JPS5971005A - 光導波路の作成方法 - Google Patents
光導波路の作成方法Info
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- JPS5971005A JPS5971005A JP57182646A JP18264682A JPS5971005A JP S5971005 A JPS5971005 A JP S5971005A JP 57182646 A JP57182646 A JP 57182646A JP 18264682 A JP18264682 A JP 18264682A JP S5971005 A JPS5971005 A JP S5971005A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は元合成何元分波および光偏向等の機能を有する
光回路用の導波路の作成方法に関するものである。
光回路用の導波路の作成方法に関するものである。
従来、圧電性のすぐれた導波路基板として、強にＴｉ膜
を電子銃又はスパッタリング等の方法で形成し、さらに
熱炉中で１０００℃近辺で数時間処理し、厚の導波路を
形成する。しかし、上記導波路作筆た にあっては、１０００℃近辺の高温処理工程が含まれ凸 ていること１又１上記導波路に対する入力元強度が１〜
２ｍＷ（波長０．６３２８μｍ）時）を越えると、導波
路に光学損傷が生じる（ Ｒ，Ｌ、Ｈｏ１ｒｎａｎ、
Ａｐｐｌ。
を電子銃又はスパッタリング等の方法で形成し、さらに
熱炉中で１０００℃近辺で数時間処理し、厚の導波路を
形成する。しかし、上記導波路作筆た にあっては、１０００℃近辺の高温処理工程が含まれ凸 ていること１又１上記導波路に対する入力元強度が１〜
２ｍＷ（波長０．６３２８μｍ）時）を越えると、導波
路に光学損傷が生じる（ Ｒ，Ｌ、Ｈｏ１ｒｎａｎ、
Ａｐｐｌ。
Ｐｂｙｓ、Ｌｅｔｌ 、３２，２８０（１９７８））と
いう欠点を有していた。
いう欠点を有していた。
一方）上記導波路の光学損傷を低減させる方法として、
２００℃〜４００℃程度に加熱した強酸もしくは、水酸
化物もしくは、溶融塩中に基板を浸すものがある。（Ｊ
、Ｊａｃｋｅｌ、 Ａｐｐｌ、Ｐｂｙｓ、 １４．ｔＪ
、 ３７ 。
２００℃〜４００℃程度に加熱した強酸もしくは、水酸
化物もしくは、溶融塩中に基板を浸すものがある。（Ｊ
、Ｊａｃｋｅｌ、 Ａｐｐｌ、Ｐｂｙｓ、 １４．ｔＪ
、 ３７ 。
７３９ 、 （１９８０））
例えば溶融塩としては、ＴｌＮＯｘ 、 ＡｇＮ０＋＋
等があげられるが、基板を溶融塩に完全に浸す必要のた
め、加熱によシ有害性ガスＮＯｚ等が大量に発生すると
いう問題点を有していた。
等があげられるが、基板を溶融塩に完全に浸す必要のた
め、加熱によシ有害性ガスＮＯｚ等が大量に発生すると
いう問題点を有していた。
本発明の目的は、上述した従来の光導波路の作成方法に
伴う欠点を除去した、新たなる光導波路の作成方法を提
供することにある。
伴う欠点を除去した、新たなる光導波路の作成方法を提
供することにある。
本発明に係る光導波路作成方法においては、導波路を形
成すべき基板上に拡散すべきイオン種を含む固体材料を
設け、該固体材料に熱を与えることによりイオンを基板
内に拡散させて光導波路を形成するものである。
成すべき基板上に拡散すべきイオン種を含む固体材料を
設け、該固体材料に熱を与えることによりイオンを基板
内に拡散させて光導波路を形成するものである。
前記熱を与える手段としては、例えばレーザビーム等の
光照射が最も簡便である。更に固体材料を溶かせる為の
熱を与える前に、基板全体を予備的に加熱して、成る一
定の温度、もちろんイオン種が溶解しない温度まで上昇
させておくと、効率良（光導波路が作成できる。
光照射が最も簡便である。更に固体材料を溶かせる為の
熱を与える前に、基板全体を予備的に加熱して、成る一
定の温度、もちろんイオン種が溶解しない温度まで上昇
させておくと、効率良（光導波路が作成できる。
本発明の光導波路作成方法においては、作成工夫の少な
い光導電波路を形成することが可能である。以下、本発
明に関して詳述する。
い光導電波路を形成することが可能である。以下、本発
明に関して詳述する。
第１図において、１はその表面に光導波路が形成される
基板、２はイオン種を形成する固体材料で、前記基板１
の上に設けられる。基板１としては、圧電性のすぐれた
強誘電体結晶であるＬｉＮｂ０ｇ。
基板、２はイオン種を形成する固体材料で、前記基板１
の上に設けられる。基板１としては、圧電性のすぐれた
強誘電体結晶であるＬｉＮｂ０ｇ。
ＬｉＴａ０ａ 結晶やＢＫ７等のガラスでも良い。２
とＬ テｉｌｌ： Ｍｇ（ＮＯｓ ） ＋Ｂ５ＨｚＯ、
ＣａＨｓＣＯＯＩ４ 、 ＴｌＮＯｓ 、 ＡｇＮＯｓ
。
とＬ テｉｌｌ： Ｍｇ（ＮＯｓ ） ＋Ｂ５ＨｚＯ、
ＣａＨｓＣＯＯＩ４ 、 ＴｌＮＯｓ 、 ＡｇＮＯｓ
。
ＩＧＮＯｓ 、 ＮａＮ０ａ 等があげられる。
第２図は本発明に係る方式の一実施例を示す図で、６は
レーザー光源、４及び５はレンズ、６はビームスプリッ
