JPS5946085B2 - 半導体コンデンサ用磁器 - Google Patents
半導体コンデンサ用磁器Info
- Publication number
- JPS5946085B2 JPS5946085B2 JP51040553A JP4055376A JPS5946085B2 JP S5946085 B2 JPS5946085 B2 JP S5946085B2 JP 51040553 A JP51040553 A JP 51040553A JP 4055376 A JP4055376 A JP 4055376A JP S5946085 B2 JPS5946085 B2 JP S5946085B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- mol
- oxide
- porcelain
- bi2o3
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を主
体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることによ
り得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることによ
り得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
従来、半導体磁器の粒界を絶縁化させることにより得ら
れるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体コ
ンデンサ用磁器が知られている。
れるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体コ
ンデンサ用磁器が知られている。
このチタン酸バリウム系半導体コンデンサ用磁器は絶縁
抵抗が１０１１Ω−】、実効誘電率が５０．０００７０
．０００と非常に大きな値が得られるが、２０℃を基準
として−３０℃〜＋８５℃の範囲における静電容量の変
化が±４０％程度であり、また誘電損失（ｔａｎδ）も
約５〜１０％と大きいことが欠点である。近年、チタン
酸ストロンチウムを主体とし、特に静電容量の温度変化
率を少さくさせた半導体磁器コンデンサが開発されてき
ている。
抵抗が１０１１Ω−】、実効誘電率が５０．０００７０
．０００と非常に大きな値が得られるが、２０℃を基準
として−３０℃〜＋８５℃の範囲における静電容量の変
化が±４０％程度であり、また誘電損失（ｔａｎδ）も
約５〜１０％と大きいことが欠点である。近年、チタン
酸ストロンチウムを主体とし、特に静電容量の温度変化
率を少さくさせた半導体磁器コンデンサが開発されてき
ている。
このチタン酸ストロンチウムを主体とする半導体磁器コ
ンデンサは当初ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に少量
の二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２
）等を添加し、還元雰囲気中で焼結してなる半導体磁器
を、単に熱処理して粒界を再び酸化するか、二酸化マン
ガン（ＭｎＯ２）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）等を粒
界に熱拡散させることにより得られていた。
ンデンサは当初ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に少量
の二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２
）等を添加し、還元雰囲気中で焼結してなる半導体磁器
を、単に熱処理して粒界を再び酸化するか、二酸化マン
ガン（ＭｎＯ２）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）等を粒
界に熱拡散させることにより得られていた。
これらの特徴として、チタン酸バリウム系に比較して静
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。一方、実効誘電率がチタ
ン酸バリウム系に比較して極めて小さいことが欠点であ
つた。そこで、実効誘電率の向上を目的として、チタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に添加する不純物が
いくつか提案されている。たとえば、酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タングス
テン（ＷＯ３）等の半導体に必要な物質以外に酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、希土類酸化物等を単一またはそれらを組み
合わせて添加することにより、実効誘電率４０、０００
〜５０、０００程度、誘電損失１％以下の半導体磁器コ
ンデンサが得られるようになり、一段と小型高性能化が
計られてきている。しカルながら、このように小型高性
能な素子においては、高性能な故に問題点もある。その
一つに拡散物を塗布する場合の塗布量のバラツキの与え
る特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい欠屯
があつた。さらに、電気的特性においても、より高性能
化への努力がなされているが、特に周囲温度の変化に対
する静電容量変化を小さくさせることについては、チタ
ン酸バリウム系に比較して小さくなつたとはいえ、十分
ではなかつた。また、諸特性との兼ね合い、特に静電容
量との兼ね合いにおいて、絶縁抵抗が十分に大きいとは
いえなかつた。本発明は種々の実験を積み重ねたすえ、
上述のごとき拡散工程による素子特性のバラツキを極め
