JPS594063A - 多端子リ−ドの検査方法 - Google Patents
多端子リ−ドの検査方法Info
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- JPS594063A JPS594063A JP11283082A JP11283082A JPS594063A JP S594063 A JPS594063 A JP S594063A JP 11283082 A JP11283082 A JP 11283082A JP 11283082 A JP11283082 A JP 11283082A JP S594063 A JPS594063 A JP S594063A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
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- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
多数のリード端子を有するリード部品におけるリード端
子についての曲りおよび欠損の分離検査方法に関する。
子についての曲りおよび欠損の分離検査方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
リード端子を有する電子部品のリード婬子数、例全土け
ると半導体集積化技術の発展に伴う、ｈ集 ＼
積比によって、その姑子紗が増加し通當数１０本から２
００本以上にも及ぶようになって来た。
ると半導体集積化技術の発展に伴う、ｈ集 ＼
積比によって、その姑子紗が増加し通當数１０本から２
００本以上にも及ぶようになって来た。
（ｃ） 従来技術と間萌点
このリード端子は欠けることなくすべてのリード端子が
規定の形状にて並列に配置ｑされているが字′装時接続
の対象となるプリント配＃ｉ＋根のＡＭ子と比較して運
搬等の取扱いにおける夕１力による変形を受は易く曲り
や欠損を発生するので実装に際してはリード端子の検査
を行って、その曲りや欠損を除去する必要があった。そ
して従来よりこの種のリード引子の検査作業は肉眼ある
いは顕微鏡を用いて人手により行われるのが一般的であ
ったが、次第にこれ等の作業は精度上、コスト上から自
動化すべき要求が高まって来た。そしてこのリード端子
の検査作業は手面しによる修＋Ｅ ＃ｊ４元が実施可能
の曲りと殆んど修復が不可能の欠損とは、それぞれ分離
して除去出来ることが望しい。
規定の形状にて並列に配置ｑされているが字′装時接続
の対象となるプリント配＃ｉ＋根のＡＭ子と比較して運
搬等の取扱いにおける夕１力による変形を受は易く曲り
や欠損を発生するので実装に際してはリード端子の検査
を行って、その曲りや欠損を除去する必要があった。そ
して従来よりこの種のリード引子の検査作業は肉眼ある
いは顕微鏡を用いて人手により行われるのが一般的であ
ったが、次第にこれ等の作業は精度上、コスト上から自
動化すべき要求が高まって来た。そしてこのリード端子
の検査作業は手面しによる修＋Ｅ ＃ｊ４元が実施可能
の曲りと殆んど修復が不可能の欠損とは、それぞれ分離
して除去出来ることが望しい。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は多数のリード端子を有するリード部品に
おいて、光照明下に該リード部品をピッチ方向に送入し
て走査し、透過光を遮ぎるリード端子による光量の変化
を捕えて、マイクロプロセッサに内臓す石記憶データと
比較してリード端子を走査の都度逐一リード曲りおよび
欠損を分離する検査手段を提供しようとするものである
。
おいて、光照明下に該リード部品をピッチ方向に送入し
て走査し、透過光を遮ぎるリード端子による光量の変化
を捕えて、マイクロプロセッサに内臓す石記憶データと
比較してリード端子を走査の都度逐一リード曲りおよび
欠損を分離する検査手段を提供しようとするものである
。
（ｅ）発明の構成
この目的は多数のリード端子を有するリード部品におい
て、リードノ（ターンの基準とする止または反転像によ
るマスク用イメージマスクに対し複製した他の正像によ
るマスク用イメージマスクをピッチ方向に走査して透過
光の受光手段により重ね合せ一致位置および前後の隣接
１／２ピツチにおいて得られる総光量の基準最小、最大
値を記憶する手段、別途該マスク用イメージマスク−し
に前記被試験体となるリード部品のリード端子をピッチ
方向に走査しつ＼該受光手段により同様に得られる総光
