JPS5975253A - 光学露光用マスクの製造方法 - Google Patents
光学露光用マスクの製造方法Info
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- JPS5975253A JPS5975253A JP57187004A JP18700482A JPS5975253A JP S5975253 A JPS5975253 A JP S5975253A JP 57187004 A JP57187004 A JP 57187004A JP 18700482 A JP18700482 A JP 18700482A JP S5975253 A JPS5975253 A JP S5975253A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路の微細加工用フォトリソグラフ
ィ技術において用いる光学露光用マスクの製造方法に関
する。
ィ技術において用いる光学露光用マスクの製造方法に関
する。
従来の光学露光用マスクは、大きなマスク原図を光学写
真技術によって縮小転写して製造していた。しかし、近
年ではマスクパターンの精度の向上、製造期間の短縮を
計るため、ブランクマスクに荷電粒子線を照射し、描画
して光学露光用マスクを製造する技術が利用されるよう
になった。
真技術によって縮小転写して製造していた。しかし、近
年ではマスクパターンの精度の向上、製造期間の短縮を
計るため、ブランクマスクに荷電粒子線を照射し、描画
して光学露光用マスクを製造する技術が利用されるよう
になった。
第１図は従来のブランクマスクの一例の断面図である。
ガラス等の基板１の上に低電気抵抗層２、遮光層３、感
荷電粒子線レジスト層４を順次積層してブランクマスク
が作られる。そして、最上層のレジスト層４に荷電粒子
線で描画し、現像する。レジスト層４をマスクとして低
電気抵抗層２、遮光層３をエツチングし、レジスト層４
を除去して所望のパターンを得る。
荷電粒子線レジスト層４を順次積層してブランクマスク
が作られる。そして、最上層のレジスト層４に荷電粒子
線で描画し、現像する。レジスト層４をマスクとして低
電気抵抗層２、遮光層３をエツチングし、レジスト層４
を除去して所望のパターンを得る。
このようなブランクマスクを利用するマスクの製造方法
において、製造期間を更に短縮するために荷電粒子線の
照射量の増加が行われる。とのような場合、荷電粒子線
とブランクマスクを構成する物質との間の相互作用によ
シ各物質中で熱が発生し、温度上昇が起る。特に、基体
１は厚く、大部分の熱は基体１で発生する。また、基体
１には通常、ガラスが用いられているが、ガラスの熱伝
導率は０． ＯＩ Ｗ／ａｍ・ｄｅｇ程度と小さいため
温度上昇が著しい。この温度が感荷電粒子線レジスト層
４に伝播し、感荷電粒子線レジスト層４を変質させる。
において、製造期間を更に短縮するために荷電粒子線の
照射量の増加が行われる。とのような場合、荷電粒子線
とブランクマスクを構成する物質との間の相互作用によ
シ各物質中で熱が発生し、温度上昇が起る。特に、基体
１は厚く、大部分の熱は基体１で発生する。また、基体
１には通常、ガラスが用いられているが、ガラスの熱伝
導率は０． ＯＩ Ｗ／ａｍ・ｄｅｇ程度と小さいため
温度上昇が著しい。この温度が感荷電粒子線レジスト層
４に伝播し、感荷電粒子線レジスト層４を変質させる。
このため、感荷電粒子線レジスト層４を現像した際に所
望のパターンが得られなくなるという問題が生じる。と
れを解決するためには、低電気抵抗層２又は遮光層３に
基体１よりも熱伝導率の大きな材質を用い、かつ、その
厚さを、基体１の中で発生した熱がパターン形成に関係
ない周辺部に放熱されるに十分な厚さとすればよい。
望のパターンが得られなくなるという問題が生じる。と
れを解決するためには、低電気抵抗層２又は遮光層３に
基体１よりも熱伝導率の大きな材質を用い、かつ、その
厚さを、基体１の中で発生した熱がパターン形成に関係
ない周辺部に放熱されるに十分な厚さとすればよい。
しかし、前記の光学露光用マスク製造方法においては、
パターン化された感荷電粒子線レジスト層４をマスクと
して遮光層３及び低電気抵抗層２をエツチングし、所望
