JPS5961138A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5961138A JPS5961138A JP57171254A JP17125482A JPS5961138A JP S5961138 A JPS5961138 A JP S5961138A JP 57171254 A JP57171254 A JP 57171254A JP 17125482 A JP17125482 A JP 17125482A JP S5961138 A JPS5961138 A JP S5961138A
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- JP
- Japan
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- laser
- irradiation
- power
- low power
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは半導体装置の
製造］二程において形成される半導体素子のフラットハ
ンド電圧の変化をひきおこすようなパワーのレーザ照射
がなされた後に、フラットハント電圧をその変化前のレ
ヘルに回復するため低パワーのレーザ照射を行う方法に
関する。
製造］二程において形成される半導体素子のフラットハ
ンド電圧の変化をひきおこすようなパワーのレーザ照射
がなされた後に、フラットハント電圧をその変化前のレ
ヘルに回復するため低パワーのレーザ照射を行う方法に
関する。
（２）技術の背景
最近、多結晶シリコン（ポリシリコン）配線の抵抗を下
げるためや、基板のイオン注入層の活性化のために、レ
ーザアニールが用いられる１頃向にあり、これらのプロ
セスはレーザ・プロセスと呼称される。
げるためや、基板のイオン注入層の活性化のために、レ
ーザアニールが用いられる１頃向にあり、これらのプロ
セスはレーザ・プロセスと呼称される。
かかるレーザアニールは、ＭＯ５型ダイオ−１・の製造
を例にとると、第１図ｔａ＋の断面図に示される如く、
シリコン基板１の上に形成された酸化膜〔二酸化シリコ
ン（５ｉＯ２） ＰＱ） ２を通し、ルビーレーザまた
はアルゴンレーザを照射することによってなされる。図
示の例において、レーザば酸化１戻２を透過してシリコ
ン基板のシリコンを熔かし、基板のイオン注入層を活性
化する。
を例にとると、第１図ｔａ＋の断面図に示される如く、
シリコン基板１の上に形成された酸化膜〔二酸化シリコ
ン（５ｉＯ２） ＰＱ） ２を通し、ルビーレーザまた
はアルゴンレーザを照射することによってなされる。図
示の例において、レーザば酸化１戻２を透過してシリコ
ン基板のシリコンを熔かし、基板のイオン注入層を活性
化する。
（３）従来技術と問題点
強いパワーのレーザを、上記例の如く酸化膜２のついた
シリコン基板１に照射すると、基板１のシリコンか溶け
ると共に、酸化膜２の応力が解放され、酸化膜２が波う
つ現象が見られる。その理由は、シリコン基板１を酸化
するとき、５ｌｏ２はその容量がシリコンの倍にふくら
み、 ５ｉＯ２１１Ａ２内におい°ζはシリコン基板１
の表面に沿って圧縮応力がかかっている。この圧縮応力
は基板１のシリコンか溶けるときに解放され、前記した
５ｉ０２１１鉤２が平面１ｐｌｆｂｌに示されるように
、シリコン基板１の表面と一緒になって波うつのである
。
シリコン基板１に照射すると、基板１のシリコンか溶け
ると共に、酸化膜２の応力が解放され、酸化膜２が波う
つ現象が見られる。その理由は、シリコン基板１を酸化
するとき、５ｌｏ２はその容量がシリコンの倍にふくら
み、 ５ｉＯ２１１Ａ２内におい°ζはシリコン基板１
の表面に沿って圧縮応力がかかっている。この圧縮応力
は基板１のシリコンか溶けるときに解放され、前記した
５ｉ０２１１鉤２が平面１ｐｌｆｂｌに示されるように
、シリコン基板１の表面と一緒になって波うつのである
。
かかる基板の上にアルミニウム電極３を設け”ＣＭＯ５
ＭＯＳ型グイオートり（第１図）、このダイオードの電
気特性をＣ−■曲線からフラットハントと、第２図の線
図に見られるようにレーザパワーか８匈を超えるところ
から■ＦＢのシフト（移転）が起っている。なお第２図
において、横軸はレーザパ・ノーをワット（Ｗ）で、ま
たに、従Φ山はフラットハンド電圧をポルＩ− （Ｖ）
で表し、図示のデータは、第１図（Ｃｌに示す？ＩＯＳ
型ダイオードにおいて、基板１は３００℃に加熱され、
アルゴンレーザを使用し、酸化膜２の膜厚（Ｘｏｘ）は
４２０人、シリコン基板のポウ累ソースの濃度（ＮＡ）
はｌ、５×１０ ”” ｃｍ ’−３、基板の結晶方位
は（１００）、電極３はアルミニウムを用い形成して得
たものである。
ＭＯＳ型グイオートり（第１図）、このダイオードの電
気特性をＣ−■曲線からフラットハントと、第２図の線
図に見られるようにレーザパワーか８匈を超えるところ
