JPS594493B2 - 半導体機器のリ−ド材用銅合金 - Google Patents
半導体機器のリ−ド材用銅合金Info
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- JPS594493B2 JPS594493B2 JP163081A JP163081A JPS594493B2 JP S594493 B2 JPS594493 B2 JP S594493B2 JP 163081 A JP163081 A JP 163081A JP 163081 A JP163081 A JP 163081A JP S594493 B2 JPS594493 B2 JP S594493B2
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- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタや集積回路（ＩＣ）などの半導体
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
従来、半導体機器のリード材としては熱膨張係数が低く
、素子およびセラミックとの接着および １封着性の良
好なコバール合金（Ｆｅ−２９Ｎｉ一１６Ｃｏ）、４２
合金（Ｆｅ−４２Ｎｉ）などの高ニッケル合金が好んで
使われてきた。
、素子およびセラミックとの接着および １封着性の良
好なコバール合金（Ｆｅ−２９Ｎｉ一１６Ｃｏ）、４２
合金（Ｆｅ−４２Ｎｉ）などの高ニッケル合金が好んで
使われてきた。
しかし、近年半導体回路の集積度の向上に伴ない消費電
力の高いＩＣが多くなつてきたことと、封止材料と ５
して樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレームの
接着も改良が加えられたことにより、使用されるリード
材も放熱性のよい銅基合金が使われるようになつてきた
。しかしながら、リード材としては、熱伝導性が良い、
導電性が良い、耐熱性 ３が良い、ハンダ付け性・メッ
キ密着性が良い、強度が高い、廉価である等の広範な諸
条件を全て満足する必要がある。従来より使用されてい
る無酸素銅、すず入り銅、りん青銅、鉄入り銅などの銅
基合金は何れも一長一短があり、必ずしも満足し得るも
のではない。本発明はかかる点に鑑み、従５ 来の銅基
合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材として
好適な諸特性を有する銅合金を提供するものである。本
発明はＮｉ０．４〜４．０重量％、５ｉ０．１〜１．０
重量％を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物・ｏ から
成り、該不純物のうち酸素含有量が０．００１０重量％
以下であることを特徴とする半導体機器のリード材用銅
合金である。
力の高いＩＣが多くなつてきたことと、封止材料と ５
して樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレームの
接着も改良が加えられたことにより、使用されるリード
材も放熱性のよい銅基合金が使われるようになつてきた
。しかしながら、リード材としては、熱伝導性が良い、
導電性が良い、耐熱性 ３が良い、ハンダ付け性・メッ
キ密着性が良い、強度が高い、廉価である等の広範な諸
条件を全て満足する必要がある。従来より使用されてい
る無酸素銅、すず入り銅、りん青銅、鉄入り銅などの銅
基合金は何れも一長一短があり、必ずしも満足し得るも
のではない。本発明はかかる点に鑑み、従５ 来の銅基
合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材として
好適な諸特性を有する銅合金を提供するものである。本
発明はＮｉ０．４〜４．０重量％、５ｉ０．１〜１．０
重量％を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物・ｏ から
成り、該不純物のうち酸素含有量が０．００１０重量％
以下であることを特徴とする半導体機器のリード材用銅
合金である。
本発明に係る合金はリード材に要求される熱伝導性、導
電性、耐熱性、強度、ハンダ付け性、メッキ密着性等の
すべてが５ 良好なるものである。次に本発明合金を構
成する合金成分の添加理由とその組成範囲の限定理由を
説明する。
電性、耐熱性、強度、ハンダ付け性、メッキ密着性等の
すべてが５ 良好なるものである。次に本発明合金を構
成する合金成分の添加理由とその組成範囲の限定理由を
説明する。
Ｎｉの含有量を０．４〜４．０重量弊とする理由は、Ｎ
ｉ含有量が０．４重量％未満ではＳｉを０．１重量％以
上添０ 加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得
られず、逆にＮｉ含有量が４．０重量％を超えると、加
工性が低下し、ハンダ付け性も低下するためである。Ｓ
ｉ含有量を０．１〜１．０重量弊とした理由はＳｉ含有
量が０．１重量％未満ではＮｉを０．４重５ 量弊以上
添加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得られず
、Ｓｉ含有量が１．０重量％を超えると、加工性、導電
性の低下が著しくなり、またハンダ付け性も低下するた
めである。また、酸素含有量を０．００１０重量％以下
とした理由は００．００１０重量、を超えるとメッキ密
着性が低下するためである。（実施例） 第１表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを無酸素銅ケークを原料として高５ 周波溶解炉
で大気雰囲気中、不活性または還元性雰囲気中で溶解鋳
造した。
ｉ含有量が０．４重量％未満ではＳｉを０．１重量％以
上添０ 加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得
られず、逆にＮｉ含有量が４．０重量％を超えると、加
工性が低下し、ハンダ付け性も低下するためである。Ｓ
ｉ含有量を０．１〜１．０重量弊とした理由はＳｉ含有
量が０．１重量％未満ではＮｉを０．４重５ 量弊以上
添加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得られず
、Ｓｉ含有量が１．０重量％を超えると、加工性、導電
性の低下が著しくなり、またハンダ付け性も低下するた
めである。また、酸素含有量を０．００１０重量％以下
とした理由は００．００１０重量、を超えるとメッキ密
着性が低下するためである。（実施例） 第１表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを無酸素銅ケークを原料として高５ 周波溶解炉