量の比較最小、最大値を４亥基準最小、最大値、または
マスク用イメージマスクおよびリード部品の形状寸法な
らびにバラツキより誹出して得られる標準最小、最大値
と比較する手段を備えてなり、マスク用イメージマスク
に対しリード部品を走査照合の都度、４−ＩＪ−ド曲り
および欠４０を分離検出することを特徴とする多端子リ
ードの検査方法を提供することによって構成することが
出来る。
て、リードノ（ターンの基準とする止または反転像によ
るマスク用イメージマスクに対し複製した他の正像によ
るマスク用イメージマスクをピッチ方向に走査して透過
光の受光手段により重ね合せ一致位置および前後の隣接
１／２ピツチにおいて得られる総光量の基準最小、最大
値を記憶する手段、別途該マスク用イメージマスク−し
に前記被試験体となるリード部品のリード端子をピッチ
方向に走査しつ＼該受光手段により同様に得られる総光
量の比較最小、最大値を４亥基準最小、最大値、または
マスク用イメージマスクおよびリード部品の形状寸法な
らびにバラツキより誹出して得られる標準最小、最大値
と比較する手段を備えてなり、マスク用イメージマスク
に対しリード部品を走査照合の都度、４−ＩＪ−ド曲り
および欠４０を分離検出することを特徴とする多端子リ
ードの検査方法を提供することによって構成することが
出来る。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例について図…ｉを参照しつ＼説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例における多端子リードの検査
方法によるブロック図、第２ ｌ￥ｌ ！ま正像による
マスク用イメージマスクの平面図、第３図は反転像によ
るマスク用イメージマスクの平面図、第４図（ａ）はマ
スク用イメージマスクに複製した正像によるマスク用イ
メージマスクを重ねた場合を示す平面図、第４図（ｂ）
はその断面図、第４図（ｃ）は第４図（ａ）におけるマ
スクの移動叶に伴う総光量の変化データ図、第５図（ａ
）は正像によるマスク用イメージマスクに被試験体とな
るリード部品のリード端子を重ねた場合を示す平面図、
第５図（ｂ）はリード端子の移！＃ｌｔに伴う総光酸変
化データ図、第６図（ａ）はマスク用イメージマスクに
リード端子を重ねた但しリード端子に曲り全伴う場合を
示す平面図、第６図（ｂ）はその総光晰変化データ図、
第７図（ａ）はマスク用イメージマスクにリード端子を
１【を示す。図において１ａは正像によるマスク用イメ
ージマスク（フィルム）＋ ｌａａは正像によるマス
ク用イメージマスク（プレー））、 １ｍは反転像に
よるマスク用イメージマスク、２は被試験体となるリー
ド部品のリード端子、３は光源、４は受光素子、５はレ
ンズ系、６はテーブル駆動モータ、７は駆動制御部、８
は波形整形部、９はキーボード（ＫＩ３）および１０は
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）である。リード端子２の
検査基準となるイメージマスクはフィルム形のマスク用
イメージマスク１ａでも、プレート形のマスク用イメー
ジマスクｌａａでもよい。何れも同様の働きをし相互に
置換えられる。この正像によるマスク用イメージマスク
ｌａ、ｌａａは検査に便利なよう雑音イメージを除去す
るためピッチ方向の前後に接して繰返しスペースと同じ
寸法だけ透光部を備えた上でその他の周辺部はすべて研
光しておく。反転像によるマスク用イメージマスク１ｍ
ではリード相当部を除いて、その他はすべて周光してお
く。
方法によるブロック図、第２ ｌ￥ｌ ！ま正像による
マスク用イメージマスクの平面図、第３図は反転像によ
るマスク用イメージマスクの平面図、第４図（ａ）はマ
スク用イメージマスクに複製した正像によるマスク用イ
メージマスクを重ねた場合を示す平面図、第４図（ｂ）
はその断面図、第４図（ｃ）は第４図（ａ）におけるマ
スクの移動叶に伴う総光量の変化データ図、第５図（ａ
）は正像によるマスク用イメージマスクに被試験体とな
るリード部品のリード端子を重ねた場合を示す平面図、
第５図（ｂ）はリード端子の移！＃ｌｔに伴う総光酸変
化データ図、第６図（ａ）はマスク用イメージマスクに
リード端子を重ねた但しリード端子に曲り全伴う場合を
示す平面図、第６図（ｂ）はその総光晰変化データ図、
第７図（ａ）はマスク用イメージマスクにリード端子を
１【を示す。図において１ａは正像によるマスク用イメ
ージマスク（フィルム）＋ ｌａａは正像によるマス
ク用イメージマスク（プレー））、 １ｍは反転像に
