JPS594064A - 高周波回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術および産業上の利用分野） 本発明は、）Ｊ卑電位用の導電パターンと、半導体装置
とが設けられた絶縁基板をイイし、特にマイクロ波に適
用する高周波回路装置に閏］ｊるｂのである。

本発明は更に、このような高周波回路装置に用いる半導
体装置にも関するものである。

このような高周波回路装置は特に、衛星テレビジョン用
の受信機回路に用いられている。

このような高周波回路装置は、”　Ｐ　ｈｉ　ｌ　１ｐ
ｓＴｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｒｅｖｉｅｗ　”　、’ＶＯ
Ａ、　３９．　Ｎｏ　、　１３６の章”ｌ−ｏｗ−ｎｏ
ｉｓｅ　　１２Ｇｌ−１ｚ　　ｆｒｏｎｔ　　ｅｎｄｄ
ｅｓｉｇｎｓ　　ｆｏｒ　　ｄｉｒｅｃｔ　　５ａｔｅ
ｌｌｉｔｅｊｅｌｅｖｉｓｉｏｎ　　ｒｅｃｅｐｔｉｏ
ｎ　”　（特に第２６７頁おにび第１１図）に記載され
ている。ここに開示されている前置増幅器においては、
複数個の１〜ランジスタ（この場合Ｍ　Ｅ　Ｓ　Ｆ　Ｅ
　ｌ−）が、／フルミプより成る絶縁基板上に形成され
た導電パターン」に両接装着されている。これら１−ラ
ンジスタのソース電極は導電パターンに導電的に接続さ
れＣａ３す、この導電パターンは基板中の貫通金属化孔
を経て、基準電位、この場合大地電位に保持されている
基板の反対側に導電的に接続されＣいる。このような構
成の回路装置によれば奇４Ｆ特性（キャパシタンスＪ５
よび自己インダクタンス）を最小に保つが或いは少くど
もこれらを所定の公子間で制御する、。

このような高周波回路装置を製造する場合種々の問題が
生じる。例えば、トランジスタを装着覆る作業がしばし
ば臨界的なものであり、時間を浪費り゛るものとなる。

更に、選択したトランジスタを用いる必要がしばしばあ
り、この場合、この選択の為の追加の測定による装置の
価格の増大以外に、測定公差、損傷、運１般中の破損等
の為に１−ランジスタを廃棄覆る結果セしτ装置の１ｉ
ｔｌｉ格の増大を伴なう。

しかし、例えば、約１２ＧＩＩｚの周波数が用いられて
いる衛星テレビジョンに用いた場合のＪ、うに、特に高
周波におい−Ｃ１主たる問題は、奇（１−のキャパシタ
ンスおよび自己インダクタンスが１ヘランジスタおよび
その周囲素子に対しＲ′［容しうる範囲内に維持される
ようにこれら寄生のキャパシタンスおＪ：び自己インダ
クタンスを制御りる必要があるということにある。

〔発明の開示〕

本発明の目的は、上述した問題を最小にすることにある
。

本発明は、基準電位点が（高周波）トランジスタのすぐ
近くまで延在づるように、半導体装置の一部分を簡単に
設計しうるという事実の認識を基に成したものである。

本発明は、基準電位用の導電パターンと、半導体装置と
が設けられた絶縁基板を有し、特にマイクロ波に適用す
る高周波回路装置にＪ３いて、前記のｌ’　ｊ＃体装置
が第１半導体（、ｆ　Ｍｉｌ＋の第１半導体ボイホを有
し、この第１半導体本体の１表面（こ（３ｊ１．１１ヒ
動回路素子が形成されでいる少くとｂｌつの第２崖導体
本体が設（ノられでおり、前記の第１半導イ本本体には
低Δ−ム抵抗の半導体１ヌ域が設（Ｊｒられており、こ
の半導体区域は少くとも局部的に第１主表面まで延在り
るととムに基ｉ％ｌ、電位用の導電ノ＼ターンに導電的
に接続されているにうに覆ることを１寺徴どりる。

