JPS5990216A - 巻線型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁性薄膜を用いた磁気記録再生装置用薄膜磁気
ヘツドに関するものである。

従来、薄膜磁気ヘツドとしては種々のタイプのものが提
案されており、その一つに集積型ヘツドと呼ばれるもの
がある。該集積型ヘツドは周知の集積回路製造技術、即
ち、薄膜形成技術とフオトリソグラフイー等のパターニ
ング技術を利用して製造される薄膜磁気ヘツドであつて
、 （１）小型化、狭トラツク化及び多トラツク化が容易で
ある。

（２）特性の均一性、量産性に富む。

（３）高速スイツチング特性を持ち、少なくとも６０Ｍ
Ｈｚ迄の使用が可能である。

（４）多トラツク構成にした場合に隣接する磁芯（コア
）間の磁気的結合によるクロストークが少ない。

等々の長所を有している。一方、このような集積型の薄
膜磁気ヘツドは、その構成要素である磁芯に対応する磁
性体層、コイルに対応する導体層、及びギヤツブ部スペ
ーサ等を蒸着、電着及びマスキング工程といつた種々の
複雑１な工程を利用して形成することを必要とするとい
う欠点があつた。

特に、巻線形成、即ち、導体層の形成は磁性体層の上下
で切れ目なく行なう必要があり且つ導体層以外との絶縁
を保持する必要があり、コイル巻数を増加するのが極め
て困難であつた。コイル巻数の増大は製造工程を極めて
困難ものとし、歩留りを著しく低下せしめる一因となつ
た。従つて、薄膜磁気ヘツドの製造工程を簡素化するべ
くコイル巻数を減らすと記録電流を大きくしなければな
らず、各導体層間及び導体層と導体層以外の部分との間
の絶縁を保持することが困難となる。このように記録電
流の増大には限界があるために再生出力は当然に小さい
ものとなり、読み出し回路に昇圧トランスを設けること
が必要となり、磁気記録再生装置の小型化、軽量化、低
廉化にとつては好ましいことではない。

上記の如き、集積型ヘツドと呼ばれる薄膜磁気ヘツドの
磁気回路としてのコイルの効率は通常のバルクヘツド型
のコイルの１／１０程度しかない。

斯る集積型ヘツドの欠点を解決するべく、特開昭５６−
１９５１４号には第１図に図示されるように、１対の非
磁性基板２、２′と、該基板上の対向する面上に設けら
れた磁性薄膜４、４′と、該二つの磁性薄膜を突き合せ
て形成される作動空隙部を埋める非磁性スペーサ膜６と
を有し、磁性薄膜４をバルクヘツドと同様の連続する導
線８で囲むようにしてコイル巻線を構成した、所謂巻線
型薄膜磁気ヘツド１ａが提案された、斯る巻線型薄膜磁
気ヘツドは従来の集積型磁気ヘツドの長所を有すると共
に、集積型磁気ヘツドの一つの欠点であつたコイル巻数
の増大を容易とし、ひいては磁気ヘツドの記録磁界及び
出生出力の大幅な改善を可能とした。

本発明は上記巻線型薄膜磁気ヘツドの改良に関するもの
である。巻線３型薄膜磁気ヘツドは、本来３次元的であ
るコイルを薄膜という２次元で構成しようとした集積型
薄膜磁気ヘツドの欠点を解決するべく、磁性体コア部は
薄膜で形成し、巻線は従来のバルクヘツドと同様の連続
した導線により行なうように構成するものであるが、従
来の巻線型薄膜磁気ヘツドにおいては巻線自体のインダ
クタンスを極力低減せしめる点において不十分であつた
。又、狭トラツク化に応じて磁気ヘツドを構成した場合
に磁気ヘツドの機械的強度及び耐摩耗性の点において不
十分なものであつた。

従つて、本発明の主たる目的は、集積型薄膜磁気ヘツド
の長所を保持し且つ巻線自体のインダクタンスを極力低
減せしめた巻線型薄膜磁気ヘツドを提供することである
。更に詳しく言えば、本発明の目的は巻線の効率が良く
、もし従来の薄膜磁気ヘツドと同じ値のインダクタンス
に抑えた場合にもコイル巻数を増して再生出力を向上す
ることができ、特に薄膜磁気ヘツドの最大の利点である
高周波特性の良さを保持することのできる巻線型薄膜磁
気ヘツドを提供することである。

