JPS5943866A - 蒸着方法 - Google Patents
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- JPS5943866A JPS5943866A JP57154231A JP15423182A JPS5943866A JP S5943866 A JPS5943866 A JP S5943866A JP 57154231 A JP57154231 A JP 57154231A JP 15423182 A JP15423182 A JP 15423182A JP S5943866 A JPS5943866 A JP S5943866A
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Classifications
-
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着方法に関し、例えば電子写真又は光電変換
素子等の感光体膜を作成するのに好適な蒸着方法に関す
るものである。
素子等の感光体膜を作成するのに好適な蒸着方法に関す
るものである。
従来、電子写真用の感光体として、セレンにテルル含有
量L rcセレン−テルル合金(Se−Te)からなる
感光体が知られている。この5e−Te感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。こうした感光体には、テルル濃度が比穎的低くてほ
ぼ一定の領域(例えば電荷輸送層二以下、CTLと略す
。)を具備せしめることが必要な場合がある。即ち、そ
うしたテルル濃度プロファイルによって、残留電位やキ
ャリアのトラップ準位の少ないものが44られるからで
ある。
量L rcセレン−テルル合金(Se−Te)からなる
感光体が知られている。この5e−Te感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。こうした感光体には、テルル濃度が比穎的低くてほ
ぼ一定の領域(例えば電荷輸送層二以下、CTLと略す
。)を具備せしめることが必要な場合がある。即ち、そ
うしたテルル濃度プロファイルによって、残留電位やキ
ャリアのトラップ準位の少ないものが44られるからで
ある。
テルル濃度を一定にするために、既に各種の方法が提案
されているが、いずれも満足すべきものとは言えない。
されているが、いずれも満足すべきものとは言えない。
例え目;、蒸発月料を大量に仕込み、表面側の薄い溶融
層の表面から部分蒸発させる方法があるが、これでは蒸
発率が小さくて、一定の膜厚の蒸着膜を得るのに大量の
原料を使用せざるを得す、蒸発源のサイズが大きくなシ
、かつコスト高ともなる。塘た、別々に配した異種材料
を複数の蒸発源から各蒸気を生せしめ、これらを蒸気相
で混合する方法では、蒸気の混合を充分に行なえず、し
かも混合の不均一さによって得られた蒸着膜に濃度ムシ
が生じ易い。更に、合金ワイヤを蒸発用ブロックを介し
て溶融、蒸発させるフラッシュ蒸発法もあるが、5μm
以上の膜を蒸着するときに蒸発が不安定となシ、かつチ
ャンバー内に各秤部材を配置せねばならず、構造が複雑
化する。
層の表面から部分蒸発させる方法があるが、これでは蒸
発率が小さくて、一定の膜厚の蒸着膜を得るのに大量の
原料を使用せざるを得す、蒸発源のサイズが大きくなシ
、かつコスト高ともなる。塘た、別々に配した異種材料
を複数の蒸発源から各蒸気を生せしめ、これらを蒸気相
で混合する方法では、蒸気の混合を充分に行なえず、し
かも混合の不均一さによって得られた蒸着膜に濃度ムシ
が生じ易い。更に、合金ワイヤを蒸発用ブロックを介し
て溶融、蒸発させるフラッシュ蒸発法もあるが、5μm
以上の膜を蒸着するときに蒸発が不安定となシ、かつチ
ャンバー内に各秤部材を配置せねばならず、構造が複雑
化する。
本発明は、上記した如き従来法の欠陥を解消し、簡略、
低コストにして濃度が均一な蒸着膜を安定に得る方法を
提案すべくなされたものであって、合金からなる蒸発材
料を蒸発せしめて被蒸着基体上に蒸着させるに際し、前
記合金の成分元素間の比揮発度が0.9〜1.1となる
ような条件下で蒸着することを特徴とする蒸着方法に係
るものである。
低コストにして濃度が均一な蒸着膜を安定に得る方法を
