JPH0546603B2 - - Google Patents
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- JPH0546603B2 JPH0546603B2 JP59112548A JP11254884A JPH0546603B2 JP H0546603 B2 JPH0546603 B2 JP H0546603B2 JP 59112548 A JP59112548 A JP 59112548A JP 11254884 A JP11254884 A JP 11254884A JP H0546603 B2 JPH0546603 B2 JP H0546603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- magnetic
- gap forming
- magnetic gap
- forming surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録再生装置に用いる磁気ヘツ
ドの製造方法に関するものである。
ドの製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
磁性体をスパツタリング又は蒸着等により基板
上に形成させ、それを用いてリング状の磁気ヘツ
ドを構成する方法として、従来は次の２例があつ
た。
上に形成させ、それを用いてリング状の磁気ヘツ
ドを構成する方法として、従来は次の２例があつ
た。
先ず第１の例は、すべてを薄膜プロセスで形成
する方法である。すなわち第９図に示す様に、基
板２１上に磁性体層２２を形成し、磁気ギヤツプ
に相当するスペーサ２３をその上に形成し、再度
磁性体層２４を形成することにより、リング状磁
気ヘツドとする。巻線２５は、スペーサ２３を形
成する時に作られ、これらの工程はマスキングさ
れた上へのスパツタリング又は蒸着により各層が
形成され、最終的にオーバーコート２６でもつて
覆われる。これらのヘツドはテープ摺動面２７で
磁気コアの接触長さが充分取れないため、耐摩耗
性の点で欠点があり、しかもバルク状の基板とス
パツタ等の手段で形成した薄膜との耐摩耗性の差
に基因する段差による空隙損失のため、ビデオ信
号の記録の様な短波長・高周波数の記録再生が行
なえなかつた。
する方法である。すなわち第９図に示す様に、基
板２１上に磁性体層２２を形成し、磁気ギヤツプ
に相当するスペーサ２３をその上に形成し、再度
磁性体層２４を形成することにより、リング状磁
気ヘツドとする。巻線２５は、スペーサ２３を形
成する時に作られ、これらの工程はマスキングさ
れた上へのスパツタリング又は蒸着により各層が
形成され、最終的にオーバーコート２６でもつて
覆われる。これらのヘツドはテープ摺動面２７で
磁気コアの接触長さが充分取れないため、耐摩耗
性の点で欠点があり、しかもバルク状の基板とス
パツタ等の手段で形成した薄膜との耐摩耗性の差
に基因する段差による空隙損失のため、ビデオ信
号の記録の様な短波長・高周波数の記録再生が行
なえなかつた。
そのため第２の例として、磁性体を基板で両側
からサイドイツチ構造に積層するタイプが検討さ
れ、ビデオヘツド等の、テープ摺動時の耐摩耗性
が必要となる用途に用いられている。しかしこの
ヘツドは、ギヤツプ長の精度に問題があつた。す
なわち第１０図に示す如く、磁性体３１を基板３
２，３３ではさんで積層した状態の左右コアをス
ペーサ３４を介して接合材３５でもつて接合する
事によりギヤツプ形成するのであるが、この時の
左右のコアブロツクの平面性や加工時のそり、ダ
レなどが直接磁気ギヤツプ長の精度に影響し、ビ
デオヘツドの様に狭ギヤツプ長（0.3ミクロン以
下）を高精度に作成する事は非常に困難であつ
た。左右コアの接合材３５にはエポキシ樹脂等の
有機接着剤やガラスなどの無機接着剤が検討され
たが、前者の場合は耐候性において信頼性が得ら
