JPS5940237B2 - ストリツプのラジアルセル通板めつき法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ストリップのラジアルセル通板めつき法に
関するものである。

通電用回転ドラムの外周に接しその回転と同期的に走行
するストリップに、該ストリップと半径方向の通電ギャ
ップを隔てこの通電ギャップにめっき液を導入したアノ
ードとの間で該メッキ液を介し通電する、いわゆるラジ
アルセルによるストリップのめつき法は、ストリップの
片面のみの処理を高速通板の下で行うのに有利であり、
その効果的な実施を行う手段があまた提案されている。

一般にこの種めつき法の適用においては、通電用回転ド
ラムを低速回転させてめつき被膜の肥厚化、つまり厚め
つきをしようとするとき、許容電流密度が下がる傾向が
強く、その許容限界をこえて高すぎる電流密度で操業し
ようとすると、やけ、すなわちめつき金属の結晶粗大化
を来すため、必要なめつき付着量を確保するためにはそ
れに応じた電解時間が必要になるので、電解セルの設置
数を増さなければならない。こゝに電気亜鉛めつきの例
では、硫酸亜鉛を主体にした硫酸浴もしくは塩化亜鉛を
主体とした塩化物浴をめつき液とする各場合とも６Ｏｆ
ｌ／ｍ２以上のときには、複数の電解セルを用いない限
り、低電流密度で微速の操業条件が余儀なくされ、大電
流密度で高速通板を行う場合の高能率操業と比べて、能
率面での不利が著しい。

そこでこの発明は、ラジアルセルによる通板めつきの際
に、その低速操業下での許容電流密度を上昇させること
を目的として開発した研究成果を提案するものである。

この発明は、通電用回転ドラムの外周に接しその回転と
同期的に走行するストリップに、該ストリップと半径方
向の通電ギャップを隔てこの通電ギャップにめつき液を
導入したアノードとの間でめつき処理を施す際、該スト
リップの各通電ギャップに、それぞれ個別に独立しため
つき液の循環経路の一部として該通電ギャップを含む給
液系統をもつてめつき液の更新流動を導くことからなる
ストリップのラジアルセル通板めつき法であり、この両
更新流動をストリップの走行に対して逆向きとすること
によつて、とくに著しい許容電流密度の上昇をもたらす
ことができる〇この発明は、電気亜鉛めつきの例で６０
ｆ１／Ｍ２以上のように厚いめつき被膜を必要とする場
合のような、ほマ２５ｍ／―程度以下に低いライン速度
でラジアルセル通板めつきを行うとき、その許容電流密
度を大幅に蓄増させて、多数セルの使用を、めつき条件
の悪化なしに不用ならしめてめつき処理能率の飛躍改善
を遂げることができるが、そのほか２５ｍ【ｎをこえる
ライン速度の下でも許容電流密度をさらに増加させ得る
ので、その能率改善の成果は、低ライン速度条件のみな
らず、一般的な高いライン速度条件の場合にも及ぶ。

さて第１図にこの発明を適用するのに好適な、ラジアル
セルの一例を示し、図中１は通電用回転ドラム、２はそ
のほマ半周にわたつて巻き付け、矢印に沿つて走行する
ストリツプ、３はラインタンク、そして４はラインタン
クの底に取付けたア／−ドで、このアノード４は、通電
用回転ドラム１と同心の弓形片から主としてなり、スト
リツプ２との間に半径方向の通電ギヤツプ９を形成する
。この通電ギヤツプ９は、ストリツプ２の入側ダウンノ
マスＰｄと、出側アツプパスＰｕにつき前後に仕切り壁
ｗにより隔絶区分して、両パスの各通電ギヤツプ９，９
′に、それぞれ個別に独立しためつき液の循環経路の一
部として該通電ギヤツプ９または９′を含む一対の給液
系統たとえぱ循環タンクＴ，Ｔ′からポンプにより、め
つき液の更新流動を導く。こ＼に仕切り壁ｗはめつき液
に侵されない塩化ビニル、硬質ゴムなどでつくり、スト
リツプ３との間にわずかなすき間をあけて、不所望な接
触を避けることができるようにする。

各循環経路は、循環タンクＴ，Ｔ７に接続した配管Ｐ１
−Ｐ２ｊＰ３−Ｐ４を）各通電ギヤツプ９９ｆ！２の両
端に接続して形成することができ、こ＼に通電ギヤツプ
９，９′に対して、ストリツプ２の幅方向にわたり一様
な流れを生じるようにスプレイノズル、スリツタ状ノズ
ルを 分岐マニホルドに配設し、あるいは横軸羽根車な
どが用い得る。