提案すべくなされたものであって、合金からなる蒸発材
料を蒸発せしめて被蒸着基体上に蒸着させるに際し、前
記合金の成分元素間の比揮発度が0.9〜1.1となる
ような条件下で蒸着することを特徴とする蒸着方法に係
るものである。
本発明によれば、蒸発材料としての合金の成分元素間の
比揮発度が0.9〜1.1となるようにしているので、
合金の組成比と実質的に同一の組成比の蒸気を生ぜしめ
ることができ、従って基体上に堆積する蒸着膜の組成比
をほぼ一定にすることができる。この結果、例えばテル
ル濃度が低くてほぼ一定の蒸着膜を製膜でき、上述した
如き5e−Te感光体として優れた特性を示すものを作
成できるのである。しかも、比揮発度をコントロールす
るのみでよいから、既述した従来法に比べ、蒸着槽(チ
ャンバー)内の構造が簡略化され、使用原料が少なくて
済むと共に、蒸気組成が常に安定となシ、蒸着膜の濃度
分布が均一となる。
比揮発度が0.9〜1.1となるようにしているので、
合金の組成比と実質的に同一の組成比の蒸気を生ぜしめ
ることができ、従って基体上に堆積する蒸着膜の組成比
をほぼ一定にすることができる。この結果、例えばテル
ル濃度が低くてほぼ一定の蒸着膜を製膜でき、上述した
如き5e−Te感光体として優れた特性を示すものを作
成できるのである。しかも、比揮発度をコントロールす
るのみでよいから、既述した従来法に比べ、蒸着槽(チ
ャンバー)内の構造が簡略化され、使用原料が少なくて
済むと共に、蒸気組成が常に安定となシ、蒸着膜の濃度
分布が均一となる。
本発明による方法においては、上記合金の各成分元素間
の蒸着温度における蒸気圧比を1〇二1(好ましくは5
00 : 1 )以上(但、各元素が純粋な状態での蒸
気圧の比)とするのがよい。また、合金の成分元素のう
ち1.h#)低い蒸気圧を示す元素の含有量を7重量%
以下(好ましくは5.5重量%以下)とすることが望ま
しい。
の蒸着温度における蒸気圧比を1〇二1(好ましくは5
00 : 1 )以上(但、各元素が純粋な状態での蒸
気圧の比)とするのがよい。また、合金の成分元素のう
ち1.h#)低い蒸気圧を示す元素の含有量を7重量%
以下(好ましくは5.5重量%以下)とすることが望ま
しい。
使用可能な合金としては、実質的にセレン及びテルルか
らなるものをはじめ、セレン−イオウ、鉄−ニッケル、
臭化銀−ヨウ素等の如き他の合金も使用してよい。
らなるものをはじめ、セレン−イオウ、鉄−ニッケル、
臭化銀−ヨウ素等の如き他の合金も使用してよい。
また、本発明の方法で作成される感光体膜は、その膜厚
方向において、少なくとも10μmの長さに亘る部分で
のテルル含有量の変動が含有率にして0.5%以内とな
るように蒸着するのがよい。
方向において、少なくとも10μmの長さに亘る部分で
のテルル含有量の変動が含有率にして0.5%以内とな
るように蒸着するのがよい。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第1図には、本発明による方法を実施する蒸着装置の一
例が示されている。
例が示されている。
この蒸着装置では、ペルジャー(図示せず)内に蒸発源
5とこれに対向した被蒸着用ドラム6とが配される。蒸
発源5はいわゆるクヌードセンセル型に構成され、容器
7内にTe濃度が7重量%以下、例えば5重量部の第1
の5e−Tc蒸発材料8と、Te濃度が例えば22.5
重量部の第2の5e−Te蒸発材料9とを収容1.てい
る。これらの蒸発材料上にはヒーター1.0.11が夫
々間され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器7上部の
開口12から制御されながらドラム6に向って飛翔する
ようになされている。
5とこれに対向した被蒸着用ドラム6とが配される。蒸
発源5はいわゆるクヌードセンセル型に構成され、容器
7内にTe濃度が7重量%以下、例えば5重量部の第1
の5e−Tc蒸発材料8と、Te濃度が例えば22.5
重量部の第2の5e−Te蒸発材料9とを収容1.てい
る。これらの蒸発材料上にはヒーター1.0.11が夫
々間され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器7上部の
開口12から制御されながらドラム6に向って飛翔する