本発明ｔこよれば、基準電位点が第１半ｉ算休本１本を
通る低オーム抵抗半導体区域を経て第２」１イ本本体の
すぐ近くまでいわば延在しつる。

基準電位が大地電）ぜｌである場合には、接続ワイー？
の、或いは例えば砒化ガリウｌＸ電界効果１−ランジス
タを有しうる第２半導体本体の接点の寄生の容準および
自己インダクタンスが司成り減少り、る。

この場合、所望に応じ半導体本体仝休に口ってシ（在せ
しめうる導電ｆ［の高い前記の一′Ｉ′導体区１或ｌ）
＼接地面として作用づる。

この場合、第２半導体本体の一部分く例え【；１′、こ
の第２半導体本体内に形成された１ヘランジスタの接続
接点）を前記の低オーム抵抗半導体区域に直接接続づる
ことが（゛さ、一方、これらの前記一部分は第１」′導
体本体を被覆づる電気絶縁層トにＭＱ＆プられた金属パ
ターンに接続しつる。この電気絶縁層は極めて薄肉に選
択し、この電気絶縁層が誘電体として作用−りるどどし
に、この電気絶縁層が金属パターンの一部分と、電気絶
縁層の１τ側の高導電性半導体区域とで、接地されてい
る二１ンγンリを構成するように覆ることができる。こ
れに対し、絶縁層として厚肉層、例えばガラス層を選択
した場合には、その上側の半導体本体が金属パターンか
らほぼ完全に電気的に絶縁される。従って、金属パター
ンを用いて絶縁層上に自己インダクタンスを形成しつる
。このようにし′Ｃ絶縁層」−に抵抗を形成づることも
できる。

本発明の手段にｊ、れば、第２半導１木本体内に形成さ
れた能動回路素子に対づるのと同様（ここれらの素子ツ
ベてに対し、接地部が第１゛１′導イホ本体内にいわば
延在しＣいるようになる。従って、高周波回路装置やン
イクＹ１波回路装置の’Ｎ造が可成り間中化される。イ
の理由は、１）（１述したり献に記載されているｊ、う
な金属化孔を大部分或いは完全（こ無く（ことがてきる
為である。

能動回路素子を右りる第２半導体本体は、この回路素子
の接続接点の領域にＪ＞　（：Ｊるｌ；Ｊ、　／ｖだイ
」用の球状体くはｌυだイζ」ボール）に、Ｌ　Ｖ）第
１半導体本体士（こ、１−側を十にして装着（いわゆる
ソリツブ−チップ装置）りることがひきる１゜ しかし、第１半導体本体には凹所を設り、この凹所内に
第２半導体木仏を配置りるのが好ましい。

このように覆ること【よ特に、ノリツｆ　チップ装着法
により半導体装置全体を−ＩＩ＞　ｊｚ側を手（こして
絶縁基板−にに装着づる場合に有利である。半導体本体
を他の半導体本体にｄ３　Ｌ：ｊる凹所内に設ＣＪるこ
と自体は米国特許第４１９９．７７７号明細書から既知
である。しかし、この米国ｑ＠　￥Ｆ明細川用開示され
ている構成のものは、第１半導体本体内或いは上に形成
された素子と、凹所内に設（〕られた素子との間の接続
を信頼的なものｔこづろ為のものである。

この米国特ｆｌ明細ｍ　Ｌ、：Ｌ　ａ３イテＬＡ、ｌ［
ｔ−１＼ＪＩＫ　ｌｉ’ｉ　２Ｆ−導体区１或を第１半
導体本体内（こ設（ｊて、！１荷に高周波においで寄生
影響を閉止すること（よｆｌｌ　Ｗ　ｎ己Φ児されてい
ない。

