JPS5986227A - ガラス被膜の形成方法 - Google Patents
ガラス被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS5986227A JPS5986227A JP57195878A JP19587882A JPS5986227A JP S5986227 A JPS5986227 A JP S5986227A JP 57195878 A JP57195878 A JP 57195878A JP 19587882 A JP19587882 A JP 19587882A JP S5986227 A JPS5986227 A JP S5986227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- film
- polarizability
- ions
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は低温で再流動化し、低分極性のガラス被膜に
より信頼性の高いＬＳＩ保護膜を形成させるガラス被膜
の形成方法に関する。
より信頼性の高いＬＳＩ保護膜を形成させるガラス被膜
の形成方法に関する。
従来に於てＬＳＩの保護膜としてはりん酸シリカ系ガラ
スが用いられて来た。これは分極率か比較的小さく、膜
の信頼性も高いものではあるが流動点が１０００℃にも
なって低温では流動化しない。
スが用いられて来た。これは分極率か比較的小さく、膜
の信頼性も高いものではあるが流動点が１０００℃にも
なって低温では流動化しない。
またこの膜は１０００℃以上の高温で流れ、膜自体の脆
性のため、微細クラック化し易い。またＬＳＩに使用し
た場合、低温で平担化不可能であっ九。これに反してｐ
ｂｏ系ガラスがパッシペイシ冒ンに使用されたが、これ
は低温で流動化平担化はするが分極率が大きく、デバイ
スのＣ−■特性に悪い影響を与える。
性のため、微細クラック化し易い。またＬＳＩに使用し
た場合、低温で平担化不可能であっ九。これに反してｐ
ｂｏ系ガラスがパッシペイシ冒ンに使用されたが、これ
は低温で流動化平担化はするが分極率が大きく、デバイ
スのＣ−■特性に悪い影響を与える。
本発明はこのような欠点を改良するためになされたもの
であり、その目的とするところはスパッターの圧力（１
〜５０ｍＴｏｒｒ）と電圧（５００Ｗ〜２、ＯＫＷ ）
を規定し、その東件下でガラス中の陽イオンの分極率が
０．５以下のイオンをウェハー上に飛散せしめて、ガラ
ス流動点以上の高温で流動同化して半導体の保護膜を形
成するものである。この場合特に低分極化及び低流動化
（流動点８００℃）、微細クラックのない信頼性の爾い
被膜を形成しうるのである。
であり、その目的とするところはスパッターの圧力（１
〜５０ｍＴｏｒｒ）と電圧（５００Ｗ〜２、ＯＫＷ ）
を規定し、その東件下でガラス中の陽イオンの分極率が
０．５以下のイオンをウェハー上に飛散せしめて、ガラ
ス流動点以上の高温で流動同化して半導体の保護膜を形
成するものである。この場合特に低分極化及び低流動化
（流動点８００℃）、微細クラックのない信頼性の爾い
被膜を形成しうるのである。
本被膜形成法の概要は、最初にガラスをターゲットとし
てスパッター装置内に装着し、装置内にＡｒ 、 Ｎ＠
、等の不活性ガスを充満させ、ガラス中の低分極性イ
オンが効率よく飛ぶために、その圧力を１〜５０ｍＴｏ
ｒｒ、電圧を５００ Ｗ 〜２．ＯＫＷの範囲内に設定
する。圧力が１ｍＴｏｒｒ以下になると低分極性イオン
が飛散し得す、５０ｍＴｏｆｒ以上になるとイオンはと
ぶことができるが膜が不均質になり保護膜の働きをしな
くなるからである。又電圧が５００Ｗ以下では低分極性
イオンが飛散し得す、２．ＯＫＷ以上ではターゲットガ
ラスが破損するからである。
てスパッター装置内に装着し、装置内にＡｒ 、 Ｎ＠
、等の不活性ガスを充満させ、ガラス中の低分極性イ
オンが効率よく飛ぶために、その圧力を１〜５０ｍＴｏ
ｒｒ、電圧を５００ Ｗ 〜２．ＯＫＷの範囲内に設定
する。圧力が１ｍＴｏｒｒ以下になると低分極性イオン
が飛散し得す、５０ｍＴｏｆｒ以上になるとイオンはと
ぶことができるが膜が不均質になり保護膜の働きをしな
くなるからである。又電圧が５００Ｗ以下では低分極性
イオンが飛散し得す、２．ＯＫＷ以上ではターゲットガ
ラスが破損するからである。
また被膜形成のイオンはモル分極率が０．５以下のもの
が望ましい。そのイオンは一種又はそれ以上複数のイオ
ンを同時に又は別々に飛散させて、被膜を形成してもよ
い。モル分極率が０．５以上のイオンを多数用いると、
半導体の表面を荷が増大し、Ｃ−ＶＩＰｆ性に悪い影響
を与えるからである。仁のようにしてターゲットガラス
の中のイオンを半導体ウェハー上に多数とばして、ガラ
ス流動点以上に加熱し、流動固化して被膜を形成する。
