JPH0465444B2 - - Google Patents
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- JPH0465444B2 JPH0465444B2 JP57204532A JP20453282A JPH0465444B2 JP H0465444 B2 JPH0465444 B2 JP H0465444B2 JP 57204532 A JP57204532 A JP 57204532A JP 20453282 A JP20453282 A JP 20453282A JP H0465444 B2 JPH0465444 B2 JP H0465444B2
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- film
- sendust
- magnetic
- thickness
- head
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダなどに好適な
薄膜磁気ヘツドに関する。 〔従来技術〕 近年、ビデオテープレコーダに用いられる磁気
テープとしてメタルテープが普及し、これととも
に、かかる磁気テープに適する磁気ヘツドとし
て、高飽和磁束密度のセンダスト膜をコア材とす
る薄膜磁気ヘツドが注目されており、従来のフエ
ライトヘツドに比べて優れた性能を有しているこ
とが確認されている。 かかる薄膜磁気ヘツドは、基本的には、２つの
非磁性基板間にセンダスト膜を挾み込んで構成さ
れるものであるが、磁気テープに形成すべき記録
トラツクの幅が比較的広いことおよびセンダスト
膜の膜厚がトラツク幅を決定するものであること
から、センダスト膜の膜厚を比較的大きくしなけ
ればならない。しかしながら、センダスト膜の抵
抗値は非常に小さく、その膜厚を大きくすると、
高周波での渦電流損失が著しく大きくなり、高周
波での再生効率が低下してしまうことになる。 そこで、かかる欠点を除去するために、非磁性
基板間でセンダスト膜と電気的絶縁性を有する非
磁性絶縁膜とを交互に複数積層し、多層構造にし
て所定のトラツク幅を得るように薄膜磁気ヘツド
のコア材を構成し、コア材の電気抵抗を増大させ
て高周波での渦電流損失を大幅に減少させるよう
にしている。 ところで、かかるセンダスト多層膜のコア材か
らなる薄膜磁気ヘツドにおいて、センダスト膜の
膜厚をほゞ6μｍで、かつ、センダスト膜間の非
磁性絶縁膜の膜厚を0.5μｍとすることが提案され
た（特開昭49−127195）。これは、上記のように、
センダスト膜と非磁性絶縁膜との夫々の膜厚を設
定すると、センダスト膜に対する飽和磁束密度
Bsと保磁力HcとのBs／Hcが最大となることによ
るものであるとしている。 しかしながら、上記従来の薄膜磁気ヘツドにお
いて、非磁性絶縁膜として、たとえば、SiO2膜
を用いた場合、センダスト膜とSiO2膜との間で
熱膨張係数αが異なるために、非磁性絶縁膜の膜
厚を上記のように0.5μｍとすると、センダスト膜
に応力が加わつて磁気特性の劣化をきたすことに
なる。すなわち、センダスト膜のBs／Hcが最大
となるように、センダスト膜および非磁性絶縁膜
の膜厚を設定したとしても、非磁性絶縁膜の種類
や熱膨張係数α、熱処理などの影響を受け、良好
な磁気特性を有する薄膜磁気ヘツドを得ることが
できなかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
センダスト膜間に設けられる非磁性絶縁膜に係わ
らず、対象とする周波帯域の全域にわたつて良好
な磁気特性を有する薄膜磁気ヘツドを提供するに
ある。 〔発明の概要〕 この目的を達成するために、本発明は、コア材
を形成するセンダスト膜の膜厚を１〜10μｍと
し、かつ、同じく非磁性絶縁膜の膜厚を0.03μｍ
以上0.1μｍ未満とした点に特徴がある。 数10μｍのトラツク幅のセンダスト膜による薄
膜磁気ヘツドを作成するにあたり、まず、センダ
ストはフエライトなどに比べて比抵抗が著しく小
さいために、渦電流損による高周波での初透磁率
の劣化があることを考慮する必要がある。これ
は、スキンデブスの式、すなわち、次式 但し、ρ：センダストの比抵抗（≒100μΩ−
