着に当っての非磁性支持体（２）の移行速度は
線速度が０．１〜１００ ｍ７分となるように選ばれ、
この範囲で支持体（２）の移行による特性向上への影響
が顕著であることが確められた。
２）に対する各非磁性金Ｍ ＃ （９）及び磁性金属層
αＱの蒸着に当っての非磁性支持体（２）の移行速度は
線速度が０．１〜１００ ｍ７分となるように選ばれ、
この範囲で支持体（２）の移行による特性向上への影響
が顕著であることが確められた。
実施例１゜
第１図で説明した真空蒸着装置を用いて非磁性支持体（
２）の温度を１５０℃とし、巻取り速度が１．５ｍ／分
で支持体（２）を移行させなからＢｌとＣｏとを１１次
連続的に蒸着して不連続な島状の非磁性金属層（９）と
磁性金属層０〔）とを形成して金属薄膜型磁気記録媒体
を得た。この場合Ｃｏの膜厚は３００Ｘ、Ｂｌの膜厚が
１５０Ｘにおいて抗磁力Ｈｅは８６００ｅ 、角形比Ｒ
ｓは０．７５であった。
２）の温度を１５０℃とし、巻取り速度が１．５ｍ／分
で支持体（２）を移行させなからＢｌとＣｏとを１１次
連続的に蒸着して不連続な島状の非磁性金属層（９）と
磁性金属層０〔）とを形成して金属薄膜型磁気記録媒体
を得た。この場合Ｃｏの膜厚は３００Ｘ、Ｂｌの膜厚が
１５０Ｘにおいて抗磁力Ｈｅは８６００ｅ 、角形比Ｒ
ｓは０．７５であった。
実施例２
実施例１と同様の方法において非磁性支持体（２）の温
度を１７０℃としてその巻取り速度１．５ ｍ７分の条
件で同様の蒸着を行った。この場合ＣＯの膜厚が３５０
Ｘ、Ｂｌの膜厚が１５０Ｘにおい７Ｈｃは８３００ｅ、
Ｒｉは０．８０であった。
度を１７０℃としてその巻取り速度１．５ ｍ７分の条
件で同様の蒸着を行った。この場合ＣＯの膜厚が３５０
Ｘ、Ｂｌの膜厚が１５０Ｘにおい７Ｈｃは８３００ｅ、
Ｒｉは０．８０であった。
実施例３
シート状或いはディスク状の非磁性支持体をボールグー
に固定し、その中心が蒸Ｍ源真上の中心から１０ｃｒｎ
離すようにして蒸着源に対して偏心させた状態で膜厚分
布が均一になるように蒸着源に′対してホルダー、した
がってシート状或いはディスク状の非磁性支持体を回転
させなからＢｉを２００ Ｘ蒸着して不連続な島状の非
磁性金属層（９）を形成し、これの上にＣｏを３００Ｘ
の厚さに蒸着した。このときの回転数は５０ ｒｐｍと
した。この場合、そのＨｃは８６００ｓ 、 Ｒｇは０
．８８となった。尚、このような回転方式による」δ自
においてもその線速度は各部において０．１〜１００ｍ
／分の範囲となっている。
に固定し、その中心が蒸Ｍ源真上の中心から１０ｃｒｎ
離すようにして蒸着源に対して偏心させた状態で膜厚分
布が均一になるように蒸着源に′対してホルダー、した
がってシート状或いはディスク状の非磁性支持体を回転
させなからＢｉを２００ Ｘ蒸着して不連続な島状の非
磁性金属層（９）を形成し、これの上にＣｏを３００Ｘ
の厚さに蒸着した。このときの回転数は５０ ｒｐｍと
した。この場合、そのＨｃは８６００ｓ 、 Ｒｇは０
．８８となった。尚、このような回転方式による」δ自
においてもその線速度は各部において０．１〜１００ｍ
／分の範囲となっている。
参考例１
基体温度１５０℃、すなわち非磁性支持体（２）の温度
１５０℃下において先ずＢｉを２００Ｘの厚さに島状に
蒸清し、これを一旦巻取シ再びＣｏを３００Ｘの厚さに
蒸着して得た。この場合の磁性金属層すなわちＣｏの表
面は肉眼によっても不均一な膜となった。
１５０℃下において先ずＢｉを２００Ｘの厚さに島状に
蒸清し、これを一旦巻取シ再びＣｏを３００Ｘの厚さに
蒸着して得た。この場合の磁性金属層すなわちＣｏの表
面は肉眼によっても不均一な膜となった。
比較例１
非磁性支持体をボールグーに固定し、この固定したまま
の状態でＢｉを２００Ｘ蒸着し、その後これの上にＣｏ
を３００Ｘの厚さに蒸着した。このようにして得た磁気
記録媒体はＨｃが８５０、Ｒ８が０．６７となった。
の状態でＢｉを２００Ｘ蒸着し、その後これの上にＣｏ
を３００Ｘの厚さに蒸着した。このようにして得た磁気
記録媒体はＨｃが８５０、Ｒ８が０．６７となった。
上述したように各実施例１〜３は参考例１及び比較例１
と比較して明らかなように、その角型比が格段的に向上
していることがわかる。
と比較して明らかなように、その角型比が格段的に向上
していることがわかる。
発明の効果
本発明製法によって得た磁気記録媒体によれば高い抗磁
力ＴＩｃを確実に得ることができた状態で、角型比ＲＳ
に優れた磁気記録媒体を得ることができ、また連続蒸着
によってその製造を行なうことができるので量産性にも
優れ工業的にその利益は犬である。
力ＴＩｃを確実に得ることができた状態で、角型比ＲＳ
に優れた磁気記録媒体を得ることができ、また連続蒸着
によってその製造を行なうことができるので量産性にも
優れ工業的にその利益は犬である。
第１図は本発明製法を実施する蒸着装置の一例を示す路
線的構成図、第２図は本発明によって得た金属薄膜型磁
気記録媒体の一例の路線的断面図である。
線的構成図、第２図は本発明によって得た金属薄膜型磁
気記録媒体の一例の路線的断面図である。
Claims (1)
- 非磁性支持体上に、該非磁性支持体を移動させなから不
４枕な島状の非磁性金属層を形成し、該非磁性金属層上
に磁性金属層を形成することを特徴とする金属薄膜型磁
気記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836982A JPS5938929A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836982A JPS5938929A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938929A true JPS5938929A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15451216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14836982A Pending JPS5938929A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008705B2 (en) | 2000-10-25 | 2006-03-07 | Fujitsu Limited | Layered polycrystalline structure and method of making the same |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14836982A patent/JPS5938929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008705B2 (en) | 2000-10-25 | 2006-03-07 | Fujitsu Limited | Layered polycrystalline structure and method of making the same |
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