JPS5988340A - ホウロウフリツト - Google Patents
ホウロウフリツトInfo
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- JPS5988340A JPS5988340A JP19641282A JP19641282A JPS5988340A JP S5988340 A JPS5988340 A JP S5988340A JP 19641282 A JP19641282 A JP 19641282A JP 19641282 A JP19641282 A JP 19641282A JP S5988340 A JPS5988340 A JP S5988340A
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- enamel frit
- dielectric constant
- high dielectric
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- metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明竺特に金属と高誘電率体との複合体の製造に適す
るホウロウフリットに関するものである。
るホウロウフリットに関するものである。
更に詳しく述べれば本発明は主として鋼板、ステンレス
板等の金属板に被着し、焼成することによって上記金属
板に良好に密着する高誘電率体を形成するホウロウ７リ
ツトに関するものである。
板等の金属板に被着し、焼成することによって上記金属
板に良好に密着する高誘電率体を形成するホウロウ７リ
ツトに関するものである。
近年、電子部品、放電電極部品等に用いる高誘電率材料
として、耐熱性、機械的強度、冷却性能の向上を目的と
して高誘電率体と金属との複合体が注目され開発されて
いる。上記高誘電率体としては従来、チタン酸塩セラミ
ックが主として用いられているが、上記チタン酸塩セラ
ミックと金属とを複合するには合成樹脂接着剤によって
接着する方法、Ａｇ、 Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属ペースト
を上記チタン酸塩セラミックに塗布し焼付後金属とハン
ダ付けを行なう方法等がある。しかし前者は耐熱性に乏
しく、また層間接着強度も満足なものではないという欠
点があり、後者は上記貴金属ペーストが高価であり、ま
た工程が多く繁雑であるという欠点があった。上記高誘
電率体としては更に高誘電率ＢａＴｉＯ３結晶を含有す
るガラスの研究も行われているが（例えば、Ｊｏｕｒｎ
？Ｌｌ ｏｆ ＡｍｅｒｉｃａｎＣｅｒａｍｉｃ ５
ｏｃｉｅｔｙ、 Ｖｏｌ ４’７＋ Ａ ３＋
１９６４）、上記ガラスは金属との親和性に乏しく金
属と複合体にするには実用上大きな問題を有している。
として、耐熱性、機械的強度、冷却性能の向上を目的と
して高誘電率体と金属との複合体が注目され開発されて
いる。上記高誘電率体としては従来、チタン酸塩セラミ
ックが主として用いられているが、上記チタン酸塩セラ
ミックと金属とを複合するには合成樹脂接着剤によって
接着する方法、Ａｇ、 Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属ペースト
を上記チタン酸塩セラミックに塗布し焼付後金属とハン
ダ付けを行なう方法等がある。しかし前者は耐熱性に乏
しく、また層間接着強度も満足なものではないという欠
点があり、後者は上記貴金属ペーストが高価であり、ま
た工程が多く繁雑であるという欠点があった。上記高誘
電率体としては更に高誘電率ＢａＴｉＯ３結晶を含有す
るガラスの研究も行われているが（例えば、Ｊｏｕｒｎ
？Ｌｌ ｏｆ ＡｍｅｒｉｃａｎＣｅｒａｍｉｃ ５
ｏｃｉｅｔｙ、 Ｖｏｌ ４’７＋ Ａ ３＋
１９６４）、上記ガラスは金属との親和性に乏しく金
