JPS5961929A - フオトレジスト工程を含む半導体素子等の製造方法 - Google Patents
フオトレジスト工程を含む半導体素子等の製造方法Info
- Publication number
- JPS5961929A JPS5961929A JP57173537A JP17353782A JPS5961929A JP S5961929 A JPS5961929 A JP S5961929A JP 57173537 A JP57173537 A JP 57173537A JP 17353782 A JP17353782 A JP 17353782A JP S5961929 A JPS5961929 A JP S5961929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- mask pattern
- photoresist
- mask
- photo resist
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトレジスト工程を含む半導体素子等の製造
方法に関する。
方法に関する。
一般に１半導体素子などの製造に際して、フォトレジス
ト工程が多用される。このフォトレジスト工程は、衆知
の如くシリコン（８１）ウェーハなどの半導体基村上に
形成された酸化膜など（・峙膜に感光材料（フォトレジ
スト）を塗布後、マスクを介しての露光によシ選択的に
フォトレジストを残存させ、フォトレジストの残存しな
い部分の薄膜を、エツチングにより除去する工程である
。前述した半導体素子などの製造エイリ中において、こ
のフォトレジスト工程を複数回行なう場合には、露光マ
スクに目合せを配し、佐の工程で半導体基体土に残った
目合せ痕跡を目印として用いることによりマスクバタ・
−ンのずれを防止している。
ト工程が多用される。このフォトレジスト工程は、衆知
の如くシリコン（８１）ウェーハなどの半導体基村上に
形成された酸化膜など（・峙膜に感光材料（フォトレジ
スト）を塗布後、マスクを介しての露光によシ選択的に
フォトレジストを残存させ、フォトレジストの残存しな
い部分の薄膜を、エツチングにより除去する工程である
。前述した半導体素子などの製造エイリ中において、こ
のフォトレジスト工程を複数回行なう場合には、露光マ
スクに目合せを配し、佐の工程で半導体基体土に残った
目合せ痕跡を目印として用いることによりマスクバタ・
−ンのずれを防止している。
従来この目合せの位１＾°け、クエーハ周囲の素子形成
に影響を惟、えない部分とするのが普１ｒｔ１である。
に影響を惟、えない部分とするのが普１ｒｔ１である。
戸０１（ツ（け目合せによる位置操作を示し、第２図は
照光マスク上の目合せを示す説明図であシ、これらの図
ｉｎ１において１（］は被露光物、１０Ｃは４ＪＩ嬶光
物パターン中心、１２は被臓光物目金せ、１４は露光マ
スク、１４０はｇ尤マスクパターン中心、１６は露光マ
スク目金せである。フォトレジスト工程で露光マスクの
目合せと半導体水利上の目合わせ痕跡とを合致させるた
めには、マスク面に平行にＸ、Ｙ。
照光マスク上の目合せを示す説明図であシ、これらの図
ｉｎ１において１（］は被露光物、１０Ｃは４ＪＩ嬶光
物パターン中心、１２は被臓光物目金せ、１４は露光マ
スク、１４０はｇ尤マスクパターン中心、１６は露光マ
スク目金せである。フォトレジスト工程で露光マスクの
目合せと半導体水利上の目合わせ痕跡とを合致させるた
めには、マスク面に平行にＸ、Ｙ。
ｅ（同転）方向に夫々半導体基材または露光マスクを４
．６動尽せているが、これら３方向の移動操作が実際上
、かなり煩雑であった。なお、第２図の露光マスクはｎ
エミッタ選択拡散のだめの酸化膜エツチング前のフォト
レジスト工程で使用するものである。
．６動尽せているが、これら３方向の移動操作が実際上
、かなり煩雑であった。なお、第２図の露光マスクはｎ
エミッタ選択拡散のだめの酸化膜エツチング前のフォト
レジスト工程で使用するものである。
上述したように一般のフォトレジスト工程における目合
せによる移動操作は３方向を必要としているが、１枚の
半導体基材から１個の素子を製造する電力用半導体素子
の場合には、例えばサイリスタ（ＳＣＲ）ｆｘどのよう
に０方向のマスクツくターンずれが素子特性に影響を与
えない場合もある。
せによる移動操作は３方向を必要としているが、１枚の
半導体基材から１個の素子を製造する電力用半導体素子
の場合には、例えばサイリスタ（ＳＣＲ）ｆｘどのよう
に０方向のマスクツくターンずれが素子特性に影響を与
えない場合もある。
しかしながら、こうした場合でも半導体基材の素子形成
部以外に設けられた複数箇所の目合せを用いて、ｘ、ｙ
、ｃｙの３方向への移動操作により目合せをしているの
が現状である。
