JPS5975680A - 薄膜素子の製造法 - Google Patents
薄膜素子の製造法Info
- Publication number
- JPS5975680A JPS5975680A JP57186407A JP18640782A JPS5975680A JP S5975680 A JPS5975680 A JP S5975680A JP 57186407 A JP57186407 A JP 57186407A JP 18640782 A JP18640782 A JP 18640782A JP S5975680 A JPS5975680 A JP S5975680A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- glass
- layer
- thin film
- electrode
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコン太陽電池に利用される
、ガラスｔｔａ−イ３薄膜素子の爪産方法に関する。
、ガラスｔｔａ−イ３薄膜素子の爪産方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来例は第１図に示す様にガラス基板１の上にパッシベ
ーション樹脂５が各素子ごとに分離されて塗布されてい
る。７，８は電気端子である。素子中央部のＡＡ断面を
第２図に示す。ガラス基板」二に形成した第一・の電極
２の上にアモルファヌシリコン、カルコゲナイド化合物
半導体等の薄膜３を堆積しその上に第２の電極４を形成
し更にその上にエポキシ樹脂等のパッシベーション樹脂
５を塗布しである。パッシベーション樹脂５は主に電極
２，４や薄膜３の防湿と機械的保護の役割を果たし、太
陽電池や光起電力素子の場合は電極４と樹脂５が共に透
明であるかあるいは電極２が透明電極である必要がある
。電極２，４は各々端子７゜８は最終的に接続されてい
る。パッシベーション樹脂５は一般にスクリーン印刷で
塗布し加熱して硬化乾燥させる。塗布された樹脂のパタ
ーンを目印にして樹脂が分離されたガラス面６，６′等
にダイヤモンドやタングステンカーバイド等の刃先をも
つカッティングマシンで縦横にキズをつけた後キズをつ
けた面を外側にして折り曲げる様に力を加えて割り、第
１図の場合１２個の素子が分離できる。
ーション樹脂５が各素子ごとに分離されて塗布されてい
る。７，８は電気端子である。素子中央部のＡＡ断面を
第２図に示す。ガラス基板」二に形成した第一・の電極
２の上にアモルファヌシリコン、カルコゲナイド化合物
半導体等の薄膜３を堆積しその上に第２の電極４を形成
し更にその上にエポキシ樹脂等のパッシベーション樹脂
５を塗布しである。パッシベーション樹脂５は主に電極
２，４や薄膜３の防湿と機械的保護の役割を果たし、太
陽電池や光起電力素子の場合は電極４と樹脂５が共に透
明であるかあるいは電極２が透明電極である必要がある
。電極２，４は各々端子７゜８は最終的に接続されてい
る。パッシベーション樹脂５は一般にスクリーン印刷で
塗布し加熱して硬化乾燥させる。塗布された樹脂のパタ
ーンを目印にして樹脂が分離されたガラス面６，６′等
にダイヤモンドやタングステンカーバイド等の刃先をも
つカッティングマシンで縦横にキズをつけた後キズをつ
けた面を外側にして折り曲げる様に力を加えて割り、第
１図の場合１２個の素子が分離できる。
従来例の第一の欠点はカノティング不良の多いことであ
る。カッティングマシンの刃先が少しでも樹脂６にかか
ればその部分はガラスにキズがつかず折り曲げるとガラ
スが任意の形状に破損ｊ−でしまい不良品が多発する。
る。カッティングマシンの刃先が少しでも樹脂６にかか
ればその部分はガラスにキズがつかず折り曲げるとガラ
スが任意の形状に破損ｊ−でしまい不良品が多発する。
パッシベーション樹脂６は通常の印刷と異なり厚みが２
０μ〜１００μぐらいあり、スクリーン印刷でパターン
のボケを除去するのは困列トである。
０μ〜１００μぐらいあり、スクリーン印刷でパターン
のボケを除去するのは困列トである。
寸だ硬化、乾燥のだめの加温によって一時的に粘度が低
下し、６，６′の部分の間隔０．２〜０．５７ｎＮのス
リットが部分的につながシ易い。
下し、６，６′の部分の間隔０．２〜０．５７ｎＮのス
リットが部分的につながシ易い。
第二の欠点は、印刷機のスクリーンが洗浄の時に破損し
やすいことである。印刷用の樹脂５は常温でも１時間〜
６時間で硬化や乾燥かはじするため定期的に溶剤でふき
取り洗浄する必要がある。
やすいことである。印刷用の樹脂５は常温でも１時間〜
６時間で硬化や乾燥かはじするため定期的に溶剤でふき
取り洗浄する必要がある。
印刷用スクリーンは上記６，６′の０．２〜０．６鞄の
スリットに対応して乳剤の１１が小さい部分があるだめ
洗顔の時に乳剤がメツシュからはがれ易い。
