JPS6212593B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル転送回路に係わるものであ
り、詳細には磁気バブルの転送方向を180度かえ
る180度コーナ回路の改良に関するものである。

一般に、磁気バブル転送回路は、磁気バブルメ
モリ素子内において、磁気バブルの有無による書
き込み情報、読み出し情報を転送させるメイジヤ
ループおよび情報を保存する領域を形成するマイ
ナループ等に用いられており、通常は非対称シエ
ブロンパターンからなる閉ループ状の回路が良く
用いられている。これはパーマロイ等の軟強磁性
体薄膜で形成された非対称シエブロンパターンを
パターン面内で回転する面内回転磁界で磁化する
とにより、磁気バブルを転送するいわゆるフイー
ルドアクセス方式の転送回路である。

第１図ａ，ｂはこのような閉ループ状磁気バブ
ル転送回路において、磁気バブルの転送方向を
180度かえる180度コーナ回路を示す図である。同
図において、１は転送回路を構成する非対称シエ
ブロンパターン、２は非対称シエブロンパターン
からなる素片１が閉ループを構成するように配列
された閉ループ転送路、３ａ，３ｂはこの閉ルー
プ転送路２のコーナ部に配置された180度コーナ
回路、４は面内回転磁界、５はバイアス磁界であ
る。この場合、180度コーナ回路３ａ，３ｂとし
ては、同図ａ，ｂに示したように二種類のコーナ
回路Ｃ＋180とＣ−180とがある。そして、このＣ
＋180コーナ回路３ａは同図ａに示したように閉
ループ転送路２を構成する非対称シエブロンパタ
ーンからなる素片１の頂点１ａが閉ループ転送路
２に対して外向きに配列されている場合の180コ
ーナである。これに対してＣ−180コーナ回路３
ｂは同図ｂに示したように閉ループ転送路２を構
成する非対称シエブロンパターンからなる素片１
の頂点１ａが閉ループ転送路２に対して内向きに
配列されている場合の180度コーナである。一般
に全ての180度コーナは、基本的にこれら二種類
のＣ＋180，Ｃ−180のどちらかになる。以降Ｃ＋
180をプラス180度コーナ，Ｃ−180をマイナス180
度コーナと呼ぶことにする。

第２図ａ，ｂはこれら二種類の180度コーナの
従来パターンの一列を示す図であり、同図ａはプ
ラス180度コーナ（Ｃ＋180）の例、同図ｂはマイ
ナス180度コーナ（Ｃ−180）の例である。そし
て、Ｃ＋180は、同図ａに例示したような素片１
０〜１３で形成され、Ｃ−180は同図ｂに例示し
たような素片２１，２２でそれぞれ形成されてい
る。

このように構成された閉ループ転送回路は、パ
ターン面に垂直にバイアス磁界５を加えて安定動
作するバイアス磁界領域ΔＨ_Bを調べた結果、同
図ａに示すＣ＋180コーナを含む閉ループ転送路
２はバイアス磁界５の広い領域にわたつて安定し
た動作が得られ、何等問題のない良好なΔＨ_B特
性が得られた、これに対して同図ｂに示すＣ−
180コーナを含む閉ループ転送路２は転送特性が
悪く、満足なΔＨ_B特性が得られないという問題
を持つていた。この転送特性はＣ−180コーナ部
で制限されているためであつた。

したがつて本発明は、上述した従来のマイナス
180度コーナ（Ｃ−180）の問題点を解消し、満足
なΔＨ_B特性の得られる閉ループ状磁気バブル転
送回路を提供することを目的としている。

