JPH0447367B2 - - Google Patents
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- JPH0447367B2 JPH0447367B2 JP57160966A JP16096682A JPH0447367B2 JP H0447367 B2 JPH0447367 B2 JP H0447367B2 JP 57160966 A JP57160966 A JP 57160966A JP 16096682 A JP16096682 A JP 16096682A JP H0447367 B2 JPH0447367 B2 JP H0447367B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- film
- head
- layer
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は２つの非磁性基板間に磁性層を有し、
該磁性層の厚み方向に所定のヘツドギヤツプが形
成されてなる薄膜磁気ヘツドとその製造方法に関
する。
該磁性層の厚み方向に所定のヘツドギヤツプが形
成されてなる薄膜磁気ヘツドとその製造方法に関
する。
従来、ビデオテープレコーダなどに用いられる
磁気ヘツドとして、薄膜磁気ヘツドが開発されて
おり、トラツク幅を充分に狭くすることができる
ようにして記録密度の向上を可能にしている。
磁気ヘツドとして、薄膜磁気ヘツドが開発されて
おり、トラツク幅を充分に狭くすることができる
ようにして記録密度の向上を可能にしている。
かかる薄膜磁気ヘツドは、磁性層とこれを保護
する非磁性基板とからなり、該非磁性基板の一方
にスパツタリングなどにより該磁性層が形成さ
れ、該磁性層の表面に該非磁性基板の他方を接着
し、磁性層を非磁性基板によりサンドイツチ状に
挾んで構成されている。そして、ヘツドギヤツプ
は、磁性層の厚み方向に所定ギヤツプ幅で形成さ
れており、アジマス角に応じてヘツドギヤツプの
傾きを定めることができる。
する非磁性基板とからなり、該非磁性基板の一方
にスパツタリングなどにより該磁性層が形成さ
れ、該磁性層の表面に該非磁性基板の他方を接着
し、磁性層を非磁性基板によりサンドイツチ状に
挾んで構成されている。そして、ヘツドギヤツプ
は、磁性層の厚み方向に所定ギヤツプ幅で形成さ
れており、アジマス角に応じてヘツドギヤツプの
傾きを定めることができる。
ところで、このような薄膜磁気ヘツドにおいて
は、従来、非磁性基板と磁性層との接着を、適当
は樹脂でもつて行なつていた。このように、接着
剤として樹脂を用いることは、接着強度の点で信
頼性に乏しく、また、薄膜磁気ヘツドのテープと
の接触面に樹脂層が露出していることになるか
ら、薄膜磁気ヘツドのテープに対する、いわゆる
テープタツチに著しく悪影響を及ぼし、テープの
円滑な走行を阻害するとともに、テープの走行に
よる樹脂層の磨耗が生ずることになる。
は、従来、非磁性基板と磁性層との接着を、適当
は樹脂でもつて行なつていた。このように、接着
剤として樹脂を用いることは、接着強度の点で信
頼性に乏しく、また、薄膜磁気ヘツドのテープと
の接触面に樹脂層が露出していることになるか
ら、薄膜磁気ヘツドのテープに対する、いわゆる
テープタツチに著しく悪影響を及ぼし、テープの
円滑な走行を阻害するとともに、テープの走行に
よる樹脂層の磨耗が生ずることになる。
また、磁性層は応力により大きく磁気特性が変
化し、この変化を小さくするためには、接着層を
極力薄くする方が好ましいが、このことは、接着
強度の信頼性をさらに低下させることになる。
化し、この変化を小さくするためには、接着層を
極力薄くする方が好ましいが、このことは、接着
強度の信頼性をさらに低下させることになる。
ビデオテープレコーダに用いられる磁気ヘツド
のヘツドギヤツプのトラツク幅は、一般に、約
20μｍ以上である。しかるに、ビデオテープレコ
ーダに用いられる薄膜磁気ヘツドの場合、その磁
性層は厚みが約20μｍ以上であることを必要とす
るから、かかる厚さの磁性層をスパツタリング法
などで形成しようとすると、膨大な時間を要する
ことになる。また、薄膜磁気ヘツドの磁性層は、
金属磁性体からなるものであるから抵抗抗体であ
り、渦電流が生じて高周波での透磁率損失が顕著
になり、金属磁性体のみからなる厚さ約20μｍの
磁性層である場合、この損失は非常に大きいもの
