JPS5832068A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS5832068A JPS5832068A JP56129516A JP12951681A JPS5832068A JP S5832068 A JPS5832068 A JP S5832068A JP 56129516 A JP56129516 A JP 56129516A JP 12951681 A JP12951681 A JP 12951681A JP S5832068 A JPS5832068 A JP S5832068A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この清明は高誘電率系の誘電体磁器組成物に関し、（氏
ｌ黒焼結が可「止な硼器組成パ（勿を提供するものであ
る。
ｌ黒焼結が可「止な硼器組成パ（勿を提供するものであ
る。
従来より高輝４率系の誘電体磁器組成物のうち。
ＹＺ系材料としＣば％ ＢａＴｉＯ２−ＣｉＺｒＯｌ−
ＩＩ（／Ｔ１０３系に５１０２などの鉱化剤および酸化
マンガンを添／Ｊｌｌ Ｌだものが知られ（＋へた。し
かしながらこの種材料のものはその焼結温度が１３５０
〜１４００での範囲にあり、焼；吉のだめの燃焼エネル
ギーを低減下する必要上、さらに低温焼結が可ｉヒな新
規１１） 材料が要求されＣ１へた。
ＩＩ（／Ｔ１０３系に５１０２などの鉱化剤および酸化
マンガンを添／Ｊｌｌ Ｌだものが知られ（＋へた。し
かしながらこの種材料のものはその焼結温度が１３５０
〜１４００での範囲にあり、焼；吉のだめの燃焼エネル
ギーを低減下する必要上、さらに低温焼結が可ｉヒな新
規１１） 材料が要求されＣ１へた。
一方、誘′准体磁器を用（へ“ｃ−）！ラミックコンデ
ンサを作成する場合、コンデンサ電極として無電解ニッ
ケル；ｔ ＋ｔを用１へることが知られｒｔへるが、上
記した組成の誘電体磁器を用りて無電解ニッケル電極を
形成すると、誘１ｎ体損失が犬きく、−！た１角縁抵抗
も低くなると１ｏう間肩点が見られた。
ンサを作成する場合、コンデンサ電極として無電解ニッ
ケル；ｔ ＋ｔを用１へることが知られｒｔへるが、上
記した組成の誘電体磁器を用りて無電解ニッケル電極を
形成すると、誘１ｎ体損失が犬きく、−！た１角縁抵抗
も低くなると１ｏう間肩点が見られた。
したがつＣ１この発明は低７（４Ａ焼結が１１ＴｆｒＩ
３．な１透電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
３．な１透電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
また、この定明けたとえば電極として無電解ニッケル耐
直を形成しＣも電気的特性に間；ｌ！１１のな旨誘電体
磁器、祖酸物を提供ｒること°を目的とする。
直を形成しＣも電気的特性に間；ｌ！１１のな旨誘電体
磁器、祖酸物を提供ｒること°を目的とする。
つまり、この発明にかかる誘電体磁器組成物の要旨とす
るところは、Ｂ’Ｔｉ０ｓ８５〜９０ｉ’ｉ（：ｉ％。
るところは、Ｂ’Ｔｉ０ｓ８５〜９０ｉ’ｉ（：ｉ％。
Ｃａ Ｚ ｒ ＯＪ ８．５〜１２．０ 、ｔ ｉｔ％
、Ｍ９’１ｌｉＯａ ０．５．ｆｆｌｉ％以下、 Ｃａ
ｂ、 ０．５ 市ｉｉ１ ％ＪＪ、 ）’、 Ｄｉ＊０
：＋ ０．１〜１．０ Ｂｆ（骨上、ＳｎＯ，Ｑ、１〜
１．Ｏｉｉ量チからなることを特徴とする。
、Ｍ９’１ｌｉＯａ ０．５．ｆｆｌｉ％以下、 Ｃａ
ｂ、 ０．５ 市ｉｉ１ ％ＪＪ、 ）’、 Ｄｉ＊０
：＋ ０．１〜１．０ Ｂｆ（骨上、ＳｎＯ，Ｑ、１〜
１．Ｏｉｉ量チからなることを特徴とする。
この発明におＩｎてｔの、＠酸物のｌ１ＩＩ成範囲を退
定しに４由は次のとおシである。