属と複合体にするには実用上大きな問題を有している。
即ち上記ガラスは熱膨張特性、軟化溶融温度において鋼
板、ステンレス板等の金属板と調和しないため、これら
金属板に対する密着性がなく、上記複合体の製造には実
用上用いることが不可能であった。
板、ステンレス板等の金属板と調和しないため、これら
金属板に対する密着性がなく、上記複合体の製造には実
用上用いることが不可能であった。
本発明は上記従来の欠点を改良して金属板に良好な密着
性を有する高誘電率体を形成するホウロウフリットを提
供することを目的とする。そして上記目的はＢａＯ、Ｐ
ｂＯＩおよびＳｒＯからなる群から選ばれた一種または
二種以上の金属酸化物と、Ｔｉｏ、２とを合量で１０〜
６０重量％含み、かつ上記金属酸化物とＴｌＯ□とのモ
ル比が０．５〜１．５の範囲内であるガラスであり、加
熱処理されることによって高誘電率の結晶を析出する本
発明のホウロウ７リツトによって達成せられる。上記ホ
ウロウフリットは更に望ましくは体熱膨張係数が２００
〜５３０Ｘ１０ Ｃ／’Ｃ’）であり、かつ軟化溶融
温度が５００〜７００℃であり、加熱処理前においては
実質的に高誘電率の結晶を含有しないものであり、その
ためには上記金属酸化物とＴ１０□との含量が２５〜５
５重量％、上記金属酸化物とＴｌＯ２とのモル比が０，
９〜１．４であるか、または上記金属酸化物とＴｌＯ□
以外のガラス成分がｓｉｏ□１５〜４５重量％、Ｂ２０
３１０〜３０重量％、Ａ１□０３１０重量％以下、Ｎａ
２Ｏ、Ｋ２ＯおよびＬ１２０からなる群から選ばれた一
種または二種以上の金属酸化物１０重景％以下、ｃｏｏ
、 ｚｎｏ、Ｍｇ。
性を有する高誘電率体を形成するホウロウフリットを提
供することを目的とする。そして上記目的はＢａＯ、Ｐ
ｂＯＩおよびＳｒＯからなる群から選ばれた一種または
二種以上の金属酸化物と、Ｔｉｏ、２とを合量で１０〜
６０重量％含み、かつ上記金属酸化物とＴｌＯ□とのモ
ル比が０．５〜１．５の範囲内であるガラスであり、加
熱処理されることによって高誘電率の結晶を析出する本
発明のホウロウ７リツトによって達成せられる。上記ホ
ウロウフリットは更に望ましくは体熱膨張係数が２００
〜５３０Ｘ１０ Ｃ／’Ｃ’）であり、かつ軟化溶融
温度が５００〜７００℃であり、加熱処理前においては
実質的に高誘電率の結晶を含有しないものであり、その
ためには上記金属酸化物とＴ１０□との含量が２５〜５
５重量％、上記金属酸化物とＴｌＯ２とのモル比が０，
９〜１．４であるか、または上記金属酸化物とＴｌＯ□
以外のガラス成分がｓｉｏ□１５〜４５重量％、Ｂ２０
３１０〜３０重量％、Ａ１□０３１０重量％以下、Ｎａ
２Ｏ、Ｋ２ＯおよびＬ１２０からなる群から選ばれた一
種または二種以上の金属酸化物１０重景％以下、ｃｏｏ
、 ｚｎｏ、Ｍｇ。
および５ｂ２０３ からなる群から選ばれた一種または
二種以上の金属酸化物４〜２５重量％、Ｆ１０重量％以
下よりなることが望ましい。
二種以上の金属酸化物４〜２５重量％、Ｆ１０重量％以
下よりなることが望ましい。
本発明を以下に詳細に説明する。
上記組成を有する本発明のホウロウフリットを製造する
一例を以下に説明する。
一例を以下に説明する。
Ｂａ０１ ＰｂＯｌ およびＳｒＯからなる群から選ば
れた一種または二種以上の金属酸化物（以下ＭＯとする
）とＴ１０ とを供与する例えば金属酸化物、金属水酸
化物、あるいは金属塩等の金属化合物を上記モル比、即
ちＭＯ／ＴｉＯ２０，５〜１．５．望ましくは０９〜１
．４を与えるように混合した混合物かあるいはＭＯとＴ
１０゜との上記モル比の仮焼物をす土類金属酸化物等の
弱火性原料とをＭＯとＴｉ。
れた一種または二種以上の金属酸化物（以下ＭＯとする
）とＴ１０ とを供与する例えば金属酸化物、金属水酸
化物、あるいは金属塩等の金属化合物を上記モル比、即
ちＭＯ／ＴｉＯ２０，５〜１．５．望ましくは０９〜１
．４を与えるように混合した混合物かあるいはＭＯとＴ