cm） ω：周波数 μp：真空中の透磁率 μc：センダスト（コア）の透磁率 ts：膜厚 に、センダストの比抵抗ρと周波数ωとを代入す
ることにより見積ることができる。また、センダ
ストのコア材により薄膜磁気ヘツドを作成する際
には、熱処理などの工程を経ることから、応力に
よる磁気特性の劣化、すなわち、磁歪が生ずるこ
とも考慮する必要がある。 そこで、これらの点を考慮し、磁歪入を零とす
るようなセンダストの組成を選定し、スパツタリ
ングによりセンダスト膜を形成してその特性を調
べたところ、スキンデプスによる周波数特性の劣
化が表われるのは、大略13μｍ以上の膜厚である
ことがわかつた。そして、15μｍの厚膜のセンダ
スト膜をSiO2膜を介して２層積層し、その磁気
特性を測定したところ、15μｍの厚膜のセンダス
ト膜一層の磁気特性に比べ、特に、初透磁率が全
周波数帯域（〜10MHz）にわたつて約1/2以下と
なつた。また、次に、約8μｍの膜厚の単層のセ
ンダスト膜を作成し、その磁気特性を調べたとこ
ろ、13μｍの膜厚の単層のセンダスト膜に比べ、
全周波数帯域にわたつて平行移動的に初透磁率が
向上した。 一方、周波数が100KHz、4MHzであるときのコ
アの初透磁率μc1000，2000について、前記スキン
デプスの式から膜厚tsを計算すると、次のように
なる。
薄膜磁気ヘツドに関する。 〔従来技術〕 近年、ビデオテープレコーダに用いられる磁気
テープとしてメタルテープが普及し、これととも
に、かかる磁気テープに適する磁気ヘツドとし
て、高飽和磁束密度のセンダスト膜をコア材とす
る薄膜磁気ヘツドが注目されており、従来のフエ
ライトヘツドに比べて優れた性能を有しているこ
とが確認されている。 かかる薄膜磁気ヘツドは、基本的には、２つの
非磁性基板間にセンダスト膜を挾み込んで構成さ
れるものであるが、磁気テープに形成すべき記録
トラツクの幅が比較的広いことおよびセンダスト
膜の膜厚がトラツク幅を決定するものであること
から、センダスト膜の膜厚を比較的大きくしなけ
ればならない。しかしながら、センダスト膜の抵
抗値は非常に小さく、その膜厚を大きくすると、
高周波での渦電流損失が著しく大きくなり、高周
波での再生効率が低下してしまうことになる。 そこで、かかる欠点を除去するために、非磁性
基板間でセンダスト膜と電気的絶縁性を有する非
磁性絶縁膜とを交互に複数積層し、多層構造にし
て所定のトラツク幅を得るように薄膜磁気ヘツド
のコア材を構成し、コア材の電気抵抗を増大させ
て高周波での渦電流損失を大幅に減少させるよう
にしている。 ところで、かかるセンダスト多層膜のコア材か
らなる薄膜磁気ヘツドにおいて、センダスト膜の
膜厚をほゞ6μｍで、かつ、センダスト膜間の非
磁性絶縁膜の膜厚を0.5μｍとすることが提案され
た（特開昭49−127195）。これは、上記のように、
センダスト膜と非磁性絶縁膜との夫々の膜厚を設
定すると、センダスト膜に対する飽和磁束密度
Bsと保磁力HcとのBs／Hcが最大となることによ
るものであるとしている。 しかしながら、上記従来の薄膜磁気ヘツドにお
いて、非磁性絶縁膜として、たとえば、SiO2膜
を用いた場合、センダスト膜とSiO2膜との間で
熱膨張係数αが異なるために、非磁性絶縁膜の膜
厚を上記のように0.5μｍとすると、センダスト膜
に応力が加わつて磁気特性の劣化をきたすことに
なる。すなわち、センダスト膜のBs／Hcが最大
となるように、センダスト膜および非磁性絶縁膜
の膜厚を設定したとしても、非磁性絶縁膜の種類
や熱膨張係数α、熱処理などの影響を受け、良好
な磁気特性を有する薄膜磁気ヘツドを得ることが
できなかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
センダスト膜間に設けられる非磁性絶縁膜に係わ
らず、対象とする周波帯域の全域にわたつて良好
な磁気特性を有する薄膜磁気ヘツドを提供するに
ある。 〔発明の概要〕 この目的を達成するために、本発明は、コア材
を形成するセンダスト膜の膜厚を１〜10μｍと
し、かつ、同じく非磁性絶縁膜の膜厚を0.03μｍ
以上0.1μｍ未満とした点に特徴がある。 数10μｍのトラツク幅のセンダスト膜による薄
膜磁気ヘツドを作成するにあたり、まず、センダ
ストはフエライトなどに比べて比抵抗が著しく小