本発明の他の目的は磁性薄膜（磁性体層）に飽和磁化の
高い金属強磁性体を用いることにより高保磁力の記録媒
体にも記録することのできる巻線型薄膜磁気ヘツドを提
供することである。

本発明の目的は十分な機械的強度及び耐摩耗性を有し、
狭トラツク用ヘツドとしても好適に使用することのでき
る巻線型薄膜磁気ヘツドを提供することである。

本発明の更に他の目的は上記諸々の特徴を有した巻線型
薄膜磁気ヘツドを極めて迅速に、正確に、容易に月つ大
量に製造することのできる巻線型薄膜磁気ヘツドの製造
方法を提供することである。

次に、本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツドを図面に例示
した実施態様に則して詳しく説明する。

本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツド１は、第２図及び第
３図を参照すると理解されるように、対向配置された１
対の非磁性基板２、２′を有する。

該基板２、２′の対向する面上には磁性体層、即ち、磁
性薄膜４、４′が形成され、該磁性薄膜４、４′が密接
するように両基板２、２′は突き合わせて一体に結合さ
れている。基板２、２′の中の少なくとも一方の基板に
は、本実施態様では基板２には溝１０、１０ａが形成さ
れているため、両磁性薄膜４、４′の接合部に空所１１
が形成される。

又、該薄膜磁気ヘツド１が磁気テープの如き記録媒体（
図示せず）に接触する作動面、つまり摺動面１２には、
記録再生時に記録媒体との磁束のやりとりを行なうポー
ルピース部１３、１３′があり、その幅は所定の記録ト
ラツク幅に一致している。両磁性薄膜４、４′の間には
、所定のギヤツプを形成せしめるためのスペーサ膜６が
介設されている。更に、基板２の溝１０、１０ａには該
基板２上の磁性薄膜４を囲むようにして巻線８が巻回さ
れる。

本発明においては、磁性薄膜４、４′は基板２、２′の
面上に一定幅にて形成されておらず、巻線８が施された
巻線部、即ち、空所１１又は溝１０ａ領域から摺動面１
２、つまりポールピース部１３、１３′へとその幅（Ｗ
）が漸次減少するように（磁性薄膜の最大幅Ｗ′からポ
ールピース部の幅ｗへと減少して）構成される。第３図
及び第４図を参照して更に詳しく説明すれば、磁性薄膜
４、４′は次の式を満足するように形成される。

ｇ／ｗ＜Ｇ／Ｗ（好ましくはＷ′≧５ｗ）ｗ：薄膜ヘツ
ドのポールピース部に於る両磁性薄膜の幅 ｇ：薄膜ヘツドのポールピース部に於る両磁性薄膜間の
ギヤツプ Ｗ：薄膜ヘツドのポールピース部後方から巻線部に至る
部分（巻線部をも含む）に於る両磁性薄膜の幅 Ｇ：前記磁性膜幅（Ｗ）の位置に於る両磁性薄膜間のギ
ヤツプ 更に、好ましい一実施例を具体的数値にて示せば次の通
りである。

ｇ＝０．２〜０．４μｍ ｗ＝５〜２０μｍ Ｇ′（Ｇの最大値）＝０．１〜０．２ｍｍＷ′（Ｗの最
大値）＝０．１〜０．２ｍｍＬ＝１０〜５０μｍ ここで、寸法（Ｌ）は、ポールピース部１３、１３′の
幅（ｗ）で一様に形成された磁性薄膜部分の長さを示す
ものであつて、磁気薄膜ヘツド先端部の摩耗代を提供す
る。

本発明に係る薄膜磁気ヘツドは上述のように磁性薄膜の
幅をポールピース部から巻線部にかけて膜幅を増大させ
るために記録時の巻線への電流供給を低減できるという
作用効果を有すると共に、磁気ヘツドのリアーギヤツプ
部、即ち、巻線部からヘツドの後端部１４に至る領域の
磁性薄膜の幅が広いために該リアーギヤツプ部の磁気抵
抗を極めて低く抑えることができヘツド効率を向上する
ことができる。