れず、後者の場合はその処理温度でのより確実な
左右コアの突き合わせが必要であつた。またこの
接合材３５だけの接着強度では、その後の機械加
工に耐え得ない欠点があつた。
からサイドイツチ構造に積層するタイプが検討さ
れ、ビデオヘツド等の、テープ摺動時の耐摩耗性
が必要となる用途に用いられている。しかしこの
ヘツドは、ギヤツプ長の精度に問題があつた。す
なわち第１０図に示す如く、磁性体３１を基板３
２，３３ではさんで積層した状態の左右コアをス
ペーサ３４を介して接合材３５でもつて接合する
事によりギヤツプ形成するのであるが、この時の
左右のコアブロツクの平面性や加工時のそり、ダ
レなどが直接磁気ギヤツプ長の精度に影響し、ビ
デオヘツドの様に狭ギヤツプ長（0.3ミクロン以
下）を高精度に作成する事は非常に困難であつ
た。左右コアの接合材３５にはエポキシ樹脂等の
有機接着剤やガラスなどの無機接着剤が検討され
たが、前者の場合は耐候性において信頼性が得ら
れず、後者の場合はその処理温度でのより確実な
左右コアの突き合わせが必要であつた。またこの
接合材３５だけの接着強度では、その後の機械加
工に耐え得ない欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、高
精度な狭ギヤツプを得ることができ、しかもヘツ
ドチツプの機械加工に対する強度にも何ら問題の
生じることがない磁気ヘツドの製造方法を提供す
ることを目的とする 発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘツド
の製造方法は、磁性体を両側より基板でサンドイ
ツチした構造に積層した積層ブロツクを切断して
一対のコアバーを形成し、その切断面を磁気ギヤ
ツプ形成面とし、該磁気ギヤツプ形成面にある磁
性体に沿つて近傍の基板の適当位置にガラス溜部
を設けて、該ガラス溜部にガラスを充填し、次に
前記磁気ギヤツプ形成面に、巻線するための巻線
溝を磁性体と直交する方向に複数個設け、前記磁
気ギヤツプ形成面を平面に研磨し、スペーサを介
して一対のコアバーを磁気ギヤツプ形成面で突き
合せ、加圧加熱して前記ガラスによつてコアバー
を一体に接合し、前記巻線溝毎に個別に切断を行
うものである。
精度な狭ギヤツプを得ることができ、しかもヘツ
ドチツプの機械加工に対する強度にも何ら問題の
生じることがない磁気ヘツドの製造方法を提供す
ることを目的とする 発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘツド
の製造方法は、磁性体を両側より基板でサンドイ
ツチした構造に積層した積層ブロツクを切断して
一対のコアバーを形成し、その切断面を磁気ギヤ
ツプ形成面とし、該磁気ギヤツプ形成面にある磁
性体に沿つて近傍の基板の適当位置にガラス溜部
を設けて、該ガラス溜部にガラスを充填し、次に
前記磁気ギヤツプ形成面に、巻線するための巻線
溝を磁性体と直交する方向に複数個設け、前記磁
気ギヤツプ形成面を平面に研磨し、スペーサを介
して一対のコアバーを磁気ギヤツプ形成面で突き
合せ、加圧加熱して前記ガラスによつてコアバー
を一体に接合し、前記巻線溝毎に個別に切断を行
うものである。
かかる構成によれば、磁気ギヤツプ形成面にガ
ラス溜部を設け、磁気ギヤツプ形成面を境界面と
しスペーサを介して左右コアを押し当てた状態と
し、加熱するので、昇温時にガラス溜部のガラス
は軟化温度以上で液体のふるまいをし、ギヤツプ
長はスペーサの厚みそのものとなる。また軟化温
度以上でガラスは左右の基板に侵食していき、融
合した状態となる。したがつて、強固でしかも高
精度な磁気ギヤツプが得られるのである。
ラス溜部を設け、磁気ギヤツプ形成面を境界面と
しスペーサを介して左右コアを押し当てた状態と
し、加熱するので、昇温時にガラス溜部のガラス
は軟化温度以上で液体のふるまいをし、ギヤツプ
長はスペーサの厚みそのものとなる。また軟化温