本発明による高周波回路装置に用いる半導体装置におい
ては、前記の半導体装置が第１’ｌｌ浮（４＼＋Ａ籾の
第１半導体本体を右し、この第１　’ｌ′−ｉ９１４．
４＼Ｉ／Ｉ。

の第１主表面には、能動回路素子が形成さｆｔで（汽る
少くとも１つの第２半導体本体が設置Ｊ　’）れて、１
５す、前記の第１半導体本体には更に低、ｔ　−ｊ＼１
氏１ｉＬの半導体区域が設けられており、このごト）９
１本区１或は少くとも局部的に第１主表面まＣ目つこの
第１主表面に平行な第２十表面まで延在し一η（Ｘイ）
Ｊ、うにする。

本発明による高周波回路装置トこ上述しＩこＦｊｊｉ　
（本装置を用いることにＪ：り前述した利点／）ｉ　ｆ
ｔｉらｔしる以外に、この半導体装置自体Ｃ゛多数他の
ｆｌｌ　ｒ：Ｘ　／Ｊ〜得られる。例えば、多数の半導
体装置をＩＩＩ合せて。

高周波回路装置を形成する前に、こ４′ｔら多ネタの２
（′導体装置を予め測定づることかできる。このよう４
１半導体装置は？ｊでに多数の素子を有りる為、これら
素子のアセンブリの高周波作動が予め測定される。この
ような半導体装置は例えば、砒化カリウムより成る金属
−半導体電界効果トランジスタ（Ｍ　Ｅ　Ｓ　Ｆ　Ｅ　
Ｔ　）或いは珪素Ｊ、り成る選択されたバイポーラ１〜
ランジスタを有づるにうにづることができ、キャパシタ
ンスおよび自己インダクタンスは例えば珪素より成る第
１半導体本体内に形成される。このように構成覆ること
により、寄生の干せパシタンスおよび自己インダクタン
スの存在が可成り減少する。

或いはまた、上述した半導体装置が第２半導体本体とし
て１個のみの砒化ガリウノ＼１−ランジスタを有し、例
えば自己支持型の導体（ビームリード）が例えば第１半
導体木体上に設（）られているように覆ることができ、
この場合ｌ・ランジスタのより一層信頼的な高周波測定
が１９られる為、特に高周波パラメータの測定により満
足な１〜ランジスタの選択が可能となる。更に、砒化ガ
リウムトランジスタは直接測定されないという事実の為
に、このトランジスタが１０１具するというｄ３ぞれが
少なくなる。

特に、第１および第２半導体木休の表面をはは同一平面
に位置さぜた場合には、２つの半導体本体−ヒの接続点
間の接続処理がほぼ回一平面で行なわれる為、接続体を
設（）る際に顕微鏡の調整が必要−Ｃなく’、する。

以下図面につぎ本発明を説明づる。

図面は線図的なものであり、その−＜Ｊ法は実際のもの
に比例するものＣはなく、明瞭とする為に特に厚さ方向
の断面刈法を誇張して示した。

また、同じ導電型の半導体区域を一般に同一方向の斜線
を付して示し、種々の例で対応ブる部分には一般に同し
符号をイζＪした。

第１図は本発明高周波回路装置の一例を示し、この高周
波回路装置１は例えばアルミナより成る絶縁基板２と、
スパッタリング或いは蒸着のような一般に知られた技術
によりこの基板２上に１１〔積された金或いはアルミニ
ウムの導電パターン３゜４とを有づる。導電パターンの
部分３には固定の基９１Ｉ−電Ｕ［を与え、この目的の
為に本例ぐは、部分３は大地電位点に接続づる。神々の
半導体装置１０間Ｃ信号を伝送づる為に、金属パターン
の部分４を基板２上に伝送線どじで存在さける。これら
の伝送線は接続ワイ−ｔ７５を経で、半導体装置１０１
−にｊｆｆ積された金属化パターン１７の一部分に導電
的に接続覆る。金属化パターン１７のこれらの部分は、
接続ワイヤ２１を経て第２半導体本ｌＡ３０に接続され
る単一接点面２８を以って構成するか、或いはＪ：り一
層複雑なパターン、本例では特に２つの半導体装置１０
間に直接接触さける自己支持型接続体２２を有づるパタ
ーンを以って構成することができる。