さいために、渦電流損による高周波での初透磁率
の劣化があることを考慮する必要がある。これ
は、スキンデブスの式、すなわち、次式 但し、ρ：センダストの比抵抗（≒100μΩ−
cm） ω：周波数 μp：真空中の透磁率 μc：センダスト（コア）の透磁率 ts：膜厚 に、センダストの比抵抗ρと周波数ωとを代入す
ることにより見積ることができる。また、センダ
ストのコア材により薄膜磁気ヘツドを作成する際
には、熱処理などの工程を経ることから、応力に
よる磁気特性の劣化、すなわち、磁歪が生ずるこ
とも考慮する必要がある。 そこで、これらの点を考慮し、磁歪入を零とす
るようなセンダストの組成を選定し、スパツタリ
ングによりセンダスト膜を形成してその特性を調
べたところ、スキンデプスによる周波数特性の劣
化が表われるのは、大略13μｍ以上の膜厚である
ことがわかつた。そして、15μｍの厚膜のセンダ
スト膜をSiO2膜を介して２層積層し、その磁気
特性を測定したところ、15μｍの厚膜のセンダス
ト膜一層の磁気特性に比べ、特に、初透磁率が全
周波数帯域（〜10MHz）にわたつて約1/2以下と
なつた。また、次に、約8μｍの膜厚の単層のセ
ンダスト膜を作成し、その磁気特性を調べたとこ
ろ、13μｍの膜厚の単層のセンダスト膜に比べ、
全周波数帯域にわたつて平行移動的に初透磁率が
向上した。 一方、周波数が100KHz、4MHzであるときのコ
アの初透磁率μc1000，2000について、前記スキン
デプスの式から膜厚tsを計算すると、次のように
なる。
以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。 第２図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す正面図であつて、１，１′は非磁性基板、
２，２′，２″はセンダスト膜、３，３′は非磁性
絶縁膜、４は接着材、５はギヤツプスペーサ、
６，６′はコア半体である。 第２図は薄膜磁気ヘツドの磁気テープ摺動面を
示すものである。同図において、コア半体６，
６′は、非磁性基板１，１′間に非磁性絶縁膜３，
３′を介してセンダスト膜２，２′，２″が積層さ
れ、センダスト膜２″が接着材４によつて非磁性
絶縁膜１′に接着されて形成され、夫々のコア半
体６，６′がギヤツプスペーサ５を介して一体化
されて薄膜磁気ヘツドが形成されている。 非磁性基板１，１′は、たとえば、熱膨張係数
αが約140×10-7／degのMn−Niの酸化物からな
り、非磁性絶縁膜３，３′は、たとえば、SiO2膜
であり、また、接着材としては、たとえば、低融
点鉛系ガラスが用いられる。センダスト膜２から
センダスト膜２″までの全体の厚さが薄膜磁気ヘ
ツドのトラツク幅となり、ギヤツプスペーサ５に
より、トラツク幅に対して所定のアジマス角のヘ
ツドギヤツプが形成されている。 センダスト膜２，２′，２″と非磁性絶縁膜３，
３′との膜厚は、薄膜磁気ヘツドの全周波数帯域
における磁気特性が良好であるように設定され、
特に、非磁性絶縁膜３，３′の膜厚は、センダス
ト膜２，２′，２″間の膜はがれの防止の点からも
考慮して設定されるものであるが、以下、夫々の
膜厚について、第１図Ａ，Ｂの実験結果も勘案し
て説明する。 まず、第２図の薄膜磁気ヘツドの製造について
説明する。 第３図ＡないしＧは第２図の薄膜磁気ヘツドの
製造方法の一具体例を示す工程図であつて、７は
コア材であり、第２図に対応する部分には同一符
号をつけている。 まず、熱膨張係数αが約140×10-7／degのMn
−Ni酸化物からなる非磁性基板１，１′を作成し
（第３図Ａ）、非磁性基板１上に、DC4極のスパツ
タリング装置により、3μｍ／時の速度でセンダ
ストを堆積して約8μｍの膜厚のセンダスト膜２
を形成し、さらに、RFスパツタリング装置によ
り、SiO2をスパツタしてSiO2の非磁性絶縁膜３
を約700Åの膜厚に形成する（第３図Ｂ）。同様の
方法により、さらに、膜厚約8μｍのセンダスト
膜２′，膜厚約700ÅのSiO2膜３′、膜厚約8μｍの
センダスト膜２″を順次形成する（第３図Ｃ）。 しかる後、センダスト膜２″上に、RFスパツタ
リング装置により、1W／cm2のパワーで低融点鉛
系ガラスをスパツタし、約0.25μｍの厚さの該低