度以上でガラスは左右の基板に侵食していき、融
合した状態となる。したがつて、強固でしかも高
精度な磁気ギヤツプが得られるのである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第１図〜第４図は本発明の一実施例における磁
気ヘツドの製造方法の説明図で、この実施例は、
家庭用VTRなどに用いられるビデオヘツドの製
造方法である。先ず、第１図に示す様に、アジマ
ス記録様の傾斜角θ1を有し、長さＬからなる結晶
化ガラス基板１の上下両面を平面に研磨し、その
両側にCo−No−Zrよりなるアモルフアス磁性体
２ａ，２ｂを形成し複合基板３を造る。この時ス
パツタ膜の全厚は30ミクロンであるが、磁性体の
周波数特性の改善のため、磁性体層は３層構造と
し、１層の厚さを10ミクロンとし、層間をSiO2
で電気的に絶縁を行なつた。結晶化ガラス基板１
の耐熱限界は600℃であり、アモルフアス磁性体
２ａ，２ｂの結晶化温度は520℃であつた。
気ヘツドの製造方法の説明図で、この実施例は、
家庭用VTRなどに用いられるビデオヘツドの製
造方法である。先ず、第１図に示す様に、アジマ
ス記録様の傾斜角θ1を有し、長さＬからなる結晶
化ガラス基板１の上下両面を平面に研磨し、その
両側にCo−No−Zrよりなるアモルフアス磁性体
２ａ，２ｂを形成し複合基板３を造る。この時ス
パツタ膜の全厚は30ミクロンであるが、磁性体の
周波数特性の改善のため、磁性体層は３層構造と
し、１層の厚さを10ミクロンとし、層間をSiO2
で電気的に絶縁を行なつた。結晶化ガラス基板１
の耐熱限界は600℃であり、アモルフアス磁性体
２ａ，２ｂの結晶化温度は520℃であつた。
次に第２図は前記複合基板３を用いると共に同
種の結晶化ガラス基板４を用意し、その表面に厚
さ1μmの低融ガラス層５を塗布した後、該複合基
板３のアモルフアス磁性体２ａ，２ｂを挟む構造
に積層して加熱・加圧し、積層ブロツク６を造
る。
種の結晶化ガラス基板４を用意し、その表面に厚
さ1μmの低融ガラス層５を塗布した後、該複合基
板３のアモルフアス磁性体２ａ，２ｂを挟む構造
に積層して加熱・加圧し、積層ブロツク６を造
る。
次に第３図のように、第２図における積層ブロ
ツク６を用いて−線で示す如く長さＬ方向に
切断し、一対のコアブロツク（コアバー）６ａ，
６ｂを造る。このコアブロツク対６ａ，６ｂの切
断面を平面に研磨して磁気ギヤツプ形成面７ａ，
７ｂとしたものであつて、コアブロツク対６ａ，
６ｂはその磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂに接合
用のガラス溜部８を形成する。先ず、幅200ミク
ロン、深さ150ミクロンの溝をアモルフアス磁性
体２ａ，２ｂに沿つて（磁性体よりの間隙は25ミ
クロンで、）その両側にガラス溜部８の溝を加工
する。そして、そのガラス溜部８にクロム膜９を
スパツタリング形成し、その上から低融点ガラス
１０を充填した。この詳細を第５図に示す。この
場合、クロム膜９の厚さは0.1ミクロンであり、
低融点ガラス１０として高鉛ガラスを用いた時
に、低融点ガラス１０の結晶化ガラス基板１への
ぬれ性を著しく改善する効果があつた。このガラ
ス充填処理温度は480℃であり、充填ガラスの鉛
の含有量はPbOで80％wtに近いものである。か
くして得られた、低融点ガラス１０を充填したガ
ラス溜部８を有するコアブロツク６ａ，６ｂの磁
気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂの少なくとも一方
に、ギヤツプスペーサ１１をスパツタリングによ
り形成し（厚さ0.24ミクロン）、磁心窓を構成す
るために、結晶化ガラス基板１，２ａ，２ｂの積
層方向（結晶化ガラス基板１、３の積層方向）に
巻線用の複数の巻線溝１１を形成し、左右コアブ
ロツク６ａ，６ｂを前記磁気ギヤツプ形成面７
