JPS5949002A - 半導体移相器 - Google Patents
半導体移相器Info
- Publication number
- JPS5949002A JPS5949002A JP15987182A JP15987182A JPS5949002A JP S5949002 A JPS5949002 A JP S5949002A JP 15987182 A JP15987182 A JP 15987182A JP 15987182 A JP15987182 A JP 15987182A JP S5949002 A JPS5949002 A JP S5949002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- conductor
- phase shifter
- electrode
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体基板に構成し、 ＦｚＴｉ制御素子
として用いたマイクロ波の位相を制御するローデツドラ
イン形半導体移相器に関するものである。
として用いたマイクロ波の位相を制御するローデツドラ
イン形半導体移相器に関するものである。
まず、従来の半導体移相器について説明する。
第１図は従来のローデツドライン形半導体移相器の構造
の一例を示す。
の一例を示す。
図中、（１）は半導体基鈑、（２）は地導体、（３）は
地導体（２）と共に構成される一フィクロストリップ線
路の主線路、（４１１１″ｉ同じく分岐線路、（５）は
Ｆ Ｂ Ｔ 、 （６１はＦ ｎ Ｔ （５１のドレイ
ン電極、（７）は同じくソース電極。
地導体（２）と共に構成される一フィクロストリップ線
路の主線路、（４１１１″ｉ同じく分岐線路、（５）は
Ｆ Ｂ Ｔ 、 （６１はＦ ｎ Ｔ （５１のドレイ
ン電極、（７）は同じくソース電極。
（８）は同じくゲート電極、＋９）はソース電砂（７）
と地導体（２）を接続する貫通導体、 Ｇｌはゲート′
＠極（８）にバイアスを印加するためのマイクロストリ
ップ線路から・よるバイアス回路である。
と地導体（２）を接続する貫通導体、 Ｇｌはゲート′
＠極（８）にバイアスを印加するためのマイクロストリ
ップ線路から・よるバイアス回路である。
主線路（３）に概略１／４波長間隔で２本の分岐線路（
４）を接続し９分岐線路（４）の他の一端にはＦＥＴ（
５）が接続された構成である。このような構成を有する
半導体移相器は、ゲート電極（８）へ印加するバイアス
電圧を変えることにより、ドレイン拳ソース間がマイク
ロ波に対して示すインピーダンスを変え１分岐線路（４
）と主線路（３）の接続点からＦＩＴ（５）側を見たイ
ンピーダンスを同時に容量性から誘導性へ、又はその逆
へと変えることＫより主線路を伝搬するマイクロ波の位
相を変え、移相器として動作している。
４）を接続し９分岐線路（４）の他の一端にはＦＥＴ（
５）が接続された構成である。このような構成を有する
半導体移相器は、ゲート電極（８）へ印加するバイアス
電圧を変えることにより、ドレイン拳ソース間がマイク
ロ波に対して示すインピーダンスを変え１分岐線路（４
）と主線路（３）の接続点からＦＩＴ（５）側を見たイ
ンピーダンスを同時に容量性から誘導性へ、又はその逆
へと変えることＫより主線路を伝搬するマイクロ波の位
相を変え、移相器として動作している。
ところが、ローデートライン形半導体移相器は２個のＦ
ＥＴの特性に差があると、移相器の位相特性、損失特性
９反射特性が劣化する。
ＥＴの特性に差があると、移相器の位相特性、損失特性
９反射特性が劣化する。
そのため、２個のＦＫＴの特性が揃うことが要求される
が、一般に同一半導体基板に構成された場合でも異なる
Ｆ’ Ｅ Ｔ ｌ′ＪＪには％注のバラツキが見られ、
この種の半導体移相器を製作する上での問題となってい
た。
が、一般に同一半導体基板に構成された場合でも異なる
Ｆ’ Ｅ Ｔ ｌ′ＪＪには％注のバラツキが見られ、
この種の半導体移相器を製作する上での問題となってい
た。
この発明は、上記問題を解決する為、−個のＦＦ１Ｔの
トーレイン、ゲートを分離しソースを共通にした構成を
有するＦＩＴローデツドライン形半導体移相器に用い、
ＦＥＴの％性の不揃いによる移相器特性の劣化を無くす
ることを目的としたもので以下詳細に説明する。
トーレイン、ゲートを分離しソースを共通にした構成を
有するＦＩＴローデツドライン形半導体移相器に用い、
ＦＥＴの％性の不揃いによる移相器特性の劣化を無くす
ることを目的としたもので以下詳細に説明する。
第２図および第３図はこの発明の一実施例を示す半導体
移相器の構成図である。なおここで用いられるＦＪｉ！
Ｔ（１ｆｉｉドレイン及びゲートをそれぞれ２分し、そ
れぞれ第１のドレイン電極０２．第２のドレイン電極０
騰および第１のゲート雷極圓、第２のゲート電極０９を
構成し、ソースは共通にして共通ソース電極ＯＱヲ貫通
導体（９）によって地導体（２）と接続するとともに、
前記両分岐線路（４）の間には導体０ηを配置し９貫通
導体（９）によって地導体（２）と接続し念構成である
。
移相器の構成図である。なおここで用いられるＦＪｉ！