から■ＦＢのシフト（移転）が起っている。なお第２図
において、横軸はレーザパ・ノーをワット（Ｗ）で、ま
たに、従Φ山はフラットハンド電圧をポルＩ− （Ｖ）
で表し、図示のデータは、第１図（Ｃｌに示す？ＩＯＳ
型ダイオードにおいて、基板１は３００℃に加熱され、
アルゴンレーザを使用し、酸化膜２の膜厚（Ｘｏｘ）は
４２０人、シリコン基板のポウ累ソースの濃度（ＮＡ）
はｌ、５×１０ ”” ｃｍ ’−３、基板の結晶方位
は（１００）、電極３はアルミニウムを用い形成して得
たものである。
また前記した波うち現象は、レーデパワーがＩＯＷを紹
えるところから発生している。
えるところから発生している。
前記したフラットハンド電圧のソフトは、シリコンとＳ
ｉＯ２の界面の界面準位（Ｑｓｓ ）が増加したためと
解される。第１図ｆｃｌに示ずＭＯＳ型ダイオードの電
気特性は、界面準位が小であるほど良いのであるから、
第２図に示すフラットハント電圧を図に点線で示すとこ
ろに回復さゼ、界面準位を抑えた状態を得ることが要望
される。
ｉＯ２の界面の界面準位（Ｑｓｓ ）が増加したためと
解される。第１図ｆｃｌに示ずＭＯＳ型ダイオードの電
気特性は、界面準位が小であるほど良いのであるから、
第２図に示すフラットハント電圧を図に点線で示すとこ
ろに回復さゼ、界面準位を抑えた状態を得ることが要望
される。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に溺み、フラットハントの変
化（ずなわら界面準位の増大）をひきおこすようなパワ
ーのレーザ照射を行った後において、フラットハント電
圧の変化を回復しくもとに戻し）、それによって半導体
素子の電気特性を良好に保つ方法を提供することを目的
とする。
化（ずなわら界面準位の増大）をひきおこすようなパワ
ーのレーザ照射を行った後において、フラットハント電
圧の変化を回復しくもとに戻し）、それによって半導体
素子の電気特性を良好に保つ方法を提供することを目的
とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体素子の製造工
程のレーザアニールにおいて当該素子のフラットハンド
電圧の変化が発生した場合、当該フラットハンド電圧を
変化前の基準に戻すに足るパワーでレーザを再度照射す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成される。
程のレーザアニールにおいて当該素子のフラットハンド
電圧の変化が発生した場合、当該フラットハンド電圧を
変化前の基準に戻すに足るパワーでレーザを再度照射す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成される。
（６）発明の実施例
以Ｆ本発明の実施例を図面によって説明する。
本願の発明者は、前記したフラノ１〜ハンド電圧の回復
についての実験において、第１図（ｂｌに示される波う
ったｇＢ分に７〜８Ｗのパワーのレーザ照射を行うと、
フラットハンド電圧が第２図の線図に点線ご示ず如くに
回復することを６１ｆ．認した。
についての実験において、第１図（ｂｌに示される波う
ったｇＢ分に７〜８Ｗのパワーのレーザ照射を行うと、
フラットハンド電圧が第２図の線図に点線ご示ず如くに
回復することを６１ｆ．認した。
なお、半導体素子の製造上程において７〜８りのパワー
のレータ゛を照射してもフラットハンド電圧の変化は発
生しない。
のレータ゛を照射してもフラットハンド電圧の変化は発
生しない。
従って、本発明の方法においては、基板のイオン層の活
性化等のレーザ・プロセスのためにフラットハンド電圧
の変化をひきおこすようなパワーのレーザが照射さた場
合には、レーザ照射の後に、７〜８Ｗの低いパワーのレ
ーザ、を再照射する。
性化等のレーザ・プロセスのためにフラットハンド電圧
の変化をひきおこすようなパワーのレーザが照射さた場
合には、レーザ照射の後に、７〜８Ｗの低いパワーのレ
ーザ、を再照射する。
かかる低いパワーのシー９５照射は、レーザ・プロセス
に用いたレーザ光源のパワーを７〜８切にまで下げ°ζ
用いることによって容易になされうるし、また、かかる
低いパワーのレーザ照射に要する時間は、第２図の線図
でフラットハント電圧が点線のところまで回復するに要
する時間を前辺って測ることによって定める。従って、
本発明の方法は、従来のレーザ照射装置を使用すること
によって簡便に実施しうるものである。
に用いたレーザ光源のパワーを７〜８切にまで下げ°ζ
用いることによって容易になされうるし、また、かかる
低いパワーのレーザ照射に要する時間は、第２図の線図
でフラットハント電圧が点線のところまで回復するに要
する時間を前辺って測ることによって定める。従って、
本発明の方法は、従来のレーザ照射装置を使用すること
によって簡便に実施しうるものである。
（７）発明の詳細
な説明したように、本発明の方法によると、半導体素子
の製造におけるレーザ・プロセスでフラットハンド電圧
