JPS5959699A - イノシン誘導体の新規製造方法 - Google Patents
イノシン誘導体の新規製造方法Info
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Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、式、
で表わされるイノシン誘導体の新規な製造方法に関する
。
。
式(1)の化合物は、米国特許第4011221号明細
書に記載されており、公知の物質であるが、この物質は
、細胞増殖作用を有し、組織障害忙基づく疾患の治療等
に優れた効果を有する医薬品として有用な化合物である
。
書に記載されており、公知の物質であるが、この物質は
、細胞増殖作用を有し、組織障害忙基づく疾患の治療等
に優れた効果を有する医薬品として有用な化合物である
。
式(1)の化合物の製法としては、J:記米国特許明イ
10喘に記載されている方法が知られているが、この米
国特許記載の方法は次の図式で示されろ如きものである
。
10喘に記載されている方法が知られているが、この米
国特許記載の方法は次の図式で示されろ如きものである
。
(式中、Rはヒボキザンチン残基、 Cystはシステ
ィン残基であり、R1、R2は低級アルキル基又はアリ
ール基である) すなわち、上記の公知方法においては、イノシンを出発
物質とじ一〇用いるときは、5′−位にシスティ/残基
を導入するに先立って、イノシンの2′、6′−位をア
ルキリデン基等に替えて予め保護しておぎ(保護化工程
)、所望の反応を行つた後、保護基である前記の27.
z、/−位のアルキリデン基等を脱離せしめて(保護
基の脱離工程)、式(1)の化合物を製造するというも
のである。かかる公知方法は、上記式中のイノシンの2
′、3′−位を、一旦、保護基の導入によシ保護する保
護化工程と反応後に行う保護基の脱離工程とを必要とす
る点で、迂遠な方法である。
ィン残基であり、R1、R2は低級アルキル基又はアリ
ール基である) すなわち、上記の公知方法においては、イノシンを出発
物質とじ一〇用いるときは、5′−位にシスティ/残基
を導入するに先立って、イノシンの2′、6′−位をア
ルキリデン基等に替えて予め保護しておぎ(保護化工程
)、所望の反応を行つた後、保護基である前記の27.
z、/−位のアルキリデン基等を脱離せしめて(保護
基の脱離工程)、式(1)の化合物を製造するというも
のである。かかる公知方法は、上記式中のイノシンの2
′、3′−位を、一旦、保護基の導入によシ保護する保
護化工程と反応後に行う保護基の脱離工程とを必要とす
る点で、迂遠な方法である。
本発明者らは、式(1)の化合物の改良製法について鋭
意研究した結果、イノシンの2′、3′−位を特段に保
護することなく、そのままハロゲン化チオニルで処理す
ると、新規な5′−ハロゲノ−5′−チオキシ−2’、
3’−0−スルフィニルイノシンが得られることおよび
この新規物質を用いて効率良く式(])の化合物が製造
できることを見い出した。本発明はかかる知見に基づい
てなされたものである。
意研究した結果、イノシンの2′、3′−位を特段に保
護することなく、そのままハロゲン化チオニルで処理す
ると、新規な5′−ハロゲノ−5′−チオキシ−2’、
3’−0−スルフィニルイノシンが得られることおよび
この新規物質を用いて効率良く式(])の化合物が製造
できることを見い出した。本発明はかかる知見に基づい
てなされたものである。
すなわち本発明は、イノシンとハロゲン化チオニルとを
反応させて得られる一般式 (式中、又はハロゲン原子を示す) で辰わされるイノシノハロケ゛ン誘導体を、必要に応じ
て、塩基S/aで処理した後、一般式(式中、Mは氷菓
原子又はアルカリ金属原子を示す) で表わされるL〜システィン化合物と反応させることを
特徴とする式(1)で表わされるイノシン誘導体を製造
する新規な方法を提供するものである。
反応させて得られる一般式 (式中、又はハロゲン原子を示す) で辰わされるイノシノハロケ゛ン誘導体を、必要に応じ
て、塩基S/aで処理した後、一般式(式中、Mは氷菓
原子又はアルカリ金属原子を示す) で表わされるL〜システィン化合物と反応させることを
特徴とする式(1)で表わされるイノシン誘導体を製造
する新規な方法を提供するものである。
本発明によシ、イノシンを出発物質として用い、その2
′、3′−位な予め特段に保護することなく、5′−位