Ｔ（１ｆｉｉドレイン及びゲートをそれぞれ２分し、そ
れぞれ第１のドレイン電極０２．第２のドレイン電極０
騰および第１のゲート雷極圓、第２のゲート電極０９を
構成し、ソースは共通にして共通ソース電極ＯＱヲ貫通
導体（９）によって地導体（２）と接続するとともに、
前記両分岐線路（４）の間には導体０ηを配置し９貫通
導体（９）によって地導体（２）と接続し念構成である
。
又、第１のドレイン電極０２は、一方の分岐線路（４）
に、第２のドレイン電極０３はもう一方の分岐線路（４
）に接続され、これら分岐線路（４）の一端は、主線路
（３）に概略１／４波長の間隔をもって接続されている
。
に、第２のドレイン電極０３はもう一方の分岐線路（４
）に接続され、これら分岐線路（４）の一端は、主線路
（３）に概略１／４波長の間隔をもって接続されている
。
さらに、第１のゲート電極（ｔＬ第２のゲート電極（ｌ
（へ）には、ゲート電極にバイアス電圧を印加するため
のバイアス回路が接続されている。
（へ）には、ゲート電極にバイアス電圧を印加するため
のバイアス回路が接続されている。
上記構成の半導体移相器は、バイアス回路１１１ヲ介し
て印加されるバイアス電圧を変えることにょジ、第１の
ドレイン電極０とソース電極（ｌ［９，第２のドレイン
電極いとソース電極ａＱ間がマイクロ波に対して示すイ
ンピーダンスが変わり、主線路（３）に概略１／４波長
間隔で裏向されるサセプタンス値が変化するｔめ主線路
（３）″ｆ：伝搬するマイクロ波の位相が変わり移相器
としで動作している。
て印加されるバイアス電圧を変えることにょジ、第１の
ドレイン電極０とソース電極（ｌ［９，第２のドレイン
電極いとソース電極ａＱ間がマイクロ波に対して示すイ
ンピーダンスが変わり、主線路（３）に概略１／４波長
間隔で裏向されるサセプタンス値が変化するｔめ主線路
（３）″ｆ：伝搬するマイクロ波の位相が変わり移相器
としで動作している。
この発明による半導体移相器の導体（１７１の効果につ
いて、更に述べるならば、ＦＥＴ（ｕ）内の第１のドレ
イン￥ｌｉ ！’ｉ ［１２、２Ｋ １のゲート電極Ｉ
と共通ソース電極＋ＩＱ及び第２のドレイン電極α３．
第２のゲート電極ｕつと共通ソース電極−が極めて接近
した位置に製作され、それぞれ似かよった特性となるが
第１督よびＥｌ！ ２のドレイン電極０ｚとａ（が極め
て接近したことＫより、それぞれに接続される分岐線路
（４）も又接近すン）ことになる。−このさい両分岐線
路（４）の間にマイクロ波的結合があると半導体移相器
としての特性は劣化する。その対策として両分波線Ｂ（
４＋間の結合を極力減らすべく、貫通導体（９）を介し
て地導体（２）に接続された導体０７）を配置している
。こｉ１μ、第１のドレイン電極Ｈと亮２のドレイン・
電極αｊが極めて接近した上記ＦＥＴ（１１）１に用い
る事が実質上可能となり、それはと９も直さず第１のド
レイン電極とソース電極間及び第２のドレイン電極とソ
ース電極間がマイクロ波に対して示すインピーダンスが
等しいＦＢＴＶ！−用いることが可能なことを意味して
いる。以上の結果この発明によるローデツドライン形半
導体移相器は、ＦＥＴの特性不揃いＫよる性能劣化を防
ぐことができるー なお以上は、主線路（３）が直線的に配向された場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限らず各分岐線路
（４）の間の主線路（３）を折り曲げ伝搬方向に小形化
をはかった半導体移相器に適用してもよい。
いて、更に述べるならば、ＦＥＴ（ｕ）内の第１のドレ
イン￥ｌｉ ！’ｉ ［１２、２Ｋ １のゲート電極Ｉ
と共通ソース電極＋ＩＱ及び第２のドレイン電極α３．
第２のゲート電極ｕつと共通ソース電極−が極めて接近
した位置に製作され、それぞれ似かよった特性となるが
第１督よびＥｌ！ ２のドレイン電極０ｚとａ（が極め
て接近したことＫより、それぞれに接続される分岐線路
（４）も又接近すン）ことになる。−このさい両分岐線
路（４）の間にマイクロ波的結合があると半導体移相器
としての特性は劣化する。その対策として両分波線Ｂ（
４＋間の結合を極力減らすべく、貫通導体（９）を介し
て地導体（２）に接続された導体０７）を配置している
。こｉ１μ、第１のドレイン電極Ｈと亮２のドレイン・
電極αｊが極めて接近した上記ＦＥＴ（１１）１に用い
る事が実質上可能となり、それはと９も直さず第１のド
レイン電極とソース電極間及び第２のドレイン電極とソ
ース電極間がマイクロ波に対して示すインピーダンスが
等しいＦＢＴＶ！−用いることが可能なことを意味して
いる。以上の結果この発明によるローデツドライン形半
導体移相器は、ＦＥＴの特性不揃いＫよる性能劣化を防
ぐことができるー なお以上は、主線路（３）が直線的に配向された場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限らず各分岐線路
（４）の間の主線路（３）を折り曲げ伝搬方向に小形化
をはかった半導体移相器に適用してもよい。
又この発明による半導体移相器を継続接続した多ビツト
ディジタル半導体移相器に適用しても、しいのけ自然で
ある３、 以上のように、この発明に係る半導体移相器では、概略