１０゜との上記モル比の仮焼物をす土類金属酸化物等の
弱火性原料とをＭＯとＴｉ。
との合量が１０〜６０重量％（以下単に％とする）、望
ましくは２５〜５５％になるように混合し、更に望まし
くは他のガラス原料が５ｉ０２１５〜４５％、Ｂ２０３
１０〜６０％、Ａ１□０３１０％以下、Ｎａ２Ｏ。
ましくは２５〜５５％になるように混合し、更に望まし
くは他のガラス原料が５ｉ０２１５〜４５％、Ｂ２０３
１０〜６０％、Ａ１□０３１０％以下、Ｎａ２Ｏ。
Ｋ２ＯおよびＬ１２０からなる群から選ばれた一種また
は二種以上の金属酸化物１０％以下、ＣａＯ，ＺｎＯｌ
ＭｇＯおよび５ｂ２０３からなる群から選ばれた一種ま
たは二種以上お金属酸化物４〜２５％、Ｆ１０％以下な
るガラス組成を与えるように混合し、ガラスを製造する
通常の方法で上記混合物を１２００〜１３００℃で５０
〜６０分間加熱溶融し、その後水または空気により冷却
する。かくして本発明のホウロウフリットが得られるが
、この場合ＭＯとＴｉＯ２とから生成される高誘電率の
結晶がガラス中に多量に析出しないよう急速に冷却する
ことが望ましい。
は二種以上の金属酸化物１０％以下、ＣａＯ，ＺｎＯｌ
ＭｇＯおよび５ｂ２０３からなる群から選ばれた一種ま
たは二種以上お金属酸化物４〜２５％、Ｆ１０％以下な
るガラス組成を与えるように混合し、ガラスを製造する
通常の方法で上記混合物を１２００〜１３００℃で５０
〜６０分間加熱溶融し、その後水または空気により冷却
する。かくして本発明のホウロウフリットが得られるが
、この場合ＭＯとＴｉＯ２とから生成される高誘電率の
結晶がガラス中に多量に析出しないよう急速に冷却する
ことが望ましい。
上記したように本発明においてはＭＯ＋ ＴｉＯ□＝１
．０・８６０％、ＭＯ／ＴｉＯ□＝０．５〜１．５モル
比であることを必須とするが、その理由はＭＯ＋Ｔｉｅ
２〈１０％であるホウロウフリットは加熱処理によって
高誘電率結晶相の析出が少なく、シたがって高誘電率体
が形成されないし、一方ＭＯ＋ ＴｉＯ２＞６０％であ
るホウロウフリットは溶融作業温度が１４００ ’Ｃ以
上となって実用的でなく、かがる高温では複合される金
属もまた耐えることが出来ないからである。更に０．５
≦ＭＯ／ＴｉＯ２≦１．５の範囲外においては高誘電率
体が得られない。
．０・８６０％、ＭＯ／ＴｉＯ□＝０．５〜１．５モル
比であることを必須とするが、その理由はＭＯ＋Ｔｉｅ
２〈１０％であるホウロウフリットは加熱処理によって
高誘電率結晶相の析出が少なく、シたがって高誘電率体
が形成されないし、一方ＭＯ＋ ＴｉＯ２＞６０％であ
るホウロウフリットは溶融作業温度が１４００ ’Ｃ以
上となって実用的でなく、かがる高温では複合される金
属もまた耐えることが出来ないからである。更に０．５
≦ＭＯ／ＴｉＯ２≦１．５の範囲外においては高誘電率
体が得られない。
体熱膨張係数が２００〜３３０ Ｘ １ ｏ−７（７’
Ｃ）でかつ軟化溶融温度が５５０〜７００ ”Ｃである
本発明のホウロウフリットは鋼板、ステンレス板等の一
般の金属板に調和して特に良好な密着性を有する高誘電
率体を形成する。ここに軟化溶融温度とは体熱膨張係数
測定の際の屈伏点を指す。上記好ましい体熱膨張係数と
軟化溶融温度を本発明のホウロウフリットに与えるには
ＭＯ，Ｔｉｅ２以外のガラス成分の組成を上記のごとく
調節するのである。ＭＯ，ＴｉＯ□以外のガラス成分の
各構成要素の作用とその限定理由について以下に説明す
る。
Ｃ）でかつ軟化溶融温度が５５０〜７００ ”Ｃである
本発明のホウロウフリットは鋼板、ステンレス板等の一
般の金属板に調和して特に良好な密着性を有する高誘電
率体を形成する。ここに軟化溶融温度とは体熱膨張係数
測定の際の屈伏点を指す。上記好ましい体熱膨張係数と
軟化溶融温度を本発明のホウロウフリットに与えるには
ＭＯ，Ｔｉｅ２以外のガラス成分の組成を上記のごとく
調節するのである。ＭＯ，ＴｉＯ□以外のガラス成分の