て小さくさせ、さらに諸特性の向上、特に静電容量の温
度変化率、及び絶縁抵抗の改善を計ることができた結果
によるものである。
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。一方、実効誘電率がチタ
ン酸バリウム系に比較して極めて小さいことが欠点であ
つた。そこで、実効誘電率の向上を目的として、チタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に添加する不純物が
いくつか提案されている。たとえば、酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タングス
テン（ＷＯ３）等の半導体に必要な物質以外に酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、希土類酸化物等を単一またはそれらを組み
合わせて添加することにより、実効誘電率４０、０００
〜５０、０００程度、誘電損失１％以下の半導体磁器コ
ンデンサが得られるようになり、一段と小型高性能化が
計られてきている。しカルながら、このように小型高性
能な素子においては、高性能な故に問題点もある。その
一つに拡散物を塗布する場合の塗布量のバラツキの与え
る特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい欠屯
があつた。さらに、電気的特性においても、より高性能
化への努力がなされているが、特に周囲温度の変化に対
する静電容量変化を小さくさせることについては、チタ
ン酸バリウム系に比較して小さくなつたとはいえ、十分
ではなかつた。また、諸特性との兼ね合い、特に静電容
量との兼ね合いにおいて、絶縁抵抗が十分に大きいとは
いえなかつた。本発明は種々の実験を積み重ねたすえ、
上述のごとき拡散工程による素子特性のバラツキを極め
て小さくさせ、さらに諸特性の向上、特に静電容量の温
度変化率、及び絶縁抵抗の改善を計ることができた結果
によるものである。
以下、実施例に基づき、本発明を詳細に説明する。
く実施例〉
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に酸化ニオブ
（Ｎｂ２Ｏ３）を０．１〜２モル％及び酸化ビスマス（
Ｂｉ２Ｏ３）を０．１〜５モル％の範囲で添加し、十分
に混合した後、１５闘φ×０．７ｍ１ｔの円板状に加圧
成型する。
（Ｎｂ２Ｏ３）を０．１〜２モル％及び酸化ビスマス（
Ｂｉ２Ｏ３）を０．１〜５モル％の範囲で添加し、十分
に混合した後、１５闘φ×０．７ｍ１ｔの円板状に加圧
成型する。
この後、水素１〜１０％、窒素９９〜９００１）からな
る雰囲気中で１３７０℃〜１４６０℃で２〜４時間焼成
する。しかる後に、焼結体の片面に拡散用物質を公知の
適当なバインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）
を用いて塗布し、１．０００℃〜１．２００℃で２時間
程度熱処理する。このようにして得られた焼結体の両面
に銀電極を設ける。第１表拡散用物質としては酸化銅（
Ｃｕ２Ｏ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び二酸化マ
ンガン（ＭｎＯ２）からなる種々の組成の混合物を上記
焼結体に塗布し、拡散させたときの各種２０枚の電気的
特性の結果をまとめたものである。
る雰囲気中で１３７０℃〜１４６０℃で２〜４時間焼成
する。しかる後に、焼結体の片面に拡散用物質を公知の
適当なバインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）
を用いて塗布し、１．０００℃〜１．２００℃で２時間
程度熱処理する。このようにして得られた焼結体の両面
に銀電極を設ける。第１表拡散用物質としては酸化銅（
Ｃｕ２Ｏ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び二酸化マ
ンガン（ＭｎＯ２）からなる種々の組成の混合物を上記
焼結体に塗布し、拡散させたときの各種２０枚の電気的
特性の結果をまとめたものである。
ただし、このときの酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び酸
化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）添加量はそれぞれ０．２モル％
、また焼成は温度１４００℃で４時間、雰囲気条件は水
素１０％、窒素９０％であり、さらに熱処理は温度１１
００℃で２時間行つたものである。
化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）添加量はそれぞれ０．２モル％
、また焼成は温度１４００℃で４時間、雰囲気条件は水
素１０％、窒素９０％であり、さらに熱処理は温度１１
００℃で２時間行つたものである。
尚、表中の実効誘電率ε及び誘電損失Ｔａｎδは周波数
１ＫＨｚ、１ＶＡ．Ｃにて測定した値であり、絶縁抵抗
は５０ＶＤ．Ｃの電圧で３０秒間充電した後に測定した
値である。
１ＫＨｚ、１ＶＡ．Ｃにて測定した値であり、絶縁抵抗
は５０ＶＤ．Ｃの電圧で３０秒間充電した後に測定した
値である。
この表から明らかなごとく、組成点１〜３のように、Ｃ
Ｕ２Ｏ，Ｂｉ２Ｏ３またはＭｎＯ２を単一に塗布し拡散
させた場合には、Ｄ値が非常に大きく、すなわち特性の
変動の大きいことがわかる。
Ｕ２Ｏ，Ｂｉ２Ｏ３またはＭｎＯ２を単一に塗布し拡散
させた場合には、Ｄ値が非常に大きく、すなわち特性の
変動の大きいことがわかる。
また、絶縁抵抗ｒが小さい。次に、組成点４，５及び６
は二成分を選定した場合におけるその最良の組成であり
