JPS6322722B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6322722B2 JPS6322722B2 JP15987182A JP15987182A JPS6322722B2 JP S6322722 B2 JPS6322722 B2 JP S6322722B2 JP 15987182 A JP15987182 A JP 15987182A JP 15987182 A JP15987182 A JP 15987182A JP S6322722 B2 JPS6322722 B2 JP S6322722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- phase shifter
- electrode
- drain electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体基板に構成し、FETを制
御素子として用いたマイクロ波の位相を制御する
ローデツドライン形半導体移相器に関するもので
ある。
御素子として用いたマイクロ波の位相を制御する
ローデツドライン形半導体移相器に関するもので
ある。
まず、従来の半導体移相器について説明する。
第１図は従来のローデツドライン形半導体移相
器の構造の一例を示す。
器の構造の一例を示す。
図中、１は半導体基板、２は地導体、３は地導
体２と共に構成されるマイクロストリツプ線路の
主線路、４は同じく分岐線路、５はFET、６は
FET５のドレイン電極、７は同じくソース電極、
８は同じくゲート電極、９はソース電極７と地導
体２を接続する貫通導体、１０はゲート電極８に
バイアスを印加するためのマイクロストリツプ線
路からなるバイアス回路である。
体２と共に構成されるマイクロストリツプ線路の
主線路、４は同じく分岐線路、５はFET、６は
FET５のドレイン電極、７は同じくソース電極、
８は同じくゲート電極、９はソース電極７と地導
体２を接続する貫通導体、１０はゲート電極８に
バイアスを印加するためのマイクロストリツプ線
路からなるバイアス回路である。
主線路３に概略1/4波長間隔で２本の分岐線路
４を接続し、分岐線路４の他の一端にはFET５
が接続された構成である。このような構成を有す
る半導体移相器は、ゲート電極８へ印加するバイ
アス電圧を変えることにより、ドレイン・ソース
間がマイクロ波に対して示すインピーダンスを変
え、分岐線路４と主線路３の接続点からFET５
側を見たインピーダンスを同時に容量性から誘導
性へ、又はその逆へと変えることにより主線路を
伝搬するマイクロ波の位相を変え、移相器として
動作している。
４を接続し、分岐線路４の他の一端にはFET５
が接続された構成である。このような構成を有す
る半導体移相器は、ゲート電極８へ印加するバイ
アス電圧を変えることにより、ドレイン・ソース
間がマイクロ波に対して示すインピーダンスを変
え、分岐線路４と主線路３の接続点からFET５
側を見たインピーダンスを同時に容量性から誘導
性へ、又はその逆へと変えることにより主線路を
伝搬するマイクロ波の位相を変え、移相器として
動作している。
ところが、ローデードライン形半導体移相器は
２個のFETの特性に差があると、移相器の位相
特性、損失特性、反射特性が劣化する。
２個のFETの特性に差があると、移相器の位相
特性、損失特性、反射特性が劣化する。
そのため、２個のFETの特性が揃うことが要
求されるが、一般に同一半導体基板に構成された
場合でも異なるFET間には特性のバラツキが見
られ、この種の半導体移相器を製作する上での問
題となつていた。
求されるが、一般に同一半導体基板に構成された
場合でも異なるFET間には特性のバラツキが見
られ、この種の半導体移相器を製作する上での問
題となつていた。
この発明は、上記問題を解決する為、一個の
FETのドレイン、ゲートを分離しソースを共通
にした構成を有するFETローデツドライン形半
導体移相器に用い、FETの特性の不揃いによる
移相器特性の劣化を無くすることを目的としたも
ので以下詳細に説明する。
FETのドレイン、ゲートを分離しソースを共通
にした構成を有するFETローデツドライン形半
導体移相器に用い、FETの特性の不揃いによる
移相器特性の劣化を無くすることを目的としたも
ので以下詳細に説明する。
第２図および第３図はこの発明の一実施例を示
す半導体移相器の構成図である。なおここで用い
られるFET１１はドレイン及びゲートをそれぞ
れ２分し、それぞれ第１のドレイン電極１２、第
２のドレイン電極１３および第１のゲート電極１
４、第２のゲート電極１５を構成し、ソースは共
通にして共通ソース電極１６を貫通導体９によつ
て地導体２と接続するとともに、前記両分岐線路
４の間には導体１７を配置し、貫通導体９によつ
て地導体２と接続した構成である。
す半導体移相器の構成図である。なおここで用い
られるFET１１はドレイン及びゲートをそれぞ
れ２分し、それぞれ第１のドレイン電極１２、第
２のドレイン電極１３および第１のゲート電極１
４、第２のゲート電極１５を構成し、ソースは共
通にして共通ソース電極１６を貫通導体９によつ
て地導体２と接続するとともに、前記両分岐線路
４の間には導体１７を配置し、貫通導体９によつ
て地導体２と接続した構成である。
又、第１のドレイン電極１２は、一方の分岐線
路４に、第２のドレイン電極１３はもう一方の分
岐線路４に接続され、これら分岐線路４の一端
は、主線路３に概略1/4波長の間隔をもつて接続
されている。
路４に、第２のドレイン電極１３はもう一方の分
岐線路４に接続され、これら分岐線路４の一端