ａ，７ｂで重ねて重ね治具で押し当てた。なお、
ギヤツプスペーサ１１はSiO2を主成分とする層
の鉛ガラス層との２層構造とした。次に第４図の
如く左右のコアブロツク６ａと６ｂを一体化した
ものである。具体的方法は、前記コアブロツク６
ａ，６ｂをその磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂで
重ねた後、治具で加圧し、窒素雰囲気中で480℃
まで昇温し、30分間その温度を保持し、室温まで
そのまま冷却した。この時結晶化ガラス基板１お
よび４の熱膨張係数は120×10-7／℃であり（室
温360℃）、低融点ガラス１０は、軟化点360℃で、
軟化点以下の熱膨張率は結晶化ガラス基板１およ
び４の熱膨張係数より20％大きいガラスを用い
た。軟化点以上では、ガラス溜部８の低融点ガラ
ス１０は液状であり、それ以下では固体に変化し
て行き、軟化点以上で融着した状態から固体とな
ることにより、熱膨張係数の差により、低融点ガ
ラス１０には引張り力が、また左右の結晶化ガラ
ス基板１および４については磁気ギヤツプ形成面
７ａ，７ｂで圧縮力が働き、左右コアを磁気ギヤ
ツプ形成面７ａ，７ｂにて押し付ける結果とな
り、強固でしかもギヤツプスペーサ１１に相当す
る高精度のギヤツプ長を得ることが出来た。
ツク６を用いて−線で示す如く長さＬ方向に
切断し、一対のコアブロツク（コアバー）６ａ，
６ｂを造る。このコアブロツク対６ａ，６ｂの切
断面を平面に研磨して磁気ギヤツプ形成面７ａ，
７ｂとしたものであつて、コアブロツク対６ａ，
６ｂはその磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂに接合
用のガラス溜部８を形成する。先ず、幅200ミク
ロン、深さ150ミクロンの溝をアモルフアス磁性
体２ａ，２ｂに沿つて（磁性体よりの間隙は25ミ
クロンで、）その両側にガラス溜部８の溝を加工
する。そして、そのガラス溜部８にクロム膜９を
スパツタリング形成し、その上から低融点ガラス
１０を充填した。この詳細を第５図に示す。この
場合、クロム膜９の厚さは0.1ミクロンであり、
低融点ガラス１０として高鉛ガラスを用いた時
に、低融点ガラス１０の結晶化ガラス基板１への
ぬれ性を著しく改善する効果があつた。このガラ
ス充填処理温度は480℃であり、充填ガラスの鉛
の含有量はPbOで80％wtに近いものである。か
くして得られた、低融点ガラス１０を充填したガ
ラス溜部８を有するコアブロツク６ａ，６ｂの磁
気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂの少なくとも一方
に、ギヤツプスペーサ１１をスパツタリングによ
り形成し（厚さ0.24ミクロン）、磁心窓を構成す
るために、結晶化ガラス基板１，２ａ，２ｂの積
層方向（結晶化ガラス基板１、３の積層方向）に
巻線用の複数の巻線溝１１を形成し、左右コアブ
ロツク６ａ，６ｂを前記磁気ギヤツプ形成面７
ａ，７ｂで重ねて重ね治具で押し当てた。なお、
ギヤツプスペーサ１１はSiO2を主成分とする層
の鉛ガラス層との２層構造とした。次に第４図の
如く左右のコアブロツク６ａと６ｂを一体化した
ものである。具体的方法は、前記コアブロツク６
ａ，６ｂをその磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂで
重ねた後、治具で加圧し、窒素雰囲気中で480℃
まで昇温し、30分間その温度を保持し、室温まで
そのまま冷却した。この時結晶化ガラス基板１お
よび４の熱膨張係数は120×10-7／℃であり（室
温360℃）、低融点ガラス１０は、軟化点360℃で、
軟化点以下の熱膨張率は結晶化ガラス基板１およ
び４の熱膨張係数より20％大きいガラスを用い
た。軟化点以上では、ガラス溜部８の低融点ガラ
ス１０は液状であり、それ以下では固体に変化し
て行き、軟化点以上で融着した状態から固体とな
