JPS6348558A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6348558A JPS6348558A JP19316586A JP19316586A JPS6348558A JP S6348558 A JPS6348558 A JP S6348558A JP 19316586 A JP19316586 A JP 19316586A JP 19316586 A JP19316586 A JP 19316586A JP S6348558 A JPS6348558 A JP S6348558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- doped
- selenium
- transfer layer
- selenium alloy
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、セレン系の光導電性材料からなる感光層を有
する電子写真用感光体に関する。
する電子写真用感光体に関する。
電子写真用感光体に利用されるセレン系の光導電性材料
としては、純セレン（Ｓｅ）、セレン−テルル（Ｓｅ−
Ｔｅ） 合金、セレン−ひ素（Ｓｅ−、Ａｓ） 合
金、セレン−テルル−ひ素（Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ）合金の
各種組成比のもの、さらにこれらに酸素（０）、 ビ
スマス（Ｂｉ）。
としては、純セレン（Ｓｅ）、セレン−テルル（Ｓｅ−
Ｔｅ） 合金、セレン−ひ素（Ｓｅ−、Ａｓ） 合
金、セレン−テルル−ひ素（Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ）合金の
各種組成比のもの、さらにこれらに酸素（０）、 ビ
スマス（Ｂｉ）。
アンチモン（Ｓｂ）、 ハロゲンなどを不純物として
ドープしたものがあり、感光体として要求される機能、
特性に応じて、これらの材料のうちの一つからなろ屯−
―で形成された感光層の、啜光体、あるいは、数種類の
材料を積層して形成された感光層の感光体が製品化され
ている。
ドープしたものがあり、感光体として要求される機能、
特性に応じて、これらの材料のうちの一つからなろ屯−
―で形成された感光層の、啜光体、あるいは、数種類の
材料を積層して形成された感光層の感光体が製品化され
ている。
このようなセレン系光導電性材料からなる感光層；ま、
通常、真空蒸着法により基体上に成膜形成される。その
際、合金材料を用いる場合に問題となるのは成分元素の
蒸気圧の差異により分留がおきることである。そのため
、合金材料を蒸着して形成された感光層は、その膜厚方
向の成分元素の組成比が均一でなくあるプロファイルを
もつことになり、その結果感光体の光電特性に影響を及
ぼすことになる。例えば、ＳｅはＴｅよりも蒸気圧がか
なり高く蒸発し易い。従って５ｅ−Ｔｅ合金を真空中で
蒸発させ基体上に成膜した場合ＳｅとＴｅの分留がおこ
り、蒸着膜のうち初期に成膜された部分は合金の成分比
よりもＳｅが多くＴｅ尤べ少ない組成比であり、その後
成膜がすすむにつれてＳｅが減少してＴｅが増加し、蒸
着膜の表面ではＳｅが少なくＴｅが多い組成比となる。
通常、真空蒸着法により基体上に成膜形成される。その
際、合金材料を用いる場合に問題となるのは成分元素の
蒸気圧の差異により分留がおきることである。そのため
、合金材料を蒸着して形成された感光層は、その膜厚方
向の成分元素の組成比が均一でなくあるプロファイルを
もつことになり、その結果感光体の光電特性に影響を及
ぼすことになる。例えば、ＳｅはＴｅよりも蒸気圧がか
なり高く蒸発し易い。従って５ｅ−Ｔｅ合金を真空中で
蒸発させ基体上に成膜した場合ＳｅとＴｅの分留がおこ
り、蒸着膜のうち初期に成膜された部分は合金の成分比
よりもＳｅが多くＴｅ尤べ少ない組成比であり、その後
成膜がすすむにつれてＳｅが減少してＴｅが増加し、蒸
着膜の表面ではＳｅが少なくＴｅが多い組成比となる。
このようにして、Ｔｅ濃度に着目すると、蒸着膜の基体
側より表面に向かって膜厚方向に低濃度から高濃度へと
変化する濃度プロファイルを有することになる。