、一成分の時に比較して特性の変動は小さくなり、ｒ値
は大きくなる。さらに、三成分を選定した場合の組成点
７〜１５において、組成点１１，１２のようなＭｎＯ２
が２０モル％を越える場合はＴａｎδの値が大きく、特
性の変動も若干大きいが、組成点７，８，９，１０，１
３，１４及び１５では一成分や二成分の組成の場合に比
して、特にｒ値は大きくなり、特性の変動が極めて小さ
くなつている。ところで、コンデンサの特性を静電容量
Ｃと絶縁抵抗Ｒの積で示すことができる。
は二成分を選定した場合におけるその最良の組成であり
、一成分の時に比較して特性の変動は小さくなり、ｒ値
は大きくなる。さらに、三成分を選定した場合の組成点
７〜１５において、組成点１１，１２のようなＭｎＯ２
が２０モル％を越える場合はＴａｎδの値が大きく、特
性の変動も若干大きいが、組成点７，８，９，１０，１
３，１４及び１５では一成分や二成分の組成の場合に比
して、特にｒ値は大きくなり、特性の変動が極めて小さ
くなつている。ところで、コンデンサの特性を静電容量
Ｃと絶縁抵抗Ｒの積で示すことができる。
このＣ−Ｒ積はコンデンサの形状によらない定数であり
、これをＫで表わすと、Ｋ＝ＣＩＲ＝εε０ｒ となる。
、これをＫで表わすと、Ｋ＝ＣＩＲ＝εε０ｒ となる。
ここで、εｏは真空の誘電率である。すなわち、このＫ
値の大きいことはコンデンサとして優良である条件の一
つである。実施例において、一成分、二成分及び三成分
からなる拡散剤を用いた場合のそれぞれのＫ値を比較し
てみると、一成分では最高３４（ＭΩ・μＦ）程度、二
成分では最高２８９（ＭΩ・μＦ）程度であるのに対し
、三成分では第１表の組成点７，８，９，１０，１３，
１４，１５についてみると、最低で３２９（ＭΩ・μＦ
）、最高で４９６（ＭΩ・μＦ）程度と非常に大きくな
つている。
値の大きいことはコンデンサとして優良である条件の一
つである。実施例において、一成分、二成分及び三成分
からなる拡散剤を用いた場合のそれぞれのＫ値を比較し
てみると、一成分では最高３４（ＭΩ・μＦ）程度、二
成分では最高２８９（ＭΩ・μＦ）程度であるのに対し
、三成分では第１表の組成点７，８，９，１０，１３，
１４，１５についてみると、最低で３２９（ＭΩ・μＦ
）、最高で４９６（ＭΩ・μＦ）程度と非常に大きくな
つている。
以上の結果から、ＣＵ２Ｏ，Ｂｉ２Ｏ３及びＭｎＯ２の
配合組成は、Ｃｕ２Ｏ：５〜８５モル％、Ｂｉ２Ｏ３：
５〜８５モル％及びＭｎＯ２：５〜１５モル％と定め得
る。
配合組成は、Ｃｕ２Ｏ：５〜８５モル％、Ｂｉ２Ｏ３：
５〜８５モル％及びＭｎＯ２：５〜１５モル％と定め得
る。
第１図は２０℃を基準とした場合の静電容量の温度変化
率の代表例を示したものである。
率の代表例を示したものである。
図中Ａはチタン酸バリウム系半導体コンデンサ、Ｂは実
施例におけるＣＵ２Ｏ，Ｂｉ２Ｏ３の二成分からなる拡
散剤を用いた磁器の場合であり、Ｃは本発明の磁器（組
成点８）についての静電容量の温度変化率を示す曲線で
ある。この図から明らかなごとく、本発明のＣＵ２Ｏ，
Ｂｉ２Ｏ３及びＭｎＯ２三成分からなる拡散剤を用いた
磁器においては静電容量の温度変化率も極めて小さく、
使用温度範囲を拡大できる利点をもつている。
施例におけるＣＵ２Ｏ，Ｂｉ２Ｏ３の二成分からなる拡
散剤を用いた磁器の場合であり、Ｃは本発明の磁器（組
成点８）についての静電容量の温度変化率を示す曲線で
ある。この図から明らかなごとく、本発明のＣＵ２Ｏ，
Ｂｉ２Ｏ３及びＭｎＯ２三成分からなる拡散剤を用いた
磁器においては静電容量の温度変化率も極めて小さく、
使用温度範囲を拡大できる利点をもつている。
以上述べたように、本発明のごとくチタン酸ストロンチ
ウム（ＳｒＴｉＯ３）に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を０
．１〜２．０モル％、及び酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）
をＯ〜２．０モル％添加し、焼結させた半導体磁器に、
酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び
二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を単一に粒界に拡散させる
のではなく、Ｃｕ２Ｏ：５〜８５モル％、Ｂｌ２Ｏ３：
５〜８５モル％及びＭｎＯ２：５〜１５モル％の範囲か
らなる組成物の形で塗布し、拡散させ、粒界に絶縁層を
設けた半導体コンデンサ用磁器は、従来になく特性値に
バラツキの小さい、製造しやすいことが特徴であるばか
りでなく、絶縁抵抗値の大きいこと、静電容量の温度変
化率の小さいことなど、特性面においても極めて優秀で
あく。
ウム（ＳｒＴｉＯ３）に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を０
．１〜２．０モル％、及び酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）
をＯ〜２．０モル％添加し、焼結させた半導体磁器に、
酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び
二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を単一に粒界に拡散させる
のではなく、Ｃｕ２Ｏ：５〜８５モル％、Ｂｌ２Ｏ３：
５〜８５モル％及びＭｎＯ２：５〜１５モル％の範囲か
らなる組成物の形で塗布し、拡散させ、粒界に絶縁層を
設けた半導体コンデンサ用磁器は、従来になく特性値に
バラツキの小さい、製造しやすいことが特徴であるばか
りでなく、絶縁抵抗値の大きいこと、静電容量の温度変