１／４波長間隔で主線路に接続、される２本の分岐線路
がＦＥＤ近傍で極めて接近することによる結合を抑圧し
、それぞれの先端に特性の類似したＦＥＴを装荷できる
ため、特性の良好な移相器が実現でき、その工業的価値
は極めて高い。
ディジタル半導体移相器に適用しても、しいのけ自然で
ある３、 以上のように、この発明に係る半導体移相器では、概略
１／４波長間隔で主線路に接続、される２本の分岐線路
がＦＥＤ近傍で極めて接近することによる結合を抑圧し
、それぞれの先端に特性の類似したＦＥＴを装荷できる
ため、特性の良好な移相器が実現でき、その工業的価値
は極めて高い。
第１図は従来のローデツドライン形半導体移相器の構造
を示す斜視図、第２図、第３図はこの発明の一実施例を
示す斜視図である。 図中、（１）は半導体基板、（２）は地尋体、（３）は
圧線路、（４）は分岐線路、 （５１１”１１１’ Ｅ
’１１’ 、 ＋６１ｉ−ｔ トレイ７ 電す、 、
（７） Ｂ ｙ −ス蓋極、（８ｉｎゲー） ’ｒＨ
ＩＭ ｅ （９ｎ、［を通導体、ａυはバイアス回路、
（ＬＤｆｌ Ｉｆ” Ｅ ’１’ 、 （ｌａｌ−、
、Ｌ第１のドレイン電極、αりは第２のドレ・ｆン軍極
、■は第１のゲート電極、 （１５１μ第２のゲート電
し、００μ共辿ンース電極、Ｑηは導体である。 なお９図中、同一あ、るいは相当部分には同一符号ケ付
して示しである。 代理人葛町 信− 第１図 第２図
を示す斜視図、第２図、第３図はこの発明の一実施例を
示す斜視図である。 図中、（１）は半導体基板、（２）は地尋体、（３）は
圧線路、（４）は分岐線路、 （５１１”１１１’ Ｅ
’１１’ 、 ＋６１ｉ−ｔ トレイ７ 電す、 、
（７） Ｂ ｙ −ス蓋極、（８ｉｎゲー） ’ｒＨ
ＩＭ ｅ （９ｎ、［を通導体、ａυはバイアス回路、
（ＬＤｆｌ Ｉｆ” Ｅ ’１’ 、 （ｌａｌ−、
、Ｌ第１のドレイン電極、αりは第２のドレ・ｆン軍極
、■は第１のゲート電極、 （１５１μ第２のゲート電
し、００μ共辿ンース電極、Ｑηは導体である。 なお９図中、同一あ、るいは相当部分には同一符号ケ付
して示しである。 代理人葛町 信− 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板に構成したマイクロストリップ線路にＦＦ１
Ｔｉ接続してなる半導体移相器において。 マイクロストリップ線路から成る主線路に概略１／４波
長間隔でマイクロストリップ線路から成る２本の分岐線
路の一端を接続し、上記２本の分岐線路の他の一端はＰ
ＥＴの第１のドレイン電極と第２のトレイン電極にイｉ
１それ接続し、上記第１および！！２の谷ドレイン電極
に対し、共通に設けられた上記ＦＥＴのソース電極を接
地し、上記ＦＩＴの第１のドレイン電極とソース電極間
の第１のゲート電極および紀２のドレイン電極とソース
電極間の第２のゲート電極にバイアスを印加す６＋段を
有し、刀１つ上記両分波線路間の半導体基板上に接地し
た堺体會配置したことを特徴とする半導体移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987182A JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987182A JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949002A true JPS5949002A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6322722B2 JPS6322722B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=15703023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15987182A Granted JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032806A (en) * | 1989-08-09 | 1991-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loaded line phase shifter |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP15987182A patent/JPS5949002A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032806A (en) * | 1989-08-09 | 1991-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loaded line phase shifter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322722B2 (ja) | 1988-05-13 |
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