ようになされている。
ここで注目すべきことは、上記蒸発材料80合金が7重
量−以下と低濃度にテルルを含有していることである。
量−以下と低濃度にテルルを含有していることである。
本来、純粋なセレンとテルルとでは、蒸気圧比が500
: 1であってセレンの方がはるかに蒸発し易い。と
ころが、上記の如き合金組成にすれば、合金(融液)の
組成、即ち例えばSe : Te= 95 : 5とほ
ぼ同じ組成の蒸気が生じることが見出された。換言すれ
ば、テルル濃度が上記の低濃度の場合、セレンとテルル
との比揮発度が0.9〜1,1、特に実質的に1.0と
なるので、得られた蒸着膜中のテルル含有量はほぼ一定
と々リ、目的とする濃度プロファイルが得られる。
: 1であってセレンの方がはるかに蒸発し易い。と
ころが、上記の如き合金組成にすれば、合金(融液)の
組成、即ち例えばSe : Te= 95 : 5とほ
ぼ同じ組成の蒸気が生じることが見出された。換言すれ
ば、テルル濃度が上記の低濃度の場合、セレンとテルル
との比揮発度が0.9〜1,1、特に実質的に1.0と
なるので、得られた蒸着膜中のテルル含有量はほぼ一定
と々リ、目的とする濃度プロファイルが得られる。
第2図には、上記の方法で得られた感光体が示されてい
るが、アルミニウム等の導電性支持基板6上に、Te含
有量が3〜7重量%、例えば5重量%で厚さ加μm以上
の8e−Teからなる電荷輸送層CTL2と、Te含有
量が10〜20重量%で厚さ2〜5μmの5e−Teか
らなる電荷(光キャリア)発生層CGL3とが設けられ
る。CTL2は、上記の蒸発材料8の蒸着で、CGL3
は上記の蒸発材料9の蒸着で製膜されたものである。
るが、アルミニウム等の導電性支持基板6上に、Te含
有量が3〜7重量%、例えば5重量%で厚さ加μm以上
の8e−Teからなる電荷輸送層CTL2と、Te含有
量が10〜20重量%で厚さ2〜5μmの5e−Teか
らなる電荷(光キャリア)発生層CGL3とが設けられ
る。CTL2は、上記の蒸発材料8の蒸着で、CGL3
は上記の蒸発材料9の蒸着で製膜されたものである。
蒸着操作の具体例を示すと、M基体6を70℃に保持し
、第1の蒸発材料8としてTe濃度が5チの5e−Te
合金300g、第2の蒸発材料9としてTe濃度が22
.5%の5e−Te合金200gを用いた。まず、第1
の蒸発材料を2900Gに40分間加熱してCTL2を
形成した後、100℃まで冷却した。
、第1の蒸発材料8としてTe濃度が5チの5e−Te
合金300g、第2の蒸発材料9としてTe濃度が22
.5%の5e−Te合金200gを用いた。まず、第1
の蒸発材料を2900Gに40分間加熱してCTL2を
形成した後、100℃まで冷却した。
しかる後、第2の蒸発源9を300℃に昇温し、10分
間蒸着を行ない、CTLの表面にCGLを形成した。得
られた感光体のTe濃度プロファイルを第3図に示した
。
間蒸着を行ない、CTLの表面にCGLを形成した。得
られた感光体のTe濃度プロファイルを第3図に示した
。
これによれば、本発明に従って形成されだCTL2は5
%程度とほぼ一定のテルル濃度を有しているから、感光
体として残留電位が少なくかつトラップ準位の少ないも
のが得られる。CGL3の方は高テルル濃度であるから
、光感度が良好なものとなる。
%程度とほぼ一定のテルル濃度を有しているから、感光
体として残留電位が少なくかつトラップ準位の少ないも
のが得られる。CGL3の方は高テルル濃度であるから
、光感度が良好なものとなる。
なお、上記した如く比揮発度を実質的に1.0とするに
は、蒸発材料の合金組成としてテルル濃度が低いもの(
特VC7重量%以下)を選ぶべきである。この比揮発度
は、原子吸光モニタ(日本真空技術■製)によシ蒸気濃
度を計ることによシ測定できる。また、蒸発材料の加熱
温度は高めにする方が、比揮発度=1.0にできる合金
組成範囲をよシ広くできる傾向があるから、特に250
℃以上とするのが望ましい。ペルジャー内の真空度は一
般に1O−3Torr以上と高真空にするのがよい。
は、蒸発材料の合金組成としてテルル濃度が低いもの(
特VC7重量%以下)を選ぶべきである。この比揮発度
は、原子吸光モニタ(日本真空技術■製)によシ蒸気濃
度を計ることによシ測定できる。また、蒸発材料の加熱