融点鉛系ガラスからなる接着材４を形成し（第３
図Ｄ）、同様にして、他方の非磁性基板１′上に、
同様の接着材４を約0.25μｍの厚さで形成する。
次に、このようにして得られた基板を、接着材４
が互いに当接するように突き合わせ、加重加熱し
てサンドイツチ状のコア体７を形成する（第３図
Ｆ）。なお、センダスト膜２，２，２″をスパツタ
して形成後、所望の磁気特性を出すために熱処理
アニールし、その後、接着材４をスパツタして非
磁性基板１′とセンダスト膜２″とを接着してもよ
いし、また、非磁性基板１′、センダスト膜２″の
いずれか一方のみに接着材４をスパツタし、コア
体７を形成するようにしてもよい。 次に、コア体７を所定のアジマス角を付して切
断し、コア半体６，６′を形成し、ヘツドギヤツ
プ面となる切断面を研磨ラツプしてギヤツプ突き
合わせ面を形成する。そして、夫々のギヤツプ突
き合わせ面を形成する。そして、夫々のギヤツプ
突き合わせ面に非磁性の、たとえば、SiO2から
なるギヤツプスペーサ材５をスパツタ（第３図
Ｇ）し、これらギヤツプスペーサ材５が当接する
ようにコア半体６，６′を突き合わせ、加重加熱
してボンデイングし、第２図に示す薄膜磁気ヘツ
ドが得られる。 このようにして薄膜磁気ヘツドが得られるもの
であるが、同様の製造方法により、第１図に示す
ように、センダスト膜１層当りの膜厚が異なるコ
ア体を作成し、夫々のコア体から薄膜磁気ヘツド
を作成して夫々のヘツド出力（自己録再出力）を
測定したところ、第４図に示されるような測定結
果を得た。 第４図では横軸に4MHzでの初透磁率センダス
ト膜１層当りの膜厚に対してとり、縦軸に4MHz
における再生出力をとつているが、この第４図か
ら明らかなように、初透磁率800〜1000あたりか
らヘツド出力は急激に上昇しており、このこと
は、第１図Ａにおける初透磁率とセンダスト膜１
層当りの膜厚との関係と対応している。第４図で
は4MHzでのヘツド出力を示したが、1MHzでのヘ
ツド出力についても全く同じ傾向を示した。 なお、このときの出力測定条件は、薄膜磁気ヘ
ツドと磁気テープとの相対速度が4.1ｍ／秒、ト
ラツク幅24μｍ、インダクタンス2μHとした。 このように、初透磁率が800前後以上で急激な
ヘツド出力の上昇がみられることになり、したが
つて、第１図Ａからセンダスト膜１層当りの膜厚
は８〜10μｍよりも薄くすることにより、大きな
ヘツド出力が得られることになる。なお、飽和磁
束密度Bs，保磁力Hcはセンダスト膜１層当りの
膜厚に対して一定であるから（第１図Ｂ）、これ
らを考慮する必要がない。 さて、次に、第３図Ａ〜Ｇに示した製造方法に
より、膜厚4μｍのセンダスト膜を６層積層し、
SiO2の非磁性絶縁膜の膜厚が0.01μｍ〜0.52μｍの
範囲で異なる複数のコア体を作成し、夫々のコア
体から薄膜磁気ヘツドを作成した。そして、夫々
の薄膜磁気ヘツドについて、4MHzにおけるヘツ
ド出力とセンダスト膜の膜はがれ不良率を調べ
た。 この結果、第５図に示すように、非磁性絶縁膜
の膜厚が増加すると、ヘツド出力αは減少し、ま
た、膜はがれ不良率ｂも増加する。特に、ヘツド
出力は、非磁性絶縁膜の膜厚が1000Å以上になる
と、減少していくことがわかつた。この膜はがれ
不良率ｂはセンダスト膜と非磁性絶縁膜との熱膨
張係数αの差に影響され、非磁性絶縁膜がSiO2
の場合には上記のようであるが、SiO2より熱膨
張係数αが大きいアルミナの場合には、SiO2の
場合よりも厚い膜厚で出力減少、膜はがれ不良率
が生ずる傾向がある。 また、SiO2による非磁性絶縁膜の場合、膜厚
が300Å近傍からヘツド出力の減少がみられ、膜
厚が約100Å近傍では約0.5dBの出力低下があつ
た。さらに、非磁性絶縁膜の膜厚を100Å以下に
して実験したところ、約50Åの膜厚の非磁性絶縁
膜の場合、１層当りの膜厚が4μｍのセンダスト
多層膜では、必ずしも良好な磁気特性が得られる
ものではなかつた。これは、SiO2のピンホール
により、あるいは、必ずしも絶縁性が良好でなく
なることから、非磁性絶縁膜の効果が薄れたこと
によるものである。 したがつて、以上のことから、第２図の薄膜磁
気ヘツドの非磁性絶縁膜の膜厚は0.03μｍ以上
