JPS5943866A - 蒸着方法 - Google Patents

蒸着方法

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JPS5943866A
JPS5943866A JP57154231A JP15423182A JPS5943866A JP S5943866 A JPS5943866 A JP S5943866A JP 57154231 A JP57154231 A JP 57154231A JP 15423182 A JP15423182 A JP 15423182A JP S5943866 A JPS5943866 A JP S5943866A
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JP
Japan
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vapor deposition
vapor
alloy
content
tellurium
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JP57154231A
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English (en)
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Akira Nishiwaki
彰 西脇
Hiroyuki Moriguchi
博行 森口
Hiroyuki Nomori
野守 弘之
Kunio Ito
国雄 伊藤
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蒸着方法に関し、例えば電子写真又は光電変換
素子等の感光体膜を作成するのに好適な蒸着方法に関す
るものである。
従来、電子写真用の感光体として、セレンにテルル含有
量L rcセレン−テルル合金(Se−Te)からなる
感光体が知られている。この5e−Te感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。こうした感光体には、テルル濃度が比穎的低くてほ
ぼ一定の領域(例えば電荷輸送層二以下、CTLと略す
。)を具備せしめることが必要な場合がある。即ち、そ
うしたテルル濃度プロファイルによって、残留電位やキ
ャリアのトラップ準位の少ないものが44られるからで
ある。
テルル濃度を一定にするために、既に各種の方法が提案
されているが、いずれも満足すべきものとは言えない。
例え目;、蒸発月料を大量に仕込み、表面側の薄い溶融
層の表面から部分蒸発させる方法があるが、これでは蒸
発率が小さくて、一定の膜厚の蒸着膜を得るのに大量の
原料を使用せざるを得す、蒸発源のサイズが大きくなシ
、かつコスト高ともなる。塘た、別々に配した異種材料
を複数の蒸発源から各蒸気を生せしめ、これらを蒸気相
で混合する方法では、蒸気の混合を充分に行なえず、し
かも混合の不均一さによって得られた蒸着膜に濃度ムシ
が生じ易い。更に、合金ワイヤを蒸発用ブロックを介し
て溶融、蒸発させるフラッシュ蒸発法もあるが、5μm
以上の膜を蒸着するときに蒸発が不安定となシ、かつチ
ャンバー内に各秤部材を配置せねばならず、構造が複雑
化する。
本発明は、上記した如き従来法の欠陥を解消し、簡略、
低コストにして濃度が均一な蒸着膜を安定に得る方法を
提案すべくなされたものであって、合金からなる蒸発材
料を蒸発せしめて被蒸着基体上に蒸着させるに際し、前
記合金の成分元素間の比揮発度が0.9〜1.1となる
ような条件下で蒸着することを特徴とする蒸着方法に係
るものである。
本発明によれば、蒸発材料としての合金の成分元素間の
比揮発度が0.9〜1.1となるようにしているので、
合金の組成比と実質的に同一の組成比の蒸気を生ぜしめ
ることができ、従って基体上に堆積する蒸着膜の組成比
をほぼ一定にすることができる。この結果、例えばテル
ル濃度が低くてほぼ一定の蒸着膜を製膜でき、上述した
如き5e−Te感光体として優れた特性を示すものを作
成できるのである。しかも、比揮発度をコントロールす
るのみでよいから、既述した従来法に比べ、蒸着槽(チ
ャンバー)内の構造が簡略化され、使用原料が少なくて
済むと共に、蒸気組成が常に安定となシ、蒸着膜の濃度
分布が均一となる。
本発明による方法においては、上記合金の各成分元素間
の蒸着温度における蒸気圧比を1〇二1(好ましくは5
00 : 1 )以上(但、各元素が純粋な状態での蒸
気圧の比)とするのがよい。また、合金の成分元素のう
ち1.h#)低い蒸気圧を示す元素の含有量を7重量%
以下(好ましくは5.5重量%以下)とすることが望ま
しい。
使用可能な合金としては、実質的にセレン及びテルルか
らなるものをはじめ、セレン−イオウ、鉄−ニッケル、
臭化銀−ヨウ素等の如き他の合金も使用してよい。
また、本発明の方法で作成される感光体膜は、その膜厚
方向において、少なくとも10μmの長さに亘る部分で
のテルル含有量の変動が含有率にして0.5%以内とな
るように蒸着するのがよい。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
第1図には、本発明による方法を実施する蒸着装置の一
例が示されている。
この蒸着装置では、ペルジャー(図示せず)内に蒸発源
5とこれに対向した被蒸着用ドラム6とが配される。蒸
