JPS5997532A - 電気光学薄膜材料の製造方法 - Google Patents
電気光学薄膜材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS5997532A JPS5997532A JP57204550A JP20455082A JPS5997532A JP S5997532 A JPS5997532 A JP S5997532A JP 57204550 A JP57204550 A JP 57204550A JP 20455082 A JP20455082 A JP 20455082A JP S5997532 A JPS5997532 A JP S5997532A
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- Japan
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- thin film
- electro
- optic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電気光学特性を有する薄膜の製造方法に関す
るも゛のであり、特に鉛、チタンおよびランタンの複合
酸化物からなるオプトエレクトロニクス用の電気光学薄
膜拐料の製造方法に関する。
るも゛のであり、特に鉛、チタンおよびランタンの複合
酸化物からなるオプトエレクトロニクス用の電気光学薄
膜拐料の製造方法に関する。
（従来例の構成とその問題点）
従来、鉛、チタンおよびランタンの複合酸化物から々る
物質はセラミックスの形態である。この物質の大きい電
気光学効果および透明度を利用して例えば光ＩＣ用の光
スィッチを作る場合、本体の厚さをμｍオーダにする必
要があるが、セラミックスをμｍオーダに研摩、接着す
ることは実際には不可能である。
物質はセラミックスの形態である。この物質の大きい電
気光学効果および透明度を利用して例えば光ＩＣ用の光
スィッチを作る場合、本体の厚さをμｍオーダにする必
要があるが、セラミックスをμｍオーダに研摩、接着す
ることは実際には不可能である。
一方、蒸着法例えば真空蒸着法を用いると、拐料の薄型
化に容易であると知られているが、本発明にかかるよう
な鋭、チタンおよびランタンの複合酸化物月利の場合は
、この種の蒸着法を用いても、所望の組成が一般には得
られないだめ、工業的にはこの種の複合酸化物月利の薄
膜化は現在の技術では不可能であると信じられていた。
化に容易であると知られているが、本発明にかかるよう
な鋭、チタンおよびランタンの複合酸化物月利の場合は
、この種の蒸着法を用いても、所望の組成が一般には得
られないだめ、工業的にはこの種の複合酸化物月利の薄
膜化は現在の技術では不可能であると信じられていた。
しかるに、本発明者らは、イオン衝撃蒸着法例えば高周
波スパッタ蒸着法を用いて、上記複合酸化物薄膜を形成
すると、大きい電気光学効果を示す薄膜が、スパッタ用
ターゲントの組成さえ選べば、意外にも再現性よく形成
され得ることを発見した。
波スパッタ蒸着法を用いて、上記複合酸化物薄膜を形成
すると、大きい電気光学効果を示す薄膜が、スパッタ用
ターゲントの組成さえ選べば、意外にも再現性よく形成
され得ることを発見した。
（発明の目的）
従って、本発明は前記発見に基いてなされたものであっ
て、その目的は良好な電気光学特性を有する鉛、チタン
およびランタンを含む複合酸化物薄膜の薄膜を形成する
方法を得ることにある。
て、その目的は良好な電気光学特性を有する鉛、チタン
およびランタンを含む複合酸化物薄膜の薄膜を形成する
方法を得ることにある。
（発明の構成）
本発明による電気光学薄膜材料の製造方法は、少なくと
も鉛、チタンおよびランタンの複合酸化物からなるター
ゲットを用いてイオン衝撃蒸着することにより前記複合
酸化物を形成することを特徴としている。
も鉛、チタンおよびランタンの複合酸化物からなるター
ゲットを用いてイオン衝撃蒸着することにより前記複合
酸化物を形成することを特徴としている。
また、この方法において、前記ターゲット中の鉛（ｐｂ
）、ランタン（Ｌａ、）の含有モル比率は、０．２≦
−２砂−−−≦ ０．３５ Ｌａ ４− ｐｂ で表わされる範囲に選択されるのがよい。
）、ランタン（Ｌａ、）の含有モル比率は、０．２≦
−２砂−−−≦ ０．３５ Ｌａ ４− ｐｂ で表わされる範囲に選択されるのがよい。
電気光学効果のターゲット組成による変化を第１図の曲
線１１に示す。同図から、従来大きい電気光学効果をも
つと知られているＬｉＮｂＯ３単結晶の特性値１２より