ることにより、熱膨張係数の差により、低融点ガ
ラス１０には引張り力が、また左右の結晶化ガラ
ス基板１および４については磁気ギヤツプ形成面
７ａ，７ｂで圧縮力が働き、左右コアを磁気ギヤ
ツプ形成面７ａ，７ｂにて押し付ける結果とな
り、強固でしかもギヤツプスペーサ１１に相当す
る高精度のギヤツプ長を得ることが出来た。
ギヤツプ形成後は、第４図に示すように、通常
のビデオヘツドの加工工程と同様に、巻線溝１２
毎にチツプ幅にスライス（厚さは130ミクロン）
し、各々のチツプをヘツドベースに接着して、テ
ープ摺動面を球面に仕上げ、巻線溝１２に巻線を
施し（巻線は図示略）磁気ヘツド１３を完成し
た。
のビデオヘツドの加工工程と同様に、巻線溝１２
毎にチツプ幅にスライス（厚さは130ミクロン）
し、各々のチツプをヘツドベースに接着して、テ
ープ摺動面を球面に仕上げ、巻線溝１２に巻線を
施し（巻線は図示略）磁気ヘツド１３を完成し
た。
この様に、コアブロツク６ａ，６ｂの予め対向
する磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂにガラス溜部
８を設けておき、そのガラス溜部８の中に予め設
けておいた低融点ガラス１０を磁気ギヤツプ形成
時の熱処理で再溶融することによつてコアブロツ
ク６ａ，６ｂを一体に接着し、しかも熱膨張係数
の差により、コアブロツク６ａ，６ｂの磁気ギヤ
ツプ形成面７ａ，７ｂを押しつける構成とするこ
とによつて強固でかつ高精度の磁気ギヤツプ１４
を得ることが出来た。
する磁気ギヤツプ形成面７ａ，７ｂにガラス溜部
８を設けておき、そのガラス溜部８の中に予め設
けておいた低融点ガラス１０を磁気ギヤツプ形成
時の熱処理で再溶融することによつてコアブロツ
ク６ａ，６ｂを一体に接着し、しかも熱膨張係数
の差により、コアブロツク６ａ，６ｂの磁気ギヤ
ツプ形成面７ａ，７ｂを押しつける構成とするこ
とによつて強固でかつ高精度の磁気ギヤツプ１４
を得ることが出来た。
第６図及び第７図は別の実施例を示しており、
このように、平板上の結晶化ガラス基板１５の両
面にアモルフアス磁性体１６ａ，１６ｂを形成
し、さらにその上に結晶化ガラス基板１７ａ，１
７ｂを形成し、アジマス角θ1でもつて、多量に同
様のコアブロツクを作成しても、以下の工程でギ
ヤツプ面にガラス溜部を作成すれば同様の効果が
得られる。
このように、平板上の結晶化ガラス基板１５の両
面にアモルフアス磁性体１６ａ，１６ｂを形成
し、さらにその上に結晶化ガラス基板１７ａ，１
７ｂを形成し、アジマス角θ1でもつて、多量に同
様のコアブロツクを作成しても、以下の工程でギ
ヤツプ面にガラス溜部を作成すれば同様の効果が
得られる。
第８図はさらに別の実施例を示しており、この
ように、低融点ガラス１０を充填するガラス溜部
８は左右のコアブロツク６ａ，６ｂのいずれか一
方に設けても良い。
ように、低融点ガラス１０を充填するガラス溜部
８は左右のコアブロツク６ａ，６ｂのいずれか一
方に設けても良い。
また、結晶化ガラス基板１内のみにガラス溜部
を設け、両側をはさむ結晶化ガラス基板４にガラ
ス溜部を設けなくとも、ギヤツプを押し付ける効
果は見られた。
を設け、両側をはさむ結晶化ガラス基板４にガラ
ス溜部を設けなくとも、ギヤツプを押し付ける効
果は見られた。
またガラス溜部８にクロム膜９を0.1ミクロン
形成したが、これはガラスのぬれ性の改善を試み
たものであり、同様の効果は銅、銀、チタン膜で
も確認された。
形成したが、これはガラスのぬれ性の改善を試み
たものであり、同様の効果は銅、銀、チタン膜で
も確認された。
発明の効果
以上説明したように本発明によれば、高精度な
狭ギヤツプ層を有し、かつ強度的にも後工程の機
械加工に充分耐え得るヘツドチツプを製造し得
る。
狭ギヤツプ層を有し、かつ強度的にも後工程の機
械加工に充分耐え得るヘツドチツプを製造し得
る。
第１図〜第４図は本発明の一実施例における磁
