JPS5952420A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5952420A JPS5952420A JP16096582A JP16096582A JPS5952420A JP S5952420 A JPS5952420 A JP S5952420A JP 16096582 A JP16096582 A JP 16096582A JP 16096582 A JP16096582 A JP 16096582A JP S5952420 A JPS5952420 A JP S5952420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- layer
- magnetic layer
- head
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
２つの非磁性基板間に磁性層を有し、該磁性層の厚み方
向に所定のへッドギャノプが形成されてなる薄膜磁気ヘ
ッド、特に、該非磁性基板と該磁性層との接着に関する
。
向に所定のへッドギャノプが形成されてなる薄膜磁気ヘ
ッド、特に、該非磁性基板と該磁性層との接着に関する
。
従来、ビデオテープレコーダなどに用いられる磁気ヘッ
ドとして、薄膜磁気ヘッドが開発されており、トランク
幅を充分に狭くすることができるようにして記録密度の
向上を可能にしている。
ドとして、薄膜磁気ヘッドが開発されており、トランク
幅を充分に狭くすることができるようにして記録密度の
向上を可能にしている。
かかる薄膜磁気ヘッドは、磁性ノ脅とこれを保誇する非
磁性基板とからなり、該非磁性基板の一方にスパッタリ
ングなどにより該磁性層が形成され、該磁性層の表面に
該非磁性基板の他方を接着し、磁性層を非磁性基板によ
りサンドインチ状に挾んで構成されている。そして、ヘ
ッドギャップは、磁性層の厚み方向に所定ギャフプ長で
形成されておシ、アジマス角に応じてヘットキャップの
傾きを定めることができる。
磁性基板とからなり、該非磁性基板の一方にスパッタリ
ングなどにより該磁性層が形成され、該磁性層の表面に
該非磁性基板の他方を接着し、磁性層を非磁性基板によ
りサンドインチ状に挾んで構成されている。そして、ヘ
ッドギャップは、磁性層の厚み方向に所定ギャフプ長で
形成されておシ、アジマス角に応じてヘットキャップの
傾きを定めることができる。
ところで、このような薄膜磁気ヘッドにおいては、従来
、非磁性基板と磁性層との接着を、適当は樹脂でもって
行なっていた。このように、接着材として樹脂を用いる
′ととは、接着強度の点で信頼性に乏しく、まだ、薄膜
磁気ヘッドのテープとの接触面に樹脂層が露出している
ことになるから、薄膜磁気ヘッドのテープに対する、い
わゆるテープタッチに著しく悪影響を及ぼし、テープの
円滑な走行を阻害するとともに、テープの走行による樹
脂層の摩耗が生ずることになる０ 壕だ、磁性層は応力により大きく磁気特性が変化し、こ
の変化を小さくするためには、接着層を極力薄くする方
が好ましいが、このことは、接着強度の信頼性をさらに
低下させることになるＯ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、非磁性基
板と磁性層とが強固に接着しており、テープタッチが良
好で該磁性層に適度な応力が存在する信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを提供するにある。
、非磁性基板と磁性層との接着を、適当は樹脂でもって
行なっていた。このように、接着材として樹脂を用いる
′ととは、接着強度の点で信頼性に乏しく、まだ、薄膜
磁気ヘッドのテープとの接触面に樹脂層が露出している
ことになるから、薄膜磁気ヘッドのテープに対する、い
わゆるテープタッチに著しく悪影響を及ぼし、テープの
円滑な走行を阻害するとともに、テープの走行による樹
脂層の摩耗が生ずることになる０ 壕だ、磁性層は応力により大きく磁気特性が変化し、こ
の変化を小さくするためには、接着層を極力薄くする方
が好ましいが、このことは、接着強度の信頼性をさらに
低下させることになるＯ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、非磁性基
板と磁性層とが強固に接着しており、テープタッチが良
好で該磁性層に適度な応力が存在する信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、非磁性基板と磁
性層との接着層をガラス薄膜とした点を特徴とする。
性層との接着層をガラス薄膜とした点を特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１１ヌ１は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を
示す正面図であって、１．１′は非磁性基板、２は磁性
層、３はガラス薄膜、４はヘッドギャップである。
示す正面図であって、１．１′は非磁性基板、２は磁性
層、３はガラス薄膜、４はヘッドギャップである。