スリットに対応して乳剤の１１が小さい部分があるだめ
洗顔の時に乳剤がメツシュからはがれ易い。
第三の欠点は、薄膜３のパターンと樹脂５のパターンの
ズレによる耐湿信頼性の低下である。ガラス基板は外寸
のバラン〜が大きく、簿朕とパッシベーション樹脂の印
刷時にそれぞれ位置ズレすると薄膜３の端部が樹脂５か
らはみ出て露出し、耐湿信頼性が低下する。
ズレによる耐湿信頼性の低下である。ガラス基板は外寸
のバラン〜が大きく、簿朕とパッシベーション樹脂の印
刷時にそれぞれ位置ズレすると薄膜３の端部が樹脂５か
らはみ出て露出し、耐湿信頼性が低下する。
発明の目的
本発明は、上記従来例の三つの欠点を解決し、ガラスカ
ッティング時の不良がほとんど無く、樹脂を塗布するス
クリーン印刷機のヌクリーンの寿命が３倍以上長持ちし
、印刷の位置ズレによる素子の耐湿性の低下を防ぐこと
ができる。
ッティング時の不良がほとんど無く、樹脂を塗布するス
クリーン印刷機のヌクリーンの寿命が３倍以上長持ちし
、印刷の位置ズレによる素子の耐湿性の低下を防ぐこと
ができる。
発明の１１４成
本発明は、硬質のパッシベーション樹脂を各素子ごとに
分離せず連続して印刷し、樹脂を塗布した面と反対のガ
ラス面にキズをつけてガラスと樹脂を同時にカッティン
グし、複数個の薄膜素子を分禽１１する方法である。
分離せず連続して印刷し、樹脂を塗布した面と反対のガ
ラス面にキズをつけてガラスと樹脂を同時にカッティン
グし、複数個の薄膜素子を分禽１１する方法である。
実施例の説明
第３図、第４図に本発明による実施例を示す。
樹脂３はエポキシ樹脂、シリコン樹脂等の耐湿性に効果
のある硬質（望しくはショア硬度８ｏ以上）ノ樹脂を用
いる。アモルファスシリコンヲ用いる太陽電池および光
起電力素子の場合、○−５Ｗ〃ｉ〜１Ｍ厚のガラス基板
１の」二にＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）
、５ｎ０２等の透明電極２を電子ビーム蒸着やスパッタ
リングで約５００人〜１５００人形成し、その上にシラ
ンガス中のプラズマＣＶＤによってＰ層、１層、Ｎ層の
三層から成る半導体薄膜３を約３５ｏｏλ〜５ｏ００人
堆積スる。次に、アルミニウム、ニッケル、クロム。
のある硬質（望しくはショア硬度８ｏ以上）ノ樹脂を用
いる。アモルファスシリコンヲ用いる太陽電池および光
起電力素子の場合、○−５Ｗ〃ｉ〜１Ｍ厚のガラス基板
１の」二にＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）
、５ｎ０２等の透明電極２を電子ビーム蒸着やスパッタ
リングで約５００人〜１５００人形成し、その上にシラ
ンガス中のプラズマＣＶＤによってＰ層、１層、Ｎ層の
三層から成る半導体薄膜３を約３５ｏｏλ〜５ｏ００人
堆積スる。次に、アルミニウム、ニッケル、クロム。
チタン等の金属を真空蒸着して電極４を形成し、最後に
硬質の樹脂５をヌクリーン印刷した後硬化乾燥させる。
硬質の樹脂５をヌクリーン印刷した後硬化乾燥させる。
カッティングは樹脂５を塗布した反対側のガラス面９，
９′の部分にカンティングマシンでキズをつけ、ガラス
１と硬質の樹脂６を同時に割ることができる。従って不
良がほとんど発生しない。樹脂が軟質の場合は割れにく
く、樹脂のはく離が生じ易い。エポキシ樹脂の場合、顔
料の種類によって硬度と密着ノＪが変わシ、基板との密
着力が強く硬度の大きいものとして、酸化鉄（ベンガラ
）やカーボンを顔料に用いたアミン系エポキシ樹脂で良
い結果が得られた。本発明の様に樹脂を塗布する而と反
対のガラス面に゛キズをっけるＩＪ、、合、ガラス基板
１を通して薄膜３のパターンが見えるだめ、その中央部
にカッティングマシンのカッターヘッドを顕微鏡を用い
てセットすることができ、従来例の様なカンティングや
印刷の位置ズレによる耐湿信頼性の低下は起こらない。
９′の部分にカンティングマシンでキズをつけ、ガラス
１と硬質の樹脂６を同時に割ることができる。従って不
良がほとんど発生しない。樹脂が軟質の場合は割れにく
く、樹脂のはく離が生じ易い。エポキシ樹脂の場合、顔
料の種類によって硬度と密着ノＪが変わシ、基板との密
着力が強く硬度の大きいものとして、酸化鉄（ベンガラ
）やカーボンを顔料に用いたアミン系エポキシ樹脂で良
い結果が得られた。本発明の様に樹脂を塗布する而と反
対のガラス面に゛キズをっけるＩＪ、、合、ガラス基板
１を通して薄膜３のパターンが見えるだめ、その中央部
にカッティングマシンのカッターヘッドを顕微鏡を用い
てセットすることができ、従来例の様なカンティングや
印刷の位置ズレによる耐湿信頼性の低下は起こらない。
第３図の実施例で分かるように樹脂５をヌクリーン印刷
する時のスクリーンには［１］のせまい乳剤パターンが
無いため洗浄によって乳剤がはく離することがない。従