よるマスク用イメージマスク、２は被試験体となるリー
ド部品のリード端子、３は光源、４は受光素子、５はレ
ンズ系、６はテーブル駆動モータ、７は駆動制御部、８
は波形整形部、９はキーボード（ＫＩ３）および１０は
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）である。リード端子２の
検査基準となるイメージマスクはフィルム形のマスク用
イメージマスク１ａでも、プレート形のマスク用イメー
ジマスクｌａａでもよい。何れも同様の働きをし相互に
置換えられる。この正像によるマスク用イメージマスク
ｌａ、ｌａａは検査に便利なよう雑音イメージを除去す
るためピッチ方向の前後に接して繰返しスペースと同じ
寸法だけ透光部を備えた上でその他の周辺部はすべて研
光しておく。反転像によるマスク用イメージマスク１ｍ
ではリード相当部を除いて、その他はすべて周光してお
く。
こ＼で第４図（ａ）に示すように正像によるマスクｌａ
。
。
ｌａａを固定して、他のマスクｌａ、ｌａａを東ねてピ
ッチ方向に移動させれば、両マスクを光源２によシ透過
して得られる総元瞬は、−数点（おいて最大光量となり
、±０．５ピッチ点において最小光量が得られる。蜆に
移動に伴い０．５ピツチ毎に最大光量と重りによる光量
減少点とを結ぶ折線を第４図（ｃ）のように描く。リー
ド端子１ｄ Ａ常一定幅且一定ピッチに配列されるので
ｎ個のリード端子配列では移動量がｎピッチを越えれば
縦りがなくなって最大光量で透過光の変化はなくなる。
ッチ方向に移動させれば、両マスクを光源２によシ透過
して得られる総元瞬は、−数点（おいて最大光量となり
、±０．５ピッチ点において最小光量が得られる。蜆に
移動に伴い０．５ピツチ毎に最大光量と重りによる光量
減少点とを結ぶ折線を第４図（ｃ）のように描く。リー
ド端子１ｄ Ａ常一定幅且一定ピッチに配列されるので
ｎ個のリード端子配列では移動量がｎピッチを越えれば
縦りがなくなって最大光量で透過光の変化はなくなる。
この移動量に伴う最大光鉦しｓｍａｘ＋最小光ＪｔＬＳ
ｍｉｎを波形整形部８によりディジタル信号に変換し、
図示省略したがＭＰＵｌ０の記憶部に総光量の基準最大
、最小値として記憶する。
ｍｉｎを波形整形部８によりディジタル信号に変換し、
図示省略したがＭＰＵｌ０の記憶部に総光量の基準最大
、最小値として記憶する。
こ＼でマスク１ａ＋１ａａ上に被試験体となるリード端
子２を押入し、ＭＰＵｌ０により駆動制御部７を介しモ
ータ６により図示省略したが例えばガイドレールに沿っ
て送りねじによりピッチ方向に移動する時はリード端子
２に曲りや欠損を伴わない正常な配列を有するときは、
光源３による透過光束はレンズ系５を経て受光素子４に
入射する。
子２を押入し、ＭＰＵｌ０により駆動制御部７を介しモ
ータ６により図示省略したが例えばガイドレールに沿っ
て送りねじによりピッチ方向に移動する時はリード端子
２に曲りや欠損を伴わない正常な配列を有するときは、
光源３による透過光束はレンズ系５を経て受光素子４に
入射する。
受光素子４は例えばフォトトランジスタまだはＣＣＤ（
Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｆｃｅ）よりな
り入射光に比例する光電流または光源信号が得られる。
Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｆｃｅ）よりな
り入射光に比例する光電流または光源信号が得られる。
受光素子４に得られる該電流または信号の積算値による
総光量を波形整形部８を介しＭＰＣｌｏに得ればリード
端子２が正常な形状寸法を示すときは前述のマスク同志
による場合と同じく第５図（ｂ）に示す総光量データ図
のように、第４図（ｂ）の、Ｓ合と同様の値による折線
となり一致する。従って測定総光量における最大、最小
値もまた一致する。
総光量を波形整形部８を介しＭＰＣｌｏに得ればリード
端子２が正常な形状寸法を示すときは前述のマスク同志
による場合と同じく第５図（ｂ）に示す総光量データ図
のように、第４図（ｂ）の、Ｓ合と同様の値による折線
となり一致する。従って測定総光量における最大、最小
値もまた一致する。
こ＼で第６図（ａ）に示すようにリード端子２に曲りが
あるときは正常位猜から脱れた面積に相当する光量だけ
重Ｑ合い一致点におけるＬＳｍａｘよりずれを生じ、第
６図（ｂ）の点線に示すように最犬光址側で総光量の値
が少くなり、±０５ピッチ位置における最小値側でもＬ
Ｓｍｉｎから最太光敞側で減じた分だけ増えた総光吋値