温度は高めにする方が、比揮発度=1.0にできる合金
組成範囲をよシ広くできる傾向があるから、特に250
℃以上とするのが望ましい。ペルジャー内の真空度は一
般に1O−3Torr以上と高真空にするのがよい。
また、第3図に破線で示す如くに、テルル濃度が596
の領域を更に延ばすようにしてよい。この場合には、上
記の第1の蒸発材料8のみを蒸発させる。
の領域を更に延ばすようにしてよい。この場合には、上
記の第1の蒸発材料8のみを蒸発させる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、使用する合金はS e −T cに限らず、ε
(e−8,Fe−Ni%AgBr−I等でアッテよいし
、本発明における比揮発度に設定できる合金組成も種々
選択できる。
(e−8,Fe−Ni%AgBr−I等でアッテよいし
、本発明における比揮発度に設定できる合金組成も種々
選択できる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は真
空蒸虐装置の要部概略図、 第2図は得られた感光体の断面図、 第3図はその71.1et6i度プロファイルを示す図
である。 なお、図面に示し、だ符号において、 2・・・・・・・・・C’l’L(電荷輸送層)3・・
・・・・・・・CGL(電荷発生層)5・・・・・・・
・・蒸発源 6・・・・・・・・・基体 8.9・・・・・・蒸発材料 10、11・・・・・・ヒーター である。 382 9 −
空蒸虐装置の要部概略図、 第2図は得られた感光体の断面図、 第3図はその71.1et6i度プロファイルを示す図
である。 なお、図面に示し、だ符号において、 2・・・・・・・・・C’l’L(電荷輸送層)3・・
・・・・・・・CGL(電荷発生層)5・・・・・・・
・・蒸発源 6・・・・・・・・・基体 8.9・・・・・・蒸発材料 10、11・・・・・・ヒーター である。 382 9 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 10合金からなる蒸発材料を蒸発せしめて被蒸着基体上
に蒸着させるに際し、前記合金の成分元素間の比揮発度
が0.9〜1.1となるような条件下で蒸着することを
特徴とする蒸着方法。 2、合金の各成分元素間の蒸着温度における蒸気圧比を
10:1以上とする、特許請求の範囲の第1項に記載し
た方法。 30.蒸気圧比を500 : 1以上とする、特許請求
の範囲の第2項に記載した方法。 4、合金の成分元素のうち、より低い蒸気圧を示す元素
の含有量を7重量%以下とする、特許請求の範囲の第1
項〜第3項のいずれか1項に記載した方法。 5、低蒸気圧の元素の含有量を5.5重量%以下とする
、特許請求の範囲の第4項に記載した方法。 6、合金として、実質的にセレン及びテルルからなるも
のを特徴する特許請求の範囲の第1項〜第5項のいずれ
か1項に記載した方法。 7、蒸着によって形成される蒸着膜の膜厚方向において
、少なくとも10μmの長さに亘る部分でのテルル含有
量の変動が含有率にして0.5%以内である感光体膜を
特徴する特許請求の範囲の第6項に記載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154231A JPS5943866A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154231A JPS5943866A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943866A true JPS5943866A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154231A Pending JPS5943866A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943866A (ja) |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP57154231A patent/JPS5943866A/ja active Pending
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