JPS594804B2 - 高誘電率磁器 - Google Patents
高誘電率磁器Info
- Publication number
- JPS594804B2 JPS594804B2 JP752723A JP272375A JPS594804B2 JP S594804 B2 JPS594804 B2 JP S594804B2 JP 752723 A JP752723 A JP 752723A JP 272375 A JP272375 A JP 272375A JP S594804 B2 JPS594804 B2 JP S594804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- component
- rate
- range
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘電率が高く、特にその温度変化率が著しく小
さく、さらに高周波における誘電正接の良好な新しい高
誘電率磁器に関するものである。
さく、さらに高周波における誘電正接の良好な新しい高
誘電率磁器に関するものである。
従来より高誘電率を持つ磁器誘電体としては、チタン酸
バリウムを主成分とした磁器が用いられている事はすで
に公知である。これらの磁器は高誘電率を持ちコンデン
サ材料として多く用いられているが、誘電率が高くなる
程偏度に対する誘電率の温度変化が大きくなわ、誘電率
が約４０００（２０℃において）以上にな５ ると変化
率が５０％以上（２０℃〜８５℃において）となシ、ま
た電圧によつても大きく変化するため高誘電率を第１用
して高規格（ＥＩＡ規格×７Ｒ）の小型大容量のコンデ
ンサを作製する事は困難であつた。
バリウムを主成分とした磁器が用いられている事はすで
に公知である。これらの磁器は高誘電率を持ちコンデン
サ材料として多く用いられているが、誘電率が高くなる
程偏度に対する誘電率の温度変化が大きくなわ、誘電率
が約４０００（２０℃において）以上にな５ ると変化
率が５０％以上（２０℃〜８５℃において）となシ、ま
た電圧によつても大きく変化するため高誘電率を第１用
して高規格（ＥＩＡ規格×７Ｒ）の小型大容量のコンデ
ンサを作製する事は困難であつた。
１０それは温度や電圧による変化あるいは経時変化が大
きいため容量の初期値を大きく余裕をとる必要があるた
め充分その高誘電率が活用されていなかつた。
きいため容量の初期値を大きく余裕をとる必要があるた
め充分その高誘電率が活用されていなかつた。
また温度変化率（＋２０〜＋８５℃）が比較的小さなも
のでは誘電率がε＝１５００以下１５になるため十分容
量がとれなく、高周波の損失角が悪くなるなど多くの欠
点があつた。以上のようにチタン酸バリウム系を主体に
改善された材料も多くあるが、今だに無欠点な材料はな
く高規格用（−５５℃〜＋１２５℃に渡つて安２０定し
た特性を示す。
のでは誘電率がε＝１５００以下１５になるため十分容
量がとれなく、高周波の損失角が悪くなるなど多くの欠
点があつた。以上のようにチタン酸バリウム系を主体に
改善された材料も多くあるが、今だに無欠点な材料はな
く高規格用（−５５℃〜＋１２５℃に渡つて安２０定し
た特性を示す。
）のコンデンサ材料としては適さず、最近は誘電率が高
く温度変化率の小さな材料、さらには高周波における損
失角の良好な材料、また高温度下における交流電圧特性
（ｆ■１６ＫＨＺ、８００Ｖｒｍｓ／ｍｌｎ）の損失角
の良好な材ク５ 料等が要望されている。また現在迄に
比較的変化率の小さな材料としては、ＢａＴｉ０３−ビ
スマス系、ＢａＴｉ０３−ＰｂＴｉ０３系、ＢａＴｉ０
３−ＰｂＴｉＯ３−Ｌａ２Ｏ３系ＰｂＴｉ０３−Ｌａ２
Ｏ３・３Ｔｉ０２系等の材料が知られているが、これら
は３０誘電率が高くなると変化率が悪く、さらに高周波
の損失角が悪く公害問題においてはＰｂ成分は有害物で
あＶ）さらにＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３等は焼成中におけ