を示す０次に第７図（ａ）に示すようにリード端子２に
欠損があるときは最大光晴側はＬＳｍａｘに一致するが
±０５ピッチ位置における光量最小値側は第５図（ｂ）
における更に１ピツチずつ外側に移動したときに得られ
る値と等しい値を示す。第７図（ｂ）に示す点島１のよ
うに変化する折線となり光績最小匝が大きい値を示す０
以上説明したようにマスクｌａ、ｌａａに被…１１定体
となるリード端子２を重ねてピッチ方向に移動し光源３
よりの透過光を受光素子４により受光し移動量に伴う総
光量の変化、特に重ね合せ一致点における比較光量最大
値ＬＣ＋ｎａｘおよび隣接する±０．５ピツチ点におけ
る最小値ＬＣｍｉｎを得て先にＭＰＵｌ０に記憶した基
漠光惜最大値しＳｍａｘ、最小値ＬＳｍｉｎとそれぞれ
比４安すればリード端子２における形状寸法の良否を検
出し、且ＬＣｍａｘおよびＬＣｍｉｎ共に一致がｍられ
ないときは曲り、ＬＣｍｉｎだけに一致が得られないと
きはリード端子２の欠損として分類検出出来る。以上は
基準となるマスク用パターンマスクを正像マスク１ａ＋
ｌａａによったがこれを第３図に示す反転像マスク１ｍ
を基準としリード端子２を重ねて透過光による比較をし
たとき、リード端子２が正常な形状寸法を示す第８図（
ａ＞のときは受光素子４に得られる総光量の変化は反転
像マスク１ｍ上に正像マスクｌａ、ｌａａを移動させて
得られる基帖光ｉ最犬値ＬＳ’ｍａｘと最小値ＬＳ’ｍ
ｉｎに一致する。但し７総光量の変化は１８０°位相が
異なり、重り合い一致点で最小値、±０．５ピッチ点で
最大値を示す点が前述の正像マスクｌａ、ｌａａによる
場合と異る。
あるときは正常位猜から脱れた面積に相当する光量だけ
重Ｑ合い一致点におけるＬＳｍａｘよりずれを生じ、第
６図（ｂ）の点線に示すように最犬光址側で総光量の値
が少くなり、±０５ピッチ位置における最小値側でもＬ
Ｓｍｉｎから最太光敞側で減じた分だけ増えた総光吋値
を示す０次に第７図（ａ）に示すようにリード端子２に
欠損があるときは最大光晴側はＬＳｍａｘに一致するが
±０５ピッチ位置における光量最小値側は第５図（ｂ）
における更に１ピツチずつ外側に移動したときに得られ
る値と等しい値を示す。第７図（ｂ）に示す点島１のよ
うに変化する折線となり光績最小匝が大きい値を示す０
以上説明したようにマスクｌａ、ｌａａに被…１１定体
となるリード端子２を重ねてピッチ方向に移動し光源３
よりの透過光を受光素子４により受光し移動量に伴う総
光量の変化、特に重ね合せ一致点における比較光量最大
値ＬＣ＋ｎａｘおよび隣接する±０．５ピツチ点におけ
る最小値ＬＣｍｉｎを得て先にＭＰＵｌ０に記憶した基
漠光惜最大値しＳｍａｘ、最小値ＬＳｍｉｎとそれぞれ
比４安すればリード端子２における形状寸法の良否を検
出し、且ＬＣｍａｘおよびＬＣｍｉｎ共に一致がｍられ
ないときは曲り、ＬＣｍｉｎだけに一致が得られないと
きはリード端子２の欠損として分類検出出来る。以上は
基準となるマスク用パターンマスクを正像マスク１ａ＋
ｌａａによったがこれを第３図に示す反転像マスク１ｍ
を基準としリード端子２を重ねて透過光による比較をし
たとき、リード端子２が正常な形状寸法を示す第８図（
ａ＞のときは受光素子４に得られる総光量の変化は反転
像マスク１ｍ上に正像マスクｌａ、ｌａａを移動させて
得られる基帖光ｉ最犬値ＬＳ’ｍａｘと最小値ＬＳ’ｍ
ｉｎに一致する。但し７総光量の変化は１８０°位相が
異なり、重り合い一致点で最小値、±０．５ピッチ点で
最大値を示す点が前述の正像マスクｌａ、ｌａａによる
場合と異る。
その他は同様の結果が得られるので前述と同様の手段で
重ね合せ一致点における比較光岐最小値ＬＳ’ｍｉｎ、
および隣接±０５ピッチ点における最大値ＬＳ’ｍａｙ
を得て、マスク１ｍおよびマスタ１ａ＋ｌａａの組合せ
によるＬＳ’ｍｊｎ、ＬＳ’ｍａｘとそれぞれ比較すれ
ば前述同４Ｍ ＋）−ド端子２における形状寸法の良否
を検出すると共に曲りおよび欠損の分類検出が出来る。
重ね合せ一致点における比較光岐最小値ＬＳ’ｍｉｎ、
および隣接±０５ピッチ点における最大値ＬＳ’ｍａｙ
を得て、マスク１ｍおよびマスタ１ａ＋ｌａａの組合せ
によるＬＳ’ｍｊｎ、ＬＳ’ｍａｘとそれぞれ比較すれ
ば前述同４Ｍ ＋）−ド端子２における形状寸法の良否
を検出すると共に曲りおよび欠損の分類検出が出来る。
以上の２例は基準光畦最犬値ＬＳｍａｘ、ＬＳ’ｍａｙ
および最小値ＬＳｍｉｎ、ＬＳ’ｍｉｎを予め一’Ｆス
クｌａ。
および最小値ＬＳｍｉｎ、ＬＳ’ｍｉｎを予め一’Ｆス
クｌａ。
ｌａａ同志の組合せおよびマスク１ｍとマスクｌａ。