このような目的を達成するために本発明はマイ
ナス180度コーナに磁気バブルの転送を補助する
プツシング磁極を発生させる素片を設けたもので
ある。

以下本発明を詳細に説明する。

まず、本発明を説明する前に第２図ｂに例示し
た従来のマイナス180度コーナ（Ｃ−180）におい
て、転送特性が悪く、充分なΔＨ_B特性が得られ
ない原因を調べた結果、次の原因によることが判
明した。すなわち、第３図は第２図ｂのＣ−180
部分を拡大して示した図であり、第２図ｂと同記
号は同一要素を示しその説明は省略する。第３図
において、磁気バブルＢの転送特性がＣ−180内
のどの部分を通過するときに悪くなるかを実験的
に調べた結果、同図に示したａ部およびｂ部の２
個所に問題があることが判明した。そして、この
ａ部はＣ−180部を形成する二つの素片２１，２
２において、素片２１から隣接する素片２２へ磁
気バブルＢが転送する部分であり、ｂ部は素片２
２から非対称シエブロンパターンの素片１へ磁気
バブルＢを転送する部分であり、これら２個所
ａ，ｂ部以外の部分では全く問題のない転送特性
が得られた。

したがつて、このａ，ｂ部の転送特性を対策す
ることにより、安定動作するマイナス180度コー
ナ（Ｃ−180）が得られる。

したがつて本発明に係わるマイナス180度コー
ナは、ａ，ｂ部の転送特性を対策するためにａ，
ｂ部にそれぞれ磁気バブルの転送を補助する素片
としてプツシング磁極を発生する素片を新規に設
けようとするものである。

第４図は本発明による磁気バブル転送回路に係
わるマイナス180度コーナの一例を示す図であ
る。同図において、前述の図と同記は同一要素と
なるのでその説明は省略する。同図においてマイ
ナス180度コーナの一部を構成する素片２１のａ
部近傍には、素片２１上の磁気バブルBaの素片
２２への転送を補助するためのプツシング磁極を
発生する非対称シエブロンパターンからなる素片
３１が設けられている。また、マイナス180度コ
ーナの他部を構成成する素片２１のｂ部近傍に
は、素子２２上の磁気バブルBbの素片１への転
送を補助するためのプツシング磁極を発生する非
対称シエブロンパターンからなる素片３２が設け
られている。この場合、これらの素片３１，３２
は閉ループ転送路２を形成する素片１，２１，２
２と同一面上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜で
形成されている。

このような構成によれば、素片２１上の磁気バ
ブルBaが回転磁界により素片２２にａ部を介し
て転送される際、新たに設けられた素片３１のａ
部側にプツシング磁極が発生し、この磁極が
素片２１上の磁気バブルBaをａ部に転送させる
駆動力を与えて素片２２のａ部側の転送されるこ
とになる。同様に素片２２上の磁気バブルBbが
回転磁界により素片１にｂ部を介して転送される
際、新たに設けられた素片３２のｂ部側にプツシ
ング磁極が発生し、この磁極が素片２２上の
磁気バブルBbをｂ部に転送させる駆動力を与
え、この駆動力により、素片２２上の磁気バブル
Bbが素片１のｂ部側に転送されることになる。
したがつて、ａ，ｂ部における磁気バブルの転送
特性を大幅に改善することができた。

なお、上記実施例において、Ｃ−180コーナの
素片として第４図に例示したような素片２１，２
２を用い、また、プツシング磁極を発生する素片
として非対称シエブロンパターンからなる素片３
１，３２を用い、さらに閉ループ転送路を構成す
る素片として非対称シエブロンパターンからなる
素片１を用いた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、他のパター
ン、例えばハーフデイスクパターンなどからなる
素片を用いても前述と全く同様の効果が得られ
る。

以上説明したように本説明による磁気バブル転
送回路によれば、動作安定性の高いマイナス180
度コーナ（Ｃ−180）が得られる極めて優れた効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは磁気バブル転送方向を180度か
える二種類の180度コーナ回路を説明するための
図、第２図ａ，ｂはこれら二種類の180度コーナ
回路の従来パターンの一例を示す図、第３図は従
来のマイナス180度コーナ（Ｃ−180）の問題点を
説明するための図、第４図は本発明によるマイナ
ス180度コーナの一例を説明するための図であ
る。 ２１，２２……Ｃ−180を形成する素片、３
１，３２……プツシング磁界発生用素片。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気バブルの転送方向を180度かえるマイナ
   ス180度コーナ回路を備えた磁気バブル転送回路
   において、前記マイナス180度コーナ回路に、前
   記マイナス180度コーナ回路を形成する素片とは
   別にプツシング磁極を発生する素片を設けたこと
   を特徴とする磁気バブル転送回路。