に反応活性に富むハロゲンを有する化合物、すなわち、
5′−・・コゲノー5フーゾオキシー2′、3/ ’−
0−スルフィニルイノシンカ得うh、これを直ちに次の
反応によシ5′−位にシスティン残基な有する式(1)
の目的化合物に変換することができるので、本発明の方
法1ま、工程数が少なく、かつ処理操作が簡便であると
いう点で極めて製造効率Ω優れた方法である。
′、3′−位な予め特段に保護することなく、5′−位
に反応活性に富むハロゲンを有する化合物、すなわち、
5′−・・コゲノー5フーゾオキシー2′、3/ ’−
0−スルフィニルイノシンカ得うh、これを直ちに次の
反応によシ5′−位にシスティン残基な有する式(1)
の目的化合物に変換することができるので、本発明の方
法1ま、工程数が少なく、かつ処理操作が簡便であると
いう点で極めて製造効率Ω優れた方法である。
上記の一般式(II)で表わされろイノシノノ・ロゲ゛
ン誘導体は、イノシンとノ・ロゲン化チオニルとを反応
させることによシ製造されろところ、この場合のハロゲ
ン化チオニルのノ10ゲンとしては塩素又は臭素を挙げ
ることができ、ノ・ロゲ゛ン化チオニルとして塩化チオ
ニルを用いるときは、イノジノクロル誘導体が得られ、
また臭化チオニルを用いろときは、イノシップロム誘導
体が得られる。
ン誘導体は、イノシンとノ・ロゲン化チオニルとを反応
させることによシ製造されろところ、この場合のハロゲ
ン化チオニルのノ10ゲンとしては塩素又は臭素を挙げ
ることができ、ノ・ロゲ゛ン化チオニルとして塩化チオ
ニルを用いるときは、イノジノクロル誘導体が得られ、
また臭化チオニルを用いろときは、イノシップロム誘導
体が得られる。
上記の反応は、通常、ピリジン又はへキサメチルホスホ
リックアミド等の極性有機溶媒中で、10〜40℃、好
ましくは10〜20℃の温度で、0.5〜2時間行うの
が好都合である。また、ノ・口ゲン化チオニルの使用量
は原料のイノシン1モ/l/ K 対し、5〜7倍モル
量程度である。がくして得られた反応混合物を攪拌下に
、氷水中に注ぎ、必要に応じて重炭酸ナトリウム、重炭
酸カリウム等の弱塩基物質を加えろことによって、未反
応のハロゲン化チオニルを分解し、次いでこの溶液を冷
却することによって、一般式(n)で表わされるイノジ
ノハロゲン誘導体が結晶として得られろ。こうして得ら
れるイノジノハロゲン誘導体を一旦単離し、あるいは単
離することなく、必要に応じて、塩基物質で処理した後
、一般式(曲で表わされるL−システィン化合物と反応
させることにより一般式(1)で表わされるイノ7ン誘
導体が製造される。
リックアミド等の極性有機溶媒中で、10〜40℃、好
ましくは10〜20℃の温度で、0.5〜2時間行うの
が好都合である。また、ノ・口ゲン化チオニルの使用量
は原料のイノシン1モ/l/ K 対し、5〜7倍モル
量程度である。がくして得られた反応混合物を攪拌下に
、氷水中に注ぎ、必要に応じて重炭酸ナトリウム、重炭
酸カリウム等の弱塩基物質を加えろことによって、未反
応のハロゲン化チオニルを分解し、次いでこの溶液を冷
却することによって、一般式(n)で表わされるイノジ
ノハロゲン誘導体が結晶として得られろ。こうして得ら
れるイノジノハロゲン誘導体を一旦単離し、あるいは単
離することなく、必要に応じて、塩基物質で処理した後
、一般式(曲で表わされるL−システィン化合物と反応
させることにより一般式(1)で表わされるイノ7ン誘
導体が製造される。
一般式(n)で表わされるイノジノハロゲン誘導体と一
般式(曲で表わされるL−システィン化合物とを反応さ
せろ場合には、溶媒としてメタノール等のアルコール類
、ジメチルボルムアミド、水等を単独に又はこれらの混
合溶媒として用いて、室温ないし100℃の温度で10
時間〜2日間反応させるのが好都合である。また、一般
式(曲で表わされるL−システィン化合物の使用量比は
、ハロゲ゛ノイノシン誘導体1モルに対し、2倍モル以
上、好ましくは2〜4倍モルである。
般式(曲で表わされるL−システィン化合物とを反応さ
せろ場合には、溶媒としてメタノール等のアルコール類
、ジメチルボルムアミド、水等を単独に又はこれらの混
合溶媒として用いて、室温ないし100℃の温度で10
時間〜2日間反応させるのが好都合である。また、一般
式(曲で表わされるL−システィン化合物の使用量比は
、ハロゲ゛ノイノシン誘導体1モルに対し、2倍モル以
上、好ましくは2〜4倍モルである。
反応混合物は、そのまま又は一旦析出結晶を戸数した後