で大気雰囲気中、不活性または還元性雰囲気中で溶解鋳
造した。
次にこれを８００℃で熱間圧延し、厚さ４ｍｍの板とし
た。次にこの板を（一通常の酸洗処理した後、冷間圧延
で厚さ１．０ｍ７！ｔとした。
た。次にこの板を（一通常の酸洗処理した後、冷間圧延
で厚さ１．０ｍ７！ｔとした。
さらに７５０℃にて５分間の焼鈍を施した後、冷間圧延
で厚さ０．４７Ｆ！ｌの板とした。最後にこの板を４５
０℃にて１時間熱処理し試料とした。このようにして調
整された試料の評価として、強度は引張試験、耐熱性は
加熱時間３０分における軟化開始温度、導電性、熱伝導
性は導電率（％４ＡＣＳ）によつて示した。
で厚さ０．４７Ｆ！ｌの板とした。最後にこの板を４５
０℃にて１時間熱処理し試料とした。このようにして調
整された試料の評価として、強度は引張試験、耐熱性は
加熱時間３０分における軟化開始温度、導電性、熱伝導
性は導電率（％４ＡＣＳ）によつて示した。
なお熱伝導率は導電率と比例関係にあるので、導電率の
測定値で熱伝導性を評価した。ハンダ付け性は垂直式浸
漬法で２３０℃のハンダ浴（すずｆ）Ｏ一鉛４０）に５
秒間浸漬し、ハンダによるぬれの状態を目視観察した。
メツキ密着性は試料に厚さ３μの銀メツキを施こし、４
５０℃にて５分間加熱して表面に発生するフクレの有無
を目視観察した。これらの結果を比較合金とともに第１
表に示した。第１表に示すごとく本発明に係る合金は十
分な導電性とすぐれた耐熱性、強度、ハンダ付け性およ
びメツキ密着性を兼ね具えることが明らかであり、本発
明合金は半導体機器のリード材として最適な合金である
。
測定値で熱伝導性を評価した。ハンダ付け性は垂直式浸
漬法で２３０℃のハンダ浴（すずｆ）Ｏ一鉛４０）に５
秒間浸漬し、ハンダによるぬれの状態を目視観察した。
メツキ密着性は試料に厚さ３μの銀メツキを施こし、４
５０℃にて５分間加熱して表面に発生するフクレの有無
を目視観察した。これらの結果を比較合金とともに第１
表に示した。第１表に示すごとく本発明に係る合金は十
分な導電性とすぐれた耐熱性、強度、ハンダ付け性およ
びメツキ密着性を兼ね具えることが明らかであり、本発
明合金は半導体機器のリード材として最適な合金である
。
Claims (1)
- １ Ｎｉ０．４〜４．０重量％、Ｓｉ０．１〜１．０重
量％を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物から成り、該
不純物のうち酸素含有量が０．００１０重量％以下であ
ることを特徴とする半導体機器のリード材用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP163081A JPS594493B2 (ja) | 1981-01-10 | 1981-01-10 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP163081A JPS594493B2 (ja) | 1981-01-10 | 1981-01-10 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57116738A JPS57116738A (en) | 1982-07-20 |
| JPS594493B2 true JPS594493B2 (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=11506847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP163081A Expired JPS594493B2 (ja) | 1981-01-10 | 1981-01-10 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594493B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08314598A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Nec Gumma Ltd | キーボード |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR840001426B1 (ko) * | 1982-10-20 | 1984-09-26 | 이영세 | 전기전자 부품용 동합금 및 동합금판의 제조방법 |
| JPS59153853A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-09-01 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム材 |
| JPS60221541A (ja) * | 1984-04-07 | 1985-11-06 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性の優れた銅合金 |
| JPS60215723A (ja) * | 1985-03-19 | 1985-10-29 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリード材用銅合金 |
| JPH0788550B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1995-09-27 | 古河電気工業株式会社 | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 |
| US5248351A (en) * | 1988-04-12 | 1993-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper Ni-Si-P alloy for an electronic device |
-
1981
- 1981-01-10 JP JP163081A patent/JPS594493B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08314598A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Nec Gumma Ltd | キーボード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57116738A (en) | 1982-07-20 |
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