接続ワイ＼２５．２１のずべては、例えば超盲波接着或
いは熱圧着により一般に既知のようにして設（〕ること
ができる。絶縁基（反２の反対側の面上には一般に既知
のＪ、うにして金属層３６が設けられている。

半導体装置１０の可能４ｒ例を第２および３図に示す。

この半導体装置は第１半導体本体１１を具えており、こ
の第１半導体本体１１は主表面１２にあけた凹所１３内
に第２半導体本体３０を有しており１．−こσ）第２半
導体本体３０は例えば電気絶縁性の接着剤（こより凹所
１３の底面上に固着されている。

半導体本体１１は、本例では、固も抵抗を約５ｍΩ−Ｃ
１１とし、厚さを約２５（１４ｚｍとした１１型工↑索
基板２６を有づる。また本例では半導体本体１１が、エ
ピタキシアル成長或いはドーピングにより１５７だｐ型
層２７を有する。

上述したアセンブリは、約１００μｍの深さをイ１する
凹所１３の領域と、約４０μｍの厚ざを有づるカラス層
２３の領域とを除いて例えば酸化珪素のような絶縁材料
の層１５．１（３で被覆される。酸化物層１Ｇは容量性
素子１９（第３図参照）の領域を除いて約１．５μｍの
厚さを有し、この容量性素子のｆｉｎでは約０．３μｍ
の厚さを右Ｊ８薄肉酸化物層１５１ｆｉ誘電体として作
用づる。従って、第１極板としての金属化パターン１７
の一部分１つと、誘電体としての薄肉酸化物１５と、第
２極板としての低オーム抵抗の半導体区域１４とにより
コンテン１ノが形成される。

上記の第２極板は本例では接地される。

更Ｉこ、酸化物層１６十に１３１、例えばニッケルーク
ロムのような抵抗材料より成る抵抗２０が形成される。

本例Ｃは、これらの抵抗の一端が接点孔２４を経て低Ａ
−へ抵抗の半導体区域１４に１と続され、（ｌ！！端が
金属化パターン１７を８￥　１’前記の−」ンデン１１
に接続されている。

抵抗２０以外には、金属化パターン１７を曲がりくねっ
た或いしｊ、らせんの形状に形成することによりガラス
層２３Ｊに自己インダクタン：λ１８（第３図も参照の
口と）が形成されている。

金属化パターン１７の一部分は多数の点で゛接続ソイ１
フ２１にＪ：り相Ｈ接続されている。金属化パターン１
７の一部分はまた、同様な接続ソイ１７２１により接点
面３１．３２および３３に接続されており、これら接点
面は第２半導イホ木休３０内の能動素子に接触している
。本例では、この能動素子は砒化ガリウム金属電界効果
１−ランジスタ（νＩ　Ｉ−８ＦＦ　Ｔ　）を以って構
成されおり、半絶縁基板３５上に成長された活＋１層３
４を有している。半導体本体３０は電気絶縁性の接着剤
により凹所１３の底面に固沿され−Ｃいる。

金属化接点面３１．３２ａｊよび３３はソース、グー１
−およびドレイン接点どしてそれぞれ１′［用リ−る。

第１半導体本体１１には更に、接地面と満犀に接触させ
る為の金属化層２５が設（〕られている、１第２および
３図に示゛り半導体装置の電気回路配置を第４図に線図
的に示１’　、　Ｍ’Ｅ　３　Ｆ　Ｅ　Ｔ　３０ｔ、Ｌ
ソース接続体３１を右し、このソース接続体は：１−ト
パシタンス（コンデン＋Ｊ）１９と抵抗２０との並列接
続体を経Ｃ接地されＣいる。グー］・電極３２は抵抗２
０および自己インダクタンス１８を紅で制御される。