って従来例に比ベスクリーンが約３倍長持ちする。スク
リーン印刷の条件設定も細かいヌリノトパターンが無い
だめ容易である。
する時のスクリーンには［１］のせまい乳剤パターンが
無いため洗浄によって乳剤がはく離することがない。従
って従来例に比ベスクリーンが約３倍長持ちする。スク
リーン印刷の条件設定も細かいヌリノトパターンが無い
だめ容易である。
発明の効果
本発明によれば、ガラス基板のカッティング不良が発生
ぜず、樹脂の印刷が容易でスクリーンの一寿命が長く、
素子の耐湿信頼性が低下することがない。
ぜず、樹脂の印刷が容易でスクリーンの一寿命が長く、
素子の耐湿信頼性が低下することがない。
第１図は従来技術を説明する為の多素子形成板の平面図
、第２図は第１図の断面図、第３図は本発明の詳細な説
明する為の多素子形成板の平面図、第４図は第３図の断
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２，４・・・・・・電極、
３・・・・・・薄膜、５・・・・・・樹脂、７，８・・
・・・・電気端子、９，９′・・・・・カットするガラ
ス面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
、第２図は第１図の断面図、第３図は本発明の詳細な説
明する為の多素子形成板の平面図、第４図は第３図の断
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２，４・・・・・・電極、
３・・・・・・薄膜、５・・・・・・樹脂、７，８・・
・・・・電気端子、９，９′・・・・・カットするガラ
ス面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- ガラス基板上に複数個の薄膜素子を形成し、その上に連
続した硬質のパッシベーション樹脂を塗布し硬化させた
後、前記ガラス基板の前記樹脂塗布面と対抗する面にキ
ズをつけて前記ガラス基板と樹脂を同時に割る薄膜素子
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186407A JPS5975680A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 薄膜素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186407A JPS5975680A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 薄膜素子の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975680A true JPS5975680A (ja) | 1984-04-28 |
| JPS6227555B2 JPS6227555B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=16187867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57186407A Granted JPS5975680A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 薄膜素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361357U (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-17 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032589A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-29 | ||
| JPS58218179A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57186407A patent/JPS5975680A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032589A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-29 | ||
| JPS58218179A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0361357U (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227555B2 (ja) | 1987-06-15 |
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