ｌａａの組合せによって得たが通常リード端子は一定の
形状寸法によるのでこの透過光層が得られる最大面積お
よび最小面積は組合せとなるマスク用イメージマスクお
よびリード端子２の形状寸法およびバラツキ等により算
出ｔ＋Ｊ能であり、前述の基■光１＋ｉ） ！＋大値Ｌ
しｍａｘ＋ ＬＳ’ｍａｘは実ｔよリード端子２がマス
ク上に存在しないときの光量に等しいので、予めマスク
の組合せによらなくても、マスク上にリード端子２が存
在しないマスク１ａ＋ ｌａａまたは１ｍによる透過光
量を算出光緘最太値＝基準光績最犬値ＬＢｍａｘｆたけ
Ｌ Ｂ’ｍ ａ ｘとし、次に算出による最小面積／吸
犬面積比を乗じてＬＢｍｉｎ寸たけＬＢ’ｍ１ｎｔ＝算
出し、それぞれＫＨ２より入力操作して算出光量最大値
ＬＢｍ ａ ｘ ｔたはＬＢ’ｍａｘおよび最小値ＬＢ
ｍｉｎまたはＩ、Ｂ’ ｍ ｉ ｎをＭＣＵＩＯにＭｅ
憶させ、マスクｌａ、１ａａｉたは１ｍとり−ド端子
２を透過して得られる受光素子４の出力信号を波形整形
部８経由ＭＣＵＩＯに得られる前述のＬＣｍａｘ、 Ｌ
Ｃ’ｍａｘおよびＬＣｍｌｎ、 ＬＣ’ｍｉｎとそれぞ
れ比較すれば前述同様リード端子２における形状寸法の
良否を検出すると共に曲り欠損の分類検出が出来る。
形状寸法によるのでこの透過光層が得られる最大面積お
よび最小面積は組合せとなるマスク用イメージマスクお
よびリード端子２の形状寸法およびバラツキ等により算
出ｔ＋Ｊ能であり、前述の基■光１＋ｉ） ！＋大値Ｌ
しｍａｘ＋ ＬＳ’ｍａｘは実ｔよリード端子２がマス
ク上に存在しないときの光量に等しいので、予めマスク
の組合せによらなくても、マスク上にリード端子２が存
在しないマスク１ａ＋ ｌａａまたは１ｍによる透過光
量を算出光緘最太値＝基準光績最犬値ＬＢｍａｘｆたけ
Ｌ Ｂ’ｍ ａ ｘとし、次に算出による最小面積／吸
犬面積比を乗じてＬＢｍｉｎ寸たけＬＢ’ｍ１ｎｔ＝算
出し、それぞれＫＨ２より入力操作して算出光量最大値
ＬＢｍ ａ ｘ ｔたはＬＢ’ｍａｘおよび最小値ＬＢ
ｍｉｎまたはＩ、Ｂ’ ｍ ｉ ｎをＭＣＵＩＯにＭｅ
憶させ、マスクｌａ、１ａａｉたは１ｍとり−ド端子
２を透過して得られる受光素子４の出力信号を波形整形
部８経由ＭＣＵＩＯに得られる前述のＬＣｍａｘ、 Ｌ
Ｃ’ｍａｘおよびＬＣｍｌｎ、 ＬＣ’ｍｉｎとそれぞ
れ比較すれば前述同様リード端子２における形状寸法の
良否を検出すると共に曲り欠損の分類検出が出来る。
更に本発明の他の実施例における多端子リードの検査方
法によるブロック図を示す。図において２は被試験体と
なるリード部品のリード端子、３は光源、５はレンズ、
９はキーボード、１４は撮像部、１６はテーブル駆動モ
ータ、１７は駆動制御部、１８は波形制御部および２０
はマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）である。図の符号中前
出と共通番号は前出の構成部材と共通である。第１１図
の場合モータ１６および駆動制御部１７の送りはリード
端子２はピッチ方向の順次送υは必要なく撮像部１４の
視野にリード端子２の全体パターンを捕えるため込シで
ありタクト送りでもよい。従って第１１図の組合せに変
えて図示省略したが別途等速によるピッチ方向送りとス
リットの組合せによるスリットスキャンによりリード端
子２のパターンデータを映像信号としてもよい。ここで
ＭＰＵ２０にはピッチ方向に第１２ ｌ’Ｊｌ （ａ）
に示す例えば１ワード４ビツト２５６ワード長よりなる
データ列によって基準形状をＫＨ２より入力して予め記
憶させておく。一方撮像部１４で得られるパターンデー
タを波形整形部１８によりＭＰＵ２０に逐一ディジタル
信号に変換しつ＼入力してその都度ｙｇ’ｔｉ。
法によるブロック図を示す。図において２は被試験体と
なるリード部品のリード端子、３は光源、５はレンズ、
９はキーボード、１４は撮像部、１６はテーブル駆動モ
ータ、１７は駆動制御部、１８は波形制御部および２０
はマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）である。図の符号中前
出と共通番号は前出の構成部材と共通である。第１１図
の場合モータ１６および駆動制御部１７の送りはリード
端子２はピッチ方向の順次送υは必要なく撮像部１４の
視野にリード端子２の全体パターンを捕えるため込シで
ありタクト送りでもよい。従って第１１図の組合せに変
えて図示省略したが別途等速によるピッチ方向送りとス
リットの組合せによるスリットスキャンによりリード端
子２のパターンデータを映像信号としてもよい。ここで