同図において、薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板１′、磁
性層２、非磁性基板１の積層体として構成され、磁性層
２の厚み方向に所定の幅のヘッドギャップ４が形成され
ている。磁性層２は、非磁性基板１にスパッタリングな
どで形成されたものであシ、まだ、非磁性基板１′とは
、低融点のガラス薄膜３を接着材として接着されている
。
性層２、非磁性基板１の積層体として構成され、磁性層
２の厚み方向に所定の幅のヘッドギャップ４が形成され
ている。磁性層２は、非磁性基板１にスパッタリングな
どで形成されたものであシ、まだ、非磁性基板１′とは
、低融点のガラス薄膜３を接着材として接着されている
。
ガラス薄膜３は、非磁性基板１／１磁性層３の夫々との
結合性が良好であり、テープ図示せずと接触しても該テ
ープの走行には格別支障を生じせしめない上に、製造工
程において、膜厚を任Ａに制御することができるから、
該膜厚を所定の値に設定することにより、磁性層３に所
定の応力を生じさせて所定の磁気特性を生じさせている
。
結合性が良好であり、テープ図示せずと接触しても該テ
ープの走行には格別支障を生じせしめない上に、製造工
程において、膜厚を任Ａに制御することができるから、
該膜厚を所定の値に設定することにより、磁性層３に所
定の応力を生じさせて所定の磁気特性を生じさせている
。
第２図（Ａ）ないしくＨ）は第１図の薄１ｉｘｉ磁気ヘ
ッドの製造方法の一具体例を示す工程図であって、第１
図に対応する部分には同一符号をつけている０ まず、たとえば、Ｍｎ０−Ｎｉ０系などの非磁性基板１
を用意しく第２図（Ａ））、その表面に、たとえば、セ
ンダスト薄膜でなる磁性層２を形成する（第２図（Ｂ）
）。−具体例としては、ＤＣ４極のスパッタリング装置
に用い、膜厚が約１０μｍのセンダスト薄膜を形成した
。
ッドの製造方法の一具体例を示す工程図であって、第１
図に対応する部分には同一符号をつけている０ まず、たとえば、Ｍｎ０−Ｎｉ０系などの非磁性基板１
を用意しく第２図（Ａ））、その表面に、たとえば、セ
ンダスト薄膜でなる磁性層２を形成する（第２図（Ｂ）
）。−具体例としては、ＤＣ４極のスパッタリング装置
に用い、膜厚が約１０μｍのセンダスト薄膜を形成した
。
次に、磁性層２の表面に、スパッタリングにヨシ、膜厚
が約０．３μｍのガラス薄膜３を形成しく第２図（Ｃ）
）、同時に、他の非磁性基板１１の表面にも、同様に、
膜厚が約０．３μｍのガラス薄膜３を形成した（第２図
（Ｄ））。ここでは、ガラス薄膜５は、コーニンｙ社ｔ
７）Ｐ ｂ系の低融点ガラスである≠１４１７ガラスを
材料として用い、該ガラスをターゲフトとして、ＲＦス
パッタ１）ング装置により、ＩＷ／ｃｍ２のパワーを投
入して形成した。
が約０．３μｍのガラス薄膜３を形成しく第２図（Ｃ）
）、同時に、他の非磁性基板１１の表面にも、同様に、
膜厚が約０．３μｍのガラス薄膜３を形成した（第２図
（Ｄ））。ここでは、ガラス薄膜５は、コーニンｙ社ｔ
７）Ｐ ｂ系の低融点ガラスである≠１４１７ガラスを
材料として用い、該ガラスをターゲフトとして、ＲＦス
パッタ１）ング装置により、ＩＷ／ｃｍ２のパワーを投
入して形成した。
両者はガラス薄膜３が重なるように突き合わされ（第２
図（Ｅ））、非磁性基板１．１′に所定の圧力を加えな
がら６２０ｏｃで１０分間保持し、センダストコア材を
形成した（第２図（Ｆ））。そして、このセンダストコ
ア材を、磁性層３に対して交わる方向に、すなわち、磁
性層３の厚み方向に切断し、夫々の切断面を鏡面ラップ
し、まだ、図示しないが、巻線窓を形成した後、夫々の
切断面に非磁性ギャップスペーサ４′を約０ 、１２１
１ｍの厚さで形成しく第２図（Ｇ） ） 、Ｌかる後、
上記切断面を突き合わせて接着ボンデインブレ、ヘレド
ギャップ４を形成して第１図の薄膜磁気ヘッドを得た（
第２図（Ｈ））。
図（Ｅ））、非磁性基板１．１′に所定の圧力を加えな
がら６２０ｏｃで１０分間保持し、センダストコア材を
形成した（第２図（Ｆ））。そして、このセンダストコ
ア材を、磁性層３に対して交わる方向に、すなわち、磁
性層３の厚み方向に切断し、夫々の切断面を鏡面ラップ
し、まだ、図示しないが、巻線窓を形成した後、夫々の
切断面に非磁性ギャップスペーサ４′を約０ 、１２１
１ｍの厚さで形成しく第２図（Ｇ） ） 、Ｌかる後、
上記切断面を突き合わせて接着ボンデインブレ、ヘレド
ギャップ４を形成して第１図の薄膜磁気ヘッドを得た（
第２図（Ｈ））。
かかる製造方法から明らかなように、トラック幅が約１
０μｍの極めて狭い薄膜磁気ヘッドを得ることができ、
ガラス薄膜３の膜厚はスパッタリング時間に応じて任意
に設定可能である。
０μｍの極めて狭い薄膜磁気ヘッドを得ることができ、
ガラス薄膜３の膜厚はスパッタリング時間に応じて任意
に設定可能である。
なお、ヘッドギャップ４は、アジマス角に応じてセンダ
ストコア材の・切断方向を設定することにより（第２図
（Ｇ））、所定のアジマス角を有するように設定するこ
とができる。
ストコア材の・切断方向を設定することにより（第２図
（Ｇ））、所定のアジマス角を有するように設定するこ
とができる。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドのｉｔ！２の実施