、上記の組成範囲では凌駕していることが確認され、こ
の範囲のターゲット組成からスパッタ蒸着すると、従来
にないすぐれた電気光学薄膜材料が形成されることがわ
かる。
線１１に示す。同図から、従来大きい電気光学効果をも
つと知られているＬｉＮｂＯ３単結晶の特性値１２より
、上記の組成範囲では凌駕していることが確認され、こ
の範囲のターゲット組成からスパッタ蒸着すると、従来
にないすぐれた電気光学薄膜材料が形成されることがわ
かる。
なお、バルクのセラミックスで構成された電気光学効果
として、所謂ｐＬＺＴがあるが、これらのセラミックス
材料では、本発明にかかる組成と同じ範囲にあるものは
、この種の大きい電気光学効果を期待されていない領域
のものである。本発明にかかる電気光学効果の大きいス
パッタ膜の組成が、例えばセラミックス桐材と異なる理
由の詳細は明らかでないが、多分スパッタ蒸着法に代表
される高エネルギー例えば数ｅＶ （数万度）の粒子の
基板上での付着による材料合成と、］、 ０００度前後
の熱平衡温度における焼結で代表すれるセラミックス形
成プルセスとの差異にあると考えられるｂなお、本発明
にかかる電気光学薄膜材料において、イオン衝撃により
、上述したターゲットを蒸着すればよいから、必ずしも
スパッタ蒸着に限定したものではない。
として、所謂ｐＬＺＴがあるが、これらのセラミックス
材料では、本発明にかかる組成と同じ範囲にあるものは
、この種の大きい電気光学効果を期待されていない領域
のものである。本発明にかかる電気光学効果の大きいス
パッタ膜の組成が、例えばセラミックス桐材と異なる理
由の詳細は明らかでないが、多分スパッタ蒸着法に代表
される高エネルギー例えば数ｅＶ （数万度）の粒子の
基板上での付着による材料合成と、］、 ０００度前後
の熱平衡温度における焼結で代表すれるセラミックス形
成プルセスとの差異にあると考えられるｂなお、本発明
にかかる電気光学薄膜材料において、イオン衝撃により
、上述したターゲットを蒸着すればよいから、必ずしも
スパッタ蒸着に限定したものではない。
以下実施例により、本発明にかかる電気光学薄膜材料の
製造法を説明する。
製造法を説明する。
（実施例の説明）
鉛、チタンおよびランタンの酸化物粉末を、鉛とランタ
ンの含有モル比率がＬａ／Ｌａ＋Ｐｂ ＝ ０−２８
となるように配合した後、大気中７００℃で焼成して
ターゲット利別とした。このターゲットを高周波ブレナ
ーーマグ不トｐンスパッタ装置でスパッタ蒸着した。基
板には、表面が平滑なザファイアＣ面単結晶板を用い、
基板温度が５８０℃、スパッタガス圧が６ Ｘ １０２
Ｔｏｒｒ （Ａｒ１０２＝ ３／２ ）のスパッタ条件
て、１時間スパッタすると、４０００Ａの（１１１）而
のＪｌｊ結晶膜が基板上に得られた。この薄膜の電気光
学効果を測ると、第２図に示すごとく、印加電界に★・
４して、２次曲線的な特性２１を示しだ。
ンの含有モル比率がＬａ／Ｌａ＋Ｐｂ ＝ ０−２８
となるように配合した後、大気中７００℃で焼成して
ターゲット利別とした。このターゲットを高周波ブレナ
ーーマグ不トｐンスパッタ装置でスパッタ蒸着した。基
板には、表面が平滑なザファイアＣ面単結晶板を用い、
基板温度が５８０℃、スパッタガス圧が６ Ｘ １０２
Ｔｏｒｒ （Ａｒ１０２＝ ３／２ ）のスパッタ条件
て、１時間スパッタすると、４０００Ａの（１１１）而
のＪｌｊ結晶膜が基板上に得られた。この薄膜の電気光
学効果を測ると、第２図に示すごとく、印加電界に★・
４して、２次曲線的な特性２１を示しだ。
この場合、例えば電界が２ ｋ Ｖ／＋ｉｍでは、複屈
折率変化は約１０”程度に達し、ＬｉＮｒ０３ 単結晶
の４倍であった。
折率変化は約１０”程度に達し、ＬｉＮｒ０３ 単結晶
の４倍であった。
（発明の効果）
本発明の方法によれば、鉛、チタンおよびランタンの複
合酸化物を、従来不可能であったμｍオーダの薄膜に形
成、接着することが可能である。
合酸化物を、従来不可能であったμｍオーダの薄膜に形
成、接着することが可能である。
寸だ、本発明の電気光学薄膜材料の製造法で形成された
薄膜は、Ｌ １ＮｂＯ３単結晶より大きな電気光学効果
を示すものであるので、高効率の電気光学デバイスの実
現を可能にするとともに、薄膜固有の集積化の容易さと
いう利点を生かした、各種の光ＩＣの実現を可能にする
。
薄膜は、Ｌ １ＮｂＯ３単結晶より大きな電気光学効果
を示すものであるので、高効率の電気光学デバイスの実
現を可能にするとともに、薄膜固有の集積化の容易さと
いう利点を生かした、各種の光ＩＣの実現を可能にする
。
第１図は、２ ｋＶ７ｍｍの電圧印加時の複屈折変化を
