JPS5998766A - 回転塗布機 - Google Patents

回転塗布機

Info

Publication number
JPS5998766A
JPS5998766A JP20996382A JP20996382A JPS5998766A JP S5998766 A JPS5998766 A JP S5998766A JP 20996382 A JP20996382 A JP 20996382A JP 20996382 A JP20996382 A JP 20996382A JP S5998766 A JPS5998766 A JP S5998766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
plastic brush
splashes
spinner
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20996382A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuharu Kitajima
北嶋 勝春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP20996382A priority Critical patent/JPS5998766A/ja
Publication of JPS5998766A publication Critical patent/JPS5998766A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回転塗布機にかかシ、とくに塗布液が、その
塗布面と反対の面に付着しない回転塗布機に関するもの
である。
以下に、半導体ウェハープロセス・フォトレジスト工程
のスピンコーティング法によるレジスト塗布を例として
具体的に述べる。
半導体はそのウェハープロセスにおいて、ウェハー片側
全面にP型あるいはN型不純物を拡散する工程を有し、
これは通常次のように行なう。
初めにウェハー全面に熱酸化等によシ所定厚のSin、
膜を形成する。次いでウニ/・−の不純物を拡散する側
と反対の面金面にレジストを塗布し、ペイキングの後、
ぶつ酸系の液でレジストの塗布されてい々い側のsio
、膜をエツチング除去し、さらに適当な方法でレジスト
を除去する。その後このウェハーを不純物拡散炉に挿入
して所定の拡散を行い、フォトレジスト工程でSiO2
膜の除去された側のみに不純物を拡散する。
このフォトレジスト工程の中のレジスト塗布は、次のよ
うなスピンコーティング法で行っている。
スピンコーティング法によるレジスト塗布は第1図に示
すようなスピナで行っている。すなわち、スピンドルへ
ラド1の上にレジスト塗布面を上にしてウェハー2を置
き、スピンドルヘッド1に吸着固定する。次いでレジス
ト3を所定量滴下し、最初スピンドルヘッド1を低速で
回転させてレジスト3をウェハ−2全面に広げ、さらに
スピンドルヘッド1回転速度を一定速に増してレジスト
膜厚を塗布面全面にわたって均一とする。このスピンド
ルヘッド10回転速度はレジストの粘度、塗右後レジス
ト膜厚とから適切な値を選ぶ。
この際従来の方法では次のような欠点を有していた。第
1図に示すように、スピンドルヘッド10回転時にウェ
ハー2から飛散したレジスト飛沫4がスピナカップ5内
壁に衝突後再飛散して、レジスト塗布面(ウェハー上面
)およびウェハー下面に第2図のように付着する。
このうち、ウェハー下面のレジスト飛沫付着部は、5i
n2膜がエツチング時エッチされずにそのま捷残シ、し
たがって次の不純物拡散工程において不純物が拡散され
ないため、デバイスとして所期の特性を発揮せず、歩留
低下を招く。
本発明の目的は従来の欠点を除去したウェハー下面にレ
ジスト飛沫付着を起さないレジスト塗布機を提供するこ
とにあシ、その特徴はスピナカップ内側にプラスチック
ブラシの設置されたスピナカップを用いることにある。
以下図面により詳細に説明する。第3図は本発明の実施
例に係るスピナのスピナカップ部およびスピンドルの略
断面図であり、スピナカップ内側にスレンコーティング
時ウェハー2から飛散したレジスト飛沫の再飛散防止の
為のプラスチックブラシが設置されている。第4図に示
すようにスピンコーティング時にウェハー2から飛散し
たレジスト飛沫4は、スピナカップ内側に設置されてい
るプラスチックブラシに吸着され、ウェハーのレジスト
塗布面(ウェハー上面)およびウェハー下面へのレジス
トの再飛散によるレジスト飛沫付着はない。したがって
5in2膜工ツチ時、レジストの塗布されていない面の
Sin、膜は完全除去され、次の不純物拡散工程で、ウ
ェハーの5ib側全面に均一に不純物拡散層を形成する
ことができる。
このように本発明によるスピナカップ内側にプラスチッ
クブラシを設置することによシ、半導体を歩留よく製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のスピンコーティング法によルスピンドル
ヘット部およびスピナカップ部レジスト塗布状態を示す
略断面図である。 第2図は従来のスピンコーティング法によるレジスト塗
布を行なった時のウェハーのレジスト塗布しない面にレ
ジスト飛沫が付着している状態を示す区である。第3図
は本発明によるスピナカップ内側にレジスト飛沫再飛散
防止のためのプラスチックブラシの設置されたスピナカ
ップおよびスピンドル部を示す略断面図でるる。第4図
は本発明によるスピナカップ内側jにプラスチックブラ
シの設置されたスピナカップによシレジス)e!布して
いる状態を示す略断面図である。 なお、図において、1・旧・・スピンドルヘッド、2・
・・・・・ウェハー、3・・・・・・レジスト、4・・
・・・・レジスト飛沫、5・・・・・・スピナカップ、
6・・・・・・プラスチックブラシ、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回転塗布機のスピナカップ内側にプラスチックブラシを
    有することを特徴とする回転塗布機。
JP20996382A 1982-11-30 1982-11-30 回転塗布機 Pending JPS5998766A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20996382A JPS5998766A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 回転塗布機

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20996382A JPS5998766A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 回転塗布機

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5998766A true JPS5998766A (ja) 1984-06-07

Family

ID=16581569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20996382A Pending JPS5998766A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 回転塗布機

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5998766A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07169684A (ja) レジスト堆積方法
JPH10208992A (ja) フォトレジストの塗布装置及び塗布方法
JPS6053305B2 (ja) 現像方法
JPS6369563A (ja) 塗布方法および装置
JPS60161767A (ja) 自動回転塗布機
JPS584926A (ja) 回転塗布装置
JPH07227568A (ja) 塗膜形成方法
JPS60143870A (ja) 回転塗布機
JPS62185322A (ja) フオトレジスト塗布装置
JPS6084821A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6068076A (ja) 自動回転塗布機
JPS6342526Y2 (ja)
JPH0628224Y2 (ja) 基板回転処理装置
JPS6129499Y2 (ja)
JPS61206224A (ja) レジスト塗布装置
JPS61207019A (ja) 回転塗布装置
JP2001319851A (ja) フォトレジスト塗布方法
JP2575959B2 (ja) 回転塗布装置
JPS6223581Y2 (ja)
JPH056855A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JPH05259063A (ja) 半導体基板のスピンコーティング方法
JPH0230132A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63260025A (ja) 回転塗布装置
JP2593465B2 (ja) 半導体ウエーハの液処理装置
US6395086B1 (en) Shield for wafer station