0.1μｍ未満の範囲内に設定する。 次に、本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方法
の他の具体例について説明する。 Mn−Ni酸化物の非磁性基板上に、DC4極のス
パツタリング装置により、膜厚5μｍのセンダス
ト膜を形成し、さらに、RFスパツタリング装置
により、アルミナをスパツタして膜厚1000Åの非
磁性絶縁膜を形成した。この工程を５回繰り返し
順次非磁性絶縁膜を介して膜厚5μｍのセンダス
ト膜を５層形成した。 次に、このセンダスト多層膜基板を、真空度
10-2〜10-3Torrの炉内600℃で30分間のアニール
処理を行ない、さらに、センダスト膜上を軽くラ
ツプして洗浄し、鉛が約70〜80％含有した低融点
ガラスをセンダスト膜と他方のMn−Ni酸化物非
磁性基板上に0.25μｍの厚さでスパツタする。こ
れら２つの基板は、低融点ガラス膜を互いに当接
させて突き合わせ、アニール条件と同一条件で加
重加熱し、センダスト膜をサンドイツチ状にラミ
ネートしてコア体を形成する。 次に、このコア体は所定のアジマス角を付して
切断し、２つのコア半体を得る。これらコア半体
の切断面は鏡面ラツプ仕上げしてヘツドギヤツプ
面とし、これらヘツドギヤツプ面に鉛系低融点ガ
ラスをRFスパツタリング装置によりスパツタし、
厚さ約0.15μｍの接着材を形成する。そして、
夫々の接着材を互いに当接するように２つのコア
半体を突き合わせ、10-2〜10-3Torrの真空炉内
で上記ラミネート時よりも低い温度でボンデイン
グし、さらに所定の加工を経て薄膜磁気ヘツドが
作成される。 このようにして得られた薄膜磁気ヘツドにおい
ては、実効ギヤツプ長が約0.25〜0.3μｍであり、
短波長記録を充分に満足するものである。 なお、以上の実施例および製造方法では、一方
の非磁性基板上にのみセンダスト膜を積層し、こ
れに他方の非磁性基板を接着する場合について説
明したが、双方の非磁性基板に夫々センダスト膜
を積層し、それらを互いに突き合わせてラミネー
トしてもよく、また、非磁性絶縁膜としては
SiO2.アルミナに限るものではない。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、積層さ
れるセンダスト膜の１層当りの膜厚を１〜10μｍ
とし、該センダスト膜間の非磁性絶縁膜の膜厚を
0.03μｍ以上0.1μｍ未満とするものであるから、
飽和磁束密度および保磁力が変化することなく、
初透磁率が著しく増加して磁気特性が改善され、
ヘツド出力が著しく増大化して性能のバラツキも
ほとんどなく、さらに、性能の劣化をきたすこと
なく、膜はがれ不良を低減化することができ、製
造歩留りが大幅に向上して、上記記従来技術にな
い優れた機能を有する薄膜磁気ヘツドを提供する
ことができる。
る。 第２図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す正面図であつて、１，１′は非磁性基板、
２，２′，２″はセンダスト膜、３，３′は非磁性
絶縁膜、４は接着材、５はギヤツプスペーサ、
６，６′はコア半体である。 第２図は薄膜磁気ヘツドの磁気テープ摺動面を
示すものである。同図において、コア半体６，
６′は、非磁性基板１，１′間に非磁性絶縁膜３，
３′を介してセンダスト膜２，２′，２″が積層さ
れ、センダスト膜２″が接着材４によつて非磁性
絶縁膜１′に接着されて形成され、夫々のコア半
体６，６′がギヤツプスペーサ５を介して一体化
されて薄膜磁気ヘツドが形成されている。 非磁性基板１，１′は、たとえば、熱膨張係数
αが約140×10-7／degのMn−Niの酸化物からな
り、非磁性絶縁膜３，３′は、たとえば、SiO2膜
であり、また、接着材としては、たとえば、低融
点鉛系ガラスが用いられる。センダスト膜２から
センダスト膜２″までの全体の厚さが薄膜磁気ヘ
ツドのトラツク幅となり、ギヤツプスペーサ５に
より、トラツク幅に対して所定のアジマス角のヘ
ツドギヤツプが形成されている。 センダスト膜２，２′，２″と非磁性絶縁膜３，
３′との膜厚は、薄膜磁気ヘツドの全周波数帯域
における磁気特性が良好であるように設定され、
特に、非磁性絶縁膜３，３′の膜厚は、センダス
ト膜２，２′，２″間の膜はがれの防止の点からも
考慮して設定されるものであるが、以下、夫々の