部以外に設けられた複数箇所の目合せを用いて、ｘ、ｙ
、ｃｙの３方向への移動操作により目合せをしているの
が現状である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、α方向の鯖
光マスクパターンと被露光ｑ勿とのパターンのずれが谷
１蓚される場合や、露光マスクパターンが同心円で形成
される場合など、マスクパターン中心に円形またはリン
グ状の１個の目合わせを設けて回転方向の移動操作を不
要とすることにより、作菫性の向上、露光マスクパター
ンの単純化及び位（１１合せ梢変の向上を計ったフォト
レジストエイＪｔをバむ半導体素子等の製造方法を提供
することを目的とする。
光マスクパターンと被露光ｑ勿とのパターンのずれが谷
１蓚される場合や、露光マスクパターンが同心円で形成
される場合など、マスクパターン中心に円形またはリン
グ状の１個の目合わせを設けて回転方向の移動操作を不
要とすることにより、作菫性の向上、露光マスクパター
ンの単純化及び位（１１合せ梢変の向上を計ったフォト
レジストエイＪｔをバむ半導体素子等の製造方法を提供
することを目的とする。
以下、本発明の一実施例をＳＣＲを例にして添附された
図面と共に説明する。
図面と共に説明する。
第３図は、第２図に示される従来の露光マスクド１と同
様にｎエミッタ選択拡散のための酸化膜エツチング前の
フォトレジスト工程で使用される本発明による露光マス
クを示す説明図である。本発明では従来の第２図に示さ
れるようにマスクパターン上に４つの目合せを設ける代
りにマスクパターン中心に円形またはリング状の１個の
目合せ１６′を設けた点をその特徴としている。なお、
ＳＣ負の製造の場合、前述したフォトレジスト工程後に
も、他の酸化膜エツチング前とＡｔ蒸着膜エツチング前
などにフォトレジスト工程があるが、こうした場合のマ
スクパターン目金せも第３図のマスクパターン目金せを
使用し得る。
様にｎエミッタ選択拡散のための酸化膜エツチング前の
フォトレジスト工程で使用される本発明による露光マス
クを示す説明図である。本発明では従来の第２図に示さ
れるようにマスクパターン上に４つの目合せを設ける代
りにマスクパターン中心に円形またはリング状の１個の
目合せ１６′を設けた点をその特徴としている。なお、
ＳＣ負の製造の場合、前述したフォトレジスト工程後に
も、他の酸化膜エツチング前とＡｔ蒸着膜エツチング前
などにフォトレジスト工程があるが、こうした場合のマ
スクパターン目金せも第３図のマスクパターン目金せを
使用し得る。
このように、素子製造工程中に複数回フォトレジスト工
程がある場合には、各工程に適合するように円形または
リング状の目合せ１６′の大きさを選択しておけば、各
工程における位置合せの操作も容易で目、つ精度も向上
する。
程がある場合には、各工程に適合するように円形または
リング状の目合せ１６′の大きさを選択しておけば、各
工程における位置合せの操作も容易で目、つ精度も向上
する。
第４図（６）は露光マスク１４の目合わせ１６′が光を
透１１・４する場合全、第４図の）は照光マスク１４の
目合せ１６′が九を阻止する場合を夫々示したもので、
第４図（８）の鳴合は、被露光物世上の目合せ１２の大
きさよりＡ□に光マスク１４の目合せ１６′を少し大き
くした方が精度が向上し、第４図の）の場合は被露光！
吻■０上の目合せ１２０大きさより露光マスク１４の目
合せ１６′を少し小さくした方が精度が向上する。
透１１・４する場合全、第４図の）は照光マスク１４の
目合せ１６′が九を阻止する場合を夫々示したもので、
第４図（８）の鳴合は、被露光物世上の目合せ１２の大
きさよりＡ□に光マスク１４の目合せ１６′を少し大き
くした方が精度が向上し、第４図の）の場合は被露光！
吻■０上の目合せ１２０大きさより露光マスク１４の目
合せ１６′を少し小さくした方が精度が向上する。
ナオ、；８４ 図（Ａ）、 （ｆ３）Ｉ／Ｃオイ−Ｃ１
１４ｐは−ｑスクパターンを示している。
１４ｐは−ｑスクパターンを示している。
なお上述した実施例は、４層のｐｎｐｎ 構造のＳ（、
Ｈについて述べてきたが、３層のｐｎｐ構造のトランジ
スタ等にも本発明は適用可能である。
Ｈについて述べてきたが、３層のｐｎｐ構造のトランジ
スタ等にも本発明は適用可能である。
本発明の一実施例は上記のようであるため、以下のよう
な効果をイ１する。
な効果をイ１する。
（］） 従来の柳数個の目合せを使うＸ、Ｙ、αの３
方向位置合せに比べて、本発明ではＸ、Ｙ２２方向置合
せでよいので作業性が著しく向上する。
方向位置合せに比べて、本発明ではＸ、Ｙ２２方向置合
せでよいので作業性が著しく向上する。
実際には、単位時間に対する位１す゛合わせ回数が２倍
に向上する。
に向上する。
（２） 従来の複数個の目合せに対して、本発明では