のパターンを形成することが必要であり、遮光層３又は
低電気抵抗層２が厚いとエツチングにより微細なパター
ンを得ることができなくなるという欠点を生じる。
パターン化された感荷電粒子線レジスト層４をマスクと
して遮光層３及び低電気抵抗層２をエツチングし、所望
のパターンを形成することが必要であり、遮光層３又は
低電気抵抗層２が厚いとエツチングにより微細なパター
ンを得ることができなくなるという欠点を生じる。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、感荷電粒子線レジ
ストが熱により変質することなく所望のパターンが形成
される光学露光用マスクの製造方法を提供することにあ
る。
ストが熱により変質することなく所望のパターンが形成
される光学露光用マスクの製造方法を提供することにあ
る。
本発明の光学露光用マスクの製造方法の第１は、紫外・
可視光に対して透明な基体上に、該基体の表面に平行な
方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よりも大きく、かつ
、紫外・可視光に対して透明な材質よりなる遮熱層を形
成し、その上に低電気抵抗層、遮光層を形成し、その上
に感荷電粒子線レジスト層を形成する工程と、前記感荷
電粒子線レジスト層を荷電粒子線によシ所望のパターン
に露光し現像する工程と、前記感荷電粒子線レジスト層
をマスクとして露出する遮光層及び低電気抵抗層を選択
的にエツチング除去して、遮光層及び低電気抵抗層から
なるパターンを形成する工程とを含んで構成される。
可視光に対して透明な基体上に、該基体の表面に平行な
方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よりも大きく、かつ
、紫外・可視光に対して透明な材質よりなる遮熱層を形
成し、その上に低電気抵抗層、遮光層を形成し、その上
に感荷電粒子線レジスト層を形成する工程と、前記感荷
電粒子線レジスト層を荷電粒子線によシ所望のパターン
に露光し現像する工程と、前記感荷電粒子線レジスト層
をマスクとして露出する遮光層及び低電気抵抗層を選択
的にエツチング除去して、遮光層及び低電気抵抗層から
なるパターンを形成する工程とを含んで構成される。
本発明の光学露光用マスクの製造方法の第２は、紫外・
可視光に対して透明な基体上に、該基体の表面に平行な
方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よ〕も大きく、かつ
、紫外・可視光に対して透明な材質よりなる遮熱層を形
成し、その上に、低電気抵抗層、感荷電粒子線レジスト
層を順次形成する工程と、前記感荷電粒子線レジスト層
を荷電粒子線によシ所望のパターンに露光し現像する工
程と、前記現像によシ露出した低電気抵抗層の表面及び
残留させた感荷電粒子線レジスト層の表面を覆うように
遮光層を形成する工程と、残留させた荷電粒子線レジス
ト層を除去すると共に前記感荷電粒子線レジスト層上に
形成された部分の遮光層を併せて除去する工程と、残留
させた部分の遮光層をエツチングマスクとして露出した
部分の低電気抵抗層を選択的にエツチング除去して遮光
層及び低電気抵抗層からなるパターンを形成する工程と
を含んで構成される。
可視光に対して透明な基体上に、該基体の表面に平行な
方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よ〕も大きく、かつ
、紫外・可視光に対して透明な材質よりなる遮熱層を形
成し、その上に、低電気抵抗層、感荷電粒子線レジスト
層を順次形成する工程と、前記感荷電粒子線レジスト層
を荷電粒子線によシ所望のパターンに露光し現像する工
程と、前記現像によシ露出した低電気抵抗層の表面及び
残留させた感荷電粒子線レジスト層の表面を覆うように
遮光層を形成する工程と、残留させた荷電粒子線レジス
ト層を除去すると共に前記感荷電粒子線レジスト層上に
形成された部分の遮光層を併せて除去する工程と、残留
させた部分の遮光層をエツチングマスクとして露出した
部分の低電気抵抗層を選択的にエツチング除去して遮光
層及び低電気抵抗層からなるパターンを形成する工程と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