、水に溶解した後、濃塩酸等で中和し、次いで冷却し析
出する結晶を戸数することにより式(1)で表わされる
イノシン誘導体を得る。
、水に溶解した後、濃塩酸等で中和し、次いで冷却し析
出する結晶を戸数することにより式(1)で表わされる
イノシン誘導体を得る。
イノジノ・・ロゲン誘導体を塩基物質で処理す・る場合
には、塩基物質として水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム水溶液を用いて、室温下に、5〜10分反応させるの
が好都合であり、次いで反応混合物を塩酸等の鉱酸で中
和し、析出物を分取する。このものは再結晶するか又は
することなく次の反応に付することかできる。
には、塩基物質として水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム水溶液を用いて、室温下に、5〜10分反応させるの
が好都合であり、次いで反応混合物を塩酸等の鉱酸で中
和し、析出物を分取する。このものは再結晶するか又は
することなく次の反応に付することかできる。
このようにして得られる生成物と一般式(至)で表わさ
れるL−7ステイン化合物とを反応させル場合には、溶
媒として、メタノール等のアルコール類、ジメチルホル
ムアミド、水等を単独で又はこれらの混合溶媒として用
い、室温ないし還流下で、6〜8時間反応を行わせるの
が好ましい。溶媒としては、液体アンモニア等も用いる
ことができる。この場合には、反応は−40〜−35℃
の温度で10〜15時間行うのが好都合である。一般式
(IIDで表わされるL−システィン化合物の使用量比
はイノシノハロゲ゛ン誘導体1モルに対して1.2倍モ
ル以上、好ましくは2〜6倍モル量程度である。
れるL−7ステイン化合物とを反応させル場合には、溶
媒として、メタノール等のアルコール類、ジメチルホル
ムアミド、水等を単独で又はこれらの混合溶媒として用
い、室温ないし還流下で、6〜8時間反応を行わせるの
が好ましい。溶媒としては、液体アンモニア等も用いる
ことができる。この場合には、反応は−40〜−35℃
の温度で10〜15時間行うのが好都合である。一般式
(IIDで表わされるL−システィン化合物の使用量比
はイノシノハロゲ゛ン誘導体1モルに対して1.2倍モ
ル以上、好ましくは2〜6倍モル量程度である。
かくして得られた反応混合物は、そのまま、又は一旦析
出した結晶をP取した後、水に溶解し、濃塩酸等で中和
し、冷却し、析出する結晶を戸数する。液体アンモニア
を溶媒として用いた場合には、反応終了後、反応混合物
からアンモニアを留去し、その残留物に水を加えて上記
と同様に処理する。かくして、式(1)で表わされろイ
ノシン誘導体が得られる。
出した結晶をP取した後、水に溶解し、濃塩酸等で中和
し、冷却し、析出する結晶を戸数する。液体アンモニア
を溶媒として用いた場合には、反応終了後、反応混合物
からアンモニアを留去し、その残留物に水を加えて上記
と同様に処理する。かくして、式(1)で表わされろイ
ノシン誘導体が得られる。
次圧、実施例を挙げて、さらに本発明を説明する。
実施例 1
(a) 冷却攪拌下に、塩化チオニル15.59 (
0,13モル)をピリジン30rnlK加え、この溶液
にイノシン59(0,019モル)を加えて10〜20
℃で2時間反応させる。
0,13モル)をピリジン30rnlK加え、この溶液
にイノシン59(0,019モル)を加えて10〜20
℃で2時間反応させる。
反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ込み、攪拌下に
放置する。これを冷却し、生成した析出結晶を戸数し、
゛少量の冷水で洗浄した後、乾燥すると、5.32の5
7−クロル−57−ジオキシ−2/ 、 5/−o〜ス
ルフィニルイノシン(収率84%)が粉末結晶として得
られた。
放置する。これを冷却し、生成した析出結晶を戸数し、
゛少量の冷水で洗浄した後、乾燥すると、5.32の5
7−クロル−57−ジオキシ−2/ 、 5/−o〜ス
ルフィニルイノシン(収率84%)が粉末結晶として得
られた。
このものは融点202.5〜205℃(分解)を示す。
Rf値0.65 (展開溶媒クロロホルム:メタノール
=35:10) 元素分析値 Cl0H9N4058C1計算値(鋤:C
,36,10:H,2,73:N、16.84 :S
、 9.64 : C1,10,65実測値(2):C
,56A6:H,2,69:N、16.73:S、9.