となる。そこで、通常20μｍ以上の厚さの磁性層
は、薄い磁性膜と非磁性絶縁物の層間膜とで多層
構造とする必要がある。
のヘツドギヤツプのトラツク幅は、一般に、約
20μｍ以上である。しかるに、ビデオテープレコ
ーダに用いられる薄膜磁気ヘツドの場合、その磁
性層は厚みが約20μｍ以上であることを必要とす
るから、かかる厚さの磁性層をスパツタリング法
などで形成しようとすると、膨大な時間を要する
ことになる。また、薄膜磁気ヘツドの磁性層は、
金属磁性体からなるものであるから抵抗抗体であ
り、渦電流が生じて高周波での透磁率損失が顕著
になり、金属磁性体のみからなる厚さ約20μｍの
磁性層である場合、この損失は非常に大きいもの
となる。そこで、通常20μｍ以上の厚さの磁性層
は、薄い磁性膜と非磁性絶縁物の層間膜とで多層
構造とする必要がある。
磁性層の形成に際し、たとえば、スパツタリン
グにおける基板温度、Arガスのガス圧、電極間
の距離などの条件により、形成される金属磁性膜
の応力が変化して磁気特性が影響を受ける。この
応力は膜厚が厚くなる程顕著となり、特に、膜厚
が10μm以上で応力が増加して応力のコントロー
ルが困難になる。また、非磁性基板と磁性層との
熱膨張率が異なると、磁性層の厚さに比例して応
力が増加する。両者の熱膨張率が合致していれば
問題はないが、通常、これらを合致させることは
容易でなく、多少の応力は許容されていた。
グにおける基板温度、Arガスのガス圧、電極間
の距離などの条件により、形成される金属磁性膜
の応力が変化して磁気特性が影響を受ける。この
応力は膜厚が厚くなる程顕著となり、特に、膜厚
が10μm以上で応力が増加して応力のコントロー
ルが困難になる。また、非磁性基板と磁性層との
熱膨張率が異なると、磁性層の厚さに比例して応
力が増加する。両者の熱膨張率が合致していれば
問題はないが、通常、これらを合致させることは
容易でなく、多少の応力は許容されていた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
優れた機械的強度と一様は磁気特性を有し、製造
時間が短縮された薄膜磁気ヘツドとその製造方法
を提供するにある。
優れた機械的強度と一様は磁気特性を有し、製造
時間が短縮された薄膜磁気ヘツドとその製造方法
を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、非磁性
基板の夫々に部分磁性層がスパツタリング法など
によつて形成され、該部分磁性層をガラス薄膜に
より互いに接着するようにした点を特徴とする。
基板の夫々に部分磁性層がスパツタリング法など
によつて形成され、該部分磁性層をガラス薄膜に
より互いに接着するようにした点を特徴とする。
先述のように、スパツタリングなどにより金属
磁性膜を形成する場合、膜厚が、10μｍ以上とな
ると応力が増加する。しかし、実験の結果では、
膜厚が10μｍ以下では、常に安定した高磁気特性
が再現性よく得られ、磁気特性にバラツキが生じ
ないということがわかつた。このように、金属磁
性膜の膜厚を10μｍ以下に形成することは、ま
た、磁性層を金属磁性膜と非磁性絶縁物の層間膜
とを交互に積層した多層構造とすることに何等支
障とならないし、また、層間膜として、金属磁性
膜相互を接着する非磁性絶縁物の接着剤を用いる
ことができる。
磁性膜を形成する場合、膜厚が、10μｍ以上とな
ると応力が増加する。しかし、実験の結果では、
膜厚が10μｍ以下では、常に安定した高磁気特性
が再現性よく得られ、磁気特性にバラツキが生じ
ないということがわかつた。このように、金属磁
性膜の膜厚を10μｍ以下に形成することは、ま
た、磁性層を金属磁性膜と非磁性絶縁物の層間膜
とを交互に積層した多層構造とすることに何等支
障とならないし、また、層間膜として、金属磁性
膜相互を接着する非磁性絶縁物の接着剤を用いる
ことができる。
本発明は、以上の点を考慮してなされたもので
ある。
ある。
以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。
る。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す正面図であつて、、１，１′は非磁性基
板、２1，２2，２1′，２2′は金属磁性膜、３，
３′は層間膜、４はガラス薄膜、５はヘツドギヤ
ツプである。ここにガラス薄膜４とヘツドギヤツ
プ５の方向は、図からわかるように略直交してい
る。
例を示す正面図であつて、、１，１′は非磁性基
板、２1，２2，２1′，２2′は金属磁性膜、３，
３′は層間膜、４はガラス薄膜、５はヘツドギヤ
ツプである。ここにガラス薄膜４とヘツドギヤツ
プ５の方向は、図からわかるように略直交してい
る。
この実施例は、非磁性基板１，１′間に磁性層
が形成され、該磁性層は、金属磁性膜２1，２2，
２1′，２2′、層間膜３，３′、ガラス薄膜４が積層
されて多層構造をなしている。金属磁性膜２1、
層間膜３、金属磁性層２2の部分磁性層は非磁性
基板１上に、また、金属磁性膜２1′、層間膜３′、
金属磁性膜２2′の部分磁性層は非磁性基板１′上
に夫々スパツタリング法などで形成されたもので
あつて、金属磁性膜２2，２2′は低融点のガラス
薄膜４によつて接着されている。層間膜３，３′
はSiOなどの非磁性絶縁層であつて、磁性層での
渦電流の発生を防止する。ガラス薄膜４は接着剤
とともに層間膜としても機能している。
が形成され、該磁性層は、金属磁性膜２1，２2，
２1′，２2′、層間膜３，３′、ガラス薄膜４が積層
されて多層構造をなしている。金属磁性膜２1、
層間膜３、金属磁性層２2の部分磁性層は非磁性
基板１上に、また、金属磁性膜２1′、層間膜３′、
金属磁性膜２2′の部分磁性層は非磁性基板１′上
に夫々スパツタリング法などで形成されたもので
あつて、金属磁性膜２2，２2′は低融点のガラス
薄膜４によつて接着されている。層間膜３，３′
はSiOなどの非磁性絶縁層であつて、磁性層での
渦電流の発生を防止する。ガラス薄膜４は接着剤
とともに層間膜としても機能している。
金属磁性膜２1，２2，２1′，２2′の厚さは10μｍ
以下に設定され。また、接着材がガラス薄膜４で
あるから、ガラス薄膜４も充分に薄くすることが
できて金属磁性膜２1，２2，２1′，２2′での応力
を極力抑制することができ、極性層に所定の磁気
特性を精度よくもたせることができる。そして、
ガラス薄膜４の厚さを薄くしても金属磁性膜２2，
２2′の接着強度は充分に大きく、また、テープの
走行に格別不都合を生じない。
以下に設定され。また、接着材がガラス薄膜４で
あるから、ガラス薄膜４も充分に薄くすることが
できて金属磁性膜２1，２2，２1′，２2′での応力
を極力抑制することができ、極性層に所定の磁気
特性を精度よくもたせることができる。そして、
ガラス薄膜４の厚さを薄くしても金属磁性膜２2，
２2′の接着強度は充分に大きく、また、テープの
走行に格別不都合を生じない。
第２図ＡないしＤは第１図の薄膜磁気ヘツドの
製造方法の一実施例を示す工程図であつて、５′
はギヤツプスペーサであり、第１図に対応する部
分には同一符号をつけている。
製造方法の一実施例を示す工程図であつて、５′
はギヤツプスペーサであり、第１図に対応する部
分には同一符号をつけている。
まず、たとえば、MnO−NiO系などの非磁性
基板１，１′の表面に、たとえば、センダスト薄
膜でなる金属磁性膜２1，２1′を形成する。一具
体例としては、DC4極スパツタリング装置を用
い、毎時3μｍの速度で約6μｍの厚さのセンダス
ト薄膜を形成した。次いで、金属磁性膜２1，２
1′の上に、RFスパツタリング装置により、SiO2
をスパツタリングして約800Åの厚さの層間膜３，
３′を形成し、さらに、金属磁性膜２1，２1′の場
合と同様に、約6μｍの厚さの金属磁性膜２2，２
2′を形成した。そして、金属磁性膜２2，２2′上
に、RFスパツタリング装置により、低融点のガ
ラスをスパツタリングして約0.3μｍのガラス薄膜
４を形成して基板ａ，ｂを得た（第２図Ａ）。
基板１，１′の表面に、たとえば、センダスト薄
膜でなる金属磁性膜２1，２1′を形成する。一具
体例としては、DC4極スパツタリング装置を用
い、毎時3μｍの速度で約6μｍの厚さのセンダス
ト薄膜を形成した。次いで、金属磁性膜２1，２
1′の上に、RFスパツタリング装置により、SiO2
をスパツタリングして約800Åの厚さの層間膜３，
３′を形成し、さらに、金属磁性膜２1，２1′の場
合と同様に、約6μｍの厚さの金属磁性膜２2，２
2′を形成した。そして、金属磁性膜２2，２2′上
に、RFスパツタリング装置により、低融点のガ
ラスをスパツタリングして約0.3μｍのガラス薄膜
４を形成して基板ａ，ｂを得た（第２図Ａ）。
ガラス薄膜４は、コーニング社のPb系の低融
点ガラスである＃1417ガラスを材料として用い、
該ガラスをターゲツトとして、RFスパツタリン
グ装置により、1W／cm2いのパワーを投入して形
成した。
点ガラスである＃1417ガラスを材料として用い、
該ガラスをターゲツトとして、RFスパツタリン
グ装置により、1W／cm2いのパワーを投入して形
成した。
次に、基板ａ，ｂは、ガラス薄膜４が重なるよ
うに突き合わされ（第２図Ｂ）、非磁性基板１，
１′側から所定の圧力を加えながら620℃で10分間
保持し、コアブロツクを形成した（第２図Ｃ）。
そして、このコアブロツクを非磁性基板１，１′
間の磁性層の厚さ方向に切断し、夫々の切断面を
鏡面ラツプし、また、図示しないが、巻線窓を形
成した後、夫々の切断面に非磁性ギヤツプスペー
サ５′を形成し（第２図Ｄ）、しかる後、上記切断
面を突き合わせて接着ボンデイングし、ヘツドギ
ヤツプ５を形成して第１図の薄膜磁気ヘツドを得
た。
うに突き合わされ（第２図Ｂ）、非磁性基板１，
１′側から所定の圧力を加えながら620℃で10分間
保持し、コアブロツクを形成した（第２図Ｃ）。
そして、このコアブロツクを非磁性基板１，１′
間の磁性層の厚さ方向に切断し、夫々の切断面を
鏡面ラツプし、また、図示しないが、巻線窓を形
成した後、夫々の切断面に非磁性ギヤツプスペー
サ５′を形成し（第２図Ｄ）、しかる後、上記切断
面を突き合わせて接着ボンデイングし、ヘツドギ
ヤツプ５を形成して第１図の薄膜磁気ヘツドを得
た。
以上のようにして、トラツク幅が約24μｍのヘ
ツドギヤツプを有する薄膜磁気ヘツドが得られた
わけであるが、第２図Ａの工程において、非磁性
基板１，１′上に同時に、金属磁性膜２1，２2と
層間膜３とからなる約12μｍの厚さの部分磁性層
と、金属磁性膜２1′，２2′と層間膜３′とからなる
同じく約12μｍの厚さの部分磁性層とが形成さ
れ、これらをガラス薄膜４で互いに接着するもの
であるから、製造に要する時間としては、金属磁
性膜２1，２2，２1′，２2′と層間膜３，３′，４を
順次形成してトラツク幅が約24μｍのヘツドギヤ
ツプを有する薄膜磁気ヘツドの製造方法に比べ
て、約半分となつて短縮され、順次膜形成してト
ラツク幅12μｍのヘツドギヤツプを有する薄膜磁
気ヘツドの製造方法の場合とほぼ等しくなる。
ツドギヤツプを有する薄膜磁気ヘツドが得られた
わけであるが、第２図Ａの工程において、非磁性
基板１，１′上に同時に、金属磁性膜２1，２2と
層間膜３とからなる約12μｍの厚さの部分磁性層
と、金属磁性膜２1′，２2′と層間膜３′とからなる
同じく約12μｍの厚さの部分磁性層とが形成さ
れ、これらをガラス薄膜４で互いに接着するもの
であるから、製造に要する時間としては、金属磁
性膜２1，２2，２1′，２2′と層間膜３，３′，４を
順次形成してトラツク幅が約24μｍのヘツドギヤ
ツプを有する薄膜磁気ヘツドの製造方法に比べ
て、約半分となつて短縮され、順次膜形成してト
ラツク幅12μｍのヘツドギヤツプを有する薄膜磁
気ヘツドの製造方法の場合とほぼ等しくなる。
また、各金属磁性膜は10μｍ以下の厚さで形成
する上に、接着材としてガラスを薄膜形成するも
のであるから、バルクガラス流入法などに比べて
ガラス薄膜の膜厚を容易にコントロールすること
ができ、充分に薄くして各金属磁性膜における応
力を極力抑制することができて、得られる薄膜磁
気ヘツドの磁性層に磁気特性のバラツキがなくな
る。
する上に、接着材としてガラスを薄膜形成するも
のであるから、バルクガラス流入法などに比べて
ガラス薄膜の膜厚を容易にコントロールすること
ができ、充分に薄くして各金属磁性膜における応
力を極力抑制することができて、得られる薄膜磁
気ヘツドの磁性層に磁気特性のバラツキがなくな
る。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の実
施例を示す正面図であつて、２，２′は金属磁性
膜であり、第１図に対応する部分には同一符号を
つけている。
施例を示す正面図であつて、２，２′は金属磁性
膜であり、第１図に対応する部分には同一符号を
つけている。
この実施例では、磁性層は金属磁性膜２，２′
とガラス薄膜４とからなり、金属磁性層２，２′
は夫々非磁性基板１，１′にスパツタリング法な
どによつて形成されてものであつて、ガラス薄膜
４は、金属磁性膜２，２′の接着材であるととも
に、層間膜としても機能している。金属磁性膜
２，２′の夫々の膜厚は10μｍ以下であつて、し
かるに、この実施例はトラツク幅が比較的狭いヘ
ツドギヤツプの薄膜磁気ヘツドであり、ガラス薄
膜４以外の格別の層間膜を必要としない。
とガラス薄膜４とからなり、金属磁性層２，２′
は夫々非磁性基板１，１′にスパツタリング法な
どによつて形成されてものであつて、ガラス薄膜
４は、金属磁性膜２，２′の接着材であるととも
に、層間膜としても機能している。金属磁性膜
２，２′の夫々の膜厚は10μｍ以下であつて、し
かるに、この実施例はトラツク幅が比較的狭いヘ
ツドギヤツプの薄膜磁気ヘツドであり、ガラス薄
膜４以外の格別の層間膜を必要としない。
第４図Ａ，Ｂは第３図の薄膜磁気ヘツドの製造
方法の一実施例を示す工程図であつて、第３図に
対応する部分には同一符号をつけている。
方法の一実施例を示す工程図であつて、第３図に
対応する部分には同一符号をつけている。
非磁性基板１，１′上に、厚さ6μｍのセンダス
トの金属磁性膜２，２′を形成し、さらに、ガラ
ス薄膜４を形成して基板ａ，ｂを得た（第４図
Ａ）。金属磁性膜２，２′およびガラス薄膜４の形
成方法、ガラス薄膜４の材料、厚さなどは、第２
図で示した実施例の場合と同様である。
トの金属磁性膜２，２′を形成し、さらに、ガラ
ス薄膜４を形成して基板ａ，ｂを得た（第４図
Ａ）。金属磁性膜２，２′およびガラス薄膜４の形
成方法、ガラス薄膜４の材料、厚さなどは、第２
図で示した実施例の場合と同様である。
基板ａ，ｂは、ガラス薄膜４が重なるように突
き合わされ、加圧、加熱してコアブロツクを得た
（第４図Ｂ）。このコアブロツクは、第２図Ｄ以下
で説明した加工処理を行なつてヘツドギヤツプを
形成し、第３図に示すトラツク幅が約12μｍのヘ
ツドギヤツプの薄膜磁気ヘツドを得た。
き合わされ、加圧、加熱してコアブロツクを得た
（第４図Ｂ）。このコアブロツクは、第２図Ｄ以下
で説明した加工処理を行なつてヘツドギヤツプを
形成し、第３図に示すトラツク幅が約12μｍのヘ
ツドギヤツプの薄膜磁気ヘツドを得た。
かかる薄膜磁気ヘツドは、トラツク幅が約6μ
ｍの薄膜磁気ヘツドを得るにほぼ等しい時間で得
ることができ、製造時間が短縮され、また、第３
図の実施例と同様の効果を得ることができた。
ｍの薄膜磁気ヘツドを得るにほぼ等しい時間で得
ることができ、製造時間が短縮され、また、第３
図の実施例と同様の効果を得ることができた。
第５図は本発明により薄膜磁気ヘツドのさらに
他の実施例を示す正面図であつて、４1，４2，４
３はガラス薄膜であり、第１図に対応する部分に
は同一符号をつけている。
他の実施例を示す正面図であつて、４1，４2，４
３はガラス薄膜であり、第１図に対応する部分に
は同一符号をつけている。
この実施例では、磁性層は金属磁性膜２1，２
２，２1′，２2′とガラス薄膜４1，４2，４3とが積層
された多層構造をなし、ガラス薄膜４1，４2，４
３は金属磁性膜２1，２2，２1′，２2′を接着すると
ともに、層間膜としても機能している。
２，２1′，２2′とガラス薄膜４1，４2，４3とが積層
された多層構造をなし、ガラス薄膜４1，４2，４
３は金属磁性膜２1，２2，２1′，２2′を接着すると
ともに、層間膜としても機能している。
第６図は第５図の薄膜磁気ヘツドの製造方法の
一実施例を示す工程図であつて、第５図に対応す
る部分には同一符号をつけている。
一実施例を示す工程図であつて、第５図に対応す
る部分には同一符号をつけている。
非磁性基板１，１′上に、厚さ6μｍのセンダス
トの磁性膜２1，２1′を形成し、RFスパツタリン
グ装置により、約1000Åの厚さにガラス薄膜４1，
４3を形成した。次に、厚さ6μｍのセンダストの
磁性膜２2，２2′を形成し、さらに、上記と同様
にして、厚さ約2500Åのガラス薄膜４2を形成し
て基板ａ，ｂを得た。以下、先に述べたように、
基板ａ，ｂを接着し、加工処理してトラツク幅が
約24μｍのヘツドギヤツプを有する第５図の薄膜
磁気ヘツドを得た。センダストの磁性膜の形成方
法、ガラス薄膜の材料などは、先に述べた実施例
と同様である。
トの磁性膜２1，２1′を形成し、RFスパツタリン
グ装置により、約1000Åの厚さにガラス薄膜４1，
４3を形成した。次に、厚さ6μｍのセンダストの
磁性膜２2，２2′を形成し、さらに、上記と同様
にして、厚さ約2500Åのガラス薄膜４2を形成し
て基板ａ，ｂを得た。以下、先に述べたように、
基板ａ，ｂを接着し、加工処理してトラツク幅が
約24μｍのヘツドギヤツプを有する第５図の薄膜
磁気ヘツドを得た。センダストの磁性膜の形成方
法、ガラス薄膜の材料などは、先に述べた実施例
と同様である。