膜厚について、第１図Ａ，Ｂの実験結果も勘案し
て説明する。 まず、第２図の薄膜磁気ヘツドの製造について
説明する。 第３図ＡないしＧは第２図の薄膜磁気ヘツドの
製造方法の一具体例を示す工程図であつて、７は
コア材であり、第２図に対応する部分には同一符
号をつけている。 まず、熱膨張係数αが約140×10-7／degのMn
−Ni酸化物からなる非磁性基板１，１′を作成し
（第３図Ａ）、非磁性基板１上に、DC4極のスパツ
タリング装置により、3μｍ／時の速度でセンダ
ストを堆積して約8μｍの膜厚のセンダスト膜２
を形成し、さらに、RFスパツタリング装置によ
り、SiO2をスパツタしてSiO2の非磁性絶縁膜３
を約700Åの膜厚に形成する（第３図Ｂ）。同様の
方法により、さらに、膜厚約8μｍのセンダスト
膜２′，膜厚約700ÅのSiO2膜３′、膜厚約8μｍの
センダスト膜２″を順次形成する（第３図Ｃ）。 しかる後、センダスト膜２″上に、RFスパツタ
リング装置により、1W／cm2のパワーで低融点鉛
系ガラスをスパツタし、約0.25μｍの厚さの該低
融点鉛系ガラスからなる接着材４を形成し（第３
図Ｄ）、同様にして、他方の非磁性基板１′上に、
同様の接着材４を約0.25μｍの厚さで形成する。
次に、このようにして得られた基板を、接着材４
が互いに当接するように突き合わせ、加重加熱し
てサンドイツチ状のコア体７を形成する（第３図
Ｆ）。なお、センダスト膜２，２，２″をスパツタ
して形成後、所望の磁気特性を出すために熱処理
アニールし、その後、接着材４をスパツタして非
磁性基板１′とセンダスト膜２″とを接着してもよ
いし、また、非磁性基板１′、センダスト膜２″の
いずれか一方のみに接着材４をスパツタし、コア
体７を形成するようにしてもよい。 次に、コア体７を所定のアジマス角を付して切
断し、コア半体６，６′を形成し、ヘツドギヤツ
プ面となる切断面を研磨ラツプしてギヤツプ突き
合わせ面を形成する。そして、夫々のギヤツプ突
き合わせ面を形成する。そして、夫々のギヤツプ
突き合わせ面に非磁性の、たとえば、SiO2から
なるギヤツプスペーサ材５をスパツタ（第３図
Ｇ）し、これらギヤツプスペーサ材５が当接する
ようにコア半体６，６′を突き合わせ、加重加熱
してボンデイングし、第２図に示す薄膜磁気ヘツ
ドが得られる。 このようにして薄膜磁気ヘツドが得られるもの
であるが、同様の製造方法により、第１図に示す
ように、センダスト膜１層当りの膜厚が異なるコ
ア体を作成し、夫々のコア体から薄膜磁気ヘツド
を作成して夫々のヘツド出力（自己録再出力）を
測定したところ、第４図に示されるような測定結
果を得た。 第４図では横軸に4MHzでの初透磁率センダス
ト膜１層当りの膜厚に対してとり、縦軸に4MHz
における再生出力をとつているが、この第４図か
ら明らかなように、初透磁率800〜1000あたりか
らヘツド出力は急激に上昇しており、このこと
は、第１図Ａにおける初透磁率とセンダスト膜１
層当りの膜厚との関係と対応している。第４図で
は4MHzでのヘツド出力を示したが、1MHzでのヘ
ツド出力についても全く同じ傾向を示した。 なお、このときの出力測定条件は、薄膜磁気ヘ
ツドと磁気テープとの相対速度が4.1ｍ／秒、ト
ラツク幅24μｍ、インダクタンス2μHとした。 このように、初透磁率が800前後以上で急激な
ヘツド出力の上昇がみられることになり、したが
つて、第１図Ａからセンダスト膜１層当りの膜厚
は８〜10μｍよりも薄くすることにより、大きな
ヘツド出力が得られることになる。なお、飽和磁
束密度Bs，保磁力Hcはセンダスト膜１層当りの
膜厚に対して一定であるから（第１図Ｂ）、これ
らを考慮する必要がない。 さて、次に、第３図Ａ〜Ｇに示した製造方法に
より、膜厚4μｍのセンダスト膜を６層積層し、
SiO2の非磁性絶縁膜の膜厚が0.01μｍ〜0.52μｍの
範囲で異なる複数のコア体を作成し、夫々のコア
体から薄膜磁気ヘツドを作成した。そして、夫々
の薄膜磁気ヘツドについて、4MHzにおけるヘツ
ド出力とセンダスト膜の膜はがれ不良率を調べ
た。 この結果、第５図に示すように、非磁性絶縁膜
の膜厚が増加すると、ヘツド出力αは減少し、ま
た、膜はがれ不良率ｂも増加する。特に、ヘツド
出力は、非磁性絶縁膜の膜厚が1000Å以上になる