又、本発明のヘツド１は、巻線部及び該巻線部よりヘツ
ド後端部１４へと至る領域の磁性薄膜の幅Ｗは記録トラ
ツクの幅、即ち、ポールピース部１２の磁性薄膜の幅ｗ
より広く構成されるために、例えば２０μｍ以下という
狭トラツクヘツドに使用された場合にも巻線を容易にし
且つヘツドの機械的強度も十分大きく維持することがで
きるという利点を有する。

更に、磁性薄膜４、４′の膜厚ｔは例えば３μｍ以上の
或る値にて一様に形成されるが、ポールピース部１２か
らヘツド後端部１４に向つて漸次増大するように、例え
ばポールピース部では３μｍ、リアーギヤツプ部では１
０μｍとなるように構成することもできる。このような
構成によると磁気抵抗がポールピース部１２に集中し易
くなり、ヘツド効率を増大することができる。

又、本発明に係る薄膜磁気ヘツドにおいては、巻線部に
おいて巻線８が十分に磁性薄膜４に密着し且つ巻数当り
の導線長さを小さくするために巻線８が折れ曲がる磁性
薄膜４、及び好ましくは基板２の溝１０の角部４ａ及び
１０ｂには面取り加工が施される。斯る面取り加工によ
り巻線自体のインダクタンスを最小限に抑えることがで
き、又インダクタンスを或る値に設定した場合には従来
の薄膜磁気ヘツドに比較しコイルの巻数を増して、再生
出力を向上することができ、特に良好な高周波特性を維
持することができる。又、巻線部の磁性薄膜４の鋭利な
エツジ部を面取り加工によりなくすことにより、高周波
動作時にノイズ源となる該エツジ部に生じる微少磁区構
造の発生をなくするか又はその発生をし難くすることが
できる。

面取り加工の程度は所望に応じ任意に選ぶことができる
が、導線の直径をｄとすると、（１／２ｄ）Ｒ又は（１
／２ｄ）Ｃにて行なうのが好適である。

上記説明において、ポールピース部１３、１３′は摺動
面１２の幅の大略中央部に位置するものとして説明した
が、第５図及び第６図に図示されるように、所望に応じ
摺動面１２の一方側に片寄らせて構成することも可能で
ある。

次に、本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツドの製造方法に
ついて説明する。

第７図は本発明に係る薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実
施例を示す。（ａ）工程において、１対の非磁性基板２
及び２′が提供される。基板２には溝１０ａが形成され
る。該溝１０ａの両側壁１０′ａ、１０″ａの中、少な
くとも将来ポールピース部を形成する端部に隣接した方
の側壁、本実施例においては側壁１０′ａは端部に向つ
て傾斜した傾斜側壁とされる。該基板２、２′は非磁性
体物質、例えばセラミツク又はガラスにて作製される。

（ｂ）工程にて、該基板２、２′には蒸着、電着又はス
パツタリング等によつて磁性薄膜４、４′が全面に形成
される。磁性薄膜の材料としては例えばパーマロイ、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｉ合金（センダスト）、Ｃｏ基アモルフア
ス等の金属強磁性体が好適である。（ｃ）工程において
基板２に形成された溝１０ａの傾斜側壁１０′ａ上に設
けられた磁性薄膜部に該傾斜部を補完するような態様で
ガラス、銀ろう又は樹脂等から成る接着剤５が配設され
る。

該接着剤５は磁気ヘツドのポールピース部から巻線部に
至る領域を補強する働きをもなす。次で基板２及び２′
上の磁性薄膜４、４′及び接着剤５の面は均一な平面を
提供するべく研摩される。次に、（ｄ）工程において、
磁性薄膜４又は４′の中の一方の磁性薄膜の、本実施態
様では溝付基板２に設けられた磁性薄膜４のポールピー
ス部となるべき部分に、非磁性のスペーサ膜６が蒸着、
電着又はスパツタリング等によつて形成される。該スペ
ーサ膜の材料としてはアルミナ等が好適である。