65 : Ct、10.39 (b) 室温下に、150−の1規定の水酸化ナトリ
ウム水溶液中に、上記の5′−クロル−5′−テオキシ
ル2’、3’−0−スルフイニルイノシン152を加え
、10分間攪拌する。反応終了後、反応溶液に濃塩酸を
攪拌下に加えて中和し、冷却下に反応混合物を放置し、
析出する結晶を戸数し、次いで、水洗乾燥すると、12
.49の結晶生成物が得られた。
=35:10) 元素分析値 Cl0H9N4058C1計算値(鋤:C
,36,10:H,2,73:N、16.84 :S
、 9.64 : C1,10,65実測値(2):C
,56A6:H,2,69:N、16.73:S、9.
65 : Ct、10.39 (b) 室温下に、150−の1規定の水酸化ナトリ
ウム水溶液中に、上記の5′−クロル−5′−テオキシ
ル2’、3’−0−スルフイニルイノシン152を加え
、10分間攪拌する。反応終了後、反応溶液に濃塩酸を
攪拌下に加えて中和し、冷却下に反応混合物を放置し、
析出する結晶を戸数し、次いで、水洗乾燥すると、12
.49の結晶生成物が得られた。
(C) この結晶生成物122及びL−システィン塩
酸塩14.51(0,092モル)を6.72の金属ナ
トリウムを溶解した120−のメタノール溶液に加え、
8時間加熱還流する。反応終了後、この反応混合物に6
0rnlのメタノールと少量の水を加えて、不溶物を溶
解し、冷却撹拌下に濃塩酸で中和する。次いで、この混
合溶液を冷却下に放置し、析出結晶を戸数する。こり、
を水から再結晶すると、6.2F(40%)の無色結晶
のS−イノシルシスティンが得られた。
酸塩14.51(0,092モル)を6.72の金属ナ
トリウムを溶解した120−のメタノール溶液に加え、
8時間加熱還流する。反応終了後、この反応混合物に6
0rnlのメタノールと少量の水を加えて、不溶物を溶
解し、冷却撹拌下に濃塩酸で中和する。次いで、この混
合溶液を冷却下に放置し、析出結晶を戸数する。こり、
を水から再結晶すると、6.2F(40%)の無色結晶
のS−イノシルシスティンが得られた。
この物の紫外線吸収スはクトルは、λHiO=249m
μ(εmax”” 1.30X 10’ )を示し、旋
光度は〔α〕ゎ −千11.2°(C=1.H2O)を
示した。
μ(εmax”” 1.30X 10’ )を示し、旋
光度は〔α〕ゎ −千11.2°(C=1.H2O)を
示した。
実施例 2
(a) 冷却攪拌下に、塩化チオニル191(0,1
6モル)をピリジン40m1!に加え、この溶液にイノ
シン6.5F(0,024モル)を加えて、35〜40
℃で0.5時間反応させろ。反応終了後、実施例1(a
)と同様に処理すると、6,52の5′−クロル−5′
−デオキシ−2’、3′−〇−スルフィニルイノシン(
収率81%)が粉末結晶として得られた。このものの物
性値は実施例1(8,)で得たものの物性値と一致した
。
6モル)をピリジン40m1!に加え、この溶液にイノ
シン6.5F(0,024モル)を加えて、35〜40
℃で0.5時間反応させろ。反応終了後、実施例1(a
)と同様に処理すると、6,52の5′−クロル−5′
−デオキシ−2’、3′−〇−スルフィニルイノシン(
収率81%)が粉末結晶として得られた。このものの物
性値は実施例1(8,)で得たものの物性値と一致した
。
cb)>メチルホルムアミド30−に、上記の57−ク
ロル−5′−デオキシ−2’、3′−0−スルフィニル
イノシン27とL−システィンジナトリウム塩32とを
加え、室温攪拌下に24時間反応させる。反応終了後、
反応混合物を冷却下に放置し、析出する結晶を戸数し、
少量のジメチルホルムアミドで洗浄し、次いでエタノー
ルで洗浄した後、水16m1に溶解し、濃塩酸で中和す
る。以下実施例1(C)におけると同様に処理すると、
0.4El(21%)の無色結晶のS−イノシルシステ
ィンが得られた。
ロル−5′−デオキシ−2’、3′−0−スルフィニル
イノシン27とL−システィンジナトリウム塩32とを
加え、室温攪拌下に24時間反応させる。反応終了後、
反応混合物を冷却下に放置し、析出する結晶を戸数し、
少量のジメチルホルムアミドで洗浄し、次いでエタノー
ルで洗浄した後、水16m1に溶解し、濃塩酸で中和す
る。以下実施例1(C)におけると同様に処理すると、
0.4El(21%)の無色結晶のS−イノシルシステ