と、減少していくことがわかつた。この膜はがれ
不良率ｂはセンダスト膜と非磁性絶縁膜との熱膨
張係数αの差に影響され、非磁性絶縁膜がSiO2
の場合には上記のようであるが、SiO2より熱膨
張係数αが大きいアルミナの場合には、SiO2の
場合よりも厚い膜厚で出力減少、膜はがれ不良率
が生ずる傾向がある。 また、SiO2による非磁性絶縁膜の場合、膜厚
が300Å近傍からヘツド出力の減少がみられ、膜
厚が約100Å近傍では約0.5dBの出力低下があつ
た。さらに、非磁性絶縁膜の膜厚を100Å以下に
して実験したところ、約50Åの膜厚の非磁性絶縁
膜の場合、１層当りの膜厚が4μｍのセンダスト
多層膜では、必ずしも良好な磁気特性が得られる
ものではなかつた。これは、SiO2のピンホール
により、あるいは、必ずしも絶縁性が良好でなく
なることから、非磁性絶縁膜の効果が薄れたこと
によるものである。 したがつて、以上のことから、第２図の薄膜磁
気ヘツドの非磁性絶縁膜の膜厚は0.03μｍ以上
0.1μｍ未満の範囲内に設定する。 次に、本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方法
の他の具体例について説明する。 Mn−Ni酸化物の非磁性基板上に、DC4極のス
パツタリング装置により、膜厚5μｍのセンダス
ト膜を形成し、さらに、RFスパツタリング装置
により、アルミナをスパツタして膜厚1000Åの非
磁性絶縁膜を形成した。この工程を５回繰り返し
順次非磁性絶縁膜を介して膜厚5μｍのセンダス
ト膜を５層形成した。 次に、このセンダスト多層膜基板を、真空度
10-2〜10-3Torrの炉内600℃で30分間のアニール
処理を行ない、さらに、センダスト膜上を軽くラ
ツプして洗浄し、鉛が約70〜80％含有した低融点
ガラスをセンダスト膜と他方のMn−Ni酸化物非
磁性基板上に0.25μｍの厚さでスパツタする。こ
れら２つの基板は、低融点ガラス膜を互いに当接
させて突き合わせ、アニール条件と同一条件で加
重加熱し、センダスト膜をサンドイツチ状にラミ
ネートしてコア体を形成する。 次に、このコア体は所定のアジマス角を付して
切断し、２つのコア半体を得る。これらコア半体
の切断面は鏡面ラツプ仕上げしてヘツドギヤツプ
面とし、これらヘツドギヤツプ面に鉛系低融点ガ
ラスをRFスパツタリング装置によりスパツタし、
厚さ約0.15μｍの接着材を形成する。そして、
夫々の接着材を互いに当接するように２つのコア
半体を突き合わせ、10-2〜10-3Torrの真空炉内
で上記ラミネート時よりも低い温度でボンデイン
グし、さらに所定の加工を経て薄膜磁気ヘツドが
作成される。 このようにして得られた薄膜磁気ヘツドにおい
ては、実効ギヤツプ長が約0.25〜0.3μｍであり、
短波長記録を充分に満足するものである。 なお、以上の実施例および製造方法では、一方
の非磁性基板上にのみセンダスト膜を積層し、こ
れに他方の非磁性基板を接着する場合について説
明したが、双方の非磁性基板に夫々センダスト膜
を積層し、それらを互いに突き合わせてラミネー
トしてもよく、また、非磁性絶縁膜としては
SiO2.アルミナに限るものではない。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、積層さ
れるセンダスト膜の１層当りの膜厚を１〜10μｍ
とし、該センダスト膜間の非磁性絶縁膜の膜厚を
0.03μｍ以上0.1μｍ未満とするものであるから、
飽和磁束密度および保磁力が変化することなく、
初透磁率が著しく増加して磁気特性が改善され、
ヘツド出力が著しく増大化して性能のバラツキも
ほとんどなく、さらに、性能の劣化をきたすこと
なく、膜はがれ不良を低減化することができ、製
造歩留りが大幅に向上して、上記記従来技術にな
い優れた機能を有する薄膜磁気ヘツドを提供する
ことができる。
第１図Ａ，Ｂは積層されたセンダスト膜の磁気
特性の実験結果を示す特性図、第２図は本発明に
よる薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す正面図、第
３図ＡないしＧは第２図の薄膜磁気ヘツドの製造
方法の一具体例を示す工程図、第４図は第２図の
薄膜磁気ヘツドにおける初透磁率に対する再生出