第２図の平面図から明らかなＪ、うに、この制御は、金
属化接点の領域で金属化パターン１７の一部分に接触す
る接続ソイ＼アＦ５を経て行なわれる。第４図の回路配
量の素子間の他の接続体は接続−ソイ＼７２１或いは金
属化パターン１７を以って構成されている。

金属化層２５を経て大地電位の導電パターン３に接続さ
れている（＋、、（７−ム抵抗の半導体区域１４．２６
が存在する為に、接地面は半導体本１ホ１０内にいわば
延在しＣａ３す、このことは半導体装置を高周波に適用
づるのに特に有利どなることである。更に、接続ソイレ
は極めて９．ｉ７　＜　、ｔｌつＩｉいにほぼ同じ長さ
とすることができるという事実の為に、これら接続ソイ
”１７は寄（１−特性を殆んど変化μしめ＜Ｚい。

第５．６おにび７図の半ン♀体装首１０は、大きさが１
　ｘ　１　ｍｎｒＣ厚さが約２　Ｉｉ　０μＩｎの月素
より成る半導体本体１１を有する。この半う９体本体１
１は、固有抵抗が約５１１Ω−ｃｍのイｌ＆　′Ａ−１
＼抵抗１１型基板２６を何し、この上に高オーム抵抗（
１）型或いは］１型）−■ビタキシアル層２７が成長さ
れ−Ｃいる。この珪素本体１１内に、大きさが約５００
ｘ　４００μｍで深さが約１００μｍの凹所１３が形成
されでいる。この凹所内には同様に約１００μｍの厚さ
を有づる金属−砒化ガリウム電界効果トランジスタ（Ｍ
　Ｅ　Ｓ　Ｆ　ＩＥ　１’　）がｆｉ’、１着されてい
る。この電界効果ｌ−ランジスタ３゜には、ソース、グ
ー１へおよびドレイン接点のそれぞれに対づ−る接点面
３１．３２および３３が設けられている。ソース接点面
３１は接続ソイ（７２１を経て金属化パターン１７の一
部分に３＃電的に接続されておりく第６図参照）、この
金属化パターン１７は本例の間合第１半導体本体１１の
主表面１２１−に直接設けられでおり］」つ低Ａ−ム抵
抗半導体Ｉヌ域１４（こＪＲＭａｌ！　しており、この
半導体区域１４は金属化１＜ターン１７の領域では主表
面１２Ｊ、て延（１しくいる。従つＣ１゛ノ一ス接点面
は接続ソイ１７２１、金属化ｌ＜ターン１７、半導体区
域１４おＪ：び基板２６より成る低７１−　Ｉｓ　Ｊｌ
（Ｊ７’ｊ電流通路を紅で半導体本体１１の手側面トσ
）金ｍ＜（し接点２５１Ｃｉｉ！ｊ接接続されている。

従ってこの′ような構造のものは、半導体本体１１の下
側面が（伺え（ま（よｌυだ付にＪ：り接地面子に装着
され、ソースト１或力へ接地されている回路構成に用い
るの（こ特に）産し−Ｃいる。その他の参照符号は前述
した例（こお（〕るのと同じ意味を有するものである。

自己支１寺ハツの１妄続休２２．１７は接続ソイ１７２
１を経て電界効果ｌ・ランジスタ３０のグー１〜接点面
３２およびドレイン１岐点面３３に導電的に接続されて
いる。