発源5はいわゆるクヌードセンセル型に構成され、容器
7内にTe濃度が7重量%以下、例えば5重量部の第1
の5e−Tc蒸発材料8と、Te濃度が例えば22.5
重量部の第2の5e−Te蒸発材料9とを収容1.てい
る。これらの蒸発材料上にはヒーター1.0.11が夫
々間され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器7上部の
開口12から制御されながらドラム6に向って飛翔する
ようになされている。
ここで注目すべきことは、上記蒸発材料80合金が7重
量−以下と低濃度にテルルを含有していることである。
本来、純粋なセレンとテルルとでは、蒸気圧比が500
 : 1であってセレンの方がはるかに蒸発し易い。と
ころが、上記の如き合金組成にすれば、合金(融液)の
組成、即ち例えばSe : Te= 95 : 5とほ
ぼ同じ組成の蒸気が生じることが見出された。換言すれ
ば、テルル濃度が上記の低濃度の場合、セレンとテルル
との比揮発度が0.9〜1,1、特に実質的に1.0と
なるので、得られた蒸着膜中のテルル含有量はほぼ一定
と々リ、目的とする濃度プロファイルが得られる。
第2図には、上記の方法で得られた感光体が示されてい
るが、アルミニウム等の導電性支持基板6上に、Te含
有量が3〜7重量%、例えば5重量%で厚さ加μm以上
の8e−Teからなる電荷輸送層CTL2と、Te含有
量が10〜20重量%で厚さ2〜5μmの5e−Teか
らなる電荷(光キャリア)発生層CGL3とが設けられ
る。CTL2は、上記の蒸発材料8の蒸着で、CGL3
は上記の蒸発材料9の蒸着で製膜されたものである。
蒸着操作の具体例を示すと、M基体6を70℃に保持し
、第1の蒸発材料8としてTe濃度が5チの5e−Te
合金300g、第2の蒸発材料9としてTe濃度が22
.5%の5e−Te合金200gを用いた。まず、第1
の蒸発材料を2900Gに40分間加熱してCTL2を
形成した後、100℃まで冷却した。
しかる後、第2の蒸発源9を300℃に昇温し、10分
間蒸着を行ない、CTLの表面にCGLを形成した。得
られた感光体のTe濃度プロファイルを第3図に示した
これによれば、本発明に従って形成されだCTL2は5
%程度とほぼ一定のテルル濃度を有しているから、感光
体として残留電位が少なくかつトラップ準位の少ないも
のが得られる。CGL3の方は高テルル濃度であるから
、光感度が良好なものとなる。
なお、上記した如く比揮発度を実質的に1.0とするに
は、蒸発材料の合金組成としてテルル濃度が低いもの(
特VC7重量%以下)を選ぶべきである。この比揮発度
は、原子吸光モニタ(日本真空技術■製)によシ蒸気濃
度を計ることによシ測定できる。また、蒸発材料の加熱
温度は高めにする方が、比揮発度=1.0にできる合金
組成範囲をよシ広くできる傾向があるから、特に250
℃以上とするのが望ましい。ペルジャー内の真空度は一
般に1O−3Torr以上と高真空にするのがよい。
また、第3図に破線で示す如くに、テルル濃度が596
の領域を更に延ばすようにしてよい。この場合には、上
記の第1の蒸発材料8のみを蒸発させる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、使用する合金はS e −T cに限らず、ε
(e−8,Fe−Ni%AgBr−I等でアッテよいし
、本発明における比揮発度に設定できる合金組成も種々
選択できる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は真
空蒸虐装置の要部概略図、 第2図は得られた感光体の断面図、 第3図はその71.1et6i度プロファイルを示す図
である。 なお、図面に示し、だ符号において、 2・・・・・・・・・C’l’L(電荷輸送層)3・・
・・・・・・・CGL(電荷発生層)5・・・・・・・
・・蒸発源 6・・・・・・・・・基体 8.9・・・・・・蒸発材料 10、11・・・・・・ヒーター である。 382 9 −

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 10合金からなる蒸発材料を蒸発せしめて被蒸着基体上
    に蒸着させるに際し、前記合金の成分元素間の比揮発度
    が0.9〜1.1となるような条件下で蒸着することを
    特徴とする蒸着方法。 2、合金の各成分元素間の蒸着温度における蒸気圧比を
    10:1以上とする、特許請求の範囲の第1項に記載し
    た方法。 30.蒸気圧比を500 : 1以上とする、特許請求
    の範囲の第2項に記載した方法。 4、合金の成分元素のうち、より低い蒸気圧を示す元素
    の含有量を7重量%以下とする、特許請求の範囲の第1
    項〜第3項のいずれか1項に記載した方法。 5、低蒸気圧の元素の含有量を5.5重量%以下とする
    、特許請求の範囲の第4項に記載した方法。 6、合金として、実質的にセレン及びテルルからなるも
    のを特徴する特許請求の範囲の第1項〜第5項のいずれ
    か1項に記載した方法。 7、蒸着によって形成される蒸着膜の膜厚方向において
    、少なくとも10μmの長さに亘る部分でのテルル含有
    量の変動が含有率にして0.5%以内である感光体膜を
    特徴する特許請求の範囲の第6項に記載した方法。
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