まず、本発明の第１の方法を説明する。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の方法を説明する
ための工程順に示した断面図である。
ための工程順に示した断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、紫外・可視光に対し
て透明な基体５として石英ガラス、ソーダライム系のガ
ラス、サファイア等を用いることができるが、とこでは
石英ガラスを用いる。この上に遮熱層６として基体５の
表面に平行な方向の熱伝導率が垂直た方向の熱伝導率よ
りも大きく、かつ表面に平行な熱伝導率が基体５の熱伝
導率よシ大きい物質を用いる。このような物質としてＢ
ｅｄ。
て透明な基体５として石英ガラス、ソーダライム系のガ
ラス、サファイア等を用いることができるが、とこでは
石英ガラスを用いる。この上に遮熱層６として基体５の
表面に平行な方向の熱伝導率が垂直た方向の熱伝導率よ
りも大きく、かつ表面に平行な熱伝導率が基体５の熱伝
導率よシ大きい物質を用いる。このような物質としてＢ
ｅｄ。
人ｈｏｓ等があるが、ここではＢｅＯを用いることにす
る。ＢｅＯをクラスタ・イオン・ ビーム法によ、ｊ７
０．０５μｍの厚さに形成する。次に、低電気抵抗層７
として不純物をドープしたシリコンをＯＶＤ法により０
．０５μｍの厚さに形成する。次に、遮光層８として酸
化クロムを０．２μｍの厚さに蒸着する。遮光層８とし
て他に酸化鉄、金属クロムなども使用できる。金属クロ
ムを用いた場合には低電気抵抗層を兼ねるととができる
。この上に感荷電粒子線レジスト層９を０．５μｍの厚
さに形成する。感荷電粒子線レジスト層９として、ここ
ではシラプレー（５ｈｉｐ１ｅｙ）社の商品名ＡＺ２４
００で販売されているレジスト材を用いることにするが
、他にポリメチルメタアクリル酸、ポリプリシジルメタ
アクリレート等を用いることができる。
る。ＢｅＯをクラスタ・イオン・ ビーム法によ、ｊ７
０．０５μｍの厚さに形成する。次に、低電気抵抗層７
として不純物をドープしたシリコンをＯＶＤ法により０
．０５μｍの厚さに形成する。次に、遮光層８として酸
化クロムを０．２μｍの厚さに蒸着する。遮光層８とし
て他に酸化鉄、金属クロムなども使用できる。金属クロ
ムを用いた場合には低電気抵抗層を兼ねるととができる
。この上に感荷電粒子線レジスト層９を０．５μｍの厚
さに形成する。感荷電粒子線レジスト層９として、ここ
ではシラプレー（５ｈｉｐ１ｅｙ）社の商品名ＡＺ２４
００で販売されているレジスト材を用いることにするが
、他にポリメチルメタアクリル酸、ポリプリシジルメタ
アクリレート等を用いることができる。
とのように形成したブランクマスクに荷電粒子線ビーム
１０で所望のパターンを描画する。荷電粒子線ビーム１
０として電子線ビームを用いるととにする。電子線ビー
ムを使用するときは、加速電圧２０ Ｋｅ Ｖｓ電流密
度０．４ Ａ／ｃＩｒＬ’で行う。この描画のときに、
基板５で発生した熱は遮熱層（Ｂｅ０層）６によって周
辺部へ放散される。また蓄積した電荷は低電気抵抗層（
不純物ドープ・シリコン）７を介して中和される。この
ため、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積
の影響を受けずに精度良くパターンが描画される。
１０で所望のパターンを描画する。荷電粒子線ビーム１
０として電子線ビームを用いるととにする。電子線ビー
ムを使用するときは、加速電圧２０ Ｋｅ Ｖｓ電流密
度０．４ Ａ／ｃＩｒＬ’で行う。この描画のときに、
基板５で発生した熱は遮熱層（Ｂｅ０層）６によって周
辺部へ放散される。また蓄積した電荷は低電気抵抗層（
不純物ドープ・シリコン）７を介して中和される。この
ため、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積
の影響を受けずに精度良くパターンが描画される。
次に、第２図（ｂ）に示すように、感荷電粒子線レジス
ト層９を現像し、所望のパターンを得る。前述のように
、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積の影