化率の小さいことなど、特性面においても極めて優秀で
あく。
尚、実施例において、チタン酸ストロンチウムの半導体
の目的で酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を用いたが、酸化タ
ンタル（Ｔａ２Ｏ５）でもよく、実験結果では酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ，）は酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）に比較
して蒸発しにくいという若干の差異はあるが、これは添
加量に比してほとんど無視し得る範囲内のオーダである
。
の目的で酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を用いたが、酸化タ
ンタル（Ｔａ２Ｏ５）でもよく、実験結果では酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ，）は酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）に比較
して蒸発しにくいという若干の差異はあるが、これは添
加量に比してほとんど無視し得る範囲内のオーダである
。
たとえば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｌＯ３）に
酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を０．２モル％添加し、水素
１０％、窒素９０％からなる雰囲気中で、１４００℃で
４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗は０．５Ω
−礪であり、平均結晶粒径は１２．５μｍであるのに対
し、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ，）の添加量を０．１８モ
ル％とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５Ω
一礪、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が得られ
る。通常、ニオブ（Ｎｂ）及びタンタル（Ｔａ）はバナ
ジウム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中
でもこの２つの元素はランタノイド収縮により共有結合
半径がほとんど同じ（１．３４オングストロームである
ため、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じであ
ることは周知である。この２つの５価の元素はチタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）のＴｉ元素の共有結合
半径（１３２オングストローム）とほぼ一致するため、
比較的置換が容易に行われ、ＳｒＴｌＯ３＋Ｎｂ２Ｏ５
（またはＴａ２Ｏ，）→ＳｒＴｌｌ−δＮｂδ０３（ま
たはＳｒＴｉｌ−δＴａδ０３）＋δｅ−として自由電
子が放出され、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）は半導体化される。
酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ，）を０．２モル％添加し、水素
１０％、窒素９０％からなる雰囲気中で、１４００℃で
４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗は０．５Ω
−礪であり、平均結晶粒径は１２．５μｍであるのに対
し、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ，）の添加量を０．１８モ
ル％とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５Ω
一礪、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が得られ
る。通常、ニオブ（Ｎｂ）及びタンタル（Ｔａ）はバナ
ジウム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中
でもこの２つの元素はランタノイド収縮により共有結合
半径がほとんど同じ（１．３４オングストロームである
ため、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じであ
ることは周知である。この２つの５価の元素はチタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）のＴｉ元素の共有結合
半径（１３２オングストローム）とほぼ一致するため、
比較的置換が容易に行われ、ＳｒＴｌＯ３＋Ｎｂ２Ｏ５
（またはＴａ２Ｏ，）→ＳｒＴｌｌ−δＮｂδ０３（ま
たはＳｒＴｉｌ−δＴａδ０３）＋δｅ−として自由電
子が放出され、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）は半導体化される。
ここで、δは置換したＮｂ（またはＴａ）元素の原子数
、ｅ−は電子を表わす。このような半導体化の方法は一
般に原子価制御の方法と呼ばれている。したがつて、上
記実施例における酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ５）に置換することにより、同等の結果
が得られることはいうまでもないものである。また、本
実施例で焼成は水素１〜１０％、窒素９９〜９０％から
なる雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化