気ヘツドの製造方法の説明図、第５図ハガラス溜
りの拡大断面図、第６図及び第７図は本発明の別
の実施例における磁気ヘツドの製造方法の説明
図、第８図は本発明のさらに別の実施例における
磁気ヘツドの製造方法の説明図、第９図及び第１
０図はそれぞれ従来の磁気ヘツドの製造方法の説
明図である。 １，４，１５，１７ａ，１７ｂ……結晶化ガラ
ス基板、２ａ，２ｂ，１６ａ，１６ｂ……アモル
フアス磁性体、３……複合基板、５……低融ガラ
ス層、６……積層ブロツク、６ａ，６ｂ……コア
ブロツク（コアバー）、７ａ，７ｂ……磁気ギヤ
ツプ形成面、８……ガラス溜部、９……クロム
膜、１０……低融点ガラス、１０……ギヤツプス
ペーサ、１２……巻線溝、１３……磁気ヘツド、
１４……磁気ギヤツプ。
気ヘツドの製造方法の説明図、第５図ハガラス溜
りの拡大断面図、第６図及び第７図は本発明の別
の実施例における磁気ヘツドの製造方法の説明
図、第８図は本発明のさらに別の実施例における
磁気ヘツドの製造方法の説明図、第９図及び第１
０図はそれぞれ従来の磁気ヘツドの製造方法の説
明図である。 １，４，１５，１７ａ，１７ｂ……結晶化ガラ
ス基板、２ａ，２ｂ，１６ａ，１６ｂ……アモル
フアス磁性体、３……複合基板、５……低融ガラ
ス層、６……積層ブロツク、６ａ，６ｂ……コア
ブロツク（コアバー）、７ａ，７ｂ……磁気ギヤ
ツプ形成面、８……ガラス溜部、９……クロム
膜、１０……低融点ガラス、１０……ギヤツプス
ペーサ、１２……巻線溝、１３……磁気ヘツド、
１４……磁気ギヤツプ。
Claims (1)
- １ 磁性体を両側より基板でサンドイツチした構
造に積層した積層ブロツクを切断して一対のコア
バーを形成し、その切断面を磁気ギヤツプ形成面
とし、該磁気ギヤツプ形成面にある磁性体に沿つ
て近傍の基板の適当位置にガラス溜部を設けて、
該ガラス溜部にガラスを充填し、次に前記磁気ギ
ヤツプ形成面に、巻線するための巻線溝を磁性体
と直交する方向に複数個設け、前記磁気ギヤツプ
形成面を平面に研磨し、スペーサを介して一対の
コアバーを磁気ギヤツプ形成面で突き合せ、加圧
加熱して前記ガラスによつてコアバーを一体に接
合し、前記巻線溝毎に個別に切断を行う磁気ヘツ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112548A JPS60256902A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112548A JPS60256902A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256902A JPS60256902A (ja) | 1985-12-18 |
| JPH0546603B2 true JPH0546603B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=14589411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112548A Granted JPS60256902A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60256902A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273613A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59112548A patent/JPS60256902A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60256902A (ja) | 1985-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |