JPS5954672A - 高誘電率磁器の製造方法 - Google Patents
高誘電率磁器の製造方法Info
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- JPS5954672A JPS5954672A JP57165693A JP16569382A JPS5954672A JP S5954672 A JPS5954672 A JP S5954672A JP 57165693 A JP57165693 A JP 57165693A JP 16569382 A JP16569382 A JP 16569382A JP S5954672 A JPS5954672 A JP S5954672A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は２０℃における誘電率（ε）が３０００以上
の高誘電率を有し、温度特性（ＴＣ）が−２５〜８５℃
において、±１０％以内という良好な値を示す高誘電率
磁器を低温焼成によって製造する方法に係り、詳しくの
べると、ＢａＴｉＯ３を主成分とし、これにＢａＮｂ２
Ｏ５，ＣｅＯ２，Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２（但しｎ＝１
〜３）を加えた磁器組成物の一部または全部を平均粒径
１２μ以下に微粉砕したのち、低温焼成することを特徴
とする高誘電率磁器の製造方法に関するものである。
の高誘電率を有し、温度特性（ＴＣ）が−２５〜８５℃
において、±１０％以内という良好な値を示す高誘電率
磁器を低温焼成によって製造する方法に係り、詳しくの
べると、ＢａＴｉＯ３を主成分とし、これにＢａＮｂ２
Ｏ５，ＣｅＯ２，Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２（但しｎ＝１
〜３）を加えた磁器組成物の一部または全部を平均粒径
１２μ以下に微粉砕したのち、低温焼成することを特徴
とする高誘電率磁器の製造方法に関するものである。
高誘電率磁器において、キュリー点の異なる２種以上の
相を共存させて温度特性の平坦化を計った誘電体材料は
、従来から種々知られているが、これらは高い磁器密度
を得るために高温度で焼成することが一般的である。
相を共存させて温度特性の平坦化を計った誘電体材料は
、従来から種々知られているが、これらは高い磁器密度
を得るために高温度で焼成することが一般的である。
ところが高温焼成すると、固溶が進行して単一相化して
しまい、結果的には誘電率（ε）は上るが、温度特性（
ＴＣ）の平均性が失なわれる。
しまい、結果的には誘電率（ε）は上るが、温度特性（
ＴＣ）の平均性が失なわれる。
また液相焼結によって高密度化はかろうとすると、低誘
電率の添加物を多量に使用することとなり、結果的に誘
電率を下げることになるだけでなく、高周波における特
性をも失ってしまうという欠点がある。
電率の添加物を多量に使用することとなり、結果的に誘
電率を下げることになるだけでなく、高周波における特
性をも失ってしまうという欠点がある。
本発明者は上記した従来の高誘電率磁器の製造法におけ
る欠点を解消して高誘電率を有し、しかも温度特性も良
好である、という両方の性能を保持した緻密な磁器を低
温焼成（１２５０℃以下）によって得るべく検討の結果
、この発明に至ったものである。
る欠点を解消して高誘電率を有し、しかも温度特性も良
好である、という両方の性能を保持した緻密な磁器を低
温焼成（１２５０℃以下）によって得るべく検討の結果
、この発明に至ったものである。
即ち、この発明は高誘電率磁器組成物を得る原料である
ＢａＴｉＯ３，ＢａＮｂ２Ｏ５，ＣｅＯ２，Ｂｉ２Ｏ３
・ｎＳｎＯ２などを用いて、これら原料粉末の一部また
は前部を１．２μ以下（好ましくは１μ以下）の平均粒
径に微粉砕することによって焼結性を向上させるならば
、比較的低い温度で焼成を行なわせることができて、固
溶、単一相化のおそれもなく、しかも高密度、高誘電率
でかつ温度特性の平均した高誘電率磁器が得られること
を見出したのである。
ＢａＴｉＯ３，ＢａＮｂ２Ｏ５，ＣｅＯ２，Ｂｉ２Ｏ３
・ｎＳｎＯ２などを用いて、これら原料粉末の一部また
は前部を１．２μ以下（好ましくは１μ以下）の平均粒
径に微粉砕することによって焼結性を向上させるならば
、比較的低い温度で焼成を行なわせることができて、固
溶、単一相化のおそれもなく、しかも高密度、高誘電率
でかつ温度特性の平均した高誘電率磁器が得られること
を見出したのである。
この発明において、磁器組成物としては、ＢａＴｉＯ３
を主成分とし、これにＢａＮｂ２Ｏ６，ＣｅＯ２，Ｓｉ
２Ｏ３・ｎＳｎＯ２を加えたものが用いられるが、それ
らの配合比率としては、ＢａＴｉＯ３９５〜９８％モル
％、ＢａＮｂ２Ｏ６０．５〜１．５モル％、ＣｅＯ２０
．５〜２０モル％、Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２（ｎ＝１〜
３）０．２５〜１モル％が適当である。
を主成分とし、これにＢａＮｂ２Ｏ６，ＣｅＯ２，Ｓｉ
２Ｏ３・ｎＳｎＯ２を加えたものが用いられるが、それ
らの配合比率としては、ＢａＴｉＯ３９５〜９８％モル
％、ＢａＮｂ２Ｏ６０．５〜１．５モル％、ＣｅＯ２０
．５〜２０モル％、Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２（ｎ＝１〜
３）０．２５〜１モル％が適当である。
このような組成範囲に限定するのは次の理由のためであ
る。
る。
即ちＢａＮｂ２Ｏ６が０．５モル％未満では焼結性悪く
、また得られた焼結体の誘電率も低くて、その添加の効
果がうすく、一方１．５モル％をこえて使用しても０．
５〜１．５％の範囲内の添加の場合の誘電率を高める効
果なく、却って誘電率温度変化率が悪化するのみで全く
メリットがみられない。
、また得られた焼結体の誘電率も低くて、その添加の効
果がうすく、一方１．５モル％をこえて使用しても０．
５〜１．５％の範囲内の添加の場合の誘電率を高める効
果なく、却って誘電率温度変化率が悪化するのみで全く
メリットがみられない。
次にＣｅＯ２は０．５モル％未満では誘電率を高める効
果が少ないだけでなく、焼結性も悪くなる。
果が少ないだけでなく、焼結性も悪くなる。
また２．０モル％をこえると誘電率温度変化率が悪化し
て実用性に乏しくなる。
て実用性に乏しくなる。
Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２は、これが０．２５モル％未満
では焼結促進の効果が少なく、また上記この発明の配合
組成においては、焼結促進のためには１％以上は不必要
である。
では焼結促進の効果が少なく、また上記この発明の配合
組成においては、焼結促進のためには１％以上は不必要
である。
またこのＢｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２におけるｎを１〜３に
限定したのは、ｎ＝０ではＢｉ２Ｏ３のみとなって焼結
性が悪化し、磁器密度が低下し、かつ誘電率が低下する
ためであり、またｎ≧４ではガラス成分が多くなって一
部は磁器表面に浸み出し、電極の付着を妨げるだけで、
何らの効果も得られないためである。
限定したのは、ｎ＝０ではＢｉ２Ｏ３のみとなって焼結
性が悪化し、磁器密度が低下し、かつ誘電率が低下する
ためであり、またｎ≧４ではガラス成分が多くなって一
部は磁器表面に浸み出し、電極の付着を妨げるだけで、
何らの効果も得られないためである。
要するにｎ＝１〜３とすることによってＢｉ２Ｏ３・ｎ
ＳｎＯ２の添加量が０．２５〜１．０モル％の範囲内で
焼結促進効果が得られるのである。
ＳｎＯ２の添加量が０．２５〜１．０モル％の範囲内で
焼結促進効果が得られるのである。
なお、この発明において、ＳｉＯ２やＭｎＯ２などの鉱
化剤を磁器の焼結性を向上せしめるために各々０．１〜
０．３％配合組成時に加えることは好ましい。
化剤を磁器の焼結性を向上せしめるために各々０．１〜
０．３％配合組成時に加えることは好ましい。
また原料粉末のその一部または全部を平均拉径１．２μ
以下（好ましくは１μ以下）に微粉砕するには、後述す
る実施例においては振動ミルを用いる例を示したが、こ
の方法に限定されるものではなく、その他湿式、乾式何
れの粉砕方法であっても差支えない。
以下（好ましくは１μ以下）に微粉砕するには、後述す
る実施例においては振動ミルを用いる例を示したが、こ
の方法に限定されるものではなく、その他湿式、乾式何
れの粉砕方法であっても差支えない。
以下この発明を実施例により説明する。なお、この実施
例は配合組成は一定にしてその平均粒径と電気特性の関
係を調べる目的であって、配合組成は上述した配合比率
の範囲内で適宜変えられることは勿論である。
例は配合組成は一定にしてその平均粒径と電気特性の関
係を調べる目的であって、配合組成は上述した配合比率
の範囲内で適宜変えられることは勿論である。
実施例
下記第１表に示す材料を夫々秤量、調合し、これらを振
動ミルを使用して０．５〜４時間粉砕を行ない平均粒径
１．２〜０．９μの微粉末を得た。
動ミルを使用して０．５〜４時間粉砕を行ない平均粒径
１．２〜０．９μの微粉末を得た。
次いでこの微粉末にバインダーとしてのメチルセルロー
ス３〜１０重量％、および１２〜２５重量％の水、さら
に鉱化剤としてＭｎＯ２０．２重量％、ＳｉＯ２０．１
重量％を加えて混練し、押出成形機で０．２５ｍｍｔの
グリーンシートを得た。
ス３〜１０重量％、および１２〜２５重量％の水、さら
に鉱化剤としてＭｎＯ２０．２重量％、ＳｉＯ２０．１
重量％を加えて混練し、押出成形機で０．２５ｍｍｔの
グリーンシートを得た。
このグリーンシートから１２．５ｍｍφの円板を打抜き
、これを１２５０℃×３時間の条件で焼成して焼結体と
したのち、両端面にＡｇ電極を形成して２０℃における
誘電率（ε）、１ＫＨｚにおける誘電損失ＤＦ、２０℃
を基準とした−２５〜８５℃における温度特性ＴＣなど
の電気特性を測定した。
、これを１２５０℃×３時間の条件で焼成して焼結体と
したのち、両端面にＡｇ電極を形成して２０℃における
誘電率（ε）、１ＫＨｚにおける誘電損失ＤＦ、２０℃
を基準とした−２５〜８５℃における温度特性ＴＣなど
の電気特性を測定した。
その結果は第１表に示した。
上表において試料番号１，５，６，９．１０はこの発明
の範囲外であり、これ以外はこの発明によるものである
。
の範囲外であり、これ以外はこの発明によるものである
。
上表から明らかなようにこの発明にて原料粉末を平均粒
径１．２μ以下に微粉砕したものは焼成温度１２５０℃
で誘電率、誘電損失、温度特性の三者ともにすぐれた高
誘電率磁器が得られることか認められた。
径１．２μ以下に微粉砕したものは焼成温度１２５０℃
で誘電率、誘電損失、温度特性の三者ともにすぐれた高
誘電率磁器が得られることか認められた。
以上のようにこの発明によれば原料粉末を微粉砕すると
いう比較的簡単な操作だけで焼成温度を下げ、高誘電率
で温度特性の平均した高誘電率磁器が得られるのであり
その実用的は非常に大きいものである。
いう比較的簡単な操作だけで焼成温度を下げ、高誘電率
で温度特性の平均した高誘電率磁器が得られるのであり
その実用的は非常に大きいものである。
Claims (3)
- （１）ＢａＴｉＯ３を主成分とし、これにＢａＮｂ２Ｏ
６，ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２（但しｎ＝１〜
３）を加えた磁器組成物の一部または全部を微粉砕した
のち低温焼成することを特徴とする高誘電率磁器の製造
方法。 - （２）磁器組成物の一部または全部を平均粒径１．２μ
以下に微粉砕することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の誘電率磁器の製造方法。 - （３）磁器組成物がＢａＴｉＯ３９５〜９８モル％、Ｂ
ａＮｂ２Ｏ６０．５〜１．５モル％、ＣｅＯ２０．５〜
２．０モル％、Ｂｉ２Ｏ３・ｎＳｎＯ２０．２５〜１．
０モル％よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の高誘電率磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165693A JPS5954672A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165693A JPS5954672A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954672A true JPS5954672A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15817245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165693A Pending JPS5954672A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057097A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57165694A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-12 | Nippon Denso Co Ltd | Refrigerant compressor |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP57165693A patent/JPS5954672A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57165694A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-12 | Nippon Denso Co Ltd | Refrigerant compressor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057097A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US9099244B2 (en) | 2011-02-14 | 2015-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
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