（ｅ）工程において、基板２、２′は磁性薄膜４、４′
が対面するようにして突き合わせられ、そして周知の接
着剤、例えばガラス、銀ろう又は樹脂等を用いて一体的
に接合される。接合されて形成されたヘツドブロツク１
Ａは（ｆ）工程にて、ポールピース部となるべき面、つ
まり摺動面を横切つて、つまり磁性薄膜４、４′に対し
直交する方向に溝２０が等間隔にて形成される。第８図
を参照するとより明確に理解されるように、各溝２０の
形状は各隣接する溝２０によつて磁性薄膜４及び４′の
ポールピース部となる部分に幅ｗ、長さＬの磁性薄膜を
形成するようなものとされる。又溝２０の最先端部の深
さＴ′は、第７図（ｃ）に図示される接着剤配設深さＴ
と同じか又はわずかに小さくされる。このようにして形
成された各溝２０には次で非磁性体の例えばガラス、銀
ろう又は樹脂のような保護材２２が充填される。保護材
が充填されたヘツドブロツク１Ａは、次工程（ｆ）にて
該ポールピース部となる保護材充填部が研摩され、テー
プの如き記録媒体と接触する摺動面１２が創成される。

次で、摺動面側より磁性薄膜４、４′に平行に巻線用の
溝１０を穿設し、その後各溝２０の中心位置を通る切断
線Ａ−Ａ′に沿つてスライスされ、幅（Ｗ′）の磁気ヘ
ツドチツプが切り出される。このようにして作製された
磁気ヘツドチツプは、（ｈ）工程にて巻線が施される部
分の各鋭角縁部の面取り加工（４ａ、１０ｂ）が行なわ
れる。次で、斯る磁気ヘツドチツプには、周知の方法で
基板２に設けもられた溝１０の中に磁性膜４を囲むよう
にして巻線が施され、第２図に図示するような巻線型薄
膜磁気ヘツド１が作製される。巻線として使用される導
線の直径は０．０１〜０．１ｍｍが好適である。

上記製造方法においては、磁性薄膜４をポールピース部
１２から巻線部の方へと漸次増大する形状とするために
、ヘツドブロツク１Ａを形成した後、前記式ｗ／ｇ９＜
Ｗ／Ｇを満足するような概略半円状の溝２０を穿設する
ことによつて行なつたが他の方法にても可能である。例
えば第９図に図示するように、基板２、２′に磁性薄膜
４、４′がパターニング技術を用いて所定の形状、即ち
、磁性薄膜４、４′をポールピース部１２から巻線部の
方へと漸次増大する、前記式ｗ／ｇ＜Ｗ／Ｇを満足する
形状にて形成せしめ、空隙部２ａ及び２′ａには例えば
ガラス、銀ろう又は樹脂のような充填材を充填するよう
に構成することもできる。その後、磁性薄膜４、４′の
いずれか一方の磁性薄膜のポールピース部１２に相当す
る部分にスペーサ膜を設け、次で両基板２、２′を磁性
薄膜４、４′が対面するようにして突き合わせ、ガラス
、銀ろう又は樹脂のような接着剤を用いて一体的に接合
し、直ちに摺動面を研摩加工によつて創成し、引き続き
前記実施態様と同様に磁気ヘツドチツプを切り出し、薄
膜磁気ヘツドを作製することができる。

上記説明においては、基板２にのみ溝１０が設けられ、
そして巻線が施されたが、第１０図に図示されるように
、他方の基板２′にも溝１０′を形成し、巻線を施すこ
とができる。

東に、第１１図に図示されるように、基板２′も基板２
と同じ形状に形成し、両溝部１０及び１０′に巻線を施
すことができる。第１０図及び第１１図に例示される薄
膜磁気ヘツドも前記した製造方法によつて同様に製造し
得ることが理解されるであろう。

更に又、本発明に係る磁気ヘツドは第１２図〜第１４図
のように溝１０及び１０′は磁性薄膜４、４′に対し直
交するように形成することも可能である。更には、第１
５図及び第１６図に示すように溝１０、１０′の代わり
に、切欠き１０″を形成し摺動面１２が細くなつた、所
謂凸形ヘツドに形成することもできる。