この実施例によれば、ガラス薄膜が層間膜と接
着材とを兼ね、かつ、層間膜は全て同じ材料であ
るから、RFスパツタリング装置のターゲツトを
交換する手間が省け、また、基板ａ，ｂ（第６図）
を加圧、加熱状態に接着する場合、全てのガラス
薄膜４1，４2，４3が同じ溶融状態となつて粘度
が低下し、磁性膜２1，２2，２1′，２2′に加わる
応力が緩和される。
着材とを兼ね、かつ、層間膜は全て同じ材料であ
るから、RFスパツタリング装置のターゲツトを
交換する手間が省け、また、基板ａ，ｂ（第６図）
を加圧、加熱状態に接着する場合、全てのガラス
薄膜４1，４2，４3が同じ溶融状態となつて粘度
が低下し、磁性膜２1，２2，２1′，２2′に加わる
応力が緩和される。
以上、本発明の実施例について説明したが、製
造方法の各実施例において、必ずしも基板ａ，ｂ
の夫々の表面にガラス薄膜を形成する必要はな
く、いずれか一方にのみ形成するようにしてもよ
く、また、各金属磁性膜の厚さも6μｍに限定さ
れるのではない。さらに、非磁性基板１，１′上
に直接金属磁性膜が形成されるものとして説明し
たが、非磁性基板１，１′と金属磁性膜との接着
性を向上させるために、非磁性基板１，１′上に
他の適当な物質膜を形成し、その上に金属磁性膜
を形成するようにすることもできる。
造方法の各実施例において、必ずしも基板ａ，ｂ
の夫々の表面にガラス薄膜を形成する必要はな
く、いずれか一方にのみ形成するようにしてもよ
く、また、各金属磁性膜の厚さも6μｍに限定さ
れるのではない。さらに、非磁性基板１，１′上
に直接金属磁性膜が形成されるものとして説明し
たが、非磁性基板１，１′と金属磁性膜との接着
性を向上させるために、非磁性基板１，１′上に
他の適当な物質膜を形成し、その上に金属磁性膜
を形成するようにすることもできる。
以上説明したように、本発明によれば、非磁性
基板の夫々に部分磁性層が形成され、該部分磁性
層を互いにガラス薄膜により接着したものである
から、機械的強度が向上し、磁性層への応力も緩
和することができてバラツキのない磁気特性を有
し、さらに製造時間を大幅に短縮することがて生
産効率も向上し、上記従来技術の欠点を除いて優
れた機能の薄膜磁気ヘツドとその製造方法を提供
することができる。
基板の夫々に部分磁性層が形成され、該部分磁性
層を互いにガラス薄膜により接着したものである
から、機械的強度が向上し、磁性層への応力も緩
和することができてバラツキのない磁気特性を有
し、さらに製造時間を大幅に短縮することがて生
産効率も向上し、上記従来技術の欠点を除いて優
れた機能の薄膜磁気ヘツドとその製造方法を提供
することができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す正面図、第２図ＡないしＤは第１図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程
図、第３図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の
実施例を示す正面図、第４図Ａ，Ｂは第３図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程
図、第５図は本発明による薄膜磁気ヘツドのさら
に他の実施例を示す正面図、第６図は第５図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程図
である。 １，１′……非磁性基板、２，２′，２1，２2，
２1′，２2′……金属磁性層、３，３′……層間材、
４，４1，４2，４3……ガラス薄膜、５……ヘツ
ドギヤツプ、５′……ギヤツプスペーサ。
例を示す正面図、第２図ＡないしＤは第１図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程
図、第３図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の
実施例を示す正面図、第４図Ａ，Ｂは第３図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程
図、第５図は本発明による薄膜磁気ヘツドのさら
に他の実施例を示す正面図、第６図は第５図の薄
膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す工程図
である。 １，１′……非磁性基板、２，２′，２1，２2，