は、主線路３に概略1/4波長の間隔をもつて接続
されている。
さらに、第１のケート電極１４、第２の電極１
５には、ゲート電極にバイアス電圧を印加するた
めのバイアス回路が接続されている。
５には、ゲート電極にバイアス電圧を印加するた
めのバイアス回路が接続されている。
上記構成の半導体移相器は、バイアス回路１０
を介して印加されるバイアス電圧を変えることに
より、第１のドレイン電極１２とソース電極１
６、第２のドレイン電極１３とソース電極１６間
がマイクロ波に対して示すインピーダンスが変わ
り、主線路３に概略1/4波長間隔で装荷されるサ
セプタンス値が変化するため主線路３を伝搬する
マイクロ波の位相が変わり移相器として動作して
いる。
を介して印加されるバイアス電圧を変えることに
より、第１のドレイン電極１２とソース電極１
６、第２のドレイン電極１３とソース電極１６間
がマイクロ波に対して示すインピーダンスが変わ
り、主線路３に概略1/4波長間隔で装荷されるサ
セプタンス値が変化するため主線路３を伝搬する
マイクロ波の位相が変わり移相器として動作して
いる。
この発明による半導体移相器の導体１７の効果
について、更に述べるならば、FET１１内の第
１のドレイン電極１２、第１のゲート電極１４と
共通ソース電極１６及び第２のドレイン電極１
３、第２のゲート電極１５と共通ソース電極１６
が極めて接近した位置に製作され、それぞれ似か
よつた特性となるが第１および第２のドレイン電
極１２と１３が極めて接近したことにより、それ
ぞれに接続される分岐線路４も又接近することに
なる。このさい両分岐線４の間にマイクロ波的結
合があると半導体移相器としての特性は劣化す
る。その対策として両分岐線路４間の結合を極力
減らすべく、貫通導体９を介して地導体２に接続
された導体１７を配置している。これは第１のド
レイン電極１２と第２のドレイン電極１３が極め
て接近した上記FET１１を用いる事が実質上可
能となり、それはとりも直さず第１のドレイン電
極とソース電極間及び第２のドレイン電極とソー
ス電極間がマイクロ波に対して示すインピーダン
スが等しいFETを用いることが可能なことを意
味している。以上の結果この発明によるローデツ
ドライン形半導体移相器は、FETの特性不揃い
による性能劣化を防ぐことができる。
について、更に述べるならば、FET１１内の第
１のドレイン電極１２、第１のゲート電極１４と
共通ソース電極１６及び第２のドレイン電極１
３、第２のゲート電極１５と共通ソース電極１６
が極めて接近した位置に製作され、それぞれ似か
よつた特性となるが第１および第２のドレイン電
極１２と１３が極めて接近したことにより、それ
ぞれに接続される分岐線路４も又接近することに
なる。このさい両分岐線４の間にマイクロ波的結
合があると半導体移相器としての特性は劣化す
る。その対策として両分岐線路４間の結合を極力
減らすべく、貫通導体９を介して地導体２に接続
された導体１７を配置している。これは第１のド
レイン電極１２と第２のドレイン電極１３が極め
て接近した上記FET１１を用いる事が実質上可
能となり、それはとりも直さず第１のドレイン電
極とソース電極間及び第２のドレイン電極とソー
ス電極間がマイクロ波に対して示すインピーダン
スが等しいFETを用いることが可能なことを意
味している。以上の結果この発明によるローデツ
ドライン形半導体移相器は、FETの特性不揃い
による性能劣化を防ぐことができる。
なお以上は、主線路３が直線的に配置された場
合について説明したが、この発明はこれに限らず
各分岐線路４の間の主線路３を折り曲げ伝搬方向
に小形化をはかつた半導体移相器に適用してもよ
い。
合について説明したが、この発明はこれに限らず
各分岐線路４の間の主線路３を折り曲げ伝搬方向
に小形化をはかつた半導体移相器に適用してもよ
い。
又この発明による半導体移相器を継続接続した
多ビツトデイジタル半導体移相器に適用してもよ
いのは当然である。
多ビツトデイジタル半導体移相器に適用してもよ
いのは当然である。
以上のように、この発明に係る半導体移相器で
は、概略1/4波長間隔で主線路に接続される２本
の分岐線路がFET近傍で極めて接近することに
よる結合を抑圧し、それぞれの先端に特性の類似
したFETを装荷できるため、特性の良好な移相
器が実現でき、その工業的価値は極めて高い。
は、概略1/4波長間隔で主線路に接続される２本
の分岐線路がFET近傍で極めて接近することに
よる結合を抑圧し、それぞれの先端に特性の類似
したFETを装荷できるため、特性の良好な移相
器が実現でき、その工業的価値は極めて高い。
第１図は従来のローデツドライン形半導体移相
器の構造を示す斜視図、第２図、第３図はこの発
明の一実施例を示す斜視図である。 図中、１は半導体基板、２は地導体、３は主線
路、４は分岐線路、５はFET、６はドレイン電
極、７はソース電極、８はゲート電極、９は貫通
導体、１０はバイアス回路、１１はFET、１２
は第１のドレイン電極、１３は第２のドレイン電
極、１４は第１のゲート電極、１５は第２のゲー
ト電極、１６は共通ソース電極、１７は導体であ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
器の構造を示す斜視図、第２図、第３図はこの発
明の一実施例を示す斜視図である。 図中、１は半導体基板、２は地導体、３は主線
路、４は分岐線路、５はFET、６はドレイン電
極、７はソース電極、８はゲート電極、９は貫通
導体、１０はバイアス回路、１１はFET、１２
は第１のドレイン電極、１３は第２のドレイン電
極、１４は第１のゲート電極、１５は第２のゲー