定しに４由は次のとおシである。
（２）
Ｂ ａ Ｔｉ Ｏ３が８５重ｔ％未満では誘電率温度特
性が悪くなるとともに誘電率が低下し、また９０ｄ（を
優を越えると、−２５′ｃｌでおける誘電率温度特性が
悪く々る。Ｃａ、ＺｒＯ３が８．５重敏係末／）１々で
は−２５′ｃにおけろ誘電率温度特性が！くなり、蜂だ
１２．０重陥Ｙチを１戊えると誘電率温度特性が悪くな
るとともに誘’Ｆｔｆ率が低下する。Ｍ ｑ Ｔ ｉ
Ｏ３１寸誘電率温度特性を改善する効果を有するが、０
５重量％を越え７）と誘電率が極端に低下する。０００
２１寸誘電損失の改善に効果がちるが、０５重量幅を４
戦えると焼結温度が一ヒ昇ｌ〜、また誘電率も１代丁す
る。
性が悪くなるとともに誘電率が低下し、また９０ｄ（を
優を越えると、−２５′ｃｌでおける誘電率温度特性が
悪く々る。Ｃａ、ＺｒＯ３が８．５重敏係末／）１々で
は−２５′ｃにおけろ誘電率温度特性が！くなり、蜂だ
１２．０重陥Ｙチを１戊えると誘電率温度特性が悪くな
るとともに誘’Ｆｔｆ率が低下する。Ｍ ｑ Ｔ ｉ
Ｏ３１寸誘電率温度特性を改善する効果を有するが、０
５重量％を越え７）と誘電率が極端に低下する。０００
２１寸誘電損失の改善に効果がちるが、０５重量幅を４
戦えると焼結温度が一ヒ昇ｌ〜、また誘電率も１代丁す
る。
Ｂｉ、Ｏｌが０．１重り係圭・１！Ａｉでは、焼結温度
の大福な低下が困１１１１であり、また１０重重量上越
えろと、誘電率が極端に低下する。５ｎ０２が０．１重
１辻係未、１（白では、焼結温度の大幅な低下が１難で
あり、また１、０重肴メを１場えると、誘電率温度特性
が悪くなるとともにｊｊ”Ｊ ’ｆｔｆ１率が低下−１
ろ。
の大福な低下が困１１１１であり、また１０重重量上越
えろと、誘電率が極端に低下する。５ｎ０２が０．１重
１辻係未、１（白では、焼結温度の大幅な低下が１難で
あり、また１、０重肴メを１場えると、誘電率温度特性
が悪くなるとともにｊｊ”Ｊ ’ｆｔｆ１率が低下−１
ろ。
以下この発明を実施例（（従って詳細に説明する。
原料として、ＢａＴｉＯ３，ＣａＺｒＯ２，ＭｇＴｉＯ
３，ＣｅＯ２゜Ｂｉ、 ０３．５ｎ０２ を用意し、各
原料を第１友１に示す組成の磁器が得られろように調合
した。調合原１′、］をこの調合原料と開瞼の水と、Ｉ
−もにボール（ル中で湿式粉砕？ＩＲ（′ｉＬ ’／：
＝。（’）： ｌｑ （、’混合１ｒ：Ｃ４：Ｉ Ｔｃ
＋ｌＲ，水、乾水上乾燥ち、有！浅バインダを加え′
Ｃ造粒し、成Ｊｌニ圧力１００ＱＩ＋り／Ｃ）で加圧成
形しＡ０成形物を１３（］０での温度で１時間空気中で
焼ｉ’＋！ｔ Ｌ ’Ｃｍ ！Ｆｌ径ｉａ、。
３，ＣｅＯ２゜Ｂｉ、 ０３．５ｎ０２ を用意し、各
原料を第１友１に示す組成の磁器が得られろように調合
した。調合原１′、］をこの調合原料と開瞼の水と、Ｉ
−もにボール（ル中で湿式粉砕？ＩＲ（′ｉＬ ’／：
＝。（’）： ｌｑ （、’混合１ｒ：Ｃ４：Ｉ Ｔｃ
＋ｌＲ，水、乾水上乾燥ち、有！浅バインダを加え′
Ｃ造粒し、成Ｊｌニ圧力１００ＱＩ＋り／Ｃ）で加圧成
形しＡ０成形物を１３（］０での温度で１時間空気中で
焼ｉ’＋！ｔ Ｌ ’Ｃｍ ！Ｆｌ径ｉａ、。
朋φ、厚み０．５ ｒｐ、ｒｎの円板状の磁？ｇ水体を
？！Ｊ ／ね。
？！Ｊ ／ね。
得られた磁器素体の＋１乎面に無電ｑｉｆニック゛ル電
極を形成１−１これを試料とし／ζ、。試料の誘電率（
ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、誘電率温度特性（ＴＣ’
）、お・よび絶、緑抵抗（ＴＲ）を測定し、その清用も
ｌ■１ｋに合わせＣ示した。なお、＠電飢１）か電損失
は周波数１ＫＨ２、温度２０′ｃで測定した値である。
極を形成１−１これを試料とし／ζ、。試料の誘電率（
ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、誘電率温度特性（ＴＣ’
）、お・よび絶、緑抵抗（ＴＲ）を測定し、その清用も
ｌ■１ｋに合わせＣ示した。なお、＠電飢１）か電損失
は周波数１ＫＨ２、温度２０′ｃで測定した値である。
また誘電率温度特性は＋２０′ｃを基１１（とじて−２
５Ｃ〜十８５′ｃの温度範囲で測定した値である。さら
に絶縁抵抗は直流電圧５００Ｖを４０抄間印１Ｊ１１シ
たのち測定した値である。また表中、※印をイ・ｉｌ、
／ｒものはこの発明範囲外のものであり、それ以外ｒ↓
イｄ明範囲内のものである。
５Ｃ〜十８５′ｃの温度範囲で測定した値である。さら
に絶縁抵抗は直流電圧５００Ｖを４０抄間印１Ｊ１１シ
たのち測定した値である。また表中、※印をイ・ｉｌ、
／ｒものはこの発明範囲外のものであり、それ以外ｒ↓
イｄ明範囲内のものである。
第１表から明らかなように、この全開にかかる誘心体磁
器組成物によれば、高誘電率を維持しながら、 ｔａ
ｎδは１慢以下、ＩＩＪｉ／、Ｏ×ＩＱ”’ ０以上の
特性が得られＣおり、またＩ’ＣにつＩＡ’？ｌｌｄ・
［［）ｌ規格のＥ特性（２０℃を基準としたときｆｆｌ
Ｒ度範囲−２５′ｃ〜→−８５′ｃで変化率が→−２０
チ〜−５５係以１：のもの）を満足するものも得られて
１へる。
器組成物によれば、高誘電率を維持しながら、 ｔａ
ｎδは１慢以下、ＩＩＪｉ／、Ｏ×ＩＱ”’ ０以上の
特性が得られＣおり、またＩ’ＣにつＩＡ’？ｌｌｄ・
［［）ｌ規格のＥ特性（２０℃を基準としたときｆｆｌ
Ｒ度範囲−２５′ｃ〜→−８５′ｃで変化率が→−２０
チ〜−５５係以１：のもの）を満足するものも得られて
１へる。
ちなみに、従来の組成物（ａａＴｌｏ、 ８ Ｂ、８取
降％、ＣａＺｒＯｓ １０．９重ｆｆｔ４． ＭｇＴ
ｉＯ！０．３ ｔ〕重ｌチ）につ（八て、上記した実殉
例と同様にし、てコンデンサ試料を作成したとき、その
各電気的特性を測定したところ、次のとおりであった。
降％、ＣａＺｒＯｓ １０．９重ｆｆｔ４． ＭｇＴ
ｉＯ！０．３ ｔ〕重ｌチ）につ（八て、上記した実殉
例と同様にし、てコンデンサ試料を作成したとき、その
各電気的特性を測定したところ、次のとおりであった。
な粋、焼結温度は１４００’Ｃ’であった。
誘電率？ ６５００
誘電損失： １．５５チ
誘電率温度特性： −２５−（？−４５．４チ十８
５−ｃ−５２．５％ 絶縁抵抗？ １．５ＸＩＤｎ 従来組成物との比較から明らかなように、コンデンサ電
極として無電解ニッケル電甑を形成した１易合、この発
明にかかるものは銹電損失が小さく４・す、絶縁抵抗に
つＩｎ’Ｃは約３倍院度改善されて１ｏることがｉ’ｆ
ｈう￥できる。
５−ｃ−５２．５％ 絶縁抵抗？ １．５ＸＩＤｎ 従来組成物との比較から明らかなように、コンデンサ電
極として無電解ニッケル電甑を形成した１易合、この発
明にかかるものは銹電損失が小さく４・す、絶縁抵抗に
つＩｎ’Ｃは約３倍院度改善されて１ｏることがｉ’ｆ
ｈう￥できる。
以」−このノ’６１Ｊ］ｌてかかる誘況体磁２（組成物
によれば、従〕ｌ（例にくらべ°Ｃ約１００で程度焼１
清温度を下げることができ、低瀞焼＋？−１が可１走と
なる。寸た、コンデンザ’ｔ１極としＣ無「理解ニッケ
ル電（・返金形成しでも電気的Ｉｌ＆性の劣化が見られ
ず、安定した電気的特性をイｊするセラミックコンｆン
ザを１供することができる。
によれば、従〕ｌ（例にくらべ°Ｃ約１００で程度焼１
清温度を下げることができ、低瀞焼＋？−１が可１走と
なる。寸た、コンデンザ’ｔ１極としＣ無「理解ニッケ
ル電（・返金形成しでも電気的Ｉｌ＆性の劣化が見られ
ず、安定した電気的特性をイｊするセラミックコンｆン
ザを１供することができる。
なＩ？、この発明にかかる誘電体７訂器組成゛吻１ｃさ