る蒸発が著しく、工業的に安定した磁器を得る事は困難
なものであつた。ｘ 本発明はこのような欠点を改善Ｌ
小型大容量の高規格用磁器コンデンサ材料として有用な
新しい高誘電率磁器を提供するものである。
く温度変化率の小さな材料、さらには高周波における損
失角の良好な材料、また高温度下における交流電圧特性
（ｆ■１６ＫＨＺ、８００Ｖｒｍｓ／ｍｌｎ）の損失角
の良好な材ク５ 料等が要望されている。また現在迄に
比較的変化率の小さな材料としては、ＢａＴｉ０３−ビ
スマス系、ＢａＴｉ０３−ＰｂＴｉ０３系、ＢａＴｉ０
３−ＰｂＴｉＯ３−Ｌａ２Ｏ３系ＰｂＴｉ０３−Ｌａ２
Ｏ３・３Ｔｉ０２系等の材料が知られているが、これら
は３０誘電率が高くなると変化率が悪く、さらに高周波
の損失角が悪く公害問題においてはＰｂ成分は有害物で
あＶ）さらにＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３等は焼成中におけ
る蒸発が著しく、工業的に安定した磁器を得る事は困難
なものであつた。ｘ 本発明はこのような欠点を改善Ｌ
小型大容量の高規格用磁器コンデンサ材料として有用な
新しい高誘電率磁器を提供するものである。
すなわち、本発明は、ＢａＴｉＯ３成分にこのＢａＴｉ
Ｏ３の重量に対し重量比でＭｎＯ２成分を０．０５〜０
．６ｗｔ０１）添加し、その後単一固溶体になる温度で
仮焼成Ｌその後粉末粒径０．３〜２．０μｍの範囲内に
あるＢａＴｉＯ３粉末成分９４．７４〜９９．５５モル
％，５Ｎｂ２０５成分０．４３〜４．９８モル％，Ｂｌ
２Ｏ３成分０．０２〜０．２８モル％Ｑ組成物に対し、
重量比でＭｎＯ２成分を０．０５〜０．６ｗｔ％添加す
る事を特徴とした高誘電率磁器である。
Ｏ３の重量に対し重量比でＭｎＯ２成分を０．０５〜０
．６ｗｔ０１）添加し、その後単一固溶体になる温度で
仮焼成Ｌその後粉末粒径０．３〜２．０μｍの範囲内に
あるＢａＴｉＯ３粉末成分９４．７４〜９９．５５モル
％，５Ｎｂ２０５成分０．４３〜４．９８モル％，Ｂｌ
２Ｏ３成分０．０２〜０．２８モル％Ｑ組成物に対し、
重量比でＭｎＯ２成分を０．０５〜０．６ｗｔ％添加す
る事を特徴とした高誘電率磁器である。
前記範囲内の組成比を変化させる事によつて、誘電率を
約１５００〜３０００前後の範囲で自由に選ぶことがで
き、しかも温度変化率が−５５℃〜＋１２５℃の温度範
囲で±１５％軸の磁器コンデンサを提供できる。
約１５００〜３０００前後の範囲で自由に選ぶことがで
き、しかも温度変化率が−５５℃〜＋１２５℃の温度範
囲で±１５％軸の磁器コンデンサを提供できる。
また本発明範囲内で得られたコンデンサ材相社誘電率が
高く、容量温度変化率が小さく、さらに高周波の損失角
（１ＭＨＺ）が著しく良好であるとともに耐電圧が高い
特性を示すものである。なお本発明のＢａＴｉＯ３（Ｍ
ｎＯ３含有）単一固溶体、Ｎｂ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ３，Ｍ
ｎＯ２等のそれぞれの成分限定理由は次の如くである。
高く、容量温度変化率が小さく、さらに高周波の損失角
（１ＭＨＺ）が著しく良好であるとともに耐電圧が高い
特性を示すものである。なお本発明のＢａＴｉＯ３（Ｍ
ｎＯ３含有）単一固溶体、Ｎｂ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ３，Ｍ
ｎＯ２等のそれぞれの成分限定理由は次の如くである。
すなわち単一固溶体になつているＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ
２含有）成分粉末が９９．５５モル％以上では、誘電率
か」＼さく、さらには高周波の損失角が悪く、温度変化
率が大きくなるため好ましくない。９４．７４モル％以
下では磁器素体の焼結ｌが不安定になｌ）温度変化率が
大きくなるため好ましくない。
２含有）成分粉末が９９．５５モル％以上では、誘電率
か」＼さく、さらには高周波の損失角が悪く、温度変化