２1′，２2′……金属磁性層、３，３′……層間材、
４，４1，４2，４3……ガラス薄膜、５……ヘツ
ドギヤツプ、５′……ギヤツプスペーサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２つの非磁性基板と磁性層とが積層してな
り、前記磁性層の厚み方向にヘツドギヤツプが形
成された薄膜磁気ヘツドにおいて、前記磁性層
は、前記ヘツドギヤツプに略直交する方向に配し
たガラス薄膜により分割された第１、第２の部分
磁性層からなり、前記ガラス薄膜により、前記第
１、第２の部分磁性層が接着されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記第１、
第２の部分磁性層は、単層の磁性薄膜であること
を特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ３ 特許請求の範囲第１項において、前記第１、
第２の部分磁性層は、磁性薄膜と層間膜とが交互
に積層されてなり、前記層間膜が前記磁性薄膜間
に介在せることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ４ ２つの非磁性基板と磁性層とが積層してな
り、前記磁性層の厚み方向にヘツドギヤツプが形
成された薄膜磁気ヘツドを製造方法において、前
記非磁性基板の夫々に第１、第２の部分磁性層を
形成し第１、第２の基板を得る第１の工程と、前
記第１、第２の部分磁性層の少なくともいずれか
一方にガラス薄膜を形成する第２の工程と、前記
ガラス薄膜を接着層とし前記第１、第２の基板を
接着する第３の工程と、前記ヘツドギヤツプを形
成する第４の工程とからなり、製造に要する時間
を短縮することができるように構成したことを特
徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ５ 特許請求の範囲第４項において、前記第１、
第２の部分磁性層は、単層の磁性薄膜であること
を特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ６ 特許請求の範囲第４項において、前記第１の
工程は、磁性薄膜と層間膜とを交互に形成し、前
記層間膜が前記磁性薄膜間に介在せる前記第１、
第２の部分磁性層を形成することができるように
構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096682A JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096682A JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952421A JPS5952421A (ja) | 1984-03-27 |
| JPH0447367B2 true JPH0447367B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=15726017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16096682A Granted JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952421A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226917A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55174730U (ja) * | 1979-05-31 | 1980-12-15 | ||
| JPS56107325A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for magnetic recording head |
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16096682A patent/JPS5952421A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5952421A (ja) | 1984-03-27 |
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