が望ましい。そのイオンは一種又はそれ以上複数のイオ
ンを同時に又は別々に飛散させて、被膜を形成してもよ
い。モル分極率が０．５以上のイオンを多数用いると、
半導体の表面を荷が増大し、Ｃ−ＶＩＰｆ性に悪い影響
を与えるからである。仁のようにしてターゲットガラス
の中のイオンを半導体ウェハー上に多数とばして、ガラ
ス流動点以上に加熱し、流動固化して被膜を形成する。
前記の処理、手段によって半導体の保護膜としてのガラ
ス被膜を流動点が約８００℃で形成可能となった。また
ガラス中の陽イオンのモル分極率が０．５以下のものを
上記条件の下で飛散堆積させているのでガラスの負性分
極電圧を増大することがないので、デバイスの所望のＣ
−■特性が得られる。また、流動性がよく、多層配線の
平担化も可能であり、保護膜としてのクラックもないの
で信頼性の高いパッシベイシ璽ンが得られる。
ス被膜を流動点が約８００℃で形成可能となった。また
ガラス中の陽イオンのモル分極率が０．５以下のものを
上記条件の下で飛散堆積させているのでガラスの負性分
極電圧を増大することがないので、デバイスの所望のＣ
−■特性が得られる。また、流動性がよく、多層配線の
平担化も可能であり、保護膜としてのクラックもないの
で信頼性の高いパッシベイシ璽ンが得られる。
次に図面を参照しながら具体例について詳細に説明する
。図はターゲットガラスを用いてウエノ・上にガラス保
護膜をスパッターしているととろを示す。ウェハｌを水
平に並べ、ターゲットガラス２を陰極板３にとりつける
。４は陽極、である。
。図はターゲットガラスを用いてウエノ・上にガラス保
護膜をスパッターしているととろを示す。ウェハｌを水
平に並べ、ターゲットガラス２を陰極板３にとりつける
。４は陽極、である。
５はシャッターでスパッタリングを開始するときはこれ
をとシはすす。６はシールドで接地している。７は反応
室チャンバーである。８は真空計へ通ずる管、９は排気
系、１０は不活性ガス導入口である。次に低分極性ガラ
スを用いてスパッタリングを行った実施例について記述
する〇 （実施例１） ０．４ Ｂ、 Ｏ，，０，２８ｉ０．．０．３ＧｅＯ，
，０，１ＭＩＯのモル組成のターゲットガラスを作製し
た。モル分極率にとするとＫ Ｂ ｌ◆＝＝ ０．００
７６ 、Ｋｓ ｉ” ＝ ０．０８４ 、Ｋｏｅ”＝
０．３６ 、 ＫＭｔ”“＝０．２３８でいずれもモル
分極率は０．５以下である。ガラスの全モル分極率は０
．１５２である。Ａｒガラス０ｍＴｏｒｒ ｌ ＫＷで
スパッターを行い、８００℃で流動化した。被膜のクラ
ックはなかった。
をとシはすす。６はシールドで接地している。７は反応
室チャンバーである。８は真空計へ通ずる管、９は排気
系、１０は不活性ガス導入口である。次に低分極性ガラ
スを用いてスパッタリングを行った実施例について記述
する〇 （実施例１） ０．４ Ｂ、 Ｏ，，０，２８ｉ０．．０．３ＧｅＯ，
，０，１ＭＩＯのモル組成のターゲットガラスを作製し
た。モル分極率にとするとＫ Ｂ ｌ◆＝＝ ０．００
７６ 、Ｋｓ ｉ” ＝ ０．０８４ 、Ｋｏｅ”＝
０．３６ 、 ＫＭｔ”“＝０．２３８でいずれもモル
分極率は０．５以下である。ガラスの全モル分極率は０
．１５２である。Ａｒガラス０ｍＴｏｒｒ ｌ ＫＷで
スパッターを行い、８００℃で流動化した。被膜のクラ
ックはなかった。
（実施例２）
Ｑ、６Ｂ、ｏ、、０．３８ｉ０．．０．１ＴｉＯ，のモ
ル組成のターゲットガラス管作製した。ＫＢ今＝ ０．
００７６ 、Ｋｓ ｉ’＝ ０．０８４ 、 ＫＴ ｉ
” ＝ ０．４７でいずれのイオンのモル分極率も０．
５以下である。ガラスの全モル分を率は０．０８６５で
ある。Ａｒガス２ＱｍＴｏｒｒ、 １．５ＫＷでスパッ
タリングを行い、８５０℃で熱処理することによって流
動化した。被膜のり２ツクはなかった。
ル組成のターゲットガラス管作製した。ＫＢ今＝ ０．
００７６ 、Ｋｓ ｉ’＝ ０．０８４ 、 ＫＴ ｉ
” ＝ ０．４７でいずれのイオンのモル分極率も０．
５以下である。ガラスの全モル分を率は０．０８６５で
ある。Ａｒガス２ＱｍＴｏｒｒ、 １．５ＫＷでスパッ
タリングを行い、８５０℃で熱処理することによって流
動化した。被膜のり２ツクはなかった。
（実施例３）
ｏ、６Ｂ、Ｏｓ ０．３５ＧｅＯ，０，０５Ａｓ、Ｏ，
のガラスを作製した。ＫＢ” ＝０．００７６ 、Ｋｏ
ｅ”＝０．３６ 、ＫＡｓ”＝０．２６であシ、このガ
ラス陽イオンの全モル分極率は０．１４３であった。Ａ
ｒ ３０ｍＴｏｒｒ 、 Ｉ ＫＷでスパッタリングを
行い、８００℃で流動化した。被膜のクラックけなかっ
た。
のガラスを作製した。ＫＢ” ＝０．００７６ 、Ｋｏ
ｅ”＝０．３６ 、ＫＡｓ”＝０．２６であシ、このガ
ラス陽イオンの全モル分極率は０．１４３であった。Ａ
ｒ ３０ｍＴｏｒｒ 、 Ｉ ＫＷでスパッタリングを