ＭＰＵ２０にはピッチ方向に第１２ ｌ’Ｊｌ （ａ）
に示す例えば１ワード４ビツト２５６ワード長よりなる
データ列によって基準形状をＫＨ２より入力して予め記
憶させておく。一方撮像部１４で得られるパターンデー
タを波形整形部１８によりＭＰＵ２０に逐一ディジタル
信号に変換しつ＼入力してその都度ｙｇ’ｔｉ。
り矛〆減算しその都度その減算結果の絶体値をデータ長
方向に累積値を得る手段を備えれば、第１２図（ｂ）に
示すようにリード端子２の形状寸法が正常であればハソ
入力データが２５６ステツプ入力された付近にデータ長
方向の累積値が最小値となる前述の第８図（ｂ）の重ね
合せ一致点に相当するデーター数点が得られ、その前後
リードピッチの±０，５ピッチ相尚点１こ＼では４ワー
ドシフトした位置の に減算結果の絶体値ｌデータ長方向累積値の最大値が得
られる。次にリード端子２の一部２ａが第１３図（ａ）
に点線で示す曲りリード２ｂとなっている場合は入力デ
ータのデータ長方向累積値は基準データのそれと変シな
いが最小（ｉｂを示すべきデーター数点において減算デ
ータの絶体値によるデータ長累積値がＯにならず第１３
図（ｂ）に示すようにた更にリード端子２に欠損があれ
ば入力データのデータ長方向累積値が基準データのそれ
より欠損分だけ低い値となると共に、第１４図（ａ）に
示すように最小値を示すべきデーター数点において減算
データの絶体値によるデータ長累積１１ηが０にならず
、最大値を示すべき４ワードずれた位置における同デー
タ長累積値が低い値を示し、リード端子２の正常時にお
ける第１２図（ｂ） （ｃ）の値と比較してそれぞれ特
異の値が得られリード端子２の曲りおよび欠損が分離検
出出来る。
方向に累積値を得る手段を備えれば、第１２図（ｂ）に
示すようにリード端子２の形状寸法が正常であればハソ
入力データが２５６ステツプ入力された付近にデータ長
方向の累積値が最小値となる前述の第８図（ｂ）の重ね
合せ一致点に相当するデーター数点が得られ、その前後
リードピッチの±０，５ピッチ相尚点１こ＼では４ワー
ドシフトした位置の に減算結果の絶体値ｌデータ長方向累積値の最大値が得
られる。次にリード端子２の一部２ａが第１３図（ａ）
に点線で示す曲りリード２ｂとなっている場合は入力デ
ータのデータ長方向累積値は基準データのそれと変シな
いが最小（ｉｂを示すべきデーター数点において減算デ
ータの絶体値によるデータ長累積値がＯにならず第１３
図（ｂ）に示すようにた更にリード端子２に欠損があれ
ば入力データのデータ長方向累積値が基準データのそれ
より欠損分だけ低い値となると共に、第１４図（ａ）に
示すように最小値を示すべきデーター数点において減算
データの絶体値によるデータ長累積１１ηが０にならず
、最大値を示すべき４ワードずれた位置における同デー
タ長累積値が低い値を示し、リード端子２の正常時にお
ける第１２図（ｂ） （ｃ）の値と比較してそれぞれ特
異の値が得られリード端子２の曲りおよび欠損が分離検
出出来る。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように本発明によれば従来の人手によるリー
ド端子の検査方法に代り透過光により得られたデータを
処理して能率良くリード端子の曲りおよび欠損が検出出
来るので有用である。
ド端子の検査方法に代り透過光により得られたデータを
処理して能率良くリード端子の曲りおよび欠損が検出出
来るので有用である。
第１図本発明の一実施例における多端子リードの検査方
法によるブロック図、第２商は正像によるマスク用イメ
ージマスクの平面図、第３図は反転像によるマスク用イ
メージマスクの平面図、第４図（ａ）はマスク用イメー
ジマスクに複製した正像によるマスク用イメージマスク
を重ねた平面図、第４図（ｂ）はその断面図、第４図（
ｃ）ｋよマスクの移動量に伴う総光量の変化データ図、
第５図（ａ）は正像によるマスクにリード端子を０軍ね
た平面図、第５図（ｂ３はリード端子の移ｍｌ Ｊｔｔ
に伴う総光量の変化データ図、第６図（ａ）はマスクに
曲シを伴うリード端子を重ねた平面図、第６図（ｂ）は
その総元肴変化データ図、第７図（ａ）はマスクに欠１
Ｎを伴うリード端子を重ねた平面図、第７図（ｂ）はそ
の総光量変化データ図、第８図（ａ）は反転像によるマ
スクに正常リード端子を重ねた平面図、第８１Ｑｌ（ｂ
ｌはその総光量変化データ図、第９図（ａ）は反転源に
よるマスクに曲りを伴うリード端子を重ねた平面図、第
９図（ｂ）図は本発明の他の実施例における多端子リー
ドの検査方法によるブロック′図、第１２図（ａ）はマ