このような構成のちのを用いると、１ｕｕ本２２゜２５
の１法が比較的大きいという事実の為（こ、予Ｍ＃的な
測定（および１〜ランジスタの選択）を、句ｔ（ヒガリ
ウム電界効床トランジスタの接ｙｊｊ面３１．３２゜３
３上で直接行なう場合よりちＪ、リ−ＩＭ（，４頼１１
９Ｉこ（ｊなうこと＝ができる。従って、１員１１．ｉ
のおそれも可成り減少りる。。

ソース１区域を接地しない）１４成のものに適用りる場
合、ソース接点をゲートＪ′３よび１〜レイン接点と同
様に自己支持型接続体に接続りることができる。

このＪ、うな構成のらのでは、例えば第１半導体本体１
１を単一の（Ｉ（Ａ　’　ｌ、抵抗基板２６を以・）τ
構成づることにより、接地面が表面１２のイ；１ｙｉに
持たらされるＪ：う（ごηることがＣさる。これにより
、一般的に信号ラインの一部分を形成する接続体２２が
接地レベルに極めて接近して沿うように位置し、従って
、半導体装置が（特にマイクロ波に対し＞　ｓ！め（満
足な高周波時↑（１を呈づ−るＪ、うになる。これと同
様な利点は第２〜４図の装置やその変形例に対しても得
られること勿論である。

本発明は−Ｌ述した例のみに限定されず、幾多の変更を
加えうろこと勿論である。例えば、接点接続は必ずしも
自己支持型接続体２２（ｔＬＪ、び接続ソイ（７５を経
で行なう必要は１．′Ｋ＜、第１半導体本体にはんだイ
；１用の球状体を股（ノ、これによりノリップーヂッ１
の」、うに裏返し装着を行’ｔ−ＬいうるＪ、うにづる
こともできる。この場合、金属化層２りを所望に応じ省
略することができる。珪素半導体本体１１は前述した受
動素子の形成にのみ用いられるものではなく、例えば回
路保護の為のショツ１〜！−ダイオード等のような能動
素子を形成する為にも用いることができること勿論であ
る。更に、本発明による回路装置自体は、支持体の反対
側の面上の接地面を、本発明による装置がはんだイ］り
されＣいる接点面に導電的に接続づることにより、マで
クロ波回路のような一層大型のアセンブリ内に組込むこ
とができる。この場合、個別の回路素子を有゛りる構成
のものに対しでは、金属化孔の個数が著しく減少する。

第２〜４図の回路構成においても、例えば第２図に線図
的に示すように他の抵抗素子２０′　を追加覆るような
種々の変形を行なうことができる。更に、伯の半導体材
料や接続方法を用い、ることができること勿論である。