各構成要素の作用とその限定理由について以下に説明す
る。
５１０２ ＜ １５％においてはホウロウフリット製造
において材料がガラス化し難く、また５ｌｏ２〉４５％
では金属に施こして融着させる際に必要とされる処理温
度が高くなり過ぎる。
において材料がガラス化し難く、また５ｌｏ２〉４５％
では金属に施こして融着させる際に必要とされる処理温
度が高くなり過ぎる。
Ｂ２Ｏ３〈１０％においては上記処理温度が同様に高く
なり過ぎ、またＢ２Ｏ３〉３０％では得られる高誘電率
体の耐水性が低下し実用に適さなくなる。
なり過ぎ、またＢ２Ｏ３〉３０％では得られる高誘電率
体の耐水性が低下し実用に適さなくなる。
Ａ１□０３＞１０％においては上記処理温度が高くなり
過ぎる。
過ぎる。
Ｎａ２Ｏ＋に２０ ＋Ｌｉ２Ｏ＞ １０％においては得
られる高誘電率体中において易動度の大きなアルカリ金
属イオン濃度が増加し絶縁破壊強度が低下する。
られる高誘電率体中において易動度の大きなアルカリ金
属イオン濃度が増加し絶縁破壊強度が低下する。
ＣａＯ＋ＺｎＯ＋ ＭｇＯ＋５ｂ２０３＜ ４％におイ
テハ上記処理温度が高くなり過ぎ、また体熱膨張係数か
小さくなってしまう。またｃａｏ 十ｚｎｏ 十Ｍ ｇ
Ｏ十５ｂ２０３〉２５％では得られる上記耐水性が低
下し実用に適さなくなる。
テハ上記処理温度が高くなり過ぎ、また体熱膨張係数か
小さくなってしまう。またｃａｏ 十ｚｎｏ 十Ｍ ｇ
Ｏ十５ｂ２０３〉２５％では得られる上記耐水性が低
下し実用に適さなくなる。
Ｆ〉１０％では加熱処理による溶融の際分相する。
上記構成要素の他に金属との密着性を向上するため更に
ｃａｏ ％ Ｎ１ｏ等の公知化合物を含有せしめてもよ
いことは勿論である。
ｃａｏ ％ Ｎ１ｏ等の公知化合物を含有せしめてもよ
いことは勿論である。
本発明のホウロウフリットを用いて高誘電率体−金属複
合体を製造する一例を以下に説明する。
合体を製造する一例を以下に説明する。
前記の如くして得られたホウロウフリットに電解質、粘
着剤を混合し常法により粉砕して水性スリップを調製す
る。かくして得られた水性スリップを所定の金属板にス
プレー法、刷毛塗り法、流し塗り法、浸漬性等通常の方
法により通常１００〜２００μ厚程度に塗布し常温もし
くは若干の加熱によって乾燥させる。その後、軟化溶融
温度以上に加熱処理して金属板表面に上記ホウロウフリ
ットを融着させた後、適宜冷却すればＭＯとＴ１０から
生成される高誘電率結晶が析出し、かくして複合体が得
られるのである。金属板に本発明のホウロウフリットを
被着せしめるには上記方法の他、スキージオイルにホウ
ロウフリットを混練して製造したインキを用いてスクリ
ーン印刷する方法、ホウロウフリットを適当な媒体中に
分散させて電気泳動により被着せしめる方法、ホウロウ
フリット粉末を乾式スプレー、静電塗装、流動浸漬等に
よって被着せしめる乾式法等が適用されてよいし、また
乾式法においては金属板を予めホウロウフリットの軟化
溶融温度以上に加熱しておけばホウロウフリットは被着
と同時に融着されることになる。
着剤を混合し常法により粉砕して水性スリップを調製す
る。かくして得られた水性スリップを所定の金属板にス
プレー法、刷毛塗り法、流し塗り法、浸漬性等通常の方
法により通常１００〜２００μ厚程度に塗布し常温もし
くは若干の加熱によって乾燥させる。その後、軟化溶融
温度以上に加熱処理して金属板表面に上記ホウロウフリ
ットを融着させた後、適宜冷却すればＭＯとＴ１０から
生成される高誘電率結晶が析出し、かくして複合体が得
られるのである。金属板に本発明のホウロウフリットを
被着せしめるには上記方法の他、スキージオイルにホウ
ロウフリットを混練して製造したインキを用いてスクリ
ーン印刷する方法、ホウロウフリットを適当な媒体中に
分散させて電気泳動により被着せしめる方法、ホウロウ
フリット粉末を乾式スプレー、静電塗装、流動浸漬等に