イクロプロセッサにおける基準パターンの記憶データ図
、第１２１Ｊ（ｂ）は正常なリード端子による人カデ第
１３図（ａ）は曲ＣＩＪ−ド端子の平面図、第１３図（
ｂ）は曲シを伴うリード端子による入力データのデータ
ー散点における演算結果例、第１３図（ｃ）はその１／
２シフト点における演算結果例、第１４図（ａ）は欠損
を伴うリード端子による入力データのデーター散点にお
ける演算結果例および第１４図（ｂ）はその１／２シフ
ト点における演算結果例を示す。 図において、ｌａ、ｌａａ、１ｍはマスク用パターンマ
スク、２はリード端子、３は光源、４は受光素子、５は
レンズ系、６．１６はテーブル駆動モータ、７，１７は
駆動制御部、８は波形整形部、１０゜２０はマイクロプ
ロセッサおよび１４は撮像部である。 第２図 第３図 第 ５ 図 − （υ） Ｃｂ）＃動量 第 ６ 図 第７図 （す） 第８図 ３ 移動！（ピッチ） 第 １２ 図 （α） 第 １３ 図 （ｂ） 簀１４ 図 （０ン ２９９−
法によるブロック図、第２商は正像によるマスク用イメ
ージマスクの平面図、第３図は反転像によるマスク用イ
メージマスクの平面図、第４図（ａ）はマスク用イメー
ジマスクに複製した正像によるマスク用イメージマスク
を重ねた平面図、第４図（ｂ）はその断面図、第４図（
ｃ）ｋよマスクの移動量に伴う総光量の変化データ図、
第５図（ａ）は正像によるマスクにリード端子を０軍ね
た平面図、第５図（ｂ３はリード端子の移ｍｌ Ｊｔｔ
に伴う総光量の変化データ図、第６図（ａ）はマスクに
曲シを伴うリード端子を重ねた平面図、第６図（ｂ）は
その総元肴変化データ図、第７図（ａ）はマスクに欠１
Ｎを伴うリード端子を重ねた平面図、第７図（ｂ）はそ
の総光量変化データ図、第８図（ａ）は反転像によるマ
スクに正常リード端子を重ねた平面図、第８１Ｑｌ（ｂ
ｌはその総光量変化データ図、第９図（ａ）は反転源に
よるマスクに曲りを伴うリード端子を重ねた平面図、第
９図（ｂ）図は本発明の他の実施例における多端子リー
ドの検査方法によるブロック′図、第１２図（ａ）はマ
イクロプロセッサにおける基準パターンの記憶データ図
、第１２１Ｊ（ｂ）は正常なリード端子による人カデ第
１３図（ａ）は曲ＣＩＪ−ド端子の平面図、第１３図（
ｂ）は曲シを伴うリード端子による入力データのデータ
ー散点における演算結果例、第１３図（ｃ）はその１／
２シフト点における演算結果例、第１４図（ａ）は欠損
を伴うリード端子による入力データのデーター散点にお
ける演算結果例および第１４図（ｂ）はその１／２シフ
ト点における演算結果例を示す。 図において、ｌａ、ｌａａ、１ｍはマスク用パターンマ
スク、２はリード端子、３は光源、４は受光素子、５は
レンズ系、６．１６はテーブル駆動モータ、７，１７は
駆動制御部、８は波形整形部、１０゜２０はマイクロプ
ロセッサおよび１４は撮像部である。 第２図 第３図 第 ５ 図 − （υ） Ｃｂ）＃動量 第 ６ 図 第７図 （す） 第８図 ３ 移動！（ピッチ） 第 １２ 図 （α） 第 １３ 図 （ｂ） 簀１４ 図 （０ン ２９９−
Claims (2)
- （１）多数のリード端子を有するリード部品において、
リードパターンの基準とする正または反転像によるマス
ク用イメージマスクに対し複製した他の正像によるマス
ク用イメージマスクをピッチ方向に走査して透過光の受
光手段により重ね合せ一致位置および前後の隣接１／２
ピツチにおいて得られる総光量の基準最小、最大値を記
憶する手段、別途核マスク用イメージマスク上に前記被
試験体となるリード部品のリード電子をピッチ方向に走
査しつ＼該受光手段により同様に得られる総光量の比較
最小、最大値を該基準曖小、最大値、またはマスク用イ
メージマスクおよびリード部品の形状寸法ならびにバラ
ツキより算出して得られる標＄最小、朱大値と比較する
手段を備えてなり、マスク用イメージマスクに対しリー
ド部品を走査照合の都度逐一リード曲りおよび欠損を分
離検出することを特徴とする多端子リードの検査方法。 - （２） 上記リード部品において基準形状をデータと
して記憶する手段を有し、被試験体リード部品のリード
端子を透過光により逐一ピッチ方向に走査する手段また
は撮像手段により得られるパターンデータを肢基単形状
データと直列方向にシフトしつ＼比較する手段を備え、
重ね合せ位置相当の算出最小差値および前後の隣接１／
’２ピッチ位置相当の算出最大差値を前記標準最小、最
大値と比較演算を行い、該被試験体リード部品のリード