率が大きくなるため好ましくない。９４．７４モル％以
下では磁器素体の焼結ｌが不安定になｌ）温度変化率が
大きくなるため好ましくない。
Ｎｂ２Ｏ３成分が４．９８モル％以上では誘電率が低下
するため好ましくない。
するため好ましくない。
０．４３モル％以下では高周波の損失角が悪化するため
好ましくない。
好ましくない。
Ｂｉ２Ｏ３成分が０．２８モル％以上では高周波の損失
角が悪化するため好ましくない。０．０２モル％以下で
は誘電率か低下し、さらに誘電率温度変化率が悪化する
ため好ましくない。
角が悪化するため好ましくない。０．０２モル％以下で
は誘電率か低下し、さらに誘電率温度変化率が悪化する
ため好ましくない。
またＭｎＯ２成分が０．６ｗｔ％以上では、温度変化率
は小さくなるが極度に誘電率が低下し損失角も悪くなる
。
は小さくなるが極度に誘電率が低下し損失角も悪くなる
。
０．０５ｗｔ％以下では誘電率の温度変化率を小さくす
る効果が乏しくなるため好ましくない。
る効果が乏しくなるため好ましくない。
またＢａＴｉＯ３成分に含有する所のＭｎＯ２成分が０
．６ｗｔ％以上では、温度変化率は小さくなるが極度に
誘電率が低下し損失角も悪くなる。０．００５ｗｔ％以
下では誘電率の温度変化率を小さくする勿果が乏しくな
るため好ましくない。
．６ｗｔ％以上では、温度変化率は小さくなるが極度に
誘電率が低下し損失角も悪くなる。０．００５ｗｔ％以
下では誘電率の温度変化率を小さくする勿果が乏しくな
るため好ましくない。
また仮焼成粉砕后、ＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有）原料
粉末を０．３〜２．０μｍの粒径にそろえることは、交
流電圧特性を良好にすると共に、均一な誘電率・損失角
・誘電率温度変化率を得るために必要なことであわ粒径
が２μｍより大きいと誘電率が低くなＶ）Ｔａｍδも大
きくなる０．３μｍより小さくなると誘電率温度変化率
が悪くなＶ）Ｔａｎδも大きくなるため好ましくない。
粉末を０．３〜２．０μｍの粒径にそろえることは、交
流電圧特性を良好にすると共に、均一な誘電率・損失角
・誘電率温度変化率を得るために必要なことであわ粒径
が２μｍより大きいと誘電率が低くなＶ）Ｔａｍδも大
きくなる０．３μｍより小さくなると誘電率温度変化率
が悪くなＶ）Ｔａｎδも大きくなるため好ましくない。
尚本発明において、あらかじめ単一固溶体になつている
ＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有）成分粉末を用いる事は、
容量経時変化率さらには温度変化率を小さくすると共に
再現性を得るために必要な条件である。
ＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有）成分粉末を用いる事は、
容量経時変化率さらには温度変化率を小さくすると共に
再現性を得るために必要な条件である。
またＭｎＯ２成分の添加は従来ＢａＴｉＯ３系磁器の焼
成に於いては、還元性を防止する為に微量のＭｎＯ２を
添加している事は周知の事実であつた。
成に於いては、還元性を防止する為に微量のＭｎＯ２を
添加している事は周知の事実であつた。
即ち絶縁抵抗値、又は損失角の特性値の劣化を最小限に
くいとめるため添加していたものであつた。しかしなが
ら本願発明は従来のＭｎＯ２の添加の効果とは全くなる
作用効果を発揮するものである。
くいとめるため添加していたものであつた。しかしなが
ら本願発明は従来のＭｎＯ２の添加の効果とは全くなる
作用効果を発揮するものである。
即ち、ＭｎＯ２をＢａＴｉＯ３と同時添加によつてチタ
ン酸バリウムのキユ一り一点をそのままの位置にとめ、
かつ誘電率温度特性交流電圧特性、誘電正接などの特性
に於いて著しい効果を発揮するものである。またＢａＴ
ｉＯ３成分に添加しないで全部を生原料のままで添加混
合したのでは、他の成分と容易に固溶してしまい、特性
を改善する効果がなくなるものである。すなわち本発明
