JPS5978526A - 半導体気相反応装置 - Google Patents
半導体気相反応装置Info
- Publication number
- JPS5978526A JPS5978526A JP18745282A JP18745282A JPS5978526A JP S5978526 A JPS5978526 A JP S5978526A JP 18745282 A JP18745282 A JP 18745282A JP 18745282 A JP18745282 A JP 18745282A JP S5978526 A JPS5978526 A JP S5978526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- substrate
- mounting table
- semiconductor
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体気相反応装置にかかり、特に半導体基
板に気相反応を施す装置におけるダスト除去手段に関す
る。
板に気相反応を施す装置におけるダスト除去手段に関す
る。
従来の半導体気相反応装置を第１図ないし８８３図によ
って説明する。図において、（１）は炉芯管で加熱体（
２）に囲まれて反応室をなし、開端から第１図（ａ）〜
（ｃｌに示される基板載置台（３）に複数の半導体基板
（４） 、 （４）・を垂直かつ並列させて載置したも
のを挿入し、排気口（５）が設けられている蓋体（６）
で閉止されている。また炉芯管（１）の他端には反応ガ
ス導入口（力が設けられておシ、ここから例えば拡散不
純物をキャリヤガス（Ｎ！ 、Ｏｔ等）とともに炉芯管
内に導入して不純物拡散を施すようになっている。、な
お、基板載置台（３）を炉芯管（１）に出し入れするに
は、載置台操作棒（８）を炉芯管の軸と同軸に動かすこ
とによって基板載１酋台（３）を炉芯管の内壁下部に摺
動させて行なっていた。
って説明する。図において、（１）は炉芯管で加熱体（
２）に囲まれて反応室をなし、開端から第１図（ａ）〜
（ｃｌに示される基板載置台（３）に複数の半導体基板
（４） 、 （４）・を垂直かつ並列させて載置したも
のを挿入し、排気口（５）が設けられている蓋体（６）
で閉止されている。また炉芯管（１）の他端には反応ガ
ス導入口（力が設けられておシ、ここから例えば拡散不
純物をキャリヤガス（Ｎ！ 、Ｏｔ等）とともに炉芯管
内に導入して不純物拡散を施すようになっている。、な
お、基板載置台（３）を炉芯管（１）に出し入れするに
は、載置台操作棒（８）を炉芯管の軸と同軸に動かすこ
とによって基板載１酋台（３）を炉芯管の内壁下部に摺
動させて行なっていた。
上記摺動により、基板載置台と炉芯管との摩擦によって
いずれも石英でなるため摩耗して石英粉のダストが生Ｈ
ｙする。そして、−にＱＬダストが反応ガス導入口から
送入されるガス流によって舞い上がν、半導体基板の赤
面に付着して半導体素子の品質、歩留シを低下させる事
大な問題点がある。
いずれも石英でなるため摩耗して石英粉のダストが生Ｈ
ｙする。そして、−にＱＬダストが反応ガス導入口から
送入されるガス流によって舞い上がν、半導体基板の赤
面に付着して半導体素子の品質、歩留シを低下させる事
大な問題点がある。
この兄四は上記従来の問題点に鑑みて反応室に改良を施
した構造を提供する。
した構造を提供する。
この発明にかかる半導体気相反応装置は半導体基板を基
板載置台に垂直に並設して加熱される反応室に挿入し、
反応室の一部から反応ガスを導入して半導体基板に反応
を住ぜしめる装置に、半導体基板の主面と平行にかつ基
板載置台を指向してキャリアガスをブローするキャリア
ガスブロ一手段と、基板載−置台の近傍に設けられた排
気手段とを具備したことを特徴とする。
板載置台に垂直に並設して加熱される反応室に挿入し、
反応室の一部から反応ガスを導入して半導体基板に反応
を住ぜしめる装置に、半導体基板の主面と平行にかつ基
板載置台を指向してキャリアガスをブローするキャリア
ガスブロ一手段と、基板載−置台の近傍に設けられた排
気手段とを具備したことを特徴とする。
次にこの発明を１実施例につき従来の装置との相違点に
つき図１ｆＩｊを参照して詳細に説明する。
つき図１ｆＩｊを参照して詳細に説明する。
第４図、および第５図に示すＵυはギヤリアガスブロー
管で、炉芯管（１）内の上部にその一端の管壁を貫通し
との炉芯管の１端を貫通して炉芯管と平行に設けられて
いる。このブロー管Ｕυには主として下面、ないし側面
に多くのノズルまたは開孔（ｌｌａ）。
管で、炉芯管（１）内の上部にその一端の管壁を貫通し
との炉芯管の１端を貫通して炉芯管と平行に設けられて
いる。このブロー管Ｕυには主として下面、ないし側面
に多くのノズルまたは開孔（ｌｌａ）。
（ｌｌａ）・・・が設けられ、ブローガス流を半導体基
板の主面に沿い、かつ、基板載置台を指向して広くブロ
ーさせる。また、ｔ１２１は排気管で、炉芯管の１端の
管壁を貞辿して炉芯管と平行に底部に設けられ、その上
面、側面などに吸気ノズルまたは吸気開孔（＋ ２ａ）
、 （１２ａ）・・・が多数設けられている。
板の主面に沿い、かつ、基板載置台を指向して広くブロ
ーさせる。また、ｔ１２１は排気管で、炉芯管の１端の
管壁を貞辿して炉芯管と平行に底部に設けられ、その上
面、側面などに吸気ノズルまたは吸気開孔（＋ ２ａ）
、 （１２ａ）・・・が多数設けられている。
斜上によりブロー管のノズルまたは開孔群からブローさ
れたキャリアガスは半導体基板の表面を掃いて下方の基
板載置台から排気管に吸気される流れを形成するので、
基板載置台と炉芯管の管壁との間に発生する粉体（ダス
ト）の舞い上がシが半導体基板を汚染するのを防止でき
る。
れたキャリアガスは半導体基板の表面を掃いて下方の基
板載置台から排気管に吸気される流れを形成するので、
基板載置台と炉芯管の管壁との間に発生する粉体（ダス
ト）の舞い上がシが半導体基板を汚染するのを防止でき
る。
次に、この装置によシ半導体基板に酸化膜を形成する場
合につき説明する。まず、加熱炉の昇温を行なう場合、
反応ガス導入口、キャリアガスブロー管の開口のいずれ
からも屋素を導入する。ついで、７５［定の渦Ｊ「に達
