JPS5943818B2 - 半導体基体への不純物の拡散方法 - Google Patents
半導体基体への不純物の拡散方法Info
- Publication number
- JPS5943818B2 JPS5943818B2 JP8095377A JP8095377A JPS5943818B2 JP S5943818 B2 JPS5943818 B2 JP S5943818B2 JP 8095377 A JP8095377 A JP 8095377A JP 8095377 A JP8095377 A JP 8095377A JP S5943818 B2 JPS5943818 B2 JP S5943818B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- layer
- diffusion
- semiconductor substrate
- impurity
- Prior art date
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- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体基体への不純物のアルミニウムの拡散
方法に関する。
方法に関する。
半導体装置の基板としてきわめて広く用いられるシリコ
ン基板、シリコン基板に成長形成したエピタキシャル層
等にアルミニウムの如き不純物を拡散する場合、前記の
表面にアルミニウム、またはアルミニウム−シリコン合
金を蒸着して直接拡散導入する方法、またアルミニウム
、またはアルミニウム−シリコン合金の拡散源より間接
に拡散導入する方法等がある０．１、記のうち直接に拡
散を行なう方法によると、拡散層における表層の濃度は
所望の如く充分高くとれるが、シリコン基板の表面の阻
面化（荒れ）、形成される接合面に凹凸生成等により素
子特性のバラツキの原因となる欠点がある。
ン基板、シリコン基板に成長形成したエピタキシャル層
等にアルミニウムの如き不純物を拡散する場合、前記の
表面にアルミニウム、またはアルミニウム−シリコン合
金を蒸着して直接拡散導入する方法、またアルミニウム
、またはアルミニウム−シリコン合金の拡散源より間接
に拡散導入する方法等がある０．１、記のうち直接に拡
散を行なう方法によると、拡散層における表層の濃度は
所望の如く充分高くとれるが、シリコン基板の表面の阻
面化（荒れ）、形成される接合面に凹凸生成等により素
子特性のバラツキの原因となる欠点がある。
次の間接に拡散を行なう方法によると上記直接拡散にみ
られる如き基板表面の阻面化、接合面の凹凸は生じない
が、拡散層の表面の濃度を所望に大きくとれないという
欠点がある。この発明は上記従来の半導体基体に対する
不純物の拡散方法の欠点を改良するための改良された拡
散方法を提供するものである。この発明にかかる半導体
基体への不純物のアルミニウムの拡散方法は、半導体基
体に拡散不純物のアルミニウムを稀釈するための稀釈材
層、アルミニウムでなる拡散不純物層、アルミニウムに
対する酸化防止層の各層を上記の順に積層して被着した
のち、加熱を施して上記拡散不純物のアルミニウム半導
体基体に拡散導入することを特徴とする。
られる如き基板表面の阻面化、接合面の凹凸は生じない
が、拡散層の表面の濃度を所望に大きくとれないという
欠点がある。この発明は上記従来の半導体基体に対する
不純物の拡散方法の欠点を改良するための改良された拡
散方法を提供するものである。この発明にかかる半導体
基体への不純物のアルミニウムの拡散方法は、半導体基
体に拡散不純物のアルミニウムを稀釈するための稀釈材
層、アルミニウムでなる拡散不純物層、アルミニウムに
対する酸化防止層の各層を上記の順に積層して被着した
のち、加熱を施して上記拡散不純物のアルミニウム半導
体基体に拡散導入することを特徴とする。
次に本発明を一実施例の拡散方法につき詳細に説明する
。
。
一例のシリコン基板にアルミニウムを拡散するにあたつ
て、図に示す如くシリコン基板１のｌ主面にスパッタリ
ング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、エレクトロンビーム
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ）蒸着法等によつて第１の
無定形シリコン層（ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉ）２、アル
ミニウム層３、第２の無定形シリコン層１２をこの順に
積層被着する。こゝにアルミニウム層の層厚はシリコン
基板中に拡散されるアルミニウム量によつてきまるもの
であり、さらにアルミニウムの層厚によつて第１および
第２の無定形シリコン層の層厚もきまる。たとえばシリ
コン基板１に３Ｘ１０１６／Ｃｒｉｉのアルミニウムを
拡散する場合、１２５０℃でアルミニウム層３は５Ｘ１
０１８／Ｃｒｉｔｌ厚さ約０．１μに形成し、第１およ
び第２の無定形シリコン層の層厚はいずれも０．５μに
形成して好適した。また上記拡散方法は開管法でも封管
法でもよく、拡散雰囲気はＮ２または不活性ガスがよく
、０２ないし酸化性雰囲気は不適である。本発明によれ