例を示す正面図であって、２．．２２は磁性薄膜、５は
層間膜であり、第１図に対応する部分には同一符号をつ
けている。
例を示す正面図であって、２．．２２は磁性薄膜、５は
層間膜であり、第１図に対応する部分には同一符号をつ
けている。
この実施例は、磁性層２を多局化し、ヘッドギャップの
トラック幅を広幅化した薄膜磁気へ・ラドである。磁性
層２は、磁性薄膜２１、層間膜５および磁径薄膜２２の
多層構造をなしている。層間膜５は、磁性層に生ずる渦
電流を除去するだめのものであり、非磁性の絶縁材が好
ましい。ヘッドギャップ４のトラック幅は、層間膜を介
して磁性膜を順次形成することによシ、任意の幅とする
ことができる。
トラック幅を広幅化した薄膜磁気へ・ラドである。磁性
層２は、磁性薄膜２１、層間膜５および磁径薄膜２２の
多層構造をなしている。層間膜５は、磁性層に生ずる渦
電流を除去するだめのものであり、非磁性の絶縁材が好
ましい。ヘッドギャップ４のトラック幅は、層間膜を介
して磁性膜を順次形成することによシ、任意の幅とする
ことができる。
この実施例は、磁性層２以外は第１図の実施例と同様の
構成を有し、機能の点について同様である。
構成を有し、機能の点について同様である。
第４図（Ａ）ないしく（ン）は第３図の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の一具体例を示す工程図であって、第３図に
対応する部分については同一符号をつけている。
の製造方法の一具体例を示す工程図であって、第３図に
対応する部分については同一符号をつけている。
ここでは、ヘッドギャップのトラック幅が約２０μｍで
ある薄膜磁気ヘッドの場合について説明する。
ある薄膜磁気ヘッドの場合について説明する。
第４図（Ａ）、（Ｂ）の工程は、磁性膜２１が厚さ約１
０μｍに形成される以外、第２図（Ａ）、（Ｂ）の工程
と同様である。
０μｍに形成される以外、第２図（Ａ）、（Ｂ）の工程
と同様である。
次に、磁性膜２１の表面に、ＲＦスパッタリング装置に
より、５ｉＯｚをスパッタリングして膜厚的８０ＯＡの
非磁性絶縁膜を形成し、これを層間膜５とする（第４図
（Ｃ））。層間膜５０表面に、磁性膜２１の場合と同様
に、センダストをスパッタリングして約１（１μｍの厚
さの磁性膜２２を形成しく第４図（Ｄ））、その上に、
第２図（Ｃ）“の工程と同様に１前記＋ １４１７のｐ
ｂ系低融点ガラスの薄膜３を約０．２５μｍの厚さに形
成す゛る（第４図（Ｅ））。
より、５ｉＯｚをスパッタリングして膜厚的８０ＯＡの
非磁性絶縁膜を形成し、これを層間膜５とする（第４図
（Ｃ））。層間膜５０表面に、磁性膜２１の場合と同様
に、センダストをスパッタリングして約１（１μｍの厚
さの磁性膜２２を形成しく第４図（Ｄ））、その上に、
第２図（Ｃ）“の工程と同様に１前記＋ １４１７のｐ
ｂ系低融点ガラスの薄膜３を約０．２５μｍの厚さに形
成す゛る（第４図（Ｅ））。
次いで、第２図（Ｄ）と同様の工程で非磁性基板１′に
形成されたガラス薄膜３と磁性膜２２上のガラス薄膜３
とを突き合わせ（第４図（Ｆ））、加圧、加熱すること
により、センダストコア材・が得られる（第４図（Ｇ）
）。これ以降の工程は、第２図（Ｇ）、（Ｈ）の工程と
同様であって、２層の磁性膜２１２２からなる磁性層２
を有し、ヘッドギャップ４のトラック幅が約２０７１ｍ
の薄膜磁気ヘッド第３図が得られる。
形成されたガラス薄膜３と磁性膜２２上のガラス薄膜３
とを突き合わせ（第４図（Ｆ））、加圧、加熱すること
により、センダストコア材・が得られる（第４図（Ｇ）
）。これ以降の工程は、第２図（Ｇ）、（Ｈ）の工程と
同様であって、２層の磁性膜２１２２からなる磁性層２
を有し、ヘッドギャップ４のトラック幅が約２０７１ｍ
の薄膜磁気ヘッド第３図が得られる。
かかる製造方法から明らかなように、第４図。
（Ｂ）、（Ｄ）の工程における磁性膜の膜厚、第４２図
（Ｃ）、（Ｄ）の工程の繰り返しによる磁性膜の積層数
により、任意のトラック幅のへラドギャップを形成する
ことができる。
（Ｃ）、（Ｄ）の工程の繰り返しによる磁性膜の積層数
により、任意のトラック幅のへラドギャップを形成する
ことができる。
なお、以上の実施例では、接着材としてｐｂ系の低融点
ガラスを用いだが、これに限ることなく、任意の適当な
低融点ガラスを用いることができることは明らかであり
、また、上記の製造方法において、接着される磁性層、
非磁性基板双方にガラス薄膜を形成したが、いずれが一
方のみにガラス薄膜を形成するようにしても同様の効果
が得られる。
ガラスを用いだが、これに限ることなく、任意の適当な
低融点ガラスを用いることができることは明らかであり
、また、上記の製造方法において、接着される磁性層、
非磁性基板双方にガラス薄膜を形成したが、いずれが一
方のみにガラス薄膜を形成するようにしても同様の効果
が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、非磁゛性基板と
磁性層とを、ガラス薄膜でもって接着゛するようにした
ものであるから、両者の接゛着性が向上し、テープタッ
チも改善され、さらに、前記ガラス薄膜の膜厚は任意に