側より表面に向かって膜厚方向に低濃度から高濃度へと
変化する濃度プロファイルを有することになる。
このようなＴｅの濃度差は蒸着膜が厚くなる程大きくな
り実用上問題となってくる。例えば５ｅ−Ｔｅ合金蒸着
膜で単一層の盛光層を形成する場合、または、５ｅ−Ｔ
ｅ合金蒸着膜をキャリア輸送層とし、その上にキャリア
発生層を設けて感光層とする場合、感光体としての所要
の帯電性能を１４％るために所定の組成比の５ｅ−Ｔｅ
合金を５０μｍ〜６０μｍの膜厚に真空蒸着を行うが、
このような厚嘆とするために多量の５ｅ−Ｔｅ合金を長
時間かけて蒸着することになるので、ＳａとＴｅの分留
のためＴｅの濃度が目標渣よりずれて非常に大きくなる
部分が生じ、熱励起キャリ゛アの発生が多くなる。その
ため、特に高温において−３光１本つ帯電位の暗減衰が
増大し、電子写真装否に搭載し使用するとき高；ユ時出
力コ巧象の濃度低下が起こることになる。
り実用上問題となってくる。例えば５ｅ−Ｔｅ合金蒸着
膜で単一層の盛光層を形成する場合、または、５ｅ−Ｔ
ｅ合金蒸着膜をキャリア輸送層とし、その上にキャリア
発生層を設けて感光層とする場合、感光体としての所要
の帯電性能を１４％るために所定の組成比の５ｅ−Ｔｅ
合金を５０μｍ〜６０μｍの膜厚に真空蒸着を行うが、
このような厚嘆とするために多量の５ｅ−Ｔｅ合金を長
時間かけて蒸着することになるので、ＳａとＴｅの分留
のためＴｅの濃度が目標渣よりずれて非常に大きくなる
部分が生じ、熱励起キャリ゛アの発生が多くなる。その
ため、特に高温において−３光１本つ帯電位の暗減衰が
増大し、電子写真装否に搭載し使用するとき高；ユ時出
力コ巧象の濃度低下が起こることになる。
しかも、この濃度プロファイルは常に一定と−一らず、
合金材料の製造ロフト、蒸着ロットなどの袈凸条件のば
らつきにより変動し７−制御しきれな″、）という問題
もある。
合金材料の製造ロフト、蒸着ロットなどの袈凸条件のば
らつきにより変動し７−制御しきれな″、）という問題
もある。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、高
温においても帯電位の暗減衰の増大しない、特性のぼろ
つきの少ない安定したセレン系の電子写真用感光体を提
供することを目的とする。
温においても帯電位の暗減衰の増大しない、特性のぼろ
つきの少ない安定したセレン系の電子写真用感光体を提
供することを目的とする。
本発明の目的は、真空蒸着により形成された非晶質セレ
ン合金からなるキャリア輸送層とニヤリア発生層とを備
えた電子写真用感光体に１５いて、キャリア輸送層をす
ず（Ｓｒ＋）をドープされた非晶質でレン台金とするこ
とによって達成される。
ン合金からなるキャリア輸送層とニヤリア発生層とを備
えた電子写真用感光体に１５いて、キャリア輸送層をす
ず（Ｓｒ＋）をドープされた非晶質でレン台金とするこ
とによって達成される。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の感光体の一実施例の層構成を示す模式
的断面図である。第１図において、１は例えばアルミニ
ウム合金からなる導電性基板であり、２は５ｅ−Ｔｅ、
５ｅ−Ａｓまたは５ｅ−Ｔｅ−ＡＳ合金にＳｎを所
定最ドープしたものを膜厚約６０μｍに真空蒸着したキ
ャリア輸送層（ＣＴＬ）であり、３は５ｅ−Ｔｅ、 ５
ｅ−Ａｓ または５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金を膜厚数μｍ
に真空蒸着したキャリア発生層（ＣＣ，Ｌ）である。Ｃ
ＴＬとＣＧＬとに用いる合金材料は種々の組合せがある
がその一部を第１表に示す。第１表中ＴｅとＡｓの前の
数値は合金中のそれぞれの重量り６を示し、Ｓｎについ
ては重量ｐｐｍを示す。
的断面図である。第１図において、１は例えばアルミニ
ウム合金からなる導電性基板であり、２は５ｅ−Ｔｅ、
５ｅ−Ａｓまたは５ｅ−Ｔｅ−ＡＳ合金にＳｎを所
定最ドープしたものを膜厚約６０μｍに真空蒸着したキ
ャリア輸送層（ＣＴＬ）であり、３は５ｅ−Ｔｅ、 ５
ｅ−Ａｓ または５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金を膜厚数μｍ