ば無定形シリコン層２はアルミニウムが直接シリコン基
板に触れるのを防ぎ、シリコン基板にアルミニウムが到
達するまでに均一に濃度を下げる媒体となる。
て、図に示す如くシリコン基板１のｌ主面にスパッタリ
ング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、エレクトロンビーム
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ）蒸着法等によつて第１の
無定形シリコン層（ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉ）２、アル
ミニウム層３、第２の無定形シリコン層１２をこの順に
積層被着する。こゝにアルミニウム層の層厚はシリコン
基板中に拡散されるアルミニウム量によつてきまるもの
であり、さらにアルミニウムの層厚によつて第１および
第２の無定形シリコン層の層厚もきまる。たとえばシリ
コン基板１に３Ｘ１０１６／Ｃｒｉｉのアルミニウムを
拡散する場合、１２５０℃でアルミニウム層３は５Ｘ１
０１８／Ｃｒｉｔｌ厚さ約０．１μに形成し、第１およ
び第２の無定形シリコン層の層厚はいずれも０．５μに
形成して好適した。また上記拡散方法は開管法でも封管
法でもよく、拡散雰囲気はＮ２または不活性ガスがよく
、０２ないし酸化性雰囲気は不適である。本発明によれ
ば無定形シリコン層２はアルミニウムが直接シリコン基
板に触れるのを防ぎ、シリコン基板にアルミニウムが到
達するまでに均一に濃度を下げる媒体となる。
したがつてシリコン基板表面の荒れ、接合面の凹凸をな
くすことができると同時にアルミニウムソースの量をコ
ントロールしやすいので製品の「ばらつき」も少なくで
きる。このため素子の特性が向上し信頼性が高くなるな
どの顕著な利点がある。また本発明は実施がきわめて容
易であるという工業生産上の利点もある。なお本発明は
上記実施例に限定されるものでなく、シリコン以外の半
導体に、アルミニウム以外の固体拡散源による拡散を施
す場合に広く適用できる。
くすことができると同時にアルミニウムソースの量をコ
ントロールしやすいので製品の「ばらつき」も少なくで
きる。このため素子の特性が向上し信頼性が高くなるな
どの顕著な利点がある。また本発明は実施がきわめて容
易であるという工業生産上の利点もある。なお本発明は
上記実施例に限定されるものでなく、シリコン以外の半
導体に、アルミニウム以外の固体拡散源による拡散を施
す場合に広く適用できる。
図はこの発明の実施例の拡散方法を説明するための断面
図である。 １・・・・・・シリコン基板（半導体基体）、２・・・
・・・第１の無定形シリコン層（拡散不純物の稀釈材層
）、３・・・・・・アルミニウム層（拡散不純物層）、
１２・・・・・・第２の無定形シリコン層（酸化防止材
層）。
図である。 １・・・・・・シリコン基板（半導体基体）、２・・・
・・・第１の無定形シリコン層（拡散不純物の稀釈材層
）、３・・・・・・アルミニウム層（拡散不純物層）、
１２・・・・・・第２の無定形シリコン層（酸化防止材
層）。
Claims (1)
- １ 半導体基体に拡散不純物のアルミニウムに対する稀
釈材層、アルミニウムでなる拡散不純物層、前記拡散不
純物に対する酸化防止層の各層を前記の順に積層して被
着したのち、加熱を施して前記アルミニウム半導体基体
に拡散導入することを特徴とする半導体基体への不純物
の拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095377A JPS5943818B2 (ja) | 1977-07-08 | 1977-07-08 | 半導体基体への不純物の拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095377A JPS5943818B2 (ja) | 1977-07-08 | 1977-07-08 | 半導体基体への不純物の拡散方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5416976A JPS5416976A (en) | 1979-02-07 |
| JPS5943818B2 true JPS5943818B2 (ja) | 1984-10-24 |
Family
ID=13732861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8095377A Expired JPS5943818B2 (ja) | 1977-07-08 | 1977-07-08 | 半導体基体への不純物の拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943818B2 (ja) |
-
1977
- 1977-07-08 JP JP8095377A patent/JPS5943818B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5416976A (en) | 1979-02-07 |
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