本発明は以上の如くに構成されるために、巻線効率を向
上せしめ、再生出力を増大し得るという効果を達成する
ことができる。更に又、本発明に係る薄膜磁気ヘツドは
狭トラツク用ヘツドとして使用することができ、しかも
機械的強度及びポールピース部の耐摩耗性を大幅に改善
することができる。

又、本発明に係る製造方法に従えば、巻線型薄膜磁気ヘ
ツドを大量に且つ迅速に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の巻線型薄膜磁気ヘツドの斜視図である。 第２図は本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツドの斜視図で
ある。 第３図は第２図の薄膜磁気ヘツドの分解斜視図で、ギヤ
ツプスペーサ膜及び巻線は省略されている。 第４図は第２図の薄膜磁気ヘツドの部分詳細縦断面図で
ある。 第５図は本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツドの他の実施
態様を示す斜視図である。 第６図は第５図の薄膜磁気ヘツドの分解斜視図で、ギヤ
ツプスペーサ膜及び巻線は省略されている。 第７図（ａ）〜（ｈ）は本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘ
ツドの製造工程を示す斜視図である。 第８図は第７図（ｆ）の線ＶＩＩＩ〜ＶＩＩＩに沿つて
取つた断面詳細図である。 第９図は本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘツドの他の態様
の製造方法を説明する斜視図である。 第１０図から第１６図は本発明に係る巻線型薄膜磁気ヘ
ツドの他の実施態様を示す斜視図である。 １：巻線型薄膜磁気ヘツド ２、２′：非磁性基板 ４、４′：磁性薄膜 ４ａ、１０ｂ：面取り部 ６：ギヤツプスペーサ膜 ８、８′：巻線 １０、１０′、１０ａ：溝 １０″：切欠き １２：摺動面 １３、１３′：ポールピース部 代理人の氏名　　倉　内　基　弘 同　　　　　　　倉　橋　　　暎 手　続　袖　ｔｌ、ｉ　　−ｒ’：Ｃ方式）昭和５８年
　３ノ］２４１」 特ｉ’ｉ’ｌ庁投官　若　杉　和　天　殿事件の表示　
　昭和５７年　　特願第　１９７８１０号発明の名称　
　巻線型薄膜６・、よ気ヘツド及びその製造方法補正を
する省 事件との関係　　　　　　　　　　特許出願人名称　１
」本鉱業林式会社 代理人 電話２７３−６４３６布 間　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　−住　所　　　　　　　　　　
　同　　　　　」−氏　名　　（７５６３）　　弁理士
　倉　　橋　　　　暎（・２．蕪、ヲ浦正命令通知のに
１付　　昭和５８年２月２２日−“−補ｉＨモ吐−り１
曽加→＝本発明−０数−−ｒ＼袖市の対象 ■正の内容　　別紙の通り （−）「図面」を次のように補正する。 先に提出した第７図（ｄ）〜（ｇ）及び（ｈ）に関し、
添附した図面の写しに未配するＪ：うに図面番号「第７
図」を記載する。 １１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）対向配置された１対の非磁性基板と、該各基板の対
   向する面上に設けられた磁性薄膜と、該両磁件薄膜を突
   き合せて形成されるポールピース部のギヤツプを埋める
   非磁性のスペーサ膜と、前記基板の中の少なくとも一方
   の基板に形成された溝部にて該基板上の磁性薄膜を囲む
   ようにして巻回された巻線とを具備し、前記磁性薄膜は
   ポールピース部から巻線部の方向へとその幅が増大する
   ように形成されたことを特徴とする巻線型薄膜磁気ヘツ
   ド。 ２）巻線部の磁薄膜のエツジ部に面取り加工を施して成
   る！特許請求の範囲第１項記載の巻線型薄膜磁気ヘツド
   。 ３）基板の溝部のエツジ部に面取り加工を施して成る特