行い、８００℃で流動化した。被膜のクラックけなかっ
た。
以上実施例でのべた如く、本バッシベイシ…ンはガラス
のモル分極率が著るしく小さく低温で流動化するので、
デバイスのＣ−■特性に悪い影響を与えることなくすぐ
れた保ｉ！膜として使用できるＯ なお、本ガラス被膜は半導体のみではなく、他のセラミ
ックスシールや金属被積用ガラスにも使用できることは
勿論である。
のモル分極率が著るしく小さく低温で流動化するので、
デバイスのＣ−■特性に悪い影響を与えることなくすぐ
れた保ｉ！膜として使用できるＯ なお、本ガラス被膜は半導体のみではなく、他のセラミ
ックスシールや金属被積用ガラスにも使用できることは
勿論である。
１・・・ウェハー、２・・・ターゲット、３・・・陰極
板、４・・・陽極、５・・・シャッター、６・・・シー
ルド、７・・・チェンバー、８・・・真空計、９・・・
排気系、１０・・・不活性ガス導入口。
板、４・・・陽極、５・・・シャッター、６・・・シー
ルド、７・・・チェンバー、８・・・真空計、９・・・
排気系、１０・・・不活性ガス導入口。
Claims (1)
- 不活性ガスの圧力が１〜５０ｍＴｏｒｒ 、電圧５００
Ｗ〜２．ＯＫＷのスパッター装置内に於て、ガラスの中
の陽イオンのモル分極率が０．５以下のイオンをウェハ
ー上に飛散堆積させ、流動点以上の温度で加熱流動化さ
せ、基板の上にガラス被膜を形成させることを特徴とす
るガラス被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195878A JPS5986227A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | ガラス被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195878A JPS5986227A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | ガラス被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986227A true JPS5986227A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16348485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195878A Pending JPS5986227A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | ガラス被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986227A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125634A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Nissan Motor Co Ltd | Production of silicon dioxide film |
| JPS5723231A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-06 | Nippon Denso Co Ltd | Formation of thin film |
| JPS57172742A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thin film of oxide glass |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57195878A patent/JPS5986227A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125634A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Nissan Motor Co Ltd | Production of silicon dioxide film |
| JPS5723231A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-06 | Nippon Denso Co Ltd | Formation of thin film |
| JPS57172742A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thin film of oxide glass |
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