ィンが得られた。
このものの物性値は実施例1(c)で得たものの物性値
と一致した。
と一致した。
実施例 3
(a) 冷却攪拌下に、塩化チオニル23.7r(D
、2モル)をヘキサメチルホスホリックアミド95dK
加え、この溶液に、さらにイノシン96r(o、o66
モル)を攪拌下に加えて15時間攪拌を続けた。次いで
、反応終了後は実施例1(a)におけると同様に反応混
合物を処理すると、10.1fの57−クロル−57−
ジオキシ−27,3/−〇−スルフィニルイノシン(8
5%)カ粉末結晶として得られた。このものの物性値は
実施例1(a)で得たものの物性値と一致した。
、2モル)をヘキサメチルホスホリックアミド95dK
加え、この溶液に、さらにイノシン96r(o、o66
モル)を攪拌下に加えて15時間攪拌を続けた。次いで
、反応終了後は実施例1(a)におけると同様に反応混
合物を処理すると、10.1fの57−クロル−57−
ジオキシ−27,3/−〇−スルフィニルイノシン(8
5%)カ粉末結晶として得られた。このものの物性値は
実施例1(a)で得たものの物性値と一致した。
(b) 上記(a)で得た5′−クロル−57−ジオ
キシ−2’、3’−0−スルフイニルイノシン2.47
を実施例1(b)と同様に処理すると結晶生成物29が
得られた。
キシ−2’、3’−0−スルフイニルイノシン2.47
を実施例1(b)と同様に処理すると結晶生成物29が
得られた。
(C) 上記結晶生成物27をメタノール20mJと
水0.4 mlの混合溶媒に懸濁し、これにL−システ
ィンジナトリウム塩3.45 tを加えて、還流下に5
時間反応させる。反応終了後、反応混合物を実施例1(
c)と同様に処理すると、1.22(45%)の無色結
晶のS−イノシルシスティンが得られた。このものの物
性値は実施例1(c)で得たものの物性値と一致した。
水0.4 mlの混合溶媒に懸濁し、これにL−システ
ィンジナトリウム塩3.45 tを加えて、還流下に5
時間反応させる。反応終了後、反応混合物を実施例1(
c)と同様に処理すると、1.22(45%)の無色結
晶のS−イノシルシスティンが得られた。このものの物
性値は実施例1(c)で得たものの物性値と一致した。
実施例 4
(a) イノシ/25F(0,093モル)をヘキサ
メチルホスホリックトリアミド250mJに懸濁し、こ
れに臭化チオニル40mg(0,52モル)を冷却攪拌
下に滴下する。次いで15時間撹拌を続けた後、反応液
を氷水中に注ぎ込み、実施例1(a)と同様に処理する
と、融点205〜240℃(分解)の57−ブロム−5
7−ジオキシ−2/、3/−スルフイニルイノシン17
.5 f (49,7% ) ;y>;得られた。
メチルホスホリックトリアミド250mJに懸濁し、こ
れに臭化チオニル40mg(0,52モル)を冷却攪拌
下に滴下する。次いで15時間撹拌を続けた後、反応液
を氷水中に注ぎ込み、実施例1(a)と同様に処理する
と、融点205〜240℃(分解)の57−ブロム−5
7−ジオキシ−2/、3/−スルフイニルイノシン17
.5 f (49,7% ) ;y>;得られた。
Rr値0.67 (展開溶媒 クロロボルム:メタノー
ル−35:10) 元素分析値C4oH9N405SBr 計算値 c、31.84:H,2,40:N、14.8
5:3.8.5 Q ; Br + 21.19実測値
C,31,76;I(,2,39;N、14.79:
S 、8.63 :Br 、21.34(1つ) 上
記(a)で得た5′−ブロム−5′−デオキシ−2’、
3’−0−スルフィニルイノシン15Vを実施例1(b
)と同様にして処理して結晶生成物162を得た。
ル−35:10) 元素分析値C4oH9N405SBr 計算値 c、31.84:H,2,40:N、14.8
5:3.8.5 Q ; Br + 21.19実測値
C,31,76;I(,2,39;N、14.79:
S 、8.63 :Br 、21.34(1つ) 上
記(a)で得た5′−ブロム−5′−デオキシ−2’、
3’−0−スルフィニルイノシン15Vを実施例1(b
)と同様にして処理して結晶生成物162を得た。
(c) 予め、約10100Oの液体アンモニアを、
水酸化ナトリウムをつめた乾燥管付きのドライアイス−
メタノールで冷却した容器に採り、これK 6.6t
(0,027モル)のL−シスチンを加えた後、溶液の