よって被着せしめる乾式法等が適用されてよいし、また
乾式法においては金属板を予めホウロウフリットの軟化
溶融温度以上に加熱しておけばホウロウフリットは被着
と同時に融着されることになる。
上記複合体において形成される高誘電率体の誘電率を所
定の値に調節することは冷却速度を変化させたり、冷却
過程において所定の温度に所定時間維持したり、あるい
は再熱処理によって上記高誘電率結晶の析出量を加減す
ることによって容易に可能である。
定の値に調節することは冷却速度を変化させたり、冷却
過程において所定の温度に所定時間維持したり、あるい
は再熱処理によって上記高誘電率結晶の析出量を加減す
ることによって容易に可能である。
本発明のホウロウフリットが金属板に対して良好な密着
性を示す理由は明確ではないが、本発明のホウロウフリ
ットは熱処理前では高誘電率結晶を殆んど含まないか、
含んでも僅かであるから金属板に施して熱処理する際、
高誘電率結晶を多量含有するホウロウ７リツトと比較し
て良好な濡れが発現するためと思われる。したがって本
発明のホウロウ７リツトにおいては高誘電率結晶がＭＯ
＋ＴｌＯ２の４０％以下であることが望ましく、勿論上
記高誘電率結晶を全く含まないことが最も望ましい。本
発明のホウロウフリットにおいて高誘電率結晶含量を上
記のように制限することは金属との密着性に好結果をも
たらすこと以外に高誘電率体の誘電率を熱処理条件によ
って前記したように所望の値に調節することを更に容易
にするとい・う利点がある。
性を示す理由は明確ではないが、本発明のホウロウフリ
ットは熱処理前では高誘電率結晶を殆んど含まないか、
含んでも僅かであるから金属板に施して熱処理する際、
高誘電率結晶を多量含有するホウロウ７リツトと比較し
て良好な濡れが発現するためと思われる。したがって本
発明のホウロウ７リツトにおいては高誘電率結晶がＭＯ
＋ＴｌＯ２の４０％以下であることが望ましく、勿論上
記高誘電率結晶を全く含まないことが最も望ましい。本
発明のホウロウフリットにおいて高誘電率結晶含量を上
記のように制限することは金属との密着性に好結果をも
たらすこと以外に高誘電率体の誘電率を熱処理条件によ
って前記したように所望の値に調節することを更に容易
にするとい・う利点がある。
以下に本発明を更に具体的に説明するための実施例につ
いて述べる。
いて述べる。
実施例
原料配合物をルツボに入れて１２００〜１３００″Ｃで
５０〜６０分間加熱溶融し、得られた溶融物を水中に投
入することによって急冷して第１表に示す組成のホウロ
ウフリットを得た。
５０〜６０分間加熱溶融し、得られた溶融物を水中に投
入することによって急冷して第１表に示す組成のホウロ
ウフリットを得た。
かくして得られたホウロウ７リツトを水と共にミル引き
して常法によりスリップを調製する。上記スリップをス
プレー法により１００〜２００μ程度に軟鋼板およびス
テンレス板（５０×５０×１４酩）に施釉する。常温で
乾燥させその後９５０℃３分の熱処理を行なった。上記
熱処理の後８５０でまで冷却し、この温度にて５０分間
維持した後放冷する。かくして得られた高誘電率体の誘
電率とホウロウフリットの体熱膨張係数、軟化溶融温度
の値を第２表に示す。なお第１表、第２表において、試
料屋１〜１５は本発明の実施例であり、試料Ａ’１４
、１５は比較例である。
して常法によりスリップを調製する。上記スリップをス
プレー法により１００〜２００μ程度に軟鋼板およびス
テンレス板（５０×５０×１４酩）に施釉する。常温で
乾燥させその後９５０℃３分の熱処理を行なった。上記
熱処理の後８５０でまで冷却し、この温度にて５０分間
維持した後放冷する。かくして得られた高誘電率体の誘
電率とホウロウフリットの体熱膨張係数、軟化溶融温度
の値を第２表に示す。なお第１表、第２表において、試
料屋１〜１５は本発明の実施例であり、試料Ａ’１４
、１５は比較例である。
第２表によれば本発明の実施何屋１〜Ａ１３は比較例Ａ