に真空蒸着したキャリア発生層（ＣＣ，Ｌ）である。Ｃ
ＴＬとＣＧＬとに用いる合金材料は種々の組合せがある
がその一部を第１表に示す。第１表中ＴｅとＡｓの前の
数値は合金中のそれぞれの重量り６を示し、Ｓｎについ
ては重量ｐｐｍを示す。
第１表
具体的−よ実施例として、導電性基はとして外１条１２
０ｍｍ のアルミニウム合金円筒を用い、その表面に第
１表の第２番目の組合せのＣＴＬとＣＣＬを形成した。
０ｍｍ のアルミニウム合金円筒を用い、その表面に第
１表の第２番目の組合せのＣＴＬとＣＣＬを形成した。
すなわち５ｅ１５．５Ｔｅ／１０００Ｓｎ を真空蒸着
してＣＴＬとし、その上にＳｅ／３０Ｔｅ１５Ａｓを真
空蒸着してＣＧＬとじ実施例の感光体を作製した。比較
のためにＣＴＬの材ホ４としてＳｎをドープしないＳｅ
／Ｔｅ合金である５ｅ１５．５Ｔｅを用い、その池は前
記実施例に孕じて比較例の、感光体を作製した。
してＣＴＬとし、その上にＳｅ／３０Ｔｅ１５Ａｓを真
空蒸着してＣＧＬとじ実施例の感光体を作製した。比較
のためにＣＴＬの材ホ４としてＳｎをドープしないＳｅ
／Ｔｅ合金である５ｅ１５．５Ｔｅを用い、その池は前
記実施例に孕じて比較例の、感光体を作製した。
、−れらの感光体についてＴ ｅ 、１３度プロファイ
ルをＥＰ〜１Ａで測定した。その結果を、実施例につい
て第２図に、比較例について第３図に示す。第２゜第３
図に２いて縦軸にＴｅの特性Ｘ線の強度を、横軸に基板
との界面を起りとした感光層の位置を示す。横軸には感
光層の界面と表面を矢印で示しである。ＣＴＬ中のＴｅ
の濃度勾配差はＸ線強度で第２図の場合３Ｑｃｐｓ、
第３図の場合＋３０ｃｐｓであり、ＣＴＬにＳｎをド
ープした実施例の場合には、真空蒸着時ＳｅとＴｅの分
留が充分抑止されていることが判る。
ルをＥＰ〜１Ａで測定した。その結果を、実施例につい
て第２図に、比較例について第３図に示す。第２゜第３
図に２いて縦軸にＴｅの特性Ｘ線の強度を、横軸に基板
との界面を起りとした感光層の位置を示す。横軸には感
光層の界面と表面を矢印で示しである。ＣＴＬ中のＴｅ
の濃度勾配差はＸ線強度で第２図の場合３Ｑｃｐｓ、
第３図の場合＋３０ｃｐｓであり、ＣＴＬにＳｎをド
ープした実施例の場合には、真空蒸着時ＳｅとＴｅの分
留が充分抑止されていることが判る。
次に、これらの感光体について、雰囲気温度２５℃で帯
電位■１．暗中５秒後の帯電位保持率におよび残留電位
■、を測定し、そのときの値を規孕の１００％とし、雰
囲気温度を変えたときのこれら帯電位、帯電位保持率お
よび残留電位の変動率を謂べた。それらの結果を実施例
については第４図に、比較例については第５図に示す。
電位■１．暗中５秒後の帯電位保持率におよび残留電位
■、を測定し、そのときの値を規孕の１００％とし、雰
囲気温度を変えたときのこれら帯電位、帯電位保持率お
よび残留電位の変動率を謂べた。それらの結果を実施例
については第４図に、比較例については第５図に示す。
第４図の実施例においては、雰囲気温度２５℃の場合帯
電位■５ は８４６ Ｖ 、帯電位保持率には９２．１
％、残留電位■、は１２Ｖであった。これらの値を１０
０％とし雰囲気温、りを５０？′まて変化させてこれら
の５性の変動を調べたのであるが、例えば雰囲気温１文
４５℃の場合、帯７位、保持率、残留電位はそれぞれ２
５℃のときのイ直の９０９６．３４％、１３％の１直に
まで変動したことが第４図に示されている。同嘩にして
、比較例について例えば露囲気、＠度が２５℃から４５
℃に変化したとき、帯？１位、保持率はそれぞれ２５℃
のときの！直８４２ ．３９． ｇ％かろ８８％、１７
％のｌ直に変動し、残留電位は１２Ｖが零（０％）
に！；っなことが第５図より判る。第４図と第、５図を
比較するとき大きく異なるところは帯電位の保持率の温
度変化による変動であり、第４図すなわち実二き倒つ方
がこの変動が大幅に小さくなっている。言いかえれば感
光体の帯電位の暗減衰が高監になってもあまり増大しな
いことになる。これはＣＴＬを形成するセレン合金材料
にＳｒをドープすることにより得られたものである。
電位■５ は８４６ Ｖ 、帯電位保持率には９２．１
％、残留電位■、は１２Ｖであった。これらの値を１０