は上記組成物範囲内のＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有単一
固溶体）組成物にＮｂ２Ｏ５成分−Ｂｉ２Ｏ３−ＭｎＯ
２成分を同時添加する事によつて初めて誘電率が高く、
広い温度範囲に渡つて容量経時変化率さらには容量温度
変化率が小さく、また高周波の損失角が小さく、耐電圧
が高く、交流電圧特性の著し７く良好な特性を得るもの
である。
ン酸バリウムのキユ一り一点をそのままの位置にとめ、
かつ誘電率温度特性交流電圧特性、誘電正接などの特性
に於いて著しい効果を発揮するものである。またＢａＴ
ｉＯ３成分に添加しないで全部を生原料のままで添加混
合したのでは、他の成分と容易に固溶してしまい、特性
を改善する効果がなくなるものである。すなわち本発明
は上記組成物範囲内のＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有単一
固溶体）組成物にＮｂ２Ｏ５成分−Ｂｉ２Ｏ３−ＭｎＯ
２成分を同時添加する事によつて初めて誘電率が高く、
広い温度範囲に渡つて容量経時変化率さらには容量温度
変化率が小さく、また高周波の損失角が小さく、耐電圧
が高く、交流電圧特性の著し７く良好な特性を得るもの
である。
以下に本発明の実施例を挙げ具体的に説明する。実施例
試料の調整工程としては、まず最初に等モルのＢａＣＯ
３とＴｉＯ２、さらにＭｎＯ２を混合し、その後１０５
０℃〜１２００℃ｌ時間保持で仮焼し粉砕を行ない、そ
の後表に示したそれぞれの粒度になる様に調整し、その
後各成分割合に混合した。
試料の調整工程としては、まず最初に等モルのＢａＣＯ
３とＴｉＯ２、さらにＭｎＯ２を混合し、その後１０５
０℃〜１２００℃ｌ時間保持で仮焼し粉砕を行ない、そ
の後表に示したそれぞれの粒度になる様に調整し、その
後各成分割合に混合した。
（ＢａＴｉＯ３（ＭｎＯ２含有）固溶体はＸ線により単
一固溶体になつている事を確認した。
一固溶体になつている事を確認した。
）な卦磁器の緻密化を促進するために０．１ｗｔ（Ｆ６
のＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２をそれぞれ添加した。″混合は
不純物の混入を防止するためウレタン内張ポツトミルお
よびウレタンライニングボールを用い湿式混合を行なつ
た。
のＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２をそれぞれ添加した。″混合は
不純物の混入を防止するためウレタン内張ポツトミルお
よびウレタンライニングボールを用い湿式混合を行なつ
た。
その後水分を蒸発させ、成型は１５φ×１．２ｍ／Ｔｎ
の円板を圧力約７５０ｋ９／Ｃ７７ｆで加圧成型し、焼
成はエレマ発熱体を利用した電気炉で温度１２８０℃〜
１４００℃２時間保持で行なつた。得られた磁気素子は
両面に銀電極液を塗布し７５０℃１５分で焼付しそれぞ
れの電気特性を測定した。なお本実施例に｝いてＢａＴ
ｉＯ３は計算上等モルの組成比のものを用いたが、０．
５モル％前后その比率がずれても良好な特性を得る事が
出来た。
の円板を圧力約７５０ｋ９／Ｃ７７ｆで加圧成型し、焼
成はエレマ発熱体を利用した電気炉で温度１２８０℃〜
１４００℃２時間保持で行なつた。得られた磁気素子は
両面に銀電極液を塗布し７５０℃１５分で焼付しそれぞ
れの電気特性を測定した。なお本実施例に｝いてＢａＴ
ｉＯ３は計算上等モルの組成比のものを用いたが、０．
５モル％前后その比率がずれても良好な特性を得る事が
出来た。
な訃本実施例にはＭｎＯ２を用いたが他のマンガン塩類
でも同じ結果が得られるものである。また、ストロンチ
ウム●カルシウム●マグネシウム等の微量添加は特性の
改善に効果がある。次の表は本発明による組成物の多数
の実施例ｒある。
でも同じ結果が得られるものである。また、ストロンチ
ウム●カルシウム●マグネシウム等の微量添加は特性の
改善に効果がある。次の表は本発明による組成物の多数
の実施例ｒある。
上記表においてＮＯ３〜７，１１−１６，２１〜２５、