ｊ４．１５に比してはるかに高誘電率を有する。
ｊ４．１５に比してはるかに高誘電率を有する。
また第１表試料Ａ１．４，６，９．１２の組成のものを
上記と同様に熱処理した後４００ ’Ｃ／ｈｒの速度で
冷却して得られた高誘電率体の誘電率を第８表に示す。
上記と同様に熱処理した後４００ ’Ｃ／ｈｒの速度で
冷却して得られた高誘電率体の誘電率を第８表に示す。
第８表においては８５０℃、５０分間維持した第２表の
テークも併記した。
テークも併記した。
第 ８ 表
第８表にみるように本発明のホウロウフリットからなる
高誘電率体は熱処理条件によって誘電率を大巾に調節す
ることが可能である。
高誘電率体は熱処理条件によって誘電率を大巾に調節す
ることが可能である。
更に第１表試料Ａ１の組成において、高誘電率結晶含有
量と熱処理後の軟鋼板との密着性との関係を第４表に示
す。
量と熱処理後の軟鋼板との密着性との関係を第４表に示
す。
第 ４ 表
世し ○：密着性良好
△；周囲に僅かにクランクあり
×：剥離
第４表において、高誘電率結晶含有量は、種々の熱処理
条件によって高誘電率結晶の析出量を変化させたホウロ
ウフリット試料のＸ線回折ピーク強度より算出したもの
であり、密着性は上記種々の高誘電率結晶の析出量を有
するホウロウフリットを軟鋼板に施こして一定の熱処理
を行なった複合体について評価した。
条件によって高誘電率結晶の析出量を変化させたホウロ
ウフリット試料のＸ線回折ピーク強度より算出したもの
であり、密着性は上記種々の高誘電率結晶の析出量を有
するホウロウフリットを軟鋼板に施こして一定の熱処理
を行なった複合体について評価した。
第４表をみると本発明のホウロウフリットの高誘電率結
晶含有量が４０％以下では密着性が良好であるが、４０
％を越えると密着性が低下することが明らかである。
晶含有量が４０％以下では密着性が良好であるが、４０
％を越えると密着性が低下することが明らかである。
以上に述べたように本発明のホウロウフリットは金属に
対して良好な密着性を有し、かつ高誘電率体を形成する
ものであるから電子工業分野において極めて有用なもの
である。
対して良好な密着性を有し、かつ高誘電率体を形成する
ものであるから電子工業分野において極めて有用なもの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ＢａＯ、ＰｂＯ、およびｓｒｏからなる群から選
ばれた一種または二種以上の金属酸化物と、ＴｌＯ２と
を合量で１０〜６０重量％含み、かつ上記金属酸化物と
ＴｌＯ２とのモル比が０，５〜１．５の範囲内であるガ
ラスであり、加熱処理されることによって高誘電率の結
晶を析出することを特徴とするホウロウフリット ２ 体熱膨張係数が２００〜３３０Ｘ１０ Ｃ／’Ｃ）
であり、かつ軟化溶融温度が５００〜７００℃である特
許請求の範囲第１項記載のホウロウフリット ３ 加熱処理前においては実質的に高誘電率の結晶を含
有しない特許請求の範囲第１１項記載のホウロウフリッ
ト ４ 上記金属酸化物とＴｌＯ２との含量が２５〜５５重
量％、上記金属酸化物とＴｌＯ２とのモル比が０．９〜
１．４である特許請求の範囲第１項記載のホウロウフリ
ット ｓ、 ｓｌｏ□１５〜４５重量％、Ｂ２０３１０〜３
０重量％、Ａｌ２Ｏ３１０重量％以下、Ｎａ２Ｏ，Ｋ２
ＯおよびＬ１２０からなる群から選ばれた一種または二
種以上の金属酸化物１０重量％以下、ＣａＯ。 Ｚｎ’（Ｌ ＭｇＯおよび５ｂ２０３ からなる群から
選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５重量
％、ＦＩＯ重量％以下よりなるガラス成分を含む特許請
求の範囲第２項、第五項または第４項記載のホウロウフ
リット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19641282A JPS5988340A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ホウロウフリツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19641282A JPS5988340A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ホウロウフリツト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1646590A Division JPH0375238A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ホウロウフリット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988340A true JPS5988340A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0239463B2 JPH0239463B2 (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=16357422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19641282A Granted JPS5988340A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ホウロウフリツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988340A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101857375A (zh) * | 2010-05-11 | 2010-10-13 | 清华大学 | 一种介电常数可调的低温共烧玻璃陶瓷复合材料及其制备方法 |
| CN101857423A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 清华大学 | 发光低温共烧陶瓷粉和其制备方法、及发光低温共烧陶瓷 |
| WO2014017610A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 旭硝子株式会社 | 金属基板被覆用ガラスおよびガラス層付き金属基板 |
| CN110981200A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 佛山市华力达材料科技有限公司 | 一种微晶釉料及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523203U (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-26 | 富士電気化学株式会社 | プログラマブルコントローラ |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19641282A patent/JPS5988340A/ja active Granted
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| CN101857423A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 清华大学 | 发光低温共烧陶瓷粉和其制备方法、及发光低温共烧陶瓷 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239463B2 (ja) | 1990-09-05 |
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