０％とし雰囲気温、りを５０？′まて変化させてこれら
の５性の変動を調べたのであるが、例えば雰囲気温１文
４５℃の場合、帯７位、保持率、残留電位はそれぞれ２
５℃のときのイ直の９０９６．３４％、１３％の１直に
まで変動したことが第４図に示されている。同嘩にして
、比較例について例えば露囲気、＠度が２５℃から４５
℃に変化したとき、帯？１位、保持率はそれぞれ２５℃
のときの！直８４２ ．３９． ｇ％かろ８８％、１７
％のｌ直に変動し、残留電位は１２Ｖが零（０％）
に！；っなことが第５図より判る。第４図と第、５図を
比較するとき大きく異なるところは帯電位の保持率の温
度変化による変動であり、第４図すなわち実二き倒つ方
がこの変動が大幅に小さくなっている。言いかえれば感
光体の帯電位の暗減衰が高監になってもあまり増大しな
いことになる。これはＣＴＬを形成するセレン合金材料
にＳｒをドープすることにより得られたものである。
さるに、実５ち例に準じて作製した感光！、ｔｌｏ本と
比較例に準じて作製した感光体１０本につし）で、連続
繰り返し５００回の帯電と露光散霧を行ったときの帯電
位の変動を調べた。その結果を第２表に示す。第２表中
、は初期帯電位、、。。は５００回目の帯電位１ Δ■
は帯電位の低下惜で■Ｉ からＶｓｏｏ を差し引いた
ものである。
比較例に準じて作製した感光体１０本につし）で、連続
繰り返し５００回の帯電と露光散霧を行ったときの帯電
位の変動を調べた。その結果を第２表に示す。第２表中
、は初期帯電位、、。。は５００回目の帯電位１ Δ■
は帯電位の低下惜で■Ｉ からＶｓｏｏ を差し引いた
ものである。
第２表
第２表から、実施例群の方が帯電位の低下が少なく特性
が安定して））ることは明らかである。
が安定して））ることは明らかである。
ＣＴＬへのＳｎのドープ量は１００重ｆｆｉｐｐｍ 〜
５０００重量ｐｐｍの範１が好適である。１００重ｆｆ
ｉｐｐｍ より少ないとＳｎをドープする効果が生じな
い。また、数千ｍｆｆｉｐｐｍでＳｎをドープする効果
は飽和してそれ以上ドープ量を増しても効果は大きくな
らない。
５０００重量ｐｐｍの範１が好適である。１００重ｆｆ
ｉｐｐｍ より少ないとＳｎをドープする効果が生じな
い。また、数千ｍｆｆｉｐｐｍでＳｎをドープする効果
は飽和してそれ以上ドープ量を増しても効果は大きくな
らない。
しかもＳｎのドープ量が多くなると真空累９に際して蒸
発源に残、査として残る量が増加し除去しにく ４くな
るという開題も生じてくるのでＳｒ＋のドープ量は５０
００重’１． ｐｐｍ 以下に抑えることが好まし、７
）、。
発源に残、査として残る量が増加し除去しにく ４くな
るという開題も生じてくるのでＳｒ＋のドープ量は５０
００重’１． ｐｐｍ 以下に抑えることが好まし、７
）、。
本発明によれば、真空籐着により形成された非晶質セレ
ン合金からなるキャリア輸送層とキャリア発生層とを備
えた電子写真用感光体におし）で、キャリア輸送層をす
ず（Ｓｌ′ｌ）をドープされた非晶質ｉレン合金で形成
する。このよう−；干ヤリア輸居層はＳｎをドープされ
たセレン合金を真空蒸着することにより形成されるが、
Ｓｎがドープされていると蒸着時の合金の成分元素の分
留を抑止することができ、形成されたキアリア輸送爾Ｏ
嘆７方１勾の成分元素の組成比がほぼ均一となり、その
結果、高温においても帯電位の暗減衰が増大し一；い、
特性のばろつきの少ない安定したセレン系・○電子写真
用感光体が１８：）れ、電子写真装百に搭以し使用した
とき、濃５度低下のな、）優れた画質の出力画像を得る
ことができ、連続して出力しても旦れのな、）出力画像
を得ることが可能こなる。
ン合金からなるキャリア輸送層とキャリア発生層とを備
えた電子写真用感光体におし）で、キャリア輸送層をす
ず（Ｓｌ′ｌ）をドープされた非晶質ｉレン合金で形成
する。このよう−；干ヤリア輸居層はＳｎをドープされ
たセレン合金を真空蒸着することにより形成されるが、
Ｓｎがドープされていると蒸着時の合金の成分元素の分
留を抑止することができ、形成されたキアリア輸送爾Ｏ
嘆７方１勾の成分元素の組成比がほぼ均一となり、その
結果、高温においても帯電位の暗減衰が増大し一；い、
特性のばろつきの少ない安定したセレン系・○電子写真