また、同一の凹所内に、或いは異なる凹所内に数個の１
−ランジスタを配置することＬ）できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にＪζる高周波回路装置を線図的に承り
斜視図、 第２図はこのような高周波回路装置（Ｊ用いる半導体装
置を線図的に示す平面図、 第３図は第２図の■−■線１．を断面とし矢の方向に見
た断面図、 第１図は第２おＪ、び３図に承り半導体装置内に形成し
た回路装置の等１ＩＩＩｉ電気回路図、第５図は本発明
による高周波回路装置に用いる他の半導体装置を線図的
に承り斜視図、第６図は第５図のＶｌ　−Ｖｌ線Ｊ−を
断面として矢の方向に一見た断面図、 第７図は第５図のｖｍ　−ｖｕ線上を断面とし矢の方向
に児た断面図である。 １・・・高周波回路装置　２・・・絶縁基板３．４・・
・導電パターン ５．２１・・・接続ソイＡ７１０・・・半導体装置１１
・・・第１半導体本体　１２・・・主表面１３・・・凹
所 １４・・・低オーム抵抗半導体区域 １５、１６・・・酸化物層　　１７・・・金属化パター
ン１８・・・自己インダクタンス １９・・・１７の一部分　　　２０・・・抵抗２２・・
・自己支持型接続体 ２３・・・ガラス層　　　　２５・・・金属化層（金属
化１η点）２６・・・］１型珪素基板　　２１・・・１
）型層３０・・・第２半導体本体　３１．３２．３３・
・・接点面３４・・・活性層　　　　　３５・・・ジー
絶縁基板３Ｇ・・・金属層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基準電位用の導電パターンと、半導体装置どが設（
   ）られた絶縁基板をイｊし、特にマイクロ波に適用Ｊる
   高周波回路装置において、ｉｉη記の半導体装置が第１
   半導体祠石の第１半導体本体を有し、この第１半導体本
   体の主表面には、能動回路素子が形成されている少くと
   も１つの第２半導体本体が設番プられており、前記の第
   １半導体木イホには低オーム抵抗の半導体区域が設りら
   れており、この半導体区域（Ｊ少くとも局部的に前記の
   主表面まで延在するとともに基準電位用の導電パターン
   に導電的に接続されていることを特徴どりる高周波回路
   装置。 ２、特許請求の範囲１記載の高周波回路装置において、
   前記の第１半導体本体が凹所を有し、この凹所内に前記
   の第２半脣休本体が配置されているようにしたことを特
   徴どづる高周波回路装置。 ３、特許請求の範囲１または２に記載の高周波回路装置
   において、前記の第２半導体装置が前記の第１半導体材
   料とは異４ｆる第２半導体材石を以って構成されている
   ことを特徴どりる高周波回路装置。 ４、特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載の高周
   波回路装置において、前記の低オーム抵抗の半導体区域
   が前記の第１半導体本体のほぼ全体を右するようにした
   ことを特徴とする高周波回路装置。 ５、特許請求の範囲１〜４のいずれか１つに記載の高周
   波回路装置において、前記の低オーム抵抗の半導体区域
   が多くとも０．０５Ω−ａｎの固有抵抗を有づるように
   したことを特徴どする高周波回路装置。 ６、特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の高周
   波回路装置におい−Ｃ１前記のＩＬ（オーム抵抗半導体
   区域が、第１半導体本体の主表面の領域で、第２半導体
   本体内に形成された回路素子の接続体に導電７的に接続
   されていることを特徴とづる高周波回路装置。 ７、特許請求の範囲１〜６のいずれか１つに記載の高周
   波回路装置において、第２半導体本体内に形成された回
   路素子が、第１半導体本体を被覆づる絶縁材１ｒ３＋の
   層」−に設けられた金属パターンの少くどら一部分に導
   電的に接続されていること４特徴と覆る高周波回路装置
   。 ８、特許請求の範囲７記載の高周波回路装置に４３いて
   、金属パターンと、その下側の誘電体どしての絶縁材″
   ＡすＩの層と、その−Ｆ側の第１　Ｆ１４導体本体の部
   分とを以ってコンデンサが形成されていることを特徴と
   する高周波回路装置。 ９、特許請求の範囲７記載の高周波回路装置において、
   金属パターンが曲が一つくねった形状或いはらせん形状
   となっていることを特徴とげる高周波回路装置。 １０、特許請求の範囲７記載の高周波回路装置において