めつき液として、ＺｎＣ２２２ＯＯ９／１，ＮＨ４Ｃｊ
３００９／ｌの組成になり、ＰＨ３．５液温５５℃に調
整した塩化物浴を用い、アノード４には亜鉛を主成分と
する可溶性電極を用い、各通電ギヤツプ９，ｇ２におけ
る循環めつき液の更新つ 流速を０．５ｍ／Ｓｅｃに設
定し、これを熱線流速計による計測結果に従つて一定に
維持し、ダウンパスＰｄとアツプパスＰｕにおけるゆつ
き液の循環流動の向きが、許容電流密度に及ぼす影響を
調べた。ライン速度を２５ｗ『ｎとしたときの結果の一
例５は次の表１のとおりであつた〇上表においてダウン
パスＰｄ：アツプパスＰｕとも向流すなわちストリツプ
２の走行と逆の向きに更新流動を導くことにより、著大
な許容電流密度の上昇がみられるので、この場合さらに
ライン速度を種々に代えて同様な条件の試験を行つて第
２図に示す成績が得られた。

こ＼に上記可溶性アノード４を、めつき浴中で単純に浸
漬保持して、ストリツプ２の走行に帯同する自然循環を
許したラジアルセルによる場合におけるライン速度と許
容電流密度との関係を第２図に点線で比較のために掲げ
たとおり、両者がほぱ比較的であるのに、これを、とく
にストリツプ２の走行と逆向きの強制循環を、ダウンパ
スＰｄ、アツプパスＰｕの双方に適用して、従来の限界
ライン速度とされた２５ｉｎ以下においても充分に高い
許容電流密度をとることができ、こ＼に６０９／Ｍ２以
上の厚めつきを、ラジアルセルの増設なしにしかも高い
操業能率を保持し得る高電流密度下に実施することがで
きたのである。

また第３図には、さらに循環めつき液の更新流速を増減
した場合に、許容電流密度へ及ぼす影響を示したように
、更新流速を１．０ｍ／Ｓｅｃに達するまで上昇させれ
ば、一層許容電流密度を高め得ることが明らかである。
なお上記したところのほか、ダウンパスＰｄおよびアツ
プパスＰｕのうち少くとも一方を順流とする各場合にも
、許容電流密度は矢張り上昇する傾向があることは上掲
表１に明らかであり、これをたとえば、種々なめつき条
件の下でとくにガス抜きが必要な場合にＰｕ；順流、Ｐ
ｄ；向流または順流とする適合の下で組合わせ得るのは
明らかであり、従つて各循環経路に、流動の向きを反転
し得る切替え弁を含む配管を施して、種々な使用条件に
適合させることができる。

上に塩化物浴による亜鉛めつき処理の場合を例にとつて
説明をしたが、この発明は、錫、クロム、マンガンある
いはニツケルなどのラジアルセル通板めつきにも応用す
ることができる。

かくしてこの発明は、ラジアルセルによる通板めつきの
ライン速度の応範領域においてとくに、従来その限界と
された２５ｍ／１１１．ｎ程度以下の低ライン速度での
厚めつき条件の下でも電流密度を高めることができて、
その能率的な操業に有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従うラジアルセル通板めつき処理要
領を示した説明図、第２図はライン速度と許容電流密度
との関係につきこの発明の効果を従来法と比較したグラ
フ、第３図は、循環更新流速と許容電流密度との関係を
示すグラフである。 １・・・・・・通電用回転ドラム、２・・・・・・スト
リツプ、３・・・・・・ラインタンク、４・・・・・・
アノード、Ｐｄ・・・・・・ダウンパス、Ｐｕ・・・・
・・アツプパス、９・・・・・・通電ギヤツプ、Ｐ１〜
Ｐ４・・・・・・配管、ｗ・・・・・・仕切り。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 通電用回転ドラムの外周に接しその回転と同期的に
   走行するストリップに、該ストリップと半径方向の通電
   ギャップを隔てこの通電ギャップにめつき液を導入した
   アノードとの間で該めつき液を介し通電するラジアルセ
   ルによつてめつき処理を施す際、該ストリップの入側ダ
   ウンパスと出側アップパスにつき上記通電ギャップを前
   、後に隔絶区分して両パスの各通電ギャップに、それぞ
   れ個別に独立しためつき液の循環経路の一部として該通
   電ギャップを含む給液系統をもつてめつき液の更新流動
   を導くことからなるストリップのラジアルセル通板めつ
   き法。 ２ ストリップの入側ダウンパスおよび出側アップパス
   の両通電ギャップにおける更新流動が、ストリップの走
   行に対して逆向きである特許請求の範囲１記載の通板め
   つき法。