JPS5980979A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS5980979A JPS5980979A JP57191654A JP19165482A JPS5980979A JP S5980979 A JPS5980979 A JP S5980979A JP 57191654 A JP57191654 A JP 57191654A JP 19165482 A JP19165482 A JP 19165482A JP S5980979 A JPS5980979 A JP S5980979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- resin
- conductive
- conversion device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光素子、受光素子あるいは発光・受光対で動
作させる光電変換装置に関する。
作させる光電変換装置に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体材料を用いた光電変換装置を情報伝送の手
段に用いる応用分野が拡大してきている。
段に用いる応用分野が拡大してきている。
トくニマイクロコンピュータとオプティカルファイバー
に関する技術の発展につれオフィスオートメーション、
ロボットなどの情報機器、制御機器などの分野において
光電変換装置を利用した伝送手段が広く利用されつつあ
る。
に関する技術の発展につれオフィスオートメーション、
ロボットなどの情報機器、制御機器などの分野において
光電変換装置を利用した伝送手段が広く利用されつつあ
る。
光電変換装置を情報伝送の手段に用いる場合、発光素子
、受光素子あるいは発光・受光素子を一対にして光コネ
クタによりオプティカルファイバーと結合させて情報を
伝送している。第１図に受・発光素子の従来例を示す。
、受光素子あるいは発光・受光素子を一対にして光コネ
クタによりオプティカルファイバーと結合させて情報を
伝送している。第１図に受・発光素子の従来例を示す。
光電変換素子部１は第１の電極体２上に設置してあシ、
光電変換素子部１の一方の電極部は金属細線３によって
第２の電極体４に導電接続されている。光電変換部素子
部１の周辺は光を透過する透明樹脂６によってかこまれ
ている。前記光電変換素子部としては、発光体として、
発光ダイオード、受光体としてシリコン受光素子が主に
利用されている。従来、光信号の伝送においては上記の
構造の発光素子と受光素子を併置して対向する二対でも
って双方向の信号のやりとりを行なっている。この場合
、一方の対側の発光素子の信号が近接する他方の対側の
受光素子のノイズ源となシ誤動作の原因となっていた。
光電変換素子部１の一方の電極部は金属細線３によって
第２の電極体４に導電接続されている。光電変換部素子
部１の周辺は光を透過する透明樹脂６によってかこまれ
ている。前記光電変換素子部としては、発光体として、
発光ダイオード、受光体としてシリコン受光素子が主に
利用されている。従来、光信号の伝送においては上記の
構造の発光素子と受光素子を併置して対向する二対でも
って双方向の信号のやりとりを行なっている。この場合
、一方の対側の発光素子の信号が近接する他方の対側の
受光素子のノイズ源となシ誤動作の原因となっていた。
このため、従来はしやへい効果をもつシールド板もしく
は金属コネクタなどでノイズをシールドしなければなら
ない欠点があった。
は金属コネクタなどでノイズをシールドしなければなら
ない欠点があった。
発明の目的
本発明は前記の問題に対して有効な解決策を与えるもの
であシ、簡素な構造で量産性、耐ノイズ性に富んだ光電
変換装置を提供することを目的とする。
であシ、簡素な構造で量産性、耐ノイズ性に富んだ光電
変換装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は光電変換素子部周辺もしくはその一部が導電性
樹脂などの導電性材料にて取シ囲まれて形成されている
構造の光電変換装置である。
樹脂などの導電性材料にて取シ囲まれて形成されている
構造の光電変換装置である。
このように導電性樹脂もしくは導電性物質をもって囲ん
だ光電変換装置を用いることによシ、耐ノイズ性にすぐ
れた装置を容易に得ることができ、安価で量産性に富む
光電変換装置を実現するのが容易である。
だ光電変換装置を用いることによシ、耐ノイズ性にすぐ
れた装置を容易に得ることができ、安価で量産性に富む
光電変換装置を実現するのが容易である。
実施例の説明
第２図（ａ） 、 （ｂ）に本発明の光電変換装置の一
実施例を示す。第２図（ａ）は平面を、（ｂ）は側面を
それぞれ示す。この装置は光電変換素子部１の周辺が透
明樹脂６でおおわれており、その透明樹脂５の一部に導
電性金属片６が一体に埋め込まれて成型されている。導
電性金属片６は光電変換素子部１０周辺に付設して、周
辺ノイズに対してシールドすることができる。光電変換
素子部１は第１の電極体２上に設置してあり、光電変換
素子部１の一方の電極部は金属細線３によって第２の電
極体４に導電接続されている。本実施例において導電性
金属片６の樹脂外部のリードは不要な場合に切断しても
さしつかえない。
実施例を示す。第２図（ａ）は平面を、（ｂ）は側面を
それぞれ示す。この装置は光電変換素子部１の周辺が透
明樹脂６でおおわれており、その透明樹脂５の一部に導
電性金属片６が一体に埋め込まれて成型されている。導
電性金属片６は光電変換素子部１０周辺に付設して、周
辺ノイズに対してシールドすることができる。光電変換
素子部１は第１の電極体２上に設置してあり、光電変換
素子部１の一方の電極部は金属細線３によって第２の電
極体４に導電接続されている。本実施例において導電性
金属片６の樹脂外部のリードは不要な場合に切断しても
さしつかえない。
第３図（ａ） 、 （ｂｌ 、 （ｃｌに本発明の光電
変換装置の他の実施例を示す。第３図（ａ）は平面を、
（ｂ）は側面を、（Ｃ１は第３図（ＩＬ）のＡ−Ａ’断
面を示す。この装置は、光電変換素子部１の周辺が透明
樹脂６でおおわれており、樹脂６の周辺を導電性樹脂７
で成型しである。光電変換素子部１は第１の電極体２上
に設置してあシ、光電変換素子部１の一方の電極部は金
属細線３によって第２の電極体４に導電接続されている
。本実施例において導電性樹脂７はカーボンを添加して
あり、比抵抗が約１Ωαである。
変換装置の他の実施例を示す。第３図（ａ）は平面を、
（ｂ）は側面を、（Ｃ１は第３図（ＩＬ）のＡ−Ａ’断
面を示す。この装置は、光電変換素子部１の周辺が透明
樹脂６でおおわれており、樹脂６の周辺を導電性樹脂７
で成型しである。光電変換素子部１は第１の電極体２上
に設置してあシ、光電変換素子部１の一方の電極部は金
属細線３によって第２の電極体４に導電接続されている
。本実施例において導電性樹脂７はカーボンを添加して
あり、比抵抗が約１Ωαである。
なお、導電性樹脂７を用いないで、透明樹脂５の表面を
導電性樹脂でコーティングしても、周辺のノイズに対す
るシールド効果があることはいうまでもない。導電性樹
脂でコーティングできる材料としてはニッケル、銀など
の金属粉体を含む樹脂。
導電性樹脂でコーティングしても、周辺のノイズに対す
るシールド効果があることはいうまでもない。導電性樹
脂でコーティングできる材料としてはニッケル、銀など
の金属粉体を含む樹脂。