、１個の目合わせだけでよいので、露光マスク、＜ター
ンの単純化を計れる。
、１個の目合わせだけでよいので、露光マスク、＜ター
ンの単純化を計れる。
（３） 各フォトレジスト工程で使用する露光マスク
パターンの円形捷たはリング状目金せの大きさを、各工
程に適合するように、夫々異なるようにすることにより
、従来よシも位置合せの精度が更に向上する。
パターンの円形捷たはリング状目金せの大きさを、各工
程に適合するように、夫々異なるようにすることにより
、従来よシも位置合せの精度が更に向上する。
以上述べてきたように、本発明によればマスクパターン
中心に円形またはリング状の１個の目合せを設けるだけ
で、フォトレジスト工程における作条性の向上、閣尤マ
スクノシクーンの単純化及び位置合せ精度の向上を計る
ことが可能になる。
中心に円形またはリング状の１個の目合せを設けるだけ
で、フォトレジスト工程における作条性の向上、閣尤マ
スクノシクーンの単純化及び位置合せ精度の向上を計る
ことが可能になる。
第１図は従来の目合わせによる位置操作を説明する説明
図、第２図は従来の複数の目合わせを設けた露光マスク
の説明図、第３図は本発明でイ吏ｎ１されるマスクツ（
ターン中心に１個の目合わせを設けた露光マスクの峠、
四回、第４図（４）及び第４図の）は、本発明における
露光マスクの目合わせ力；光を透過する場合と、露光マ
スクの目合わせ７５；光を阻止する場合を夫々示す説明
図である。 １０・・昏被露光物、ＩＯＣ・・・被露光物ノ；ターン
中心、１２・・・被露光物回合わせ、１４・・・露光マ
スク、１４Ｐ・・・露光マスクツくターン中心、１６′
・・・露光マスク目金わせ。 第４図 （Ａ） （Ｂ）
図、第２図は従来の複数の目合わせを設けた露光マスク
の説明図、第３図は本発明でイ吏ｎ１されるマスクツ（
ターン中心に１個の目合わせを設けた露光マスクの峠、
四回、第４図（４）及び第４図の）は、本発明における
露光マスクの目合わせ力；光を透過する場合と、露光マ
スクの目合わせ７５；光を阻止する場合を夫々示す説明
図である。 １０・・昏被露光物、ＩＯＣ・・・被露光物ノ；ターン
中心、１２・・・被露光物回合わせ、１４・・・露光マ
スク、１４Ｐ・・・露光マスクツくターン中心、１６′
・・・露光マスク目金わせ。 第４図 （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- （］）半導体基月などの上に形成された薄膜にフォトレ
ジストを塗布後、このフォトレジストの付９゛ｆシた被
露光物にマスク終光を施して選択的にフォトレジストを
残存させ、フォトレジストの残存しない部分の薄膜をエ
ツチングによシ除去するフォトレジスト工程を含む半導
体素子等をｌｌｑ造する方法において、露光マスクパタ
ーン中心に円形またはリング状の１個の目合せを設けて
、崩光マスクと前記被籟光物とを目合せにより位（皓′
合せする際、回転方向のｆケ置合せを不曹としたことを
特徴とするフォトレジスト工程を含む半導体素子等の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173537A JPS5961929A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | フオトレジスト工程を含む半導体素子等の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173537A JPS5961929A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | フオトレジスト工程を含む半導体素子等の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961929A true JPS5961929A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15962365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173537A Pending JPS5961929A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | フオトレジスト工程を含む半導体素子等の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961929A (ja) |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57173537A patent/JPS5961929A/ja active Pending
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