力の測定結果を示す特性図、第５図は第２図にお
ける薄膜磁気ヘツドの非磁性絶縁膜の膜厚に対す
る再生出力の測定結果を示す特性図である。 １，１′……非磁性基板、２，２′，２″……セ
ンダスト膜、３，３′……非磁性絶縁膜。
特性の実験結果を示す特性図、第２図は本発明に
よる薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す正面図、第
３図ＡないしＧは第２図の薄膜磁気ヘツドの製造
方法の一具体例を示す工程図、第４図は第２図の
薄膜磁気ヘツドにおける初透磁率に対する再生出
力の測定結果を示す特性図、第５図は第２図にお
ける薄膜磁気ヘツドの非磁性絶縁膜の膜厚に対す
る再生出力の測定結果を示す特性図である。 １，１′……非磁性基板、２，２′，２″……セ
ンダスト膜、３，３′……非磁性絶縁膜。
Claims (1)
- １ ２つの非磁性基板間に複数のセンダスト膜が
非磁性絶縁膜のみを介して積層されてなるコア半
体が２個、ギヤツプスペーサを介して、一体化し
てなる薄膜磁気ヘツドであつて、該コア半体夫々
の該センダスト膜の膜厚が１〜10μmで、かつ該
コア半体夫々の該非磁性絶縁膜の膜厚が0.03μm
以上0.1μm未満であることを特徴とする薄膜磁気
ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20453282A JPS5996519A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20453282A JPS5996519A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996519A JPS5996519A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0465444B2 true JPH0465444B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=16492095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20453282A Granted JPS5996519A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996519A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260412A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Sharp Corp | 磁気ヘツド用部材 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543238B2 (ja) * | 1973-04-10 | 1979-02-20 | ||
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
| JPS57189320A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-20 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
| JPS5845617A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS5870418A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-26 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製法 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20453282A patent/JPS5996519A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5996519A (ja) | 1984-06-04 |
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