カーボンなどの粉体を含む樹脂などが使用される。
導電性樹脂をコーティングする場合、第１の電極体２と
第２の電極体４が導電接続されて短絡されないような配
慮が必要であることはもうまでもない。本発明によれば
製造工程は安易であり、製造コスト内に占める工程費が
低減できる。
第２の電極体４が導電接続されて短絡されないような配
慮が必要であることはもうまでもない。本発明によれば
製造工程は安易であり、製造コスト内に占める工程費が
低減できる。
発明の効果
導電性金属片もしくは導電性樹脂を光電変換部の周辺に
付加した光電変換装置は電気的にシールドが容易であり
、耐ノイズ性にすぐれているという特徴がある。とくに
パルスコードに変換した光情報の伝送に関わる光電変換
装置ではノイズ防止策が重要であシ、この分野での応用
には、耐ノイズ性にすぐれた本発明の光電変換装置が有
効であり、経済的効果も大きい。
付加した光電変換装置は電気的にシールドが容易であり
、耐ノイズ性にすぐれているという特徴がある。とくに
パルスコードに変換した光情報の伝送に関わる光電変換
装置ではノイズ防止策が重要であシ、この分野での応用
には、耐ノイズ性にすぐれた本発明の光電変換装置が有
効であり、経済的効果も大きい。
第１図は従来の光電変換装置の一例を示す斜視図、第２
図（＆＋ 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例であ
る光電変換装置の平面図および側面図、第３図（１１、
（ｂ） 、 （Ｃｔｌはそれぞれ本発明の他の実施例で
ある光電変換装置の平面図、側面図および図（Ｉａ）の
Ａ −Ａ′断面図である。 １・・・・・・光電変換素子部、２・・・・・・第１の
電極体、３・・・・・・金属細線、４・・・・・・第２
の電極体、５・・・・・・透明樹脂、６・・・・・・導
電性金属片、７・・・・・導電性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名°第
１ 図 第２図 （０′） （ｂＪ 第３図 （α）（ｂ〕
図（＆＋ 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例であ
る光電変換装置の平面図および側面図、第３図（１１、
（ｂ） 、 （Ｃｔｌはそれぞれ本発明の他の実施例で
ある光電変換装置の平面図、側面図および図（Ｉａ）の
Ａ −Ａ′断面図である。 １・・・・・・光電変換素子部、２・・・・・・第１の
電極体、３・・・・・・金属細線、４・・・・・・第２
の電極体、５・・・・・・透明樹脂、６・・・・・・導
電性金属片、７・・・・・導電性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名°第
１ 図 第２図 （０′） （ｂＪ 第３図 （α）（ｂ〕
Claims (3)
- （１）光電変換素子の周辺製域を囲みかつ前記光電変換
素子の電極系から絶縁分離されるようにして導電性材料
を配設したことを特徴とする光電変換装置。 - （２）光電変換素子周辺の透明樹脂に導電性材料が一体
に埋め込まれて成形されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の光電変換装置。 - （３）光電変換素子周辺の透明樹脂表面が導電性樹脂で
被覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191654A JPS5980979A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191654A JPS5980979A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980979A true JPS5980979A (ja) | 1984-05-10 |
| JPH0454995B2 JPH0454995B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=16278244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191654A Granted JPS5980979A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980979A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152285A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Nec Corp | 光伝送リンク用内部光素子 |
| JPH0497360U (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-24 | ||
| EP0889533A3 (en) * | 1997-07-03 | 2000-01-26 | Nec Corporation | Optical semiconductor module and method for manufacturing same |
| JP2002246613A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 光機能モジュールとその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103609U (ja) * | 1979-01-13 | 1980-07-19 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57191654A patent/JPS5980979A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103609U (ja) * | 1979-01-13 | 1980-07-19 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152285A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Nec Corp | 光伝送リンク用内部光素子 |
| JPH0497360U (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-24 | ||
| EP0889533A3 (en) * | 1997-07-03 | 2000-01-26 | Nec Corporation | Optical semiconductor module and method for manufacturing same |
| EP1180801A3 (en) * | 1997-07-03 | 2003-03-12 | Nec Corporation | Optical semiconductor module |
| JP2002246613A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 光機能モジュールとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454995B2 (ja) | 1992-09-01 |
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