響を受けずに精確なパターンが描画されているから、現
像で得られたレジスト層９のパターンも精度良く形成さ
れている。
ト層９を現像し、所望のパターンを得る。前述のように
、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積の影
響を受けずに精確なパターンが描画されているから、現
像で得られたレジスト層９のパターンも精度良く形成さ
れている。
次に、第２図（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムア
ンモン１００ｇ５過塩素酸２６ｃｃ、水４４０ ｃｃの
割合で調合したエツチング液で遮光層８を構成している
酸化クロムを選択エツチング除去する。
ンモン１００ｇ５過塩素酸２６ｃｃ、水４４０ ｃｃの
割合で調合したエツチング液で遮光層８を構成している
酸化クロムを選択エツチング除去する。
次に、低電気抵抗層７を選択エツチング除去する。
この実施例では低電気抵抗層７は不純物ドープ・シリコ
ンであるので４９％のフッ酸と７０％の硝酸を１：３０
の割合で調合したエツチング液を用いてエツチングする
。そして感荷電粒子線レジスト層９を除去する。
ンであるので４９％のフッ酸と７０％の硝酸を１：３０
の割合で調合したエツチング液を用いてエツチングする
。そして感荷電粒子線レジスト層９を除去する。
このようにして、基板５及び遮熱層６の上に低電気抵抗
層７と遮光層８とから成るパターンを有した光学露光用
マスクを製造するととができる。
層７と遮光層８とから成るパターンを有した光学露光用
マスクを製造するととができる。
次に、本発明の第２の方法について説明する。
第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の方法を説明する
ための工程順に示した断面図である。
ための工程順に示した断面図である。
９−
まず、第３図（ａ）に示すように、紫外・可視光に対し
て透明な基体５として石英ガラス、ソーダライム系のガ
ラス、サファイア等を用いることができるが、ことでは
石英ガラスを用いる。との上に遮熱層６として基体５の
表面に平行な方向の熱伝導率が垂直な方向の熱伝導率よ
りも大きく、かつ表面に平行な熱伝導率が基体５の熱伝
導率より大きい物質を用いる。このような物質としてＢ
ｅｄ。
て透明な基体５として石英ガラス、ソーダライム系のガ
ラス、サファイア等を用いることができるが、ことでは
石英ガラスを用いる。との上に遮熱層６として基体５の
表面に平行な方向の熱伝導率が垂直な方向の熱伝導率よ
りも大きく、かつ表面に平行な熱伝導率が基体５の熱伝
導率より大きい物質を用いる。このような物質としてＢ
ｅｄ。
Ａｌ２Ｏ５等があるが、ここではＢｅＯを用いることに
する。ＢｅＯをクラスタ・イオン・ビーム法によ、９０
．０５μｍの厚さに形成する。次に、低電気抵抗層７と
して不純物をドープしたシリコンをＯＶ １１法によ、
ｐｏ、０５μｍの厚さに形成する。゛この上に感荷電粒
子線レジスト層９を０．５μｍの厚さに形成する。感荷
電粒子線レジスト層９として、ここではシラプレー（５
ｈｌｐｌａｙ ）社の商品名ＡＺ２４００で販売されて
いるレジスト材を用いることにするが、他にポリメチル
メタアクリル酸、ポリプリシジルメタアクリレート等を
用いることができる。
する。ＢｅＯをクラスタ・イオン・ビーム法によ、９０
．０５μｍの厚さに形成する。次に、低電気抵抗層７と
して不純物をドープしたシリコンをＯＶ １１法によ、
ｐｏ、０５μｍの厚さに形成する。゛この上に感荷電粒
子線レジスト層９を０．５μｍの厚さに形成する。感荷
電粒子線レジスト層９として、ここではシラプレー（５
ｈｌｐｌａｙ ）社の商品名ＡＺ２４００で販売されて
いるレジスト材を用いることにするが、他にポリメチル
メタアクリル酸、ポリプリシジルメタアクリレート等を
用いることができる。
１０−
このように形成したブランクマスクに荷電粒子線ビーム
１０で所望のパターンを描画する。荷電粒子線ビーム１
０として電子線ビームを用いることにする。電子線ビー
ムを使用するときは、加速電圧２０ＫｅＶｓ電流密度０
．４ Ａ／ＣｒｒＬ２で行う。この描画のときに、基板
５で発生した熱は遮熱層（Ｂｅ０層）６によって周辺部
へ放散される。また蓄積した電荷は低電気抵抗層（不純