のシフトが発生する如きレーザ照射がなされた場合には
、７〜８誓の低いパワーのレーザを再照射することによ
って、フラットハンド電圧をシフト前のレヘルに快復す
ることができ、半導体素子の電気特性が良好に保たれる
ので、製造される半導体素子の信頼性向上に効果大であ
る，。
の製造におけるレーザ・プロセスでフラットハンド電圧
のシフトが発生する如きレーザ照射がなされた場合には
、７〜８誓の低いパワーのレーザを再照射することによ
って、フラットハンド電圧をシフト前のレヘルに快復す
ることができ、半導体素子の電気特性が良好に保たれる
ので、製造される半導体素子の信頼性向上に効果大であ
る，。
第１図はＭＯＳ型グイオートを作る工程における同装置
要部の断面図、第２図は第１図のダイオード製造におい
てなされるレーザ照射のレーザバワーとフラットハンド
電圧の関係を示す線図である。 １−＝シリコン基板、２−酸化膜、 ３− 八ｌ電極
要部の断面図、第２図は第１図のダイオード製造におい
てなされるレーザ照射のレーザバワーとフラットハンド
電圧の関係を示す線図である。 １−＝シリコン基板、２−酸化膜、 ３− 八ｌ電極
Claims (1)
- 半導体素子の製造」二程のレーザアニールにおいて当該
素子のフラットバント電圧の変化が発生した場合、当該
フラットハント電圧を変化前の基準に戻すに足るパワー
でレーザを再度照射することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171254A JPS5961138A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171254A JPS5961138A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961138A true JPS5961138A (ja) | 1984-04-07 |
| JPH0586651B2 JPH0586651B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=15919908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171254A Granted JPS5961138A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162239A (en) * | 1990-12-27 | 1992-11-10 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5210766A (en) * | 1990-12-27 | 1993-05-11 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5882127A (en) * | 1995-03-16 | 1999-03-16 | Rohm Co. Ltd. | Card printer and method of printing on cards using the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758363A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of mos type semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171254A patent/JPS5961138A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758363A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of mos type semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162239A (en) * | 1990-12-27 | 1992-11-10 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5210766A (en) * | 1990-12-27 | 1993-05-11 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5882127A (en) * | 1995-03-16 | 1999-03-16 | Rohm Co. Ltd. | Card printer and method of printing on cards using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586651B2 (ja) | 1993-12-13 |
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