したとき、上述の窒素を酸素に切替え、半導体基板を挿
入する。次に、反応ガス導入口から導入されている酸素
を岐−化促進用ガス（例えば０！ ’ｌ Ｈ！め混合ガ
ス）に切替え、キャリアガスブロー管の酸素は停止して
朗屋時間半纏体基板に酸化を施す。光子すれば酸化促進
プｆスを酸素に切替え、半導体基板の取出しを行なう。
合につき説明する。まず、加熱炉の昇温を行なう場合、
反応ガス導入口、キャリアガスブロー管の開口のいずれ
からも屋素を導入する。ついで、７５［定の渦Ｊ「に達
したとき、上述の窒素を酸素に切替え、半導体基板を挿
入する。次に、反応ガス導入口から導入されている酸素
を岐−化促進用ガス（例えば０！ ’ｌ Ｈ！め混合ガ
ス）に切替え、キャリアガスブロー管の酸素は停止して
朗屋時間半纏体基板に酸化を施す。光子すれば酸化促進
プｆスを酸素に切替え、半導体基板の取出しを行なう。
なお、この発明は実施例の横型装置に眠られるものでな
く、ヘルシャー型装置をけじめ広く反応室に過用できる
ことはいうまでもない。
く、ヘルシャー型装置をけじめ広く反応室に過用できる
ことはいうまでもない。
この発明によれば、反応室内に生成するダストが半導体
基板に何着しないようにブロー腰排気して清浄化するの
で、半導体基板から得られる半導体素子の歩Ｗｔりと品
質が顕著に向上する顕著な利点がある。才だ、この発明
は簡単に実施できる利点もある。
基板に何着しないようにブロー腰排気して清浄化するの
で、半導体基板から得られる半導体素子の歩Ｗｔりと品
質が顕著に向上する顕著な利点がある。才だ、この発明
は簡単に実施できる利点もある。
第り図（ａｌ〜（ｃｌは基板載置台に半導体基板を載Ｉ
ｄした状態を示し、図（ａｌ 、 （ｔ）ｌはいずれも
側面図２図（ｃｌばよ曲回、第２図および第３図は従来
の半導体気相反応装置？ｉを示す第２図は縦断面図、第
３図は横断面図、第４図および第５図は１実施例の半導
体気相反応装置Ｉイを示す第４図は縦断面図、第５図は
倒断面函である。なお、図中同−鈴′号は同一または相
当部分を夫々示す。 １ 炉芯管（反応室） ２ 加熱体 ３ 基板載置台 ４ 半導体基板 １１ キャリアガスブロー管１２
排気管 １２ａ 排気管のノズルまたは開孔代理人
弁理士 井 −ヒ − 男 第１図 （ｂ） 第 ２ 図 ？ 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 １３９−
ｄした状態を示し、図（ａｌ 、 （ｔ）ｌはいずれも
側面図２図（ｃｌばよ曲回、第２図および第３図は従来
の半導体気相反応装置？ｉを示す第２図は縦断面図、第
３図は横断面図、第４図および第５図は１実施例の半導
体気相反応装置Ｉイを示す第４図は縦断面図、第５図は
倒断面函である。なお、図中同−鈴′号は同一または相
当部分を夫々示す。 １ 炉芯管（反応室） ２ 加熱体 ３ 基板載置台 ４ 半導体基板 １１ キャリアガスブロー管１２
排気管 １２ａ 排気管のノズルまたは開孔代理人
弁理士 井 −ヒ − 男 第１図 （ｂ） 第 ２ 図 ？ 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 １３９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板を基板載置台に垂直に並設して加熱する反応
室に挿入し、反応室の一部から反応ガスを導入して半導
体基板に反応を生せしめる装置に、半導体基板の上方か
らこれら基板の主面と平行に〜、 かつ基板載置台を指向してガスをブローするガススロ一
手段と、基板載置台の下方に設けられた排気手段とを併
設したことを特徴とする半導体気相反応装置Ｑ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18745282A JPS5978526A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 半導体気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18745282A JPS5978526A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 半導体気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978526A true JPS5978526A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16206319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18745282A Pending JPS5978526A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 半導体気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02272726A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US5016567A (en) * | 1988-08-26 | 1991-05-21 | Tel Sagami Limited | Apparatus for treatment using gas |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP18745282A patent/JPS5978526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016567A (en) * | 1988-08-26 | 1991-05-21 | Tel Sagami Limited | Apparatus for treatment using gas |
| JPH02272726A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
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