らにＳ ｊ、 ０２． Ｍ ｎ Ｏ、など２添加すれば
磁器化を容易にすることができる。またコンデンサｉ程
極としては無電解ニッケル電極に限られるものではなく
。
らにＳ ｊ、 ０２． Ｍ ｎ Ｏ、など２添加すれば
磁器化を容易にすることができる。またコンデンサｉ程
極としては無電解ニッケル電極に限られるものではなく
。
その他倶焼例−，Ｉｆ極、無電解銅電極などを用（０て
も同様な電気的特性が得られ乙。
も同様な電気的特性が得られ乙。
特許出願人
昧戊会社村田製作所
Claims (1)
- ＢａＴｉ０．８５−９Ｑ重１１７１％、 ＣａＺｒＯｓ
ａ、ｓ〜１２．０重丑グ、ＭｇＴｉ、Ｏ，Ｑ、５重用
：係以ド、 ＣａＯ２［１，５重−計係にｉＬ Ｂｉ
、０３Ｑ、１〜１．０重ｔ％ 、 Ｓ ｎ Ｏ２０，
１〜１゜０重化ヂからなることを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129516A JPS6031793B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129516A JPS6031793B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832068A true JPS5832068A (ja) | 1983-02-24 |
| JPS6031793B2 JPS6031793B2 (ja) | 1985-07-24 |
Family
ID=15011425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129516A Expired JPS6031793B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031793B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017860A (ko) * | 2001-08-23 | 2003-03-04 | 주식회사 케이이씨 | 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
| EP1350777A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-08 | TDK Corporation | High permittivity dielectric ceramic composition and electronic device |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP56129516A patent/JPS6031793B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017860A (ko) * | 2001-08-23 | 2003-03-04 | 주식회사 케이이씨 | 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
| EP1350777A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-08 | TDK Corporation | High permittivity dielectric ceramic composition and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6031793B2 (ja) | 1985-07-24 |
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