されうる雰囲気中であればよいことはいうまでもない。
、ｅ−は電子を表わす。このような半導体化の方法は一
般に原子価制御の方法と呼ばれている。したがつて、上
記実施例における酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ５）に置換することにより、同等の結果
が得られることはいうまでもないものである。また、本
実施例で焼成は水素１〜１０％、窒素９９〜９０％から
なる雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化
されうる雰囲気中であればよいことはいうまでもない。
さらに、電極として銀電極を用いたが、その他の公知の
電極材料を用いてもさしつかえない。
電極材料を用いてもさしつかえない。
図面は静電容量の温度変化率を示すグラフで、Ａはチタ
ン酸バリウム系半導体コンデンサの場合、Ｂは比較例で
ＣＵ２Ｏ及びＢｉ２Ｏ３からなる拡散剤を用いた磁器の
場合、Ｃは本発明の磁器の場合を示す。
ン酸バリウム系半導体コンデンサの場合、Ｂは比較例で
ＣＵ２Ｏ及びＢｉ２Ｏ３からなる拡散剤を用いた磁器の
場合、Ｃは本発明の磁器の場合を示す。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）９９．
８〜９３．０モル％、酸化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）
０．１〜５．０モル％及び酸化ニオブ（Ｎｂ＿２Ｏ＿５
）または酸化タンタル（Ｔａ＿２Ｏ＿５）０．１〜２．
０モル％からなる半導体磁器の粒界に、ビスマス成分、
銅成分及びマンガン成分が偏在し、そのビスマス成分、
銅成分及びマンガン成分のモル比が５〜８５：５〜８５
：５〜１５であることを特徴とする半導体コンデンサ用
磁器。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51040553A JPS5946085B2 (ja) | 1976-04-10 | 1976-04-10 | 半導体コンデンサ用磁器 |
| CA269,514A CA1095704A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-12 | Semiconductive ceramics |
| NLAANVRAGE7700357,A NL169723C (nl) | 1976-01-20 | 1977-01-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider. |
| GB1797/77A GB1526152A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| US05/759,807 US4143207A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| FR7701402A FR2339235A1 (fr) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Ceramiques semiconductrices |
| AU21430/77A AU490459B2 (en) | 1977-01-19 | Semiconductive ceramics | |
| DE2702071A DE2702071C2 (de) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Kondensatorkeramik auf Strontiumtitanatbasis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51040553A JPS5946085B2 (ja) | 1976-04-10 | 1976-04-10 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52124200A JPS52124200A (en) | 1977-10-18 |
| JPS5946085B2 true JPS5946085B2 (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=12583630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51040553A Expired JPS5946085B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-04-10 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946085B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683919A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition |
-
1976
- 1976-04-10 JP JP51040553A patent/JPS5946085B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52124200A (en) | 1977-10-18 |
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| JPS6159525B2 (ja) | ||
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