、ターゲットの鉛、ランタンの含有比率Ｌ１ａ→−ｐｂ
に対しプロットした図、第２図は、本発明の実施例にお
ける電気光学薄膜材料の、印加電圧に対する複屈折変化
を示す図である。 １１ ・・・・・・ ターゲット材料の組成と、作成
された薄膜の２ ｋＶ／ａｍ印加時の複屈折変化の関係
を示す曲線、ｌ２・−・・・・・ Ｉ、ｉ Ｎ ｂＯ３
の２ ｋＶ／ａｍ印加時の複屈折変化量値、 ２１・・
・・・・・・・印加電圧と複屈折変化量の関係を示す曲
線。 第１図 Ｘ１０−’
、ターゲットの鉛、ランタンの含有比率Ｌ１ａ→−ｐｂ
に対しプロットした図、第２図は、本発明の実施例にお
ける電気光学薄膜材料の、印加電圧に対する複屈折変化
を示す図である。 １１ ・・・・・・ ターゲット材料の組成と、作成
された薄膜の２ ｋＶ／ａｍ印加時の複屈折変化の関係
を示す曲線、ｌ２・−・・・・・ Ｉ、ｉ Ｎ ｂＯ３
の２ ｋＶ／ａｍ印加時の複屈折変化量値、 ２１・・
・・・・・・・印加電圧と複屈折変化量の関係を示す曲
線。 第１図 Ｘ１０−’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 少なくとも、鉛、チタンおよびランタンの複
合酸化物からなるターゲットを用いてイオン衝撃蒸着す
ることにより前記複合酸化物の薄膜を形成することを特
徴とする電気光学薄膜拐料の製造方法。 （２） イオン衝撃蒸着をスパッタ蒸着で構成するこ
とを特徴とする特γ丁請求の範囲第（１）項記載の電気
光学薄膜月利の製造方法。 （３） ターゲット中の鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ
）の含有モル比率が ０．２ ＊ Ｌａ、／（Ｌａ＋Ｐｂ）≦０．３５の範囲
であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の′ｉｔｆ、気光学薄膜月料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204550A JPS5997532A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 電気光学薄膜材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204550A JPS5997532A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 電気光学薄膜材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997532A true JPS5997532A (ja) | 1984-06-05 |
| JPH0335247B2 JPH0335247B2 (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=16492354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57204550A Granted JPS5997532A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 電気光学薄膜材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997532A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116499A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Sharp Corp | Preparing high dielectric thin film |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57204550A patent/JPS5997532A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116499A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Sharp Corp | Preparing high dielectric thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0335247B2 (ja) | 1991-05-27 |
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