が本発明の範囲内の実施例であ板その他は範囲外の実施
例である。
が本発明の範囲内の実施例であ板その他は範囲外の実施
例である。
本発明の範囲内の試料はいずれも非常に緻密な磁器を得
る事が出来る。
る事が出来る。
また電気特性は従来迄の公知の同一程度の温度変化率を
有する材料に比べ誘覗率が高く、高周波の誘電正接が良
く、さらに交流電圧特性（ｆ＝１６ＫＨＺ８００Ｖｒｍ
シ匍Ｎｌ５Ｏ℃に卦ける損失率）、容量経時変化率も良
いものである。また温度変化率も広い温度範囲に渡つて
小さく安定した特性を有している。さらに実施例には示
さなかつたが破壊電圧も良好なものである。特にＮＯ５
，６，ｌ３，２ｌ〜２４，３７〜３８は誘電率が高く、
誘電率温度変化率力司・さく、高周波の誘電正接も小さ
く容量経時変化率も小さく、交流電圧唱性（１６ＫＨＺ
８００Ｖｒｍｓ／Ｗｎ５Ｏ℃に卦ける損失角）が著しく
良好である。
有する材料に比べ誘覗率が高く、高周波の誘電正接が良
く、さらに交流電圧特性（ｆ＝１６ＫＨＺ８００Ｖｒｍ
シ匍Ｎｌ５Ｏ℃に卦ける損失率）、容量経時変化率も良
いものである。また温度変化率も広い温度範囲に渡つて
小さく安定した特性を有している。さらに実施例には示
さなかつたが破壊電圧も良好なものである。特にＮＯ５
，６，ｌ３，２ｌ〜２４，３７〜３８は誘電率が高く、
誘電率温度変化率力司・さく、高周波の誘電正接も小さ
く容量経時変化率も小さく、交流電圧唱性（１６ＫＨＺ
８００Ｖｒｍｓ／Ｗｎ５Ｏ℃に卦ける損失角）が著しく
良好である。
特に屋５，６，１３，２１〜２４，３７〜３８は誘電率
が高く、誘電率温度変化率が小さく、高周波の誘電正接
も小さく容量経時変化率も小さく交流電圧特姓（１８Ｋ
ＨＺ８００Ｖｒｍｓ／Ｍｌｎ５Ｏ℃に卦ける損失角）が
著しく良好である。
が高く、誘電率温度変化率が小さく、高周波の誘電正接
も小さく容量経時変化率も小さく交流電圧特姓（１８Ｋ
ＨＺ８００Ｖｒｍｓ／Ｍｌｎ５Ｏ℃に卦ける損失角）が
著しく良好である。
ｆ）．１は、ＢａＴｉＯ３作製時にＭｎＯ３を含まない
所の試料安定径時変化率、誘電率温度変化率、交流電圧
特性が非常に悪くコンデンサとし好ましくない。
所の試料安定径時変化率、誘電率温度変化率、交流電圧
特性が非常に悪くコンデンサとし好ましくない。
試料黒１〜９迄はＢａＴｉＯ３作製時に含む所のＭｎＯ
２の許容量を調べた結果である。範囲外ｆ）Ｊｆ６．ｌ
，２、は誘電率温度変化率・交流電圧特性が非常に悪く
、黒８，９は誘電率が小さく容量経時変化率が大きいも
のであつた。試料應１０−１８はＭｎＯ２を含むＢａＴ
ｉＯ３単一固溶体の粉末粒径と特性を調べた結果である
。
２の許容量を調べた結果である。範囲外ｆ）Ｊｆ６．ｌ
，２、は誘電率温度変化率・交流電圧特性が非常に悪く
、黒８，９は誘電率が小さく容量経時変化率が大きいも
のであつた。試料應１０−１８はＭｎＯ２を含むＢａＴ
ｉＯ３単一固溶体の粉末粒径と特性を調べた結果である
。
範囲外のＸ）．１０は誘電率温度変化率・交流電圧特性
力俳常に悪く、應１７，１８は誘電率も小さく、容量経
時変化率が大きく誘電率温度変化率・交流．電圧特性が
非常に悪いものである。試料黒１９〜２７は範囲内のＭ
ｎＯ２、粉末粒径のＢａＴｉＯ３単一固溶体に、範囲内
のＮｂ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ３を含んだ組成物にさらに添加
物としてのＭｎＯ３の添加量の許容量を調べた結果であ
る。
力俳常に悪く、應１７，１８は誘電率も小さく、容量経
時変化率が大きく誘電率温度変化率・交流．電圧特性が
非常に悪いものである。試料黒１９〜２７は範囲内のＭ
ｎＯ２、粉末粒径のＢａＴｉＯ３単一固溶体に、範囲内
のＮｂ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ３を含んだ組成物にさらに添加
物としてのＭｎＯ３の添加量の許容量を調べた結果であ
る。
範囲外のＸ）．１９，２０、は容量経時変化率が非常に
悪くコンデンサとして悪いものである。また黒２６，２