タ−１７及び８は光検出器、９は加熱炉、１０は炉９に
あけられた光に対する窓である。前記光源としては、基
板材料に対して吸収性の高い波長のレーザーが望ましく
、例えばＡｒｇＨｅ−Ｎｅ 、 ＹＡＧ 、 Ｃ０２ｖ
−ザー等があげられる。
レーザー光源、４及び５はレンズ、６はビームスプリッ
タ−１７及び８は光検出器、９は加熱炉、１０は炉９に
あけられた光に対する窓である。前記光源としては、基
板材料に対して吸収性の高い波長のレーザーが望ましく
、例えばＡｒｇＨｅ−Ｎｅ 、 ＹＡＧ 、 Ｃ０２ｖ
−ザー等があげられる。
レーザー光源６から出射した光線１１は、ビームスグリ
ツタ−６を通シ、レンズ４にょし一様な強度をもつ光束
１２に拡大される。光束１２は、拡散種を含む固体２を
上積した基板１０表表面体に照射され、固体２が融解す
ると、光束１２の一部は反射し又、その一部は透過する
。反射光はレンズ４の方へ戻り、ビームスプリッタ−６
で検出器７へ導かれる。一方、基板を透過した光束はレ
ンズ５でしぼられ検出器８へ入射する。
ツタ−６を通シ、レンズ４にょし一様な強度をもつ光束
１２に拡大される。光束１２は、拡散種を含む固体２を
上積した基板１０表表面体に照射され、固体２が融解す
ると、光束１２の一部は反射し又、その一部は透過する
。反射光はレンズ４の方へ戻り、ビームスプリッタ−６
で検出器７へ導かれる。一方、基板を透過した光束はレ
ンズ５でしぼられ検出器８へ入射する。
基板１０表面は、光束１２にょシ局所的に加熱され）イ
オン交換が進み、懺面近傍の屈折率が増大して導波路が
形成される。有害性ガスの発生率は）基板全体を加熱す
る場合に比べて低（おさえられる。又、熱バイアスとし
て、炉９によシあらかじめ適度に熱することを併用して
も差しつかえない。Ａｉｌ記原理により表面の屈折率が
変化すると、光束１２０基板弐面上での反射率および透
過率が変化するので、検出器７もしくは８で光強度の変
動を観測すれば、その時点での導波路の状態がモニター
できる。
オン交換が進み、懺面近傍の屈折率が増大して導波路が
形成される。有害性ガスの発生率は）基板全体を加熱す
る場合に比べて低（おさえられる。又、熱バイアスとし
て、炉９によシあらかじめ適度に熱することを併用して
も差しつかえない。Ａｉｌ記原理により表面の屈折率が
変化すると、光束１２０基板弐面上での反射率および透
過率が変化するので、検出器７もしくは８で光強度の変
動を観測すれば、その時点での導波路の状態がモニター
できる。
以上の方法によシ所定の導波路厚のグラナ−型の導波路
が作製できる。
が作製できる。
を
次に本発明お実施例によシ詳細に説明するが、本発明は
この実施例に限定されるものではない。
この実施例に限定されるものではない。
実施例１
第２図を参照し、Ｘ −ｃｕｔ ＬｉＮｂ０ｉ単結晶の
ｙ−２面を面精度がニュートリング数本以内に収まるよ
う両面研摩した。基板の寸法はｙ、ｚ方向でそれぞれ１
インチ、１／２インチで厚さは１ｍｍであった。研摩後
基板を超音波洗浄した後にエタノール蒸気中で充分乾燥
し、この上にＴｌＮ０ａの粉体な約２ｇ基板上面に一様
にドクターブレードによシ上積した。この上積した基板
を低温加熱炉中にセットし約１００℃の温度に昇温し炉
の窓からＣｏｗレーザー元（出力２Ｑｗａｔｔ）をＳｉ
レンズによシ基板全う 面に光が当るように調整したとこる数分以内で基板上に
上積したＴＡ！ＮＯｓが融け、この状態でＣＯｓレーザ
ー光を約６０分間照射することによりｅイオンの内部拡
散によυ基板上にＴＥｏモードの導波路が形成できた。
ｙ−２面を面精度がニュートリング数本以内に収まるよ
う両面研摩した。基板の寸法はｙ、ｚ方向でそれぞれ１
インチ、１／２インチで厚さは１ｍｍであった。研摩後
基板を超音波洗浄した後にエタノール蒸気中で充分乾燥
し、この上にＴｌＮ０ａの粉体な約２ｇ基板上面に一様
にドクターブレードによシ上積した。この上積した基板
を低温加熱炉中にセットし約１００℃の温度に昇温し炉
の窓からＣｏｗレーザー元（出力２Ｑｗａｔｔ）をＳｉ
レンズによシ基板全う 面に光が当るように調整したとこる数分以内で基板上に
上積したＴＡ！ＮＯｓが融け、この状態でＣＯｓレーザ
ー光を約６０分間照射することによりｅイオンの内部拡
散によυ基板上にＴＥｏモードの導波路が形成できた。
プリズムカップリング法によシ作成した導波路の伝播損
失を測定したところ、１．Ｏｄｂ／ｃｍの値を得た。又
ブ０学損傷の閾値向上に関しても５０チの向上が観測さ
れ、本発明による導波路作成が従来法によシ優れている
ことが判明した。
失を測定したところ、１．Ｏｄｂ／ｃｍの値を得た。又
ブ０学損傷の閾値向上に関しても５０チの向上が観測さ
れ、本発明による導波路作成が従来法によシ優れている
ことが判明した。
以上説明したように、本発明による光導波路作禍
製方法によ、！ｌｌｌ光学損傷の少ないかつ光伝搬損失
の低い光導波路が可能になるばかりでな（、従来の高温
に熱した融液中に基板を浸たし作製する方法に較べて、
低温処理が可能になシ、有害性ガスの発生率も抑制でき
る。
の低い光導波路が可能になるばかりでな（、従来の高温
に熱した融液中に基板を浸たし作製する方法に較べて、