用感光体が１８：）れ、電子写真装百に搭以し使用した
とき、濃５度低下のな、）優れた画質の出力画像を得る
ことができ、連続して出力しても旦れのな、）出力画像
を得ることが可能こなる。
第１図は本発明の感光体Ｏ−実宅１′、７ｊＣ苫構咬の
模式的凹面図、第２図は大発明の一実施′、ｙｌＩの感
光、１の膜厚方向のテルルの濃度プロファイルを示す線
図、第３図は従来例の感光層の膜厚方向のテルルの濃度
プロファイルを示す線図、第４図は零発胡の一実施例の
感光体の特性の温度変動を示す線図、第５図は従来例の
感光体の特性の温度変動を示す線図である。 １ 導電性基板、２ キ＋ ’Ｊア輸送層、３ 上第
１ 図 ｐｍＧ５６０５５５０４Ｓ４０３５３０２５２０ ｆ
ｓ １０ ！； ０第 ２ 図 μｆｎｃ５６０ｓｓ ５０４５４０３５３０ 、＞
５ ２０ Ｉｓ ＩＯＳ Ｏ蔦 ２ 図 雰囲気１度 °′ 第 ４ 図
模式的凹面図、第２図は大発明の一実施′、ｙｌＩの感
光、１の膜厚方向のテルルの濃度プロファイルを示す線
図、第３図は従来例の感光層の膜厚方向のテルルの濃度
プロファイルを示す線図、第４図は零発胡の一実施例の
感光体の特性の温度変動を示す線図、第５図は従来例の
感光体の特性の温度変動を示す線図である。 １ 導電性基板、２ キ＋ ’Ｊア輸送層、３ 上第
１ 図 ｐｍＧ５６０５５５０４Ｓ４０３５３０２５２０ ｆ
ｓ １０ ！； ０第 ２ 図 μｆｎｃ５６０ｓｓ ５０４５４０３５３０ 、＞
５ ２０ Ｉｓ ＩＯＳ Ｏ蔦 ２ 図 雰囲気１度 °′ 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上に真空蒸着により形成された非晶質セ
レン合金からなるキャリア輸送層とキャリア発生層とを
備えてなる電子写真用感光体において、前記キャリア輸
送層がすず（Ｓｎ）をドープされた非晶質セレン合金か
らなることを特徴とする電子写真用感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、キャ
リア輸送層がすず（Ｓｎ）を１００重量ｐｐｍ〜５，０
００重量ｐｐｍの範囲内でドープされた非晶質セレン合
金からなることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19316586A JPS6348558A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19316586A JPS6348558A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348558A true JPS6348558A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16303372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19316586A Pending JPS6348558A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5085959A (en) * | 1988-08-11 | 1992-02-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Se or se alloy electrophotographic photoreceptor |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19316586A patent/JPS6348558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5085959A (en) * | 1988-08-11 | 1992-02-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Se or se alloy electrophotographic photoreceptor |
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