物ドープ・シリコン）７を介して中和される。このため
、感荷電粒子線レジスト層９は熱愛・實及び電荷蓄積の
影響を受けずに精度良くパターンが描画される。
１０で所望のパターンを描画する。荷電粒子線ビーム１
０として電子線ビームを用いることにする。電子線ビー
ムを使用するときは、加速電圧２０ＫｅＶｓ電流密度０
．４ Ａ／ＣｒｒＬ２で行う。この描画のときに、基板
５で発生した熱は遮熱層（Ｂｅ０層）６によって周辺部
へ放散される。また蓄積した電荷は低電気抵抗層（不純
物ドープ・シリコン）７を介して中和される。このため
、感荷電粒子線レジスト層９は熱愛・實及び電荷蓄積の
影響を受けずに精度良くパターンが描画される。
次に、第３図（ｂ）Ｋ示すように、感荷電粒子線レジス
ト層９を現像し、所望のパターンを得る。前述のように
、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積の影
響を受けずに精確なパターンが描画されているから、現
像で得られたレジスト層９のパターンも精度良く形成さ
れている。
ト層９を現像し、所望のパターンを得る。前述のように
、感荷電粒子線レジスト層９は熱変質及び電荷蓄積の影
響を受けずに精確なパターンが描画されているから、現
像で得られたレジスト層９のパターンも精度良く形成さ
れている。
次に、第３図（ｃ）に示すように、遮光層８として酸化
クロムを０．３μｍの厚さに蒸着する。遮光層８として
は、前述のように、酸化鉄、金属クロムなども使用でき
る。
クロムを０．３μｍの厚さに蒸着する。遮光層８として
は、前述のように、酸化鉄、金属クロムなども使用でき
る。
次に、第３図（ｄ）に示すように、感荷電粒子線レジス
ト層９を除去すると、この上に乗っていた遮光層８も同
時に除去され、低電気抵抗層７の上に乗っていた遮光層
８のみが残る。
ト層９を除去すると、この上に乗っていた遮光層８も同
時に除去され、低電気抵抗層７の上に乗っていた遮光層
８のみが残る。
次に、第３図（ｅ）に示すように、遮光層８をマスクに
して低電気抵抗層７を選択除去する。この実施例では低
電気抵抗層７が不純物をドープしたシリコンであるので
４９％フッ酸と７０％の硝酸を１：３０の割合で調合し
たエツチング液を用いて選択エツチングを行う。
して低電気抵抗層７を選択除去する。この実施例では低
電気抵抗層７が不純物をドープしたシリコンであるので
４９％フッ酸と７０％の硝酸を１：３０の割合で調合し
たエツチング液を用いて選択エツチングを行う。
このようにして、基体５の上に遮熱層６、低電気抵抗層
７、遮光層８から成るパターンを有した光学露光用マス
クを製造することができる。
７、遮光層８から成るパターンを有した光学露光用マス
クを製造することができる。
上記二つの実施例で示したように、遮光層８とレジスト
層９の形成順序は変更可能であシ、また、実施例では示
さなかったが、低電気抵抗層と遮光層は任意の順序で形
成して良い。
層９の形成順序は変更可能であシ、また、実施例では示
さなかったが、低電気抵抗層と遮光層は任意の順序で形
成して良い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、感荷電粒
子線レジストが熱や電荷蓄積の影響な受けることなく寸
法精度の良いパターン描画でき、それにより寸法精度の
良好な光学露光用マスクを製造することができるのでそ
の効果は大きい。
子線レジストが熱や電荷蓄積の影響な受けることなく寸
法精度の良いパターン描画でき、それにより寸法精度の
良好な光学露光用マスクを製造することができるのでそ
の効果は大きい。
第１図は従来のブランクマスクの一例の断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の方法の一実施例を説明
するための工程順に示した断面図、第３図（ａ）〜（ｅ
）は本発明の第２の方法の一実施例を説明するための工
程順に示した断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・低電気抵抗層、３
・・・・・・遮光層、４・・・・・・感荷電粒子線レジ
スト層、５・・・・・・基体（石英ガラス）、６・・・
・・・遮熱層（Ｂｅｄ）、７・・・・・・低電気抵抗層
（不純物ドープシリコン）、８・・・・・・遮光層（酸
化クロム）、９・・・・・・感荷電粒子線レジスト層（
ＡＺ２４００ ） 、１０・・・・・・荷電粒子線ビー
ム（電子ビーム）。 １３− 第１図 第３図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の方法の一実施例を説明
するための工程順に示した断面図、第３図（ａ）〜（ｅ
）は本発明の第２の方法の一実施例を説明するための工
程順に示した断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・低電気抵抗層、３
・・・・・・遮光層、４・・・・・・感荷電粒子線レジ
スト層、５・・・・・・基体（石英ガラス）、６・・・
・・・遮熱層（Ｂｅｄ）、７・・・・・・低電気抵抗層
（不純物ドープシリコン）、８・・・・・・遮光層（酸
化クロム）、９・・・・・・感荷電粒子線レジスト層（
ＡＺ２４００ ） 、１０・・・・・・荷電粒子線ビー
ム（電子ビーム）。 １３− 第１図 第３図
Claims (2)
- （１）紫外・可視光に対して透明な基体上に１該基体の
表面に平行な方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よりも
大きく、かつ、紫外・可視光に対して透明な材質よりな
る遮熱層を形成し、その上に低電気抵抗層、遮光層を形
成し、その上に感荷電粒子線レジスト層を形成する工程
と、前記感荷電粒子線レジスト層を荷電粒子線により所
望のパターンに露光し、現像する工程と、前記感荷電粒
子線レジスト層をマスクとして露出する遮光層及び低電
気抵抗層を選択的にエツチング除去して遮光層及び低電
気抵抗層からなるパターンを形成する工程とを含むとと
を特徴とする光学露光用マスクの製造方法。 - （２）紫外・可視光に対して透明な基体上に、該基体の
表面に平行な方向の熱伝導率が該基体の熱伝導率よシも
大きく、かつ、紫外・可視光に対して透明な材質よシな
る遮熱層を形成し、その上に、低電気抵抗層、感荷電粒
子線レジスト層を順次形成する工程と、前記感荷電粒子
線レジスト層を荷電粒子線により所望のパターンに鱈光
し現像する工程と、前記現像により露出した低電気抵抗
層の表面及び残留させた感荷電粒子線レジスト層の表面
を覆うように遮光層を形成する工程と、残留させた感荷
電粒子線レジスト層を除去すると共に前記感荷電粒子線
１／シスト層上に形成された部分の遮光層を併せて除去
する工程と、残留させた部分の遮光層をエツチングマス
クとして露出した部分の低電気抵抗層を選択的にエツチ
ング除去して遮光層及び低電気抵抗層からなる所望のパ
ターンを形成する工程とを含むことを特徴とする光学露
光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187004A JPS5975253A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187004A JPS5975253A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975253A true JPS5975253A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16198517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187004A Pending JPS5975253A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151162U (ja) * | 1984-12-14 | 1986-04-05 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57187004A patent/JPS5975253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151162U (ja) * | 1984-12-14 | 1986-04-05 |
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