低温処理が可能になシ、有害性ガスの発生率も抑制でき
る。
又、導波路作製時に導波路の状態をモニターできるため
、励起するモードの数を制御することや弾性！（１ｍ波
との相互作用を強（する導波路厚に卸制御することも可
能である。
、励起するモードの数を制御することや弾性！（１ｍ波
との相互作用を強（する導波路厚に卸制御することも可
能である。
第１図及び第２図は、本発明に係る光導波路の作成方法
の一実施例を示す為の図。 １・・・・・基板、２・・・・・拡散イオン種を含む固
体１６・・・・・光源、４．５・・ｅ・拳レンズ、６Φ
・・・Φビームスグリツター１７，８＠・・・・光検出
器、９・・・会・加熱炉、１０・・・・・窓、１１，１
２・・・・・光束。 出願人 キャノン株式会社 殻・ｒ′、′−； ８４ 酬 第２ρ １９−
の一実施例を示す為の図。 １・・・・・基板、２・・・・・拡散イオン種を含む固
体１６・・・・・光源、４．５・・ｅ・拳レンズ、６Φ
・・・Φビームスグリツター１７，８＠・・・・光検出
器、９・・・会・加熱炉、１０・・・・・窓、１１，１
２・・・・・光束。 出願人 キャノン株式会社 殻・ｒ′、′−； ８４ 酬 第２ρ １９−
Claims (2)
- （１）基板上に拡散すべきイオン種を形成する固体を設
け、該イオン種が基板内に拡散するだけの熱を与えるこ
とによシ光導波路を形成することを特徴とする光導波路
の作成方法。 - （２）前記イオン種に光を照射して、イオン種を基板内
に拡散させる特許請求の範囲第１項記載の光導波路の作
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182646A JPH0711608B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光導波路の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182646A JPH0711608B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光導波路の作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5971005A true JPS5971005A (ja) | 1984-04-21 |
| JPH0711608B2 JPH0711608B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=16121940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182646A Expired - Lifetime JPH0711608B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光導波路の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711608B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4894447A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-05 | ||
| JPS54161350A (en) * | 1978-06-10 | 1979-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of thin film optical element |
| JPS5627848A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | Balanced air circulator |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP57182646A patent/JPH0711608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4894447A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-05 | ||
| JPS54161350A (en) * | 1978-06-10 | 1979-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of thin film optical element |
| JPS5627848A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | Balanced air circulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711608B2 (ja) | 1995-02-08 |
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