ト電極、１６は共通ソース電極、１７は導体であ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
Claims (1)
- １ 半導体基板に構成したマイクロストリツプ線
路にFETを接続してなる半導体移相器において、
マイクロストリツプ線路から成る主線路に概略1/
４波長間隔でマイクロストリツプ線路から成る２
本の分岐線路の一端を接続し、上記２本の分岐線
路の他の一端はFETの第１のドレイン電極と第
２のドレイン電極にそれぞれ接続し、上記第１お
よび第２の各ドレイン電極に対し、共通に設けら
れた上記FETのソース電極を接地し、上記FET
の第１のドレイン電極とソース電極間の第１のゲ
ート電極および第２のドレイン電極とソース電極
間の第２のゲート電極にバイアスを印加する手段
を有し、かつ上記両分岐線路間の半導体基板上に
接地した導体を配置したことを特徴とする半導体
移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987182A JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987182A JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949002A JPS5949002A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6322722B2 true JPS6322722B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=15703023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15987182A Granted JPS5949002A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949002A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101801B2 (ja) * | 1989-08-09 | 1995-11-01 | 三菱電機株式会社 | ローデットライン形移相器 |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP15987182A patent/JPS5949002A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5949002A (ja) | 1984-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4305052A (en) | Ultra-high-frequency diode phase shifter usable with electronically scanning antenna | |
| US5818308A (en) | Coupled line element | |
| US5278575A (en) | Broadband microstrip to slotline transition | |
| US4901042A (en) | High frequency power divider | |
| US4891612A (en) | Overlap interfaces between coplanar transmission lines which are tolerant to transverse and longitudinal misalignment | |
| US4288761A (en) | Microstrip coupler for microwave signals | |
| US4331942A (en) | Stripline diode phase shifter | |
| US5128639A (en) | Phase shifter utilizing hybrid element | |
| US5032806A (en) | Loaded line phase shifter | |
| GB2162375A (en) | Phase shifting devices | |
| JPS633207Y2 (ja) | ||
| JPS6341242B2 (ja) | ||
| JP2962771B2 (ja) | 移相器 | |
| US4085391A (en) | Micro-strip to a slotted line transducer | |
| US5334959A (en) | 180 degree phase shifter bit | |
| JPH0119761B2 (ja) | ||
| US4692720A (en) | Arrangement for producing a junction between a microstrip line and a coplanar transmission line | |
| JPH0346561Y2 (ja) | ||
| JPS63123202A (ja) | スイツチドライン形移相器 | |
| JPS636882Y2 (ja) | ||
| JPS6322723B2 (ja) | ||
| US4853658A (en) | Microwave phase shifters | |
| JPS635282Y2 (ja) | ||
| JPS5949002A (ja) | 半導体移相器 | |
| JPS633208Y2 (ja) |