色が微青色になるまで金属ナトリウムを徐々に加える。
水酸化ナトリウムをつめた乾燥管付きのドライアイス−
メタノールで冷却した容器に採り、これK 6.6t
(0,027モル)のL−シスチンを加えた後、溶液の
色が微青色になるまで金属ナトリウムを徐々に加える。
次いで少量のL−シスチンを加えて脱色した溶液に、上
記(b)で得た結晶生成物132を加え、−40〜−6
5℃で攪拌下に12時間反応させる。反応終了後、反応
混合物を一夜放置して、アンモニアを蒸発させる。残留
物に水を加えて、これを溶解させた後、冷却下に放置し
析出した結晶を戸数し、冷水で水洗後乾燥する。この結
晶を水から再結晶すると、S−イノシルシスティン4.
9F(33%)が無色結晶として得られた。
記(b)で得た結晶生成物132を加え、−40〜−6
5℃で攪拌下に12時間反応させる。反応終了後、反応
混合物を一夜放置して、アンモニアを蒸発させる。残留
物に水を加えて、これを溶解させた後、冷却下に放置し
析出した結晶を戸数し、冷水で水洗後乾燥する。この結
晶を水から再結晶すると、S−イノシルシスティン4.
9F(33%)が無色結晶として得られた。
このものの物性値は実施例1(C)で得たものの物性値
と一致した。
と一致した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イノシンとハロゲン化チオニルとを反応させで得られる
一般式 (式中、Xはハロゲン原子を示す) で表わされるイノジノハロゲン誘導体を、必要に応じて
、塩基物質で処理した後、一般式(式中、Mは水素原子
又はアルカリ金属原子を示す) で振わされるL−システィン化合物と反応させることを
特徴とする式、 で表わされるイノシン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16961382A JPS5959699A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | イノシン誘導体の新規製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16961382A JPS5959699A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | イノシン誘導体の新規製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959699A true JPS5959699A (ja) | 1984-04-05 |
| JPH027318B2 JPH027318B2 (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=15889739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16961382A Granted JPS5959699A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | イノシン誘導体の新規製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511661A (ja) * | 2004-08-30 | 2008-04-17 | シーブイ・セラピューティクス・インコーポレイテッド | A1アデノシンレセプターの部分的および完全なアゴニスト |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP16961382A patent/JPS5959699A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511661A (ja) * | 2004-08-30 | 2008-04-17 | シーブイ・セラピューティクス・インコーポレイテッド | A1アデノシンレセプターの部分的および完全なアゴニスト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027318B2 (ja) | 1990-02-16 |
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