   、前記の金属パターンが２つの接続領域を有し、これら
   接続領域間に抵抗層が配置されていることを特徴とする
   高周波回路！ｌ置。 １１、特許請求の範囲７記戦の高周波回路装置にＪ５い
   て、前記の金属パターンの一部分が第１半導体本体の周
   縁を越える自己支持型導体どして延右していることを特
   徴とする高周波回路装置。 １２、特許請求の範囲９〜１１のい一す゛れか１つに記
   載の高周波回路装置にｄ３いて、前記の金属パターンは
   、厚さが多くとち１１００ｚｚのガラス層により前記の
   第１半導体本体から局部的に絶縁されていることを特徴
   どりる高周波回路装置。 １３、高周波回路装置に用いる半導体！！Ｉｎにおいて
   、前記の半導体装置が第１半導体材料の第１半導体本体
   を右し、この第１半導体本体の主表面には、能動回路素
   子が形成されている少くとも１つの第２半導体本体が設
   【プられており、前記の第１半導体本体には更に低オー
   ム抵抗の半導体区域が設けられており、この半導イホ区
   域は少くども局部的に第１主表面まで１１．７）この第
   １主表面に平行な第２二に表面よ−Ｃ延在していること
   を特徴とりる半導体装置。 １４、特許請求の範囲１３記載の半導体装置におい−（
   、前記の第１半導体本１ホにはその第２主表面で金属化
   接点が設（〕られ（いることを特徴ど８する半導体装置
   。 １５、特許請求の範囲１３ま７ｊ　ｆ、ｌ：　１４に記
   載の半導体装置において、前記の第１半導体本１本が凹
   所を有し、この凹所内に前記の柄２半導体本体が、配置
   されているようにしたことを特徴と覆る半導体装置。 １Ｇ、ｑＪ訂請求の範囲１３〜１にのいずれか１つに記
   載の半導体装置におい、で、前記の第２半導体装置が前
   記の第１半導体材料とは異４Ｔる第２半導体材わ１を以
   って構成されていることを特ｉ牧とする半導体装置。 １７、特許請求の範囲１３〜１６のいずれか１つに記載
   の半導体装置において、前記の低オーム抵抗の半導体区
   域が前記の第１半導体本体のほぼ仝休を右りるようにし
   たことをＶ！ｉ　微と覆る半導体装置。 １８、特許請求の範囲１３へ・１７のいずれか１つに記
   載の半導体装置においＣ１前記の低オーム抵抗の半導体
   区域が多くとも０．０５０−　Ｃｍの固有抵抗を有する
   ようにしたことを特徴とづる半導体装置。 １９、特許請求の範囲１３・〜１８のいずれか１つ（Ｊ
   記載の半導体装置においで、前記の低オーム抵抗半導体
   区域が、第１２１′導体本体の第１１−表面の領域で、
   第２半導体本体内に形成された回路素子の接続体に導電
   的に接続され−Ｃいることを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲１３〜１９のいずれか１つに記載の
   半導体装置において、第２　’Ｉ’＝導体本体内に形成
   された回路素子が、第１半導体本体を被覆づる絶縁材料
   の層上に設（］られた金属パターンの少くとも一部分に
   導電的に接続され　・ていることを特徴と覆る半導体装
   置。 ２、特許請求の範囲２０記載の半導体装■において、金
   属パターンと、ぞの下側の誘電体どしての絶縁材料の層
   と、その下側の第１半導体本体の部分とを以−）で二１
   ンアンリが形成されていることを特徴とする゛［′−導
   体装置。 ２、特許請求の範囲２０記載の半導体装置において、金
   属パターンが曲がりくねった形状或いはらＵ／υ形状ど
   なっていることを特徴とり−る半導体装置。 ２３、ｑｊｊ訂請求の範囲２０記載の？Ｖ導体装■にお
   いＣ１前記の金属パターンが２つの接続領域をイラし、
   これら接続領域間に抵抗層が配置されＣいることを特徴
   とする半導体装置。 ２４．４Ｆｉ許請求の範囲２０記載の半導体装置にＪ３
   いＣ１前記の金属パターンの一部分が第１半導体本体の
   周縁を越える自己支持型導体として延在していることを
   特徴とでる半導体装置。 ２、特許請求の範囲２２〜２４のいずれか１つに記載の
   半導体装置において、前記の金属パターンは、厚さが多
   くどら１００μｍのガラス層により前記の第１半導体本
   体から局部的に絶縁されていることを特′６シと覆る半
   導体装置５゜２、特許請求の範囲１３〜２５のいずれか
   １゛つに記載の半導体装置において、第１半導体木捧が
   珪素より成り、第２半導体本体が■−Ｖ族化合物より成
   っていることを特徴と覆゛る半導体装置。