曲りおよび欠損を分離検出することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の多端子リードの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11283082A JPS594063A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 多端子リ−ドの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11283082A JPS594063A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 多端子リ−ドの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594063A true JPS594063A (ja) | 1984-01-10 |
| JPS6322612B2 JPS6322612B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=14596599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11283082A Granted JPS594063A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 多端子リ−ドの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594063A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213041A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Sanwa Electron Kk | Ｉｃのピンの状態検出装置 |
| JPS60229356A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Sanwa Electron Kk | Ｉｃのピンの曲がり検出方法 |
| JPS6174346A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Kokusai Syst Sci Kk | Ｄｉｐタイプのデバイス検査方法 |
| JPS6371534U (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-13 | ||
| JPH03223612A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-10-02 | Ono Sokki Co Ltd | スリットのピッチむら測定方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11283082A patent/JPS594063A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213041A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Sanwa Electron Kk | Ｉｃのピンの状態検出装置 |
| JPS60229356A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Sanwa Electron Kk | Ｉｃのピンの曲がり検出方法 |
| JPS6174346A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Kokusai Syst Sci Kk | Ｄｉｐタイプのデバイス検査方法 |
| JPS6371534U (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-13 | ||
| JPH03223612A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-10-02 | Ono Sokki Co Ltd | スリットのピッチむら測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322612B2 (ja) | 1988-05-12 |
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