JPS598373A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS598373A JPS598373A JP57117535A JP11753582A JPS598373A JP S598373 A JPS598373 A JP S598373A JP 57117535 A JP57117535 A JP 57117535A JP 11753582 A JP11753582 A JP 11753582A JP S598373 A JPS598373 A JP S598373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- electrode
- gate electrode
- located below
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/80—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に双方向性半導体スイッ
チング装置（以下トライアックと呼ぶ゛・に関する。
チング装置（以下トライアックと呼ぶ゛・に関する。
Ｉ・ライアノクはＴ、 、 ｌ１１２電極とゲート電極
を有する３端子交流電力制御の半導体装置である。主電
流はＴ、 −Ｔ、電極間を流れゲート電極はＴＩ電極を
基準に正負の信号を入れＴＩＴｔ！極間に流れる交流電
流を制御するための電極である。
を有する３端子交流電力制御の半導体装置である。主電
流はＴ、 −Ｔ、電極間を流れゲート電極はＴＩ電極を
基準に正負の信号を入れＴＩＴｔ！極間に流れる交流電
流を制御するための電極である。
従来のトライアックを図面を使って説明すると、第１図
に於いてＴ１電極５の下のＰＮ接合２の面積は主電流を
流すために大きくなっているがゲート電極６の下のＰＮ
接合の面積は微少なゲート電流を流すだけなのでＴ１電
極５の下のＰＮ接合２の面積（比べはるかに小さくなっ
ている。トライブックがオフ状態からオン状態に移行す
る初期の段階を考えると、ゲート電極６にＴＩｔ極に対
して正の信号を入力する場合はＴ、電極５の下のＰＮ接
合の面積が大きいので該ＰＮ接合２直下のＰベース層８
を流れるゲート電流による電圧降下は製品に該ＰＮ接合
の順方向立上シミ圧に達し該ＰＮ接合２のＮ側から朗１
子の注入がはじまるが、ゲート電極６にＴ、電極に対し
て負の信号を入力する場合はグー１電極６の下のＰＮ接
合３の面積が小さいために該ＰＮ接合３の下のＰベース
層８の電圧降下を該ＰＮ接合３の順方向立上り電圧に達
するのに前記の場合よシ多くのゲート１流が必要となシ
ゲート電流特性を不均一にする一原因となっていた。
に於いてＴ１電極５の下のＰＮ接合２の面積は主電流を
流すために大きくなっているがゲート電極６の下のＰＮ
接合の面積は微少なゲート電流を流すだけなのでＴ１電
極５の下のＰＮ接合２の面積（比べはるかに小さくなっ
ている。トライブックがオフ状態からオン状態に移行す
る初期の段階を考えると、ゲート電極６にＴＩｔ極に対
して正の信号を入力する場合はＴ、電極５の下のＰＮ接
合の面積が大きいので該ＰＮ接合２直下のＰベース層８
を流れるゲート電流による電圧降下は製品に該ＰＮ接合
の順方向立上シミ圧に達し該ＰＮ接合２のＮ側から朗１
子の注入がはじまるが、ゲート電極６にＴ、電極に対し
て負の信号を入力する場合はグー１電極６の下のＰＮ接
合３の面積が小さいために該ＰＮ接合３の下のＰベース
層８の電圧降下を該ＰＮ接合３の順方向立上り電圧に達
するのに前記の場合よシ多くのゲート１流が必要となシ
ゲート電流特性を不均一にする一原因となっていた。
これは従来はＰＮ接合２とＰＮ接合３の深さを同じとじ
それぞれｚＰＮ接合の下のＰベース層８の抵抗を同じに
していたためである。
それぞれｚＰＮ接合の下のＰベース層８の抵抗を同じに
していたためである。
本発明の目的は、かかる従来の欠点を除いたトライアッ
クを提供することにある。
クを提供することにある。
本発明の特徴は、トライブックにおいて、半導体中に構
成されたゲート電極下のＩ） Ｎ接合をＴＩ’Ｆ［極下
のＰＮ接合よシ深くしである半導体装置にある。
成されたゲート電極下のＩ） Ｎ接合をＴＩ’Ｆ［極下
のＰＮ接合よシ深くしである半導体装置にある。
次に本発明実施例を図面を使って説明する。第２図に示
しであるようにゲート電極１５の下のＰＮ接合１２の深
さをＴ、電極１４の下のＰＮ接合１１の深さより深くシ
、ゲート電極１５の下のＰＮ接合１２の下のＰベース層
８の抵抗とＴ１電極１４の下のＰＮ接合１１の下のＰベ
ース層８の抵抗よシ大きくなるようにしである１、この
構造により前記の説明からゲート電極１５にＴ１電極１
４に対して正・負のゲート信号に対してそれぞれのＮ層
からの電子の注入開始の電流差が小さく彦υゲート電流
特性の動作モードによる差を小さくできる効果がある。
しであるようにゲート電極１５の下のＰＮ接合１２の深
さをＴ、電極１４の下のＰＮ接合１１の深さより深くシ
、ゲート電極１５の下のＰＮ接合１２の下のＰベース層
８の抵抗とＴ１電極１４の下のＰＮ接合１１の下のＰベ
ース層８の抵抗よシ大きくなるようにしである１、この
構造により前記の説明からゲート電極１５にＴ１電極１
４に対して正・負のゲート信号に対してそれぞれのＮ層
からの電子の注入開始の電流差が小さく彦υゲート電流
特性の動作モードによる差を小さくできる効果がある。
以上のように、ゲート電極１５の下のＰＮ接合１２を深
くするだけで特性の改善がなされ他の特性へ、の影響が
ないので非常に有効な手段となる。
くするだけで特性の改善がなされ他の特性へ、の影響が
ないので非常に有効な手段となる。
第１図は従来のトライブックの断面図、第２図は本発明
のトライアックの断面図、を示す。 なお区制、１と１０・・・・・・半導体基板、２．３．
１１と１２・・・・・・説明に用いたＰＮ接合、５と１
４・・・・・・Ｔ、電極、６と１５・・・・・・ゲート
電極、７と１６・・・・・・Ｔｘｔ極、を示す。
のトライアックの断面図、を示す。 なお区制、１と１０・・・・・・半導体基板、２．３．
１１と１２・・・・・・説明に用いたＰＮ接合、５と１
４・・・・・・Ｔ、電極、６と１５・・・・・・ゲート
電極、７と１６・・・・・・Ｔｘｔ極、を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 双方向性半導体スイッチング装置において、半導体中に
構成されたゲー）［極下のＰＮ接合をＴ。 電極下のＰＮ接合より深くしであることをｌ特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117535A JPS598373A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117535A JPS598373A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598373A true JPS598373A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14714194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117535A Pending JPS598373A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598373A (ja) |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57117535A patent/JPS598373A/ja active Pending
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