設定可能であることから、前記磁性層は応力が適度に設
定され゛て良好な磁気特性が得られ、上記従来技術の欠
点を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドを棲供すること
ができる。
磁性層とを、ガラス薄膜でもって接着゛するようにした
ものであるから、両者の接゛着性が向上し、テープタッ
チも改善され、さらに、前記ガラス薄膜の膜厚は任意に
設定可能であることから、前記磁性層は応力が適度に設
定され゛て良好な磁気特性が得られ、上記従来技術の欠
点を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドを棲供すること
ができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
正面図、第２図（Ａ）ないしくＨ）は。 第１図の薄膜磁気ヘッドの製造方法の−具体例を示す工
程図、第３図は本発明による薄膜ＩＢ気ヘッドの他の実
施例を示す正面図、第４図（Ａ）々いしくＧ）は第３図
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一具体例を示す工程図で
ある。 １．１′・・・・・非磁性基板、 ２・・・・・・磁性層、 ２．２２・・・・・・磁性膜、 ３・・・・・・ガラス薄膜、 ４・・・・・・ヘットキャップ、 ５・・・・・・層間膜、 代理人弁理士 薄 １）利 庁１．Ｊ−オ２図 才４図 第１頁の続き ０発 明 者 小野桁間 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内
正面図、第２図（Ａ）ないしくＨ）は。 第１図の薄膜磁気ヘッドの製造方法の−具体例を示す工
程図、第３図は本発明による薄膜ＩＢ気ヘッドの他の実
施例を示す正面図、第４図（Ａ）々いしくＧ）は第３図
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一具体例を示す工程図で
ある。 １．１′・・・・・非磁性基板、 ２・・・・・・磁性層、 ２．２２・・・・・・磁性膜、 ３・・・・・・ガラス薄膜、 ４・・・・・・ヘットキャップ、 ５・・・・・・層間膜、 代理人弁理士 薄 １）利 庁１．Ｊ−オ２図 才４図 第１頁の続き ０発 明 者 小野桁間 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 第・１、第２の非磁性基板間に磁性層を有し
該磁性層の厚み方向に所定のヘッドギャップが形成され
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性層は前記第１
の非磁性基板上に形成されており、前記磁性層と前記第
２の非磁性基板とがガラス薄膜を接着材として接着され
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （２、特許請求の範囲第（１）項に赴いて、前記磁性層
は、単層の磁性薄膜であることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記磁性層
は、磁性薄膜と層１１４１膜とが交互に積層され、該磁
性薄膜間に該層間膜が介在せる多層構造をなすことを特
徴とする薄膜磁気ヘットも
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096582A JPS5952420A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096582A JPS5952420A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952420A true JPS5952420A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15725997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16096582A Pending JPS5952420A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952420A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107325A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for magnetic recording head |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16096582A patent/JPS5952420A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107325A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for magnetic recording head |
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