   許請求の範囲第２項記載の巻線型薄膜磁気ヘツド。 ４）磁性薄膜の巻線部の幅（Ｗ′）はポールピース型の
   幅（ｗ）の５倍以上である特許請求の範囲第１項記載の
   巻線型薄膜磁気ヘツド。 ５）磁性薄膜のポールビース部の幅（ｗ）、ポールピー
   ス部後方から巻線部に至る部分（巻線部をも含む）に於
   る磁性薄膜の幅（Ｗ）、両磁性薄膜間のポールピース部
   の空隙大きさ（ｇ）及び前記磁性薄膜幅（Ｗ）の位置に
   於る両磁性薄膜間の巻線部の空隙大きさ（Ｇ）の間には
   、 ｇ／ｗ＜Ｇ／Ｗ の関係が成立つように構成されて成る特許請求の範囲第
   ４項記載の巻線型薄膜磁気ヘツド。 ６）磁性薄膜の厚みは一定である特許請求の範囲第１頂
   記載の巻線型薄膜磁気ヘツド。 ７）磁性薄膜の厚みはポールピース部から巻線部の方向
   へと漸次増大するように形成されて成る特許請求の範囲
   第１項記載の巻線型薄膜磁気ヘツド。 ８）少なくとも一方には溝部を有し、該溝部ポールピー
   ス部形成端に隣接した方の壁部はポールピース部形成端
   に向つて傾斜するようにした１対の非磁性基板を提供す
   る工程；前記各基板の対向する面上に磁性薄膜を形成す
   る工程；前記溝部の傾斜壁上に設けられた磁性薄膜部の
   傾斜部を補完するように該傾斜部に接着剤を充填する工
   程；前記各基板上の磁性薄膜面を平らにするべく研摩す
   る工程；少なくとも一方の磁性薄膜のポールピース部に
   相当する部分に非磁性のギヤツプスペーサ膜を形成する
   工程；前記両基板を磁性薄膜が対面するようにして突き
   合せそして一体に接合しヘツドブロツクを形成する工程
   ；前記ヘツドブロツクのポールピース部に、磁性薄膜に
   直交する方向に横断する溝を穿設する工程；前記溝に非
   磁性の保護材を充填する工程；前記ヘツドブロツクのポ
   ールピース部を含む摺動面を所定形状に研摩する工程；
   前記ヘツドブロツクを所定幅にスライスし、ヘツドチチ
   ツプを切り出す工程；及び前記ヘツドチツプの巻線部に
   該基板上の磁性薄膜を囲むようにして導線を巻回する工
   程を具備することを特徴とする巻線型薄膜磁気ヘツドの
   製造方法。 ９）個々のへツドチツプを切り出すに先立つて、ヘツド
   ブロツクの少なくとも溝部を有した基板には該溝部と協
   働して巻線部を形成するために磁性薄膜に沿つて溝又は
   切欠きが形成され、又個々に切り出された各ヘツドチツ
   プの巻線部の鋭角縁部は巻線を施すに先立つて面取り加
   工を行なうようにした特許請求の範囲第８項記載の巻線
   型薄膜磁気ヘツドの製造方法。 １０）少なくとも一方には溝部を有した１対の非磁性基
   板を提供する工程；前記各基板の対向する面上に磁性薄
   膜を所定形状にて形成する工程；前記各基板面上の磁性
   薄膜のない空隙部を非磁性充填材にて充填する工程；少
   なくとも一方の磁性薄膜のポールピース部に相当する部
   分に非磁性のギヤツプスペーサ膜を形成する工程；前記
   両基板を磁性薄膜が対面するようにして突き合せそして
   一体に接合しヘツドブロツクを形成する工程；前記ヘツ
   ドブロツクのポールピース部を含む摺動面を所定形状に
   研摩する工程；前記ヘツドブロツクを所定幅にスライス
   し、ヘツドチツプを切り出す工程；及び前記ヘツドチツ
   プの基板溝部に該基板上の磁性薄膜を囲むようにして導
   線を巻回する工程を具備することを特徴とする巻線型薄
   膜磁気ヘツドの製造方法。 １１）個々のヘツドチツプを切り出すに先立つて、ヘツ
   ドブロツクの少なくとも溝部を有した基板には該溝部と
   協働して巻線部を形成するために磁性薄膜に沿つて溝又
   は切欠きが形成され、又個々に切り出された各ヘツドチ
   ツプの巻線部の鋭角縁部は巻線を施すに先立つて面取り
   加工を行なうようにした特許請求の範囲第１０項記載の
   巻線型薄膜磁気ヘツドの製造方法。