７は誘電率も小さく誘電率温度変化率容量経時変化率も
悪いものである。試料黒２８〜４５は範囲内のＭｎＯ２
、粉末粒径のＢａＴｌＯ３単一固溶体に、Ｎｂ２Ｏ５，
Ｂｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２を添加せしめた時の結果である。
悪くコンデンサとして悪いものである。また黒２６，２
７は誘電率も小さく誘電率温度変化率容量経時変化率も
悪いものである。試料黒２８〜４５は範囲内のＭｎＯ２
、粉末粒径のＢａＴｌＯ３単一固溶体に、Ｎｂ２Ｏ５，
Ｂｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２を添加せしめた時の結果である。
範囲外の屋４１〜４５は、誘電率温度変化率が悪く、容
量経時変化率が大きく、交流電圧特性も非常に悪くコン
デンサとして悪いものである。以上のように、本発明は
範囲内のＭｎＯ２が含有されているＢａＴｉＯ３固溶体
粉末卦よび粉末粒径の原料を用い、範囲内の副成分を添
加することによつて、始めて良好な特性を得ることが出
来るものである。
量経時変化率が大きく、交流電圧特性も非常に悪くコン
デンサとして悪いものである。以上のように、本発明は
範囲内のＭｎＯ２が含有されているＢａＴｉＯ３固溶体
粉末卦よび粉末粒径の原料を用い、範囲内の副成分を添
加することによつて、始めて良好な特性を得ることが出
来るものである。
Claims (1)
- １ ＢａＴｉＯ＿３の重量に対する重量比で０．０５〜
０．６ｗｔ％の範囲内のＭｎＯ＿２成分が添加物として
含まれているＢａＴｉＯ＿３固溶体粉末において、その
粉末粒度が０．３〜２．０μｍの範囲内にあるＢａＴｉ
Ｏ＿３成分粉末９４．７４〜９９．５５モル％、Ｎｂ＿
２Ｏ＿５成分０．４３〜４．９８モル％、Ｂｉ＿２Ｏ＿
３成分０．０２〜０．２８モル％の範囲内より成る組成
物に対し、さらに添加物として前記組成物の重量に対す
る重量比でＭｎＯ＿２成分を０．０５〜０．６ｗｔ％添
加する事を特徴とした高誘電率磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP752723A JPS594804B2 (ja) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | 高誘電率磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP752723A JPS594804B2 (ja) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | 高誘電率磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5176600A JPS5176600A (ja) | 1976-07-02 |
| JPS594804B2 true JPS594804B2 (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=11537219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP752723A Expired JPS594804B2 (ja) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | 高誘電率磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594804B2 (ja) |
-
1974
- 1974-12-27 JP JP752723A patent